KR20050041726A

KR20050041726A - 전계 방출 표시소자와 이의 제조 방법

Info

Publication number: KR20050041726A
Application number: KR1020030076986A
Authority: KR
Inventors: 안상혁; 이상조
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2003-10-31
Filing date: 2003-10-31
Publication date: 2005-05-04
Also published as: US7352123B2; CN1308992C; US20050093426A1; JP2005135917A; CN1612284A

Abstract

본 발명은 캐소드 전극을 패터닝할 때에 절연층에 크랙이 생기지 않도록 하여 크랙에 의한 다이오드 발광을 억제하며, 캐소드 전극의 도전성을 높여 화면 휘도를 향상시키고, 저전압 구동을 가능하게 하는 전계 방출 표시소자에 관한 것으로서, 임의의 간격을 두고 서로 대향 배치되는 제1 및 제2 기판과; 제1 기판 상에 형성되는 적어도 1의 게이트 전극과; 절연층을 사이에 두고 적어도 1의 게이트 전극 위에 형성되며, 적어도 2층의 적층 구조로 이루어지는 캐소드 전극들과; 캐소드 전극들과 접촉하며 위치하는 전자 방출원과; 제2 기판 상에 형성되는 적어도 1의 애노드 전극과; 적어도 1의 애노드 전극 일면에 위치하는 형광 스크린을 포함하는 전계 방출 표시소자를 제공한다.

Description

전계 방출 표시소자와 이의 제조 방법{FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

본 발명은 전계 방출 표시소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에미터의 전자 방출을 제어하는 게이트 전극을 캐소드 전극 하부에 배치함과 아울러 후면 노광법을 이용하여 에미터를 형성하는 전계 방출 표시소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

최근의 전계 방출 표시소자(FED; field emission display) 분야에서는 저전압(대략 10∼100V) 구동 조건에서 전자를 양호하게 방출하는 카본계 물질을 이용하여 스크린 인쇄와 같은 후막 공정을 통해 전자 방출원을 형성하는 기술이 연구 개발되고 있다.

지금까지의 기술 동향에 의하면, 에미터에 적합한 카본계 물질로는 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본(DLC; diamond liked carbon) 및 카본 나노튜브(CNT; carbon nanotube) 등이 알려져 있다. 이 가운데 특히 카본 나노튜브는 1∼10V/㎛ 정도의 낮은 전계에서도 전자를 양호하게 방출함에 따라 이상적인 전자 방출 물질로 기대되고 있다.

상기 카본 나노튜브와 스크린 인쇄법을 이용한 에미터 제작과 관련한 종래 기술로는 미국특허 6,359,383호와 미국특허 6,436,221호에 개시된 카본 나노튜브 에미터를 들 수 있다.

한편, 전계 방출 표시소자가 캐소드와 게이트 및 애노드 전극들을 구비하는 3극관 구조로 이루어질 때에, 도 5에 도시한 바와 같이 제1 기판(1) 상에 게이트 전극(3)을 먼저 형성하고, 게이트 전극(3) 위에 절연층(5)을 형성한 다음, 절연층(5) 위에 캐소드 전극(7)과 에미터(9)를 배치함과 아울러, 제2 기판(11) 상에 애노드 전극(13)과 형광막(15)을 형성한 구성이 공지되어 있다.

상기 구조는 제작 과정에서 게이트 전극(3)과 캐소드 전극(7)이 단락될 우려가 없고, 에미터(9)가 제1 기판(1)의 최상부에 위치하므로 스크린 인쇄와 같은 후막 공정을 용이하게 적용할 수 있으며, 제조 공정이 비교적 단순하여 대면적 표시소자 제작에 유리한 장점이 있다.

전술한 전계 방출 표시소자에서, 상기 에미터(9)는 감광성 전자방출 물질을 도포하고 이를 노광 후 현상하는 과정을 통해 패터닝된다. 이 때, 자외선을 전자방출 물질 위에서 조사하게 되면 에미터 패턴이 불균일해지고, 에미터의 접착력이 떨어지는 문제가 있으므로, 제1 기판(1)의 후면을 통해 자외선을 조사하는 후면 노광법을 적용하고 있다.

도 6a∼도 6d는 종래 기술에 의한 전계 방출 표시소자의 제조 과정 중 에미터 형성 과정을 나타낸 개략도이다.

