KR100913132B1 - 전계 방출형 백라이트 유닛과 이에 이용되는 캐소드 구조물및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전계 방출 장치에 관한 것으로, 특히 외부 전극과의 배선을 간편하게 할 수 있는 로컬 디밍이 가능한 전계 방출형 백라이트 유닛을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물은, 캐소드 기판 상에 간격을 두고 형성되는 다수 개의 데이터 전극; 상기 데이터 전극 상에 형성되며 소정 개수마다의 상기 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖는 절연층; 상기 절연층 상에 형성되며 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되는 캐소드 전극; 및 상기 캐소드 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 전계 에미터를 포함하되, 전기적으로 서로 분리된 상기 캐소드 전극을 기준으로 각각의 캐소드 블록이 정의되고 상기 데이터 전극을 통하여 입력되는 전류에 의하여 각각의 상기 캐소드 블록의 휘도 조절이 가능하다.
전계 방출, 백라이트, 로컬 디밍

Description

전계 방출형 백라이트 유닛과 이에 이용되는 캐소드 구조물 및 이의 제조 방법{FIELD EMISSION BACK LIGHT UNIT, CATHODE STRUCTURE THEREFOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 전계 방출 장치에 관한 것으로, 특히 로컬 디밍이 가능한 전계 방출형 백라이트 유닛 및 이에 이용되는 캐소드 구조물에 관한 것이다.
통상적으로 평판 표시 장치(flat panel display)는 크게 발광형 표시 장치와 수광형 표시 장치로 분류될 수 있다.
발광형 표시 장치로는 플라즈마 표시 장치(PDP : Plasma Display Panel) 및 전계 방출 표시 장치(FED : Field Emission Display) 등이 있으며, 수광형 표시 장치로는 액정 표시 장치(LCD : Liquid Crystal Display)가 있다.
액정 표시 장치는 무게가 가볍고 소비 전력이 적은 장점이 있으나, 그 자체가 발광하여 화상을 형성하지 못하고, 외부로부터 빛이 입사되어 화상을 형성하는 수광형 표시 장치이므로, 어두운 곳에서는 화상을 관찰할 수 없는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 액정 표시 장치의 배면에는 백라이트 유닛(back light unit)이 설치된다.
종래 백라이트 유닛으로는 선 광원으로서 냉음극 형광 램프(CCFL : Cold Cathode Fluorescent Lamp)와 점 광원으로서 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)가 주로 사용되어 왔다.
그러나, 이러한 백라이트 유닛은 일반적으로 그 구성이 복잡하여 제조 비용이 높고, 광원이 측면에 있어서 광의 반사와 투과에 따른 전력 소모가 큰 단점이 있다. 특히, 액정 표시 장치가 대형화될수록 휘도의 균일성을 확보하기 힘든 문제점이 있다.
이에 따라, 최근에는 상기한 문제점을 해소하기 위하여 평면 발광 구조를 가진 전계 방출형 백라이트 유닛이 개발되고 있다. 이러한 전계 방출형 백라이트 유닛은 기존의 냉음극 형광 램프 등을 이용한 백라이트 유닛에 비해 전력 소모가 적고, 넓은 범위의 발광 영역에서도 비교적 균일한 휘도를 나타내는 장점이 있다.
일반적으로 전계 방출 백라이트 유닛은 전계 에미터가 형성된 캐소드(Cathode) 기판과 형광체가 형성된 아노드(Anode) 기판이 일정한 거리를 두고 서로 대향 되도록 위치한 상태에서 진공 패키징되고, 전계 에미터로부터 방출된 전자가 아노드 기판의 형광체에 충돌되어 형광체의 음극 발광(cathodoluminescence)으로 빛을 내게 된다.
상기와 같은 종래 전계 방출형 백라이트 유닛의 구조에 대하여 이하에서 도 1을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 금속 게이트 기판이 형성된 로컬 디밍이 가능한 전계 방출형 백라이트 유닛를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래 금속 게이트 기판이 형성된 전계 방출형 백라이트 유닛은, 캐소드 기판인 하부 기판(110), 상기 하부 기판(110) 상에 형성된 다수 개의 캐소드 전극(112), 상기 다수 개의 캐소드 전극(112) 상에 형성된 전계 에미터(114), 아노드 기판인 상부 기판(120), 상기 상부 기판(120) 상에 형성된 아노드 전극(122), 상기 아노드 전극(122) 상에 형성된 형광층(124), 금속 게이트 기판(132) 및 스페이서(142, 144)를 포함한다.
