JP2006114911A - 蛍光物質を使用して可視範囲と赤外線範囲に波長スペクトラムを有するフラッシュ光を生成する電子フラッシュ、撮影装置、およびその方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】撮影時の補助光等の用途に適した波長スペクトラムを有する、光源にＬＥＤを用いた電子フラッシュを実現する。
【解決手段】電子フラッシュの光源として用いられるＬＥＤ１００は、可視光波長範囲および紫外波長範囲に発光波長スペクトラムを有するＬＥＤダイ１０２と、ＬＥＤダイ１０２から発せられる「元となる光」をより長い波長を有する光に変換する蛍光物質１１８とを有する。蛍光物質１１８を経てＬＥＤ１００から放射される出力光は、可視光波長範囲および赤外波長範囲に波長スペクトラムを有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、撮影時に被写体を照明する電子フラッシュおよび撮影装置に関する。
電子フラッシュは写真撮影に補助光を提供し、カメラまたは他の撮影装置が捕捉する画像を改善する。従来の電子フラッシュは、アルゴン、クリプトン、ネオン、キセノンなどのガス、または、水銀蒸気などの蒸気で満たされたバルブを使用する。バルブに高電圧を印加すると、ガスまたは蒸気がイオン化され、ガスまたは蒸気を介して電子が流れるようになる。これらの電子はガスまたは蒸気の原子を励起し、光を放射する。放射光の波長特性は、バルブ内のガスまたは蒸気に依存する。水銀蒸気の場合には、放射される光は紫外線である。紫外線は一般的には望ましくないので、通常は蛍光物質を利用して可視光に変換される。
最近、発光ダイオード（「ＬＥＤ」）が電子フラッシュ内のバルブなど従来の光源に置き換わる動作効率を達成するレベルまで改良されている。既存のＬＥＤは、紫外線（「ＵＶ」）、可視光、または赤外線（「ＩＲ」）の波長範囲で光を放射することができる。これらのＬＥＤは一般に狭い放射スペクトラム（約＋／−１０ｎｍ）を有する。たとえば、青色ＩｎＧａＮ ＬＥＤは４７０ｎｍ＋／−１０ｎｍの波長の光を生成することができる。別の例として、緑色ＩｎＧａＮ ＬＥＤは５１０ｎｍ＋／−１０ｎｍの波長の光を生成することができる。別の例として、赤色ＡｌＩｎＧａＰ ＬＥＤは、６３０ｎｍ＋／−１０ｎｍの波長の光を生成することができる。しかし、電子フラッシュは典型的には演色を目的として白色光を出力する必要があるので、赤色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤなどの異なるカラーＬＥＤを電子フラッシュ内で共に使用して白色光を生成する。別法としては、電子フラッシュ内の１つまたは複数のＵＶ、青色、または緑色のＬＥＤの中に蛍光物質を導入して、蛍光を使用して光を生成する。
異なる写真撮影用途に関しては、電子フラッシュが提供する補助光には異なる波長特性が望ましい。したがって、光のカラー特性を調節できるフラッシュ光を生成する電子フラッシュ、撮影装置、およびその方法に対するニーズがある。
可視光波長範囲と赤外線波長範囲の両方に波長スペクトラムを有するフラッシュ光を生成する電子フラッシュ、撮影装置、およびその方法は、蛍光物質を使用して、電子フラッシュの１つまたは複数の光源から放射される、元となる光の少なくとも一部をより長い波長の光に変換し、フラッシュ光を生成する。光源は、紫外線波長範囲および可視光波長範囲の中にピーク波長を有する光を生成するように構成することができる。蛍光物質は、赤色、緑色、青色、黄色の燐光物質の任意の組み合わせを含んでいてよい。
本発明の１実施形態による電子フラッシュは、筐体と、動作可能に筐体と組み合わされ、元となる光を生成するように構成される光源と、光源に光学的に組み合わされて元となる光を受光する波長シフト領域とを含む。波長シフト領域は、元となる光の少なくとも一部を変換された光に変換して可視光波長範囲と赤外線波長範囲内に波長スペクトラムを有する出力光を生成する波長変換特性を有する蛍光物質を含む。