먼저 도 6a에 도시한 바와 같이, 투명한 제1 기판(1) 위에 투명한 도전물질로 게이트 전극(3)을 형성하고, 게이트 전극(3)을 덮으면서 제1 기판(1) 내면 전체에 투명한 유전물질을 인쇄하여 절연층(5)을 형성한다. 그리고 절연층(5) 위에 금속 물질, 일례로 크롬(Cr)을 도포하고 패터닝하여 캐소드 전극(7)을 형성한다.

이어서 도 6b에 도시한 바와 같이, 캐소드 전극(7)과 절연층(5) 상에 희생층(17)을 형성하고 이를 패터닝하여 에미터가 형성될 위치를 개방시킨다. 다음으로 희생층(17) 위에 감광성 전자방출 물질을 도포하고, 제1 기판(1)의 후면을 통해 자외선을 일정 시간 조사한 다음, 현상하여 경화되지 않은 전자 방출 물질을 제거하여 도 6c에 도시한 에미터(9)를 완성한다. 마지막으로 희생층 에천트를 이용하여 희생층(17)을 제거함으로써 도 6d에 도시한 제1 기판 구조를 완성한다.

이와 같이 희생층(17)을 이용한 후면 노광법은 에미터(9) 패턴을 균일하게 하고, 에미터(9)의 접착력을 높이는 장점이 있으며, 에미터(9) 패터닝에 사용된 희생층(17)은 모두 제거되어 제1 기판(1) 상에 남지 않는다.

그런데 전술한 제작 과정에서 크롬 에천트를 이용하여 캐소드 전극(7)을 패터닝할 때에, 크롬 에천트가 절연층(5) 표면을 손상시켜 절연층(5) 표면에 많은 크랙을 발생시키게 된다. 그 결과, 절연층 크랙에 전자방출 물질이 잔류하여 표시소자 구동시 불필요한 다이오드 발광을 일으켜 화면 품질을 저하시킬 수 있다.

또한, 캐소드 전극(7)으로 사용되는 크롬은 아킹 등의 외부 충격에 강하여 전극 재료로 적합하나, 다른 전극 재료, 일례로 알루미늄과 비교하여 도전성이 떨어지므로, 대면적 표시소자의 경우 캐소드 전극(7)에서 전압 강하가 일어날 수 있다. 이로서 캐소드 전극(7)의 전압 강하에 의해 에미터(9)의 전자 방출량이 저하되어 화면 휘도가 낮아지고, 구동 전압이 높아지는 문제가 발생할 수 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 캐소드 전극을 패터닝할 때에 절연층에 크랙이 생기지 않도록 하여 크랙에 의한 다이오드 발광을 억제하며, 캐소드 전극의 도전성을 높여 화면 휘도를 향상시킴과 아울러 구동 전압을 낮출 수 있는 전계 방출 표시소자와 그의 제조 방법을 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제1 및 제2 기판과, 제1 기판 상에 형성되는 적어도 1의 게이트 전극과, 절연층을 사이에 두고 적어도 1의 게이트 전극 위에 형성되며, 적어도 2층의 적층 구조로 이루어지는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극들과 접촉하며 위치하는 전자 방출원과, 제2 기판 상에 형성되는 적어도 1의 애노드 전극과, 적어도 1의 애노드 전극 일면에 위치하는 형광 스크린을 포함하는 전계 방출 표시소자를 제공한다.

상기 캐소드 전극은 제1 전극층 및 제1 전극층과 이종(異種) 금속으로 이루어지면서 제1 전극층 위에 형성되는 제2 전극층을 포함하며, 제1 전극층과 제2 전극층은 선택적 에칭성을 갖는 이종 금속으로 형성된다. 특히 제1 전극층과 제2 전극층으로는 각각 알루미늄(Al)과 크롬(Cr)이 바람직하다.

상기 전자 방출원은 제1, 2 전극층의 측면과 접촉하며 위치하고, 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진다.