상기 캐소드 전극(112)에 소정의 전류를 인가하면, 전계 에미터(114)로부터 전자빔이 방출되어 방사상으로 퍼지며 진행하게 된다. 그 결과, 전계 에미터(114)에서 방출된 전자빔은 해당 화소에 대응하는 형광체(124)에 도달하여 발광하게 된다.
한편, 부분적인 휘도의 조절과 높은 콘트라스트 비를 위하여 상기와 같은 다수 개의 캐소드 전극(112)에 인가되는 전류의 양을 조절한다. 그러나, 정밀한 로컬 디밍을 위하여는 상기 다수 개의 캐소드 전극(112)의 개수를 증가시켜야 하는데, 캐소드 전극(112)의 숫자가 늘어나는 경우 외부 전극과의 배선이 복잡해지는 문제점이 발생한다.
따라서, 외부 전극과의 배선을 복잡하게 하지 않고 효율적인 로컬 디밍을 하기 위한 방법이 요구된다.
따라서, 본 발명의 목적은, 외부 전극과의 배선을 간편하게 할 수 있는 로컬 디밍이 가능한 전계 방출형 백라이트 유닛을 제공하는 데에 있다.
그 외의 본 발명에서 제공하고자 하는 목적은 하기의 설명 및 본 발명의 일실시 예에 의하여 파악될 수 있다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물은, 캐소드 기판 상에 간격을 두고 형성되는 다수 개의 데이터 전극; 상기 데이터 전극 상에 형성되며 소정 개수마다의 상기 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖는 절연층; 상기 절연층 상에 형성되며 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되는 캐소드 전극; 및 상기 캐소드 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 전계 에미터를 포함하되, 전기적으로 서로 분리된 상기 캐소드 전극을 기준으로 각각의 캐소드 블록이 정의되고 상기 데이터 전극을 통하여 입력되는 전류에 의하여 각각의 상기 캐소드 블록의 휘도 조절이 가능하다.
또한, 이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물 제조 방법은, (a) 투명한 기판 상에 블록 단위의 휘도 조절을 위한 캐소드 블록을 정의하는 단계; (b) 각각의 상기 캐소드 블록 상에 서로 간격을 갖는 다수 개의 데이터 전극을 형성하는 단계; (c) 각각의 상기 캐소드 블록에 형 성된 어느 하나의 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖도록 절연층을 형성하는 단계; (d) 상기 절연층 상에 서로 간격을 갖는 다수 개의 캐소드 전극을 형성하되, 상기 다수 개의 캐소드 전극 중 어느 하나의 캐소드 전극은 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되도록 형성하는 단계; (e) 상기 캐소드 전극이 미형성된 부분을 제외하고 상기 형성된 캐소드 전극 상에 에미터 페이스트를 도포하는 단계; 및 (f) 상기 기판의 하면에서 자외선을 조사한 후 현상하는 단계를 포함한다.
또한, 이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛은, 간격을 두고 서로 대향 배치되는 상부 기판 및 하부 기판; 상기 상부 기판 상에 형성된 아노드 전극 및 형광층; 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 위치하여 상기 전계 에미터로부터 전자 방출을 유도하며, 상기 방출된 전자가 통과할 수 있는 개구부가 형성된 금속 게이트 기판; 상기 하부 기판 상에 간격을 두고 형성되는 다수 개의 데이터 전극; 상기 데이터 전극 상에 형성되며 소정 개수마다의 상기 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖는 절연층; 상기 절연층 상에 형성되며 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되는 캐소드 전극; 및 상기 캐소드 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 전계 에미터를 포함하되, 전기적으로 서로 분리된 상기 캐소드 전극을 기준으로 각각의 캐소드 블록이 정의되고 상기 데이터 전극을 통하여 입력되는 전류에 의하여 각각의 상기 캐소드 블록의 휘도 조절이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명은, 데이터 전극과 절연층의 2중 구조로 형성된 구조물을 통하여 외부 전극과의 배선을 간편하게 할 수 있는 이점이 있다.
