JP2010541185A5 - - Google Patents

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Claims (15)

  1. (a)(i)基板、(ii)前記基板上に配置された導電性ゲート電極、(iii)前記ゲート電極上に配置された絶縁層、(iv)前記絶縁層上に配置された約1×1010〜約1×1014オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、(v)前記電荷散逸層上に配置されたカソード電極、および(vi)前記カソード電極と接触している電子電界エミッタを含むカソード組立体と、(b)アノードとを含む電界放出トライオード装置。
  2. カソード電極が、電子放出材料層上に配置されている請求項1に記載の装置。
  3. カソード電極および電子電界エミッタが、同一構成部品である請求項1に記載の装置。
  4. カソードが、電子電界エミッタの上部でパターニングされている請求項1に記載の装置。
  5. (a)(i)基板、(ii)前記基板上に配置された導電性ゲート電極、(iii)前記ゲート電極上に配置された絶縁層、(iv)前記絶縁層上に配置されたカソード電極、(v)前記カソード電極および前記絶縁層上に配置された約1×1010〜約1×1014オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、および(vi)前記電荷散逸層上に配置された電子電界エミッタを含むカソード組立体と、(b)アノードとを含む電界放出トライオード装置。
  6. カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている請求項5に記載の装置。
  7. カソードが、電子電界エミッタの上部でパターニングされている請求項5に記載の装置。
  8. (a)(i)基板、(ii)前記基板上に配置された導電性ゲート電極、(iii)前記ゲート電極上に配置された絶縁層、(iv)前記絶縁層上に配置されたカソード電極、(v)前記カソードと接触している電子電界エミッタ、(vi)前記絶縁層、前記カソード電極および前記電子電界エミッタ上に配置された約1×1010〜約1×1014オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層を含むカソード組立体と、(b)アノードとを含む電界放出トライオード装置。
  9. 電荷散逸層が、絶縁層上でパターニングされている請求項8に記載の装置。
  10. カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている請求項8に記載の装置。
  11. カソードが、電子電界エミッタの上部でパターニングされている請求項8に記載の装置。
  12. (a)基板、(ii)前記基板上に配置された導電性ゲート電極、(iii)前記ゲート電極上に配置された絶縁層、(iv)前記絶縁層上に配置された約1×1010〜約1×1014オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、(v)前記電荷散逸層上に配置されたカソード電極、および(vi)前記カソード電極と接触している電子電界エミッタを含むカソード組立体。
  13. (i)基板、(ii)前記基板上に配置された導電性ゲート電極、(iii)前記ゲート電極上に配置された絶縁層、(iv)前記絶縁層上に配置されたカソード電極、(v)前記カソード電極および前記絶縁層上に配置された約1×1010〜約1×1014オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、および(vi)前記電荷散逸層上に配置された電子電界エミッタを含むカソード組立体。
  14. (i)基板、(ii)前記基板上に配置された導電性ゲート電極、(iii)前記ゲート電極上に配置された絶縁層、(iv)前記絶縁層上に配置されたカソード電極、(v)前記カソードと接触している電子電界エミッタ、および(vi)前記絶縁層、前記カソード電極および前記電子電界エミッタ上に配置された約1×1010〜約1×1014オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層を含むカソード組立体。
  15. カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている請求項12〜14のいずれか1項に記載のカソード組立体。
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