상기 전계 방출 표시소자는 캐소드 전극들 사이에서 전자 방출원과 소정의 간격을 두고 위치하는 대향 전극을 더욱 포함하며, 대향 전극은 절연층에 형성된 관통홀을 통해 게이트 전극과 접촉한다. 대향 전극 또한 제1 전극층 및 제1 전극층과 이종(異種) 금속으로 이루어지면서 제1 전극층 위에 형성되는 제2 전극층을 포함하며, 제1 전극층과 제2 전극층으로는 각각 알루미늄(Al)과 크롬(Cr)이 바람직하다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

투명한 제1 기판 상부에 투명한 도전물질을 이용하여 스트라이프 형상의 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 상면 전체에 투명 유전체를 도포하여 절연층을 형성하고, 절연층 위에 제1 전극층과 제2 전극층을 적층하고, 제2 전극층을 게이트 전극과 교차하는 방향을 따라 스트라이프 형상으로 패터닝하고, 제1 전극층을 1차 패터닝하여 에미터가 형성될 위치에 개구부를 형성하고, 제1 기판 최상부에 감광성 전자방출 물질을 도포하고, 제1 기판의 후면을 통해 자외선을 조사하여 개구부에 채워진 전자방출 물질을 선택적으로 경화시켜 전자 방출원을 형성하고, 제2 전극층 형상을 따라 제1 전극층을 2차 패터닝하여 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법을 제공한다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시소자의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 조립 상태를 나타내는 부분 단면도이다.

도면을 참고하면, 전계 방출 표시소자는 프릿과 같은 밀봉재에 의해 가장자리가 접합되어 진공 용기를 구성하는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함하며, 제1 기판(2)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이, 그리고 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 내어 소정의 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.

보다 구체적으로, 제1 기판(2) 위에는 게이트 전극(6)들이 일방향(도면의 Y 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 게이트 전극(6)들을 덮으면서 제1 기판(2)의 내면 전체에 절연층(8)이 형성된다. 절연층(8) 위에는 게이트 전극(6)과 교차하는 방향(도면의 X 방향)을 따라 캐소드 전극(10)들이 형성되며, 전자 방출원인 에미터(12)가 캐소드 전극(10)의 측면과 접촉하며 위치한다.

게이트 전극(6)은 투명한 도전물질, 일례로 ITO(indium tin oxide)로 이루어지고, 절연층(8)은 투명한 유전물질로 이루어진다. 에미터(12)는 캐소드 전극(10)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되거나, 도 1에 도시한 바와 같이 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)이 교차하는 화소 영역마다 하나의 에미터(12)가 배치될 수 있다. 본 발명에서 에미터(12)는 카본계 물질, 가령 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 또는 이들의 조합으로 이루어지며, 본 실시예에서는 카본 나노튜브를 적용하고 있다.

그리고 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 애노드 전극(14)이 형성되고, 애노드 전극(14)의 일면에는 적색, 녹색 및 청색의 형광막(16)들과 흑색층(18)으로 이루어진 형광 스크린(20)이 형성된다. 형광 스크린(20) 표면에는 메탈 백(metal back) 효과에 의해 화면의 휘도를 높이는 금속 반사막, 일례로 알루미늄 반사막이 위치할 수 있다.

여기서, 본 실시예에 의한 전계 방출 표시소자는 캐소드 전극(10)을 적어도 2층의 적층 구조로 형성하여 캐소드 전극(10)의 기능성을 높이는 구성을 적용한다.

즉, 본 실시예에서 캐소드 전극(10)은 제1, 2 전극층(10a, 10b)의 적층 구조로 이루어지며, 제1, 2 전극층(10a, 10b)은 선택적 에칭성을 갖는 이종(異種) 금속으로 이루어진다. 특히 본 실시예에서 절연층(8)과 접촉하는 제1 전극층(10a)으로는 도전성이 우수한 알루미늄(Al)이 바람직하고, 제2 기판(4)에 대향하는 제2 전극층(10b)으로는 내구성이 우수한 크롬(Cr)이 바람직하다.

상기 제1, 2 전극층(10a, 10b)은 동시에 패터닝되지 않고 제1 전극층(10a)이 절연층(8) 표면을 덮은 상태에서 제2 전극층(10b)이 먼저 패터닝된다. 이로서 제1 전극층(10a)이 제2 전극층(10b) 에천트, 즉 크롬 에천트에 의한 절연층(8)의 손상을 막아 절연층(8) 표면에 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 억제한다.