하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술 되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
액정 표시 장치의 백라이트 등의 용도로 사용되는 종래의 로컬 디밍이 가능한 전계 방출형 백라이트 유닛은, 캐소드 기판 상에 형성된 다수 개의 캐소드 전극 각각에 유입되는 전류를 변화시켜 부분적으로 휘도를 조절하는데, 정밀한 로컬 디밍을 위하여는 캐소드 전극을 작게 구성하여 그 숫자를 늘려야한다. 그러나, 상기에서 언급한 바와 같이 캐소드 전극의 숫자가 늘어남에 따라 외부 구동부와 연결되어야 하는 배선이 늘어나게 되고 제한된 공간 내에서 이러한 배선들을 외부 구동부와 연결하는데에는 매우 큰 어려움이 존재한다. 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 이하에서 설명하는 본 발명은, 로컬 디밍이 가능한 단위 블록의 숫자에 제한 을 받지 않고 외부 구동와 간편하게 전극을 연결할 수 있는 장치를 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛을 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛은, 캐소드 기판인 하부 기판(210), 상기 하부 기판(210) 상에 형성된 다수 개의 데이터 전극(212), 상기 데이터 전극(212) 상에 형성된 절연층(214), 상기 절연층(214) 상에 형성된 캐소드 전극(216), 상기 캐소드 전극(216) 상에 형성된 전계 에미터(218), 아노드 기판인 상부 기판(220), 상기 상부 기판(220) 상에 형성된 아노드 전극(222), 상기 아노드 전극(222) 상에 형성된 형광층(224), 금속 게이트 기판(232) 및 스페이서(242, 244)를 포함한다.
하부 기판(210)과 상부 기판(220)은 서로 이격되어 대향 배치되어 있으며, 상기 하부 기판(210)과 금속 게이트 기판(232) 사이에 형성된 스페이서(spacer, 242) 및 상기 상부 기판(220)과 금속 게이트 기판(232) 사이에 형성된 스페이서(244)에 의하여 서로 일정한 간격을 유지한다. 하부 기판(210)과 상부 기판(220)으로는 유리 기판을 사용할 수 있다.
하부 기판(210) 상에는 다수 개의 데이터 전극(212)이 일정한 간격을 가지고 형성된다. 상기 데이터 전극(212)은 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 투명한 도전성 물질로는 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, 이하 ITO라 함), 산화인듐아연(Indium Zinc Oxide, 이하 IZO라 함), 산화인듐아연주석(Indium Tin Zinc Oxide, 이하 ITZO라 함) 및 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, 이하 CNT라 함) 등을 이용할 수 있다. 이 때, 데이터 전극(212)을 투명한 도전성 물질로 형성하는 이유는 전계 에미터 형성시 자외선을 이용한 백노광을 용이하게 하기 위함이다. 그러나 전계 에미터가 형성되는 캐소드 전극의 개구부와 동일한 개구부를 데이터 전극에 형성하면 데이터 전극으로 불투명 전극을 사용할 수도 있다.
상기 데이터 전극(212) 상에는 절연층(214)이 형성되며, 상기 절연층(214)은 소정 개수마다의 데이터 전극(212)을 노출시키는 노출 영역(215)을 구비한다.
상기 절연층(214) 상에는 캐소드 전극(216)이 형성되며, 상기 캐소드 전극(216)은 노출 영역(215)을 통하여 데이터 전극(212)과 전기적으로 연결된다.
한편, 상기 캐소드 전극(216) 중 전기적으로 서로 분리된 캐소드 전극(216)을 기준으로 각각의 캐소드 블록(211)이 정의되는데, 이 때, 데이터 전극(212)을 통하여 입력되는 전류에 의하여 각각의 캐소드 블록(211)의 휘도 조절이 가능하게 된다.
한편, 상기 캐소드 전극(216)은 빛을 차단할 수 있는 도전성 재료를 사용할 수도 있다. 이는 전계 에미터 형성시 자외선을 이용한 백노광을 용이하게 하기 위함이다.