本発明による撮影装置は、出力光を生成する電子フラッシュと、目的の場面の画像を電子的にキャプチャするイメージセンサとを備える。電子フラッシュは、筐体と、筐体に動作可能に組み合わされ、元となる光を生成するように構成された光源と、光源に光学的に組み合わされ、元となる光を受光する波長シフト領域とを備える。波長シフト領域は、元となる光の少なくとも一部を変換された光に変換して可視光波長範囲と赤外線波長範囲内に波長スペクトラムを有する出力光を生成する波長変換特性を有する蛍光物質を含む。イメージセンサは少なくとも紫外線に感度を有するように構成される。
本発明の実施形態による写真撮影のためのフラッシュ光を生成する方法は、元となる光を生成することと、元となる光の少なくとも一部を蛍光物質によって変換された光に変換することを含む元となる光を受光することと、変換された光を出力光の成分として放射してフラッシュ光を生成することとを含む。出力光は、可視光波長範囲と赤外線波長範囲の中に波長スペクトラムを有する。
本発明の他の態様および利点は、本発明の原理を例示するために示された付随する図面と共に次の詳細な説明を読むと明らかになるであろう。
図１を参照しながら、写真撮影で使用される、本発明の一実施形態による電子フラッシュ１０を説明する。電子フラッシュ１０は、可視光波長範囲と赤外線（ＩＲ）波長範囲の両方の中に広い波長スペクトラムを有する出力光を生成する、少なくとも１つの光源デバイスを使用する。したがって、電子フラッシュ１０は、フラッシュ光の少なくとも１つの成分が広いＩＲ／可視波長スペクトラムを有する所望の波長特性を有するフラッシュ光を提供することができる。
図１に示すように、電子フラッシュ１０は、可視光とＩＲ光の両方に対して感度を有するデジタルカメラ１２、カメラ付電話１４、または任意の他の撮影装置の中に含めることができる。電子フラッシュ１０は、撮影装置と共に使用できる外部フラッシュユニット１６の中に含めることもできる。外部フラッシュユニット１６は撮影装置に一体化されるように設計してもよいし、撮影装置と接続して外部デバイスとして使用するように設計してもよい。次に図２を参照して電子フラッシュ１０についてより詳細に説明する。
図２では、本発明の１実施形態による電子フラッシュ１０を伴うデジタル撮影装置２０を示す。この実施形態では、電子フラッシュ１０はデジタル撮影装置２０に組みこまれている。本明細書では、デジタル撮影装置２０は、可視光とＩＲ光の両方に対して感度を有するデジタルカメラとして説明する。しかし、撮影装置２０は、デジタルビデオカメラなど、可視光とＩＲ光の両方に対して感度を有する任意の撮影装置であってよい。
図２に示すように、撮影装置２０は、レンズ２２、イメージセンサ２４、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）２６、プロセッサ２８、記憶装置３０、電子フラッシュ１０を含む。レンズ２２を使用し、目的の場面をイメージセンサ２４上に集光し、この場面の画像をキャプチャする。イメージセンサ２４は、イメージセンサ内のピクセルで受光した光に応答して、各ピクセルにおいて電荷を生成することにより、焦点のあった画像を電子的にキャプチャする。イメージセンサ２４はＩＲ光と可視光の両方に対して感度を有するので、電子フラッシュ１０が生成したＩＲ光が目的の場面の被写体から反射されると、そのＩＲ光をイメージセンサがキャプチャすることができる。たとえばイメージセンサ２４は、電荷結合素子（ＣＣＤ）または金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）イメージセンサであってよい。イメージセンサ２４が生成した電荷はＡＤＣ２６によってデジタル信号に変換され、信号処理される。