또한 제1 전극층(10a)은 감광성 전자방출 물질과 후면 노광법을 이용하여 에미터(12)를 형성할 때에 희생층으로 기능하며, 에미터 형성 후 모두 제거되지 않고 제2 전극층(10b) 하부에 잔류하여 제2 전극층(10b)과 함께 캐소드 전극(10)을 구성한다. 따라서 캐소드 전극(10)은 제1 전극층(10a)에 의해 도전성이 개선되어 대면적 표시소자 적용시에도 전압 강하가 일어나는 것을 최소화할 수 있다.

그리고 제2 전극층(10b)이 높은 내구성을 지님에 따라, 표시소자 구동시 캐소드 전극(10)에 아킹과 같은 전기적 충격이 가해지는 경우에도 제2 전극층(10b)의 표면 손상이 최소화되어 캐소드 전극(10)의 손상을 억제할 수 있다.

이와 같이 구성되는 전계 방출 표시소자는, 외부로부터 게이트 전극(6), 캐소드 전극(10) 및 애노드 전극(14)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 일례로 게이트 전극(6)에는 수∼수십 볼트의 (+)전압이, 캐소드 전극(10)에는 수∼수십 볼트의 (-)전압이, 그리고 애노드 전극(14)에는 수백∼수천 볼트의 (+)전압이 인가된다.

이로서 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 전압 차에 의해 에미터(12) 주위에 전계가 형성되어 에미터(12)로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들이 애노드 전극(14)에 인가된 고전압에 이끌려 해당 화소의 형광막(16)에 충돌함으로써 이를 발광시켜 소정의 이미지를 구현한다.

한편, 제1 기판(2) 상에는 게이트 전극(6)의 전계를 절연층(8) 위로 끌어올리는 대향 전극이 위치할 수 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 대향 전극(22)은 절연층(8)에 형성된 관통홀(8a)을 통해 게이트 전극(6)과 접촉하여 이와 전기적으로 연결되며, 캐소드 전극(10)들 사이에서 에미터(12)와 임의의 간격을 두고 위치한다.

이로서 대향 전극(22)은 게이트 전극(6)에 소정의 구동 전압이 인가되어 에미터(12)와의 사이에 전자 방출을 위한 전계를 형성할 때에, 게이트 전극(6)의 전압을 에미터(12) 주위로 끌어올려 에미터(12)에 보다 강한 전계가 인가되도록 함으로써 에미터(12)로부터 전자들을 양호하게 방출시키는 역할을 한다.

상기 대향 전극(22)은 캐소드 전극(10)과 마찬가지로 제1, 2 전극층(22a, 22b)의 적층 구조로 이루어지며, 제1, 2 전극층(22a, 22b)은 선택적 에칭성을 갖는 이종 금속으로 이루어진다. 특히 본 실시예에서 게이트 전극(6)과 접촉하는 제1 전극층(22a)으로는 도전성이 우수한 알루미늄이 바람직하고, 제2 기판(4)에 대향하는 제2 전극층(22b)으로는 내구성이 우수한 크롬이 바람직하다.

다음으로는 전술한 전계 방출 표시소자의 제조 방법에 대해 설명한다.

도 4a∼도 4e는 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시소자의 제조 방법을 설명하기 위한 각 단계에서의 개략도이다.

먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이 투명한 제1 기판(2) 위에 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명한 도전물질을 코팅하고 패터닝하여 스트라이프 형상의 게이트 전극(6)을 형성한다. 그리고 제1 기판(2) 상면 전체에 투명한 유전물질을 인쇄, 건조 및 소성하여 절연층(8)을 형성하고, 대향 전극이 위치할 부분에 관통홀(8a)을 형성하여 게이트 전극(6)을 노출시킨다.

이어서 절연층(8) 위에 알루미늄(Al)을 50∼1,000nm 두께로 증착하여 제1 금속층(24)을 형성하고, 제1 금속층(24) 위에 크롬(Cr)을 50∼1,000nm 두께로 증착하여 제2 금속층(26)을 형성하는데, 알루미늄이 절연층(8)의 표면 형상을 따라 증착되므로 제1 금속층(24)이 관통홀(8a) 부분에서 게이트 전극(6)과 접촉하여 이와 전기적으로 연결된다.