상기 캐소드 전극(216) 상에는 적어도 하나의 전계 에미터(218)가 형성되며, 바람직하게는 서로 일정한 간격을 가지는 다 수개의 전계 에미터(218)가 형성된다.
상기 전계 에미터(218)는 전자 방출 특성이 우수한 전자 방출 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 전자 방출 특성이 우수한 전자 방출 물질에는 탄소 나노 튜브, 탄소 나노 섬유 및 탄소계 합성 물질 등이 있다.
아노드 전극(222)은 상기 상부 기판(220) 상에 형성되며, 상기 아노드 전극(222) 상에는 형광층(224)이 도포되어 있다. 상기 아노드 전극(222) 역시 ITO, IZO 및 ITZO 등의 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
금속 게이트 기판(232)은 전계 에미터(218)로부터 전자 방출을 유도하는 게이트 전극 역할을 하며, 스페이서(242, 244)에 의하여 상부 기판(220) 및 하부 기판(210)과 일정한 간격을 유지한다.
금속 게이트 기판(232)에는 다 수의 개구부(236)가 형성되어 있으며, 바람직하게는 상기 개구부(236)는 전계 에미터(218)의 위치에 대응되게 형성된다.
상기와 같은 구조를 갖는 본 발명의 일실시 예에 따른 로컬 디밍이 가능한 전계 방출형 백라이트 유닛은, 데이터 전극(212)을 통해 흐르는 전류 변화에 의하여 각각의 캐소드 블록(211)의 휘도가 조절된다. 즉, 각각의 캐소드 블록(211)에 포함되는 데이터 전극(212) 중 어느 하나를 하나의 캐소드 블록을 위한 전극 배선으로 사용함으로써 외부 구동부와의 전극 연결이 간편해지는 이점이 있다.
한편, 상기에서 언급한 바와 같이 본 발명에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 데이터 전극(212) 및 절연층(214)은 투명한 소재를 사용할 수 있고, 캐소드 전극(216)은 빛을 차단할 수 있는 도전성 재료를 사용하는데, 이는 카본계 물질을 이용한 노광성 페이스트로 전계 에미터를 형성할 경우 자외선 백노광을 용이하게 하기 위함이다.
이와 같은 자외선 백노광을 이용한 전계 에미터의 형성 과정을 도 3을 참조하여 설명한다.
먼저, 도 3의 (a)와 같이 투명한 기판(310) 상에 데이터 전극(312) 및 절연층(314)을 형성하고, 상기 절연층(314) 상에 전계 에미터 형성을 위한 패턴(316)을 형성한다.
이 때, 데이터 전극(312) 및 절연층(314)은 투명한 소재를 사용하며, 전계 에미터 형성을 위한 패턴(316)은 불투명한 도전성 소재를 사용한다.
이후, 도 3의 (b)와 같이 스크린 프린팅 등의 방법으로 카본계 물질 네거티브 노광성 페이스트(318)를 상기 적층 구조물 상에 프린팅한다.
이후, 도 3의 (c)와 같이 건조 등의 공정을 거친 후 기판(310)의 하면에서 자외선을 조사한 후 소정의 현상 과정을 거치면 도 3의 (d)와 같은 구조가 형성된다.
즉, 패턴으로 자외선이 차단된 부분은 노광성 페이스트(318)가 제거되고 이후, 열처리 및 표면 처리 등의 후 공정을 거치면 전계 에미터(322)가 완성되게 된다. 이와 같이 형성된 전계 에미터는 대부분의 면적이 절연층에 접해 있지만 캐소드 전극과 전계 에미터의 가장자리가 맞닿아 있으므로 전계 방출에 필요한 전류 공급이 가능하다. 이러한 백 노광 방법을 이용하여 전계 에미터를 형성할 경우 백노광을 통하여 전계 에미터의 높이가 일정하게 레벨링되므로 일정한 높이의 전계 에미터 형성이 가능하여 균일하고 신뢰성 높은 전계 에미터를 형성할 수 있게 된다.
도 4는 상기와 같은 백노광 방법을 이용하여 본 발명에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 기판을 제작하는 과정을 설명하기 위한 예시도이다.