撮影装置２０のプロセッサ２８はＡＤＣ２６からのデジタル信号を処理し、目的のキャプチャされた場面のデジタル画像を生成する。プロセッサ２８が行うプロセスは、デモザイク、画像処理、圧縮を含んでいてもよい。この結果得られるデジタル画像は記憶装置３０に記憶される。記憶装置３０はリムーバブルメモリカードを含んでいてもよい。
電子フラッシュ１０は、筐体３２、光透過性カバー３４、１つまたは複数の光源デバイス３６、３８、４０、４２を含む。筐体３２は、光源デバイス３６、３８、４０、４２の構造的支持を提供する。筐体３２は反射面４４を含み、光源デバイス３６、３８、４０、４２が生成した光の一部を光透過性カバー３４に向かって反射するので、光源デバイスが生成する光のほとんどはカバーを介して有用なフラッシュ光として通過することができる。光透過性カバー３４はレンズとして形成し、光源デバイス３６、３８、４０、４２からの光の方向を決めて、電子フラッシュ１０の出力光を最適化することができる。
電子フラッシュ１０の光源デバイス３６、３８、４０、４２は、筐体３２の反射面４４に搭載される。電子フラッシュ１０の光源デバイス３６、３８、４０、４２は各々、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオードなどの、光を生成する任意のタイプのデバイスであってよい。しかし本明細書では、光源デバイス３６、３８、４０、４２はＬＥＤとして説明する。図示された実施形態では、電子フラッシュ１０は、可視光範囲とＩＲ範囲の両方に波長スペクトラムを有する光を生成し本明細書では「可視光／ＩＲ ＬＥＤ」と呼ばれる１つのＬＥＤ３６と、３つの他のＬＥＤ３８、４０、４２を含む。電子フラッシュ１０に含まれる他のＬＥＤ ３８、４０、４２のタイプは、電子フラッシュの出力光として望まれる別の波長特性に依存する。たとえば、他のＬＥＤ３８、４０、４２は、深紫外線（深ＵＶ）、ＵＶ、青色、緑色、赤色、ＩＲのＬＥＤを含んでいてもよい。他のＬＥＤ３８、４０、４２はさらに、特定のＬＥＤが生成した元となる光の少なくとも一部をより長い波長の光に変換する蛍光物質を使用した、白色光などのマルチカラー（多色化）光を含む種々のカラー光を生成する蛍光ＬＥＤを含んでいてもよい。
電子フラッシュ１０のＬＥＤ３６、３８、４０、４２を選択的に駆動および制御し、電子フラッシュ１０が生成するフラッシュ光の波長特性を調節することができる。したがって電子フラッシュ１０は異なる波長で放射するように構成することができ、これを制御して所望の波長特性を有するフラッシュ光を生成することができる。電子フラッシュ１０は、１つまたは複数のＩＲ ＬＥＤ、および／または、可視光／ＩＲ ＬＥＤなどの１つまたは複数の燐光変換されたＩＲ ＬＥＤを使用してＩＲ放射を生成することができる。電子フラッシュ１０は、１つまたは複数の緑色ＬＥＤ、および／または、１つまたは複数の燐光変換された緑色ＬＥＤ（ＵＶ／青または青色のＬＥＤダイを用いたもの）を使用して緑色を放射することができる。電子フラッシュ１０は、１つまたは複数の青色ＬＥＤ、および／または、１つまたは複数の燐光変換された青色ＬＥＤ（ＵＶ ＬＥＤダイを用いたもの）を使用して青色を放射することができる。電子フラッシュ１０は、１つまたは複数の赤色ＬＥＤ、および／または、１つまたは複数の燐光変換された赤色ＬＥＤ（ＵＶ／青色または青色ＬＥＤダイを用いたもの）を使用して赤色を放射することができる。電子フラッシュは、異なる色の複数のＬＥＤ、および／または、１つまたは複数の燐光変換された白色ＬＥＤ（ＵＶ／青色、または、緑色、青色ＬＥＤダイを用いたもの）の組み合わせを使用して白色を放射することができる。