다음으로 도 4b에 도시한 바와 같이, 마스크층(28)과 크롬 에천트를 이용하여 제2 금속층(26)을 게이트 전극(6)과 교차하는 방향을 따라 스트라이프 형상으로 패터닝하여 캐소드 전극이 될 제2 전극층(10b)을 형성한다. 또한 관통홀(18a) 주위에서는 관통홀(18a)보다 큰 사이즈로 제2 금속층(26)을 패터닝하여 대향 전극이 될 제2 전극층(22b)을 형성한다. 이와 같이 제2 금속층(26)을 패터닝할 때에, 제1 금속층(24)이 절연층(8) 표면을 모두 덮고 있으므로, 크롬 에천트에 의한 절연층(8)의 표면 손상을 효과적으로 억제한다.

이어서 도 4c에 도시한 바와 같이, 제1 금속층(24)을 1차 패터닝하여 에미터가 형성될 위치에 개구부(24a)를 형성하고, 제1 기판(2) 최상부에 페이스트상의 감광성 전자 방출 물질, 바람직하게 카본 나노튜브를 주성분으로 하는 감광성 전자방출 물질을 후막 인쇄한다.

그리고 제1 기판(2)의 후면을 통해 자외선을 조사하면, 제1 금속층(24)이 노광 마스크 역할을 하여 개구부(24a)에 채워진 전자방출 물질이 선택적으로 경화되고, 경화되지 않은 에미터 물질을 제거하여 도 4d에 도시한 에미터(12)를 완성한다. 완성된 에미터(12)는 주로 제1 금속층(24)과 제2 전극층(10b)의 측면과 접촉하고 일부가 제2 전극층(10b)의 윗면과 접촉한다.

다음으로 도 4e에 도시한 바와 같이, 제1 금속층(24)을 제2 전극층(10b, 22b) 형상과 동일하게 2차 패터닝하여 제1 전극층(10a, 22a)을 형성함으로써 캐소드 전극(10)과 대향 전극(22)을 완성한다. 이와 같이 본 실시예에서는 에미터(12) 형성시 노광 마스크로 기능하는 제1 금속층(24)이 모두 제거되지 않고 남아 캐소드 전극(10)과 대향 전극(22)을 형성하는데, 제1 전극층(10a, 22a)은 도전성이 우수한 알루미늄으로서, 캐소드 전극(10)과 대향 전극(22)의 도전성을 높이는 역할을 한다.

한편, 제1 금속층(24)을 2차 패터닝할 때에는 알루미늄 에천트에 의해 제2 전극층(10b, 22b) 아래의 제1 전극층(10a, 22a)이 안쪽으로 과식각되어 제1 전극층(10a, 22a)이 안쪽으로 오목한 단면 형상을 가지게 된다.

마지막으로 제1 기판(2) 위에 스페이서(미도시)를 장착하고, 도 1에 도시한 바와 같이 제2 기판(4) 위에 애노드 전극(14)과 형광 스크린(20)을 형성한 다음, 도시하지 않은 밀봉재를 이용하여 제1, 2 기판(2, 4)의 가장자리를 접합시킨 후 제1, 2 기판(2, 4) 내부를 배기시켜 전계 방출 표시소자를 완성한다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

즉, 상기에서는 게이트 전극(6)이 스트라이프 형상이고, 애노드 전극(14)이 하나의 면전극 형상인 것에 대해 설명하였으나, 게이트 전극(6)이 하나의 면전극 형상이면서 애노드 전극(14)이 캐소드 전극(10)과 교차하는 방향을 따라 스트라이프 형상으로 이루어지는 구성도 가능하다.

이와 같이 본 실시예에 따르면, 제1 전극층이 크롬 에천트에 의한 절연층의 손상을 막아 절연층 표면에 크랙이 발생하는 것을 방지한다. 따라서 절연층 크랙에 전자방출 물질이 남아 발생하는 다이오드 발광을 억제하여 화면 품질을 높일 수 있다. 그리고 도전성이 우수한 제1 전극층이 캐소드 전극의 도전성을 높임에 따라, 캐소드 전극의 전압 강하를 억제하여 에미터의 전자방출량을 늘임으로써 화면 휘도를 높이며, 저전압 구동이 가능해진다. 또한 제2 전극층의 높은 내구성에 의해 아킹과 같은 전기적 충격에도 캐소드 전극의 손상을 최소화할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시소자의 부분 분해 사시도이다.

도 2는 도 1의 조립 상태를 나타내는 부분 단면도이다.

도 3은 도 2의 변형예를 나타내는 전계 방출 표시소자의 부분 단면도이다.

도 5는 종래 기술에 의한 전계 방출 표시소자의 부분 단면도이다.