먼저, 도 4의 (a)와 같이 투명한 기판(210) 상에 패턴을 갖는 데이터 전극(212)을 형성한다. 이 때, 데이터 전극(212)은 투명한 소재를 사용한다.
이후, 도 4의 (b)와 같이 데이터 전극(212) 상에 절연층(214)을 형성한다. 이 때, 절연층(214)은 투명한 소재를 사용하며, 캐소드 블록(211)의 형성을 위하여 소정 개수마다의 데이터 전극(212)을 노출시킨 노출 영역(215)이 형성되도록 한다.
이후, 도 4의 (c)와 같이 절연층(214) 상에 캐소드 전극(216)을 형성한다. 이 때, 캐소드 블록(211) 의 크기 및 거리를 고려하여 캐소드 전극(216)을 형성한 다. 즉, 각각의 캐소드 블록(211)간의 전기적인 절연을 위한 거리를 유지하도록 함과 동시에, 형광체의 발광시 각 블록 간의 경계 부분이 드러나지 않도록 하는 것이 바람직하다.
이후, 도 4의 (d)와 같이 각 캐소드 블록(211)을 전기적으로 분리시키기 위한 분리 영역(217)을 제외하고 상기 구조물에 에미터 페이스트(218)를 도포한다.
이후, 도 4의 (e)와 같이 기판의 하면에서 자외선을 조사하는 백노광 공정 후 현상 과정을 거치면 도 4의 (f)와 같이 각 캐소드 블록(211)이 전기적으로 분리된 캐소드 기판이 완성된다.
상기의 데이터, 케소드 전극 및 절연층 등은 종래의 증착 및 포토 리소그래피 방법 혹은 스크린 프린팅 방법 등으로 쉽게 형성할 수 있다.
도 5는 상기와 같은 공정에 의하여 완성된 캐소드 기판을 보여주는 예시도이다.
도 5를 참조하면, 각각의 캐소드 블록(211)에 노출 영역(215)이 형성되어 있음을 알 수 있는데, 상기에서 언급한 바와 같이 상기 노출 영역(215)을 통하여 각 캐소드 전극(216)과 데이터 전극(212)이 일 대 일로 서로 대응되어 전기적으로 연결된다. 상기와 같이 형성된 캐소드 기판에서는 어느 하나의 데이터 전극(212)에 전류가 입력되면 오직 하나의 캐소드 전극(216)에만 전류가 유입되어 각 캐소드 블록(211) 단위로 휘도 조절이 가능하게 된다. 또한, 본 발명과 같이 데이터 전극(212) 및 절연층을 구비함으로써, 각 캐소드 블록(211)과 전극 간의 배선이 매우 간편해짐을 알 수 있다.
도 6은 이러한 본 발명에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 로컬 디밍 상태를 보여주는 예시도이다. 이와 같은 로컬 디밍 시에, 금속 게이트 기판 및 아노드 전극에 인가되는 전압은 고정된 상태에서 특정 전계 에미터와 전기적으로 연결된 캐소드 전극과 데이터 전극을 통해 흐르는 전류의 양을 조절하여 전계 에미터에서 방출되는 전자빔의 양을 조절하고 결과적으로 특정 부분의 계조 표현이 가능하도록 한다.
이 때, 전류량은 TFT 또는 MOSFET 등과 같은 반도체 스위칭 회로를 이용하여 조절할 수 있으며, 펄스폭변조(Pulse Width Modulation : PWM) 방식 또는 펄스진폭변조(Pulse Amplitude Modulation : PAM) 방식으로 분리된 캐소드 전극을 통해 에미터로 유입되는 전자의 양을 조절할 수 있다.
한편, 도 7과 같이 스페이서(242)의 형성시 상기 홀이 위치하는 부분에 상기 스페이서(242)를 형성하면 전계 에미터가 형성되지 않아 발광되지 않는 영역을 최소화할 수 있는 이점이 있다.
한편, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지 식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어 져서는 안 될 것이다.
도 1은 금속 게이트 기판이 형성된 로컬 디밍이 가능한 전계 방출형 백라이트 유닛를 보여주는 도면,
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 정면도,
도 3은 자외선 백노광법을 설명하기 위한 예시도,
도 4는 백노광법을 이용하여 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물을 제작하는 과정을 설명하기 위한 예시도,
도 5는 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 평면도,
도 6은 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 로컬 디밍 상태를 보여주는 예시도,
도 7은 본 발명의 일실시 예에 따른 스페이서 형성 위치를 설명하기 위한 도면.

