JP2008181493A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１の基板上に設けられた充電用回路を有する信号処理回路と、
   前記信号処理回路上に重なって設けられたアンテナ回路および電気二重層コンデンサと、
   前記アンテナ回路と前記電気二重層コンデンサ上に設けられた第２の基板と、を有し、
   前記アンテナ回路は、前記信号処理回路と電気的に接続されており、
   前記電気二重層コンデンサは、前記充電用回路と電気的に接続されており、
   前記第１の基板及び前記第２の基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする半導体装置。
2. 第１の基板上に設けられた充電用回路を有する信号処理回路と、
   前記信号処理回路上に設けられた絶縁膜と、
   前記絶縁膜を介して、前記信号処理回路上に重なって設けられたアンテナ回路および電気二重層コンデンサと、
   前記アンテナ回路と電気二重層コンデンサ上に設けられた第２の基板と、を有し、
   前記アンテナ回路は、前記絶縁膜を介して前記信号処理回路と電気的に接続されており、
   前記電気二重層コンデンサは、前記絶縁膜を介して前記充電用回路と電気的に接続されており、
   前記第１の基板及び前記第２の基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２において、
   前記電気二重層コンデンサは、少なくとも第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前記第２の電極の間に位置する電解液層と、を有し、前記第１の電極が前記充電用回路と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記第１の電極および前記第２の電極の少なくとも一方の前記電解液層側には、当該電極に接して活性炭、フラーレン、またはカーボンナノチューブからなる層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３において、
   前記第１の電極もしくは前記第２の電極の少なくとも一方は、活性炭、フラーレン、またはカーボンナノチューブから形成されていることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、前記電気二重層コンデンサは、前記電解液層にセパレータを有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項３乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記電解液層は、架橋剤を有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記信号処理回路はトランジスタより構成されていることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項８において、
   前記トランジスタは薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
10. 第１の基板上に、剥離層を形成し、
    前記剥離層上に、第１の絶縁膜を形成し、
    前記第１の絶縁膜上に、充電回路を有する信号処理回路を形成し、
    前記信号処理回路上に、第２の絶縁膜を形成し、
    前記第２の絶縁膜に第１の開口部を形成し、
    前記第２の絶縁膜上に、前記第１の開口部を介して、前記信号処理回路と接続する第１の導電膜を形成し、
    前記第２の絶縁膜と第１の導電膜上に、第３の絶縁膜を形成し、
    前記第３の絶縁膜に第２の開口部を形成し、
    前記第３の絶縁膜上に、前記第２の開口部を介して、前記第１の導電膜と接続する第２の導電膜と、前記信号処理回路と重なる領域にアンテナ回路および第３の導電膜と、を形成し、
    前記第１の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜と、が重なる領域に第３の開口部を形成し、
    前記第３の開口部にエッチング剤を導入し、前記第１の基板を剥離し、前記第１の絶縁膜と、前記信号処理回路と、前記第２の絶縁膜と、前記第１の導電膜と、前記第３の絶縁層と、前記アンテナ回路と、前記第３の導電膜と、を有する素子形成層を形成し、
    第２の基板上に、第４の導電膜とシール剤を形成し、
    前記素子形成層と、前記第２の基板とを、前記第３の導電膜と前記第４の導電膜とが重なるように、接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。