도 6a∼도 6d는 종래 기술에 의한 전계 방출 표시소자의 제조 방법을 설명하기 위한 각 단계에서의 개략도이다.

Claims

임의의 간격을 두고 서로 대향 배치되는 제1 및 제2 기판과;

상기 제1 기판 상에 형성되는 적어도 1의 게이트 전극과;

절연층을 사이에 두고 상기 적어도 1의 게이트 전극 위에 형성되며, 적어도 2층의 적층 구조로 이루어지는 캐소드 전극들과;

상기 캐소드 전극들과 접촉하며 위치하는 전자 방출원과;

상기 제2 기판 상에 형성되는 적어도 1의 애노드 전극; 및

상기 적어도 1의 애노드 전극 일면에 위치하는 형광 스크린을 포함하는 전계 방출 표시소자.
제1항에 있어서,

상기 캐소드 전극이 제1 전극층 및 제1 전극층과 이종(異種) 금속으로 이루어지면서 제1 전극층 위에 형성되는 제2 전극층을 포함하는 전계 방출 표시소자.
제2항에 있어서,

상기 제1 전극층과 제2 전극층이 선택적 에칭성을 갖는 이종 금속으로 형성되는 전계 방출 표시소자.
제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 제1 전극층과 제2 전극층이 각각 알루미늄(Al)과 크롬(Cr)으로 형성되는 전계 방출 표시소자.
제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 제1 전극층의 어느 일측 단부가 오목한 단면 형상을 가지며 형성되는 전계 방출 표시소자.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 전자 방출원이 제1, 2 전극층의 측면과 접촉하며 위치하는 전계 방출 표시소자.
제1항에 있어서,

상기 전자 방출원이 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 전계 방출 표시소자.
제1항에 있어서,

상기 전계 방출 표시소자가 상기 캐소드 전극들 사이에서 전자 방출원과 소정의 간격을 두고 위치하는 대향 전극을 더욱 포함하며, 대향 전극이 절연층에 형성된 관통홀을 통해 게이트 전극과 접촉하는 전계 방출 표시소자.
제8항에 있어서,

상기 대향 전극이 제1 전극층 및 제1 전극층과 이종(異種) 금속으로 이루어지면서 제1 전극층 위에 형성되는 제2 전극층을 포함하는 전계 방출 표시소자.
제9항에 있어서,

상기 제1 전극층과 제2 전극층이 각각 알루미늄(Al)과 크롬(Cr)으로 형성되는 전계 방출 표시소자.
(a) 투명한 제1 기판 상부에 투명한 도전물질을 이용하여 스트라이프 형상의 게이트 전극을 형성하고;

(b) 상기 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 상면 전체에 투명 유전체를 도포하여 절연층을 형성하고;

(c) 상기 절연층 위에 제1 전극층과 제2 전극층을 적층하고;

(d) 상기 제2 전극층을 게이트 전극과 교차하는 방향을 따라 스트라이프 형상으로 패터닝하고;

(e) 상기 제1 전극층을 1차 패터닝하여 에미터가 형성될 위치에 개구부를 형성하고;

(f) 상기 제1 기판 최상부에 감광성 전자방출 물질을 도포하고, 제1 기판의 후면을 통해 자외선을 조사하여 개구부에 채워진 전자방출 물질을 선택적으로 경화시켜 전자 방출원을 형성하고;

(g) 상기 제2 전극층 형상을 따라 제1 전극층을 2차 패터닝하여 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법.
제11항에 있어서,

상기 (c)단계에서 제1 전극층을 알루미늄(Al)으로 형성하고, 제2 전극층을 크롬(Cr)으로 형성하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법.
제11항에 있어서,

상기 (e)단계에서 개구부를 제2 전극층 측면에 인접 형성하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법.
제11항에 있어서,

상기 (b)단계 이후, 상기 절연층에 관통홀을 형성하여 게이트 전극을 노출시키는 단계를 더욱 포함하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법.
제14항에 있어서,

상기 (d)단계에서 관통홀 주위의 제2 금속층을 관통홀보다 큰 사이즈로 패터닝하는 과정을 동시에 행하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법.
제15항에 있어서,

상기 (g)단계에서 제2 전극층 형상을 따라 제1 전극층을 2차 패터닝하여 캐소드 전극과 대향 전극을 동시에 형성하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법.