Claims (10)

  1. 캐소드 기판 상에 간격을 두고 형성되는 다수 개의 데이터 전극;
    상기 데이터 전극 상에 형성되며 소정 개수마다의 상기 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖는 절연층;
    상기 절연층 상에 형성되며 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되는 캐소드 전극; 및
    상기 캐소드 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 전계 에미터
    를 포함하되,
    전기적으로 서로 분리된 상기 캐소드 전극을 기준으로 각각의 캐소드 블록이 정의되고, 상기 노출 영역을 통하여 상기 캐소드 전극과 상기 데이터 전극이 일 대 일로 서로 대응되어 전기적으로 연결되며, 상기 다수개의 데이터 전극 중 어느 하나를 통하여 전류가 입력되면 오직 하나의 캐소드 전극에만 전류가 유입되어 각각의 상기 캐소드 블록 단위로의 휘도 조절이 가능한
    전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 데이터 전극은 투명한 도전성 물질로 이루어진
    전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 투명한 도전성 물질은 ITO, IZO, ITZO 및 CNT 중 어느 하나인
    전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물.
  4. 제 1항에 있어서,
    인접하는 상기 각각의 캐소드 블록이 전기적인 분리가 되도록 상기 절연층 상에 상기 캐소드 전극이 미형성된 분리 영역을 포함하는
    전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 빛을 차단할 수 있는 도전성 물질로 이루어진
    전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 전계 에미터는 탄소 나노 튜브, 탄소 나노 섬유 및 탄소계 합성 물질 중 어느 하나로 이루어진
    전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물.
  7. (a) 투명한 기판 상에 블록 단위의 휘도 조절을 위한 캐소드 블록을 정의하는 단계;
    (b) 각각의 상기 캐소드 블록 상에 서로 간격을 갖는 다수 개의 데이터 전극을 형성하는 단계;
    (c) 각각의 상기 캐소드 블록에 형성된 어느 하나의 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖도록 절연층을 형성하는 단계;
    (d) 상기 절연층 상에 서로 간격을 갖는 다수 개의 캐소드 전극을 형성하되, 상기 다수 개의 캐소드 전극 중 어느 하나의 캐소드 전극은 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되도록 형성하는 단계;
    (e) 상기 캐소드 블록을 전기적으로 분리시키기 위한 분리영역을 제외하고 상기 캐소드 전극이 형성된 구조물 상에 에미터 페이스트를 도포하는 단계; 및
    (f) 상기 기판의 하면에서 자외선을 조사한 후 현상하는 단계
    를 포함하는 전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물 제조 방법.
  8. 간격을 두고 서로 대향 배치되는 상부 기판 및 하부 기판;
    상기 상부 기판 상에 형성된 아노드 전극 및 형광층;
    상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 위치하여 전계 에미터로부터 전자 방출을 유도하며, 상기 방출된 전자가 통과할 수 있는 개구부가 형성된 금속 게이트 기판;
    상기 하부 기판 상에 간격을 두고 형성되는 다수 개의 데이터 전극;
    상기 데이터 전극 상에 형성되며 소정 개수마다의 상기 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖는 절연층;
    상기 절연층 상에 형성되며 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되는 캐소드 전극; 및
    상기 캐소드 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 전계 에미터
    를 포함하되,
    전기적으로 서로 분리된 상기 캐소드 전극을 기준으로 각각의 캐소드 블록이 정의되고 상기 데이터 전극을 통하여 입력되는 전류에 의하여 각각의 상기 캐소드 블록의 휘도 조절이 가능한
    전계 방출형 백라이트 유닛.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 하부 기판과 상기 금속 게이트 기판의 사이 및 상기 상부 기판과 상기 금속 게이트 기판의 사이에 각각 형성된 절연체 스페이서
    를 더 포함하는 전계 방출형 백라이트 유닛.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 절연체 스페이서는 상기 노출 영역 상에 형성되는
    전계 방출형 백라이트 유닛.
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