図２に示すように、電子フラッシュ１０はさらに、ドライバ回路４６、必要に応じてカラーセンサ４８、必要に応じてコントローラ５０を含む。ドライバ回路４６は、電子フラッシュ１０の光源デバイス３６、３８、４０、４２に電気接続される。ドライバ回路４６は、光源デバイス３６、３８、４０、４２に駆動信号を供給し、光源デバイスを選択的に駆動し、フラッシュ光を生成する。フラッシュ光は異なる複数の光源デバイスが生成する光から生成された合成光であってよい。駆動信号の一部の強度をフラッシュ光の望ましい波長特性に応じて変えて、所望の光を生成することができる。カラーセンサ４８は電子フラッシュ１０の光透過性カバー３４の近辺に密接して配置され、カバーから出射されるフラッシュ光を受光する。カラーセンサ４８は、電子フラッシュ１０の光源デバイス３６、３８、４０、４２によって生成された光の波長特性を測定する。これらの測定値はコントローラ５０が使用し、光源デバイス３６、３８、４０、４２が生成した光の波長特性をモニタリングし、また、光の波長特性を調節して、所望のフラッシュ光を生成する。所望のフラッシュ光はユーザが選択することができる。コントローラ５０は、ドライバ回路４６を介して光源デバイス３６、３８、４０、４２を制御することにより、フラッシュ光の波長特性を調節することができる。
次に図３を参照すると、本発明の１実施形態による、電子フラッシュ１０に含めることのできるＬＥＤ１００の形態の可視光／ＩＲ光源デバイスが示されている。ＬＥＤ１００は、可視光波長範囲と赤外線（ＩＲ）波長範囲の両方の中に広い波長スペクトラムを有する出力光を生成する。したがって、ＬＥＤ１００の出力光は可視光とＩＲ光の両方を含む。出力光は、蛍光物質を使用して、ＬＥＤダイ１０２が生成した、元となる光（元の光）の一部を異なる波長の光に変換することによって生成される。変換された光は、元となる光の波長スペクトラムを変更して、所望の波長スペクトラムの出力光を生成する。出力光が可視光線だけでなくＩＲ光も含んでいるので、ＬＥＤ１００は、たとえばＩＲ信号送信などの電子フラッシュ以外のＩＲ用途、および、可視光通信または視覚効果などの可視光の用途にも使用できる。
図３に示すように、ＬＥＤ１００はリードフレームに装着されたＬＥＤである。ＬＥＤ１００は、ＬＥＤダイ１０２、リードフレーム１０４と１０６、ワイヤ１０８、ランプ１１０を含む。ＬＥＤダイ１０２は特定のピーク波長の光を生成する半導体チップである。したがって、ＬＥＤダイ１０２はＬＥＤ１００のための光源である。図の中ではＬＥＤ１００は単一のＬＥＤダイを含んでいるが、ＬＥＤはたとえば１つの紫外線（ＵＶ）ＬＥＤダイと１つの可視光ＬＥＤダイなど複数のＬＥＤダイを含んでいてもよい。ＬＥＤダイ１０２からの光は一般に狭い波長スペクトラム（約＋／−１０ｎｍ）を有する。ＬＥＤダイ１０２は、紫外線波長範囲と可視光波長範囲（〜１００−７００ｎｍ）の中にピーク波長を有する光を生成するように設計することができる。たとえば、ＬＥＤダイ１０２は、ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａＮ ＬＥＤなどのＧａＮベースのＬＥＤであってよく、ＵＶ、青色、緑色の波長範囲の中にピーク波長を有する光を生成する。別の例としては、ＬＥＤダイ１０２は、赤色、オレンジ色、黄色の波長範囲の中にピーク波長を有する光を生成するＡｌＩｎＧａＰダイであってもよい。
ＬＥＤダイ１０２はリードフレーム１０４上に位置し、ワイヤ１０８を介して他のリードフレーム１０６に電気接続される。リードフレーム１０４と１０６は、ＬＥＤダイ１０２を駆動するために必要な電力を提供する。ＬＥＤダイ１０２はランプ１１０の中に封入され、ランプ１１０はＬＥＤダイ１０２からの光を伝播する媒体である。ランプ１１０は主部１１２と出力部１１４を含む。この実施形態では、ランプ１１０の出力部１１４はドーム型でレンズとして機能する。したがって、出力光としてＬＥＤ１００から放射される光は、ランプ１１０のドーム型の出力部１１４によって集光される。しかし他の実施形態では、ランプ１００の出力部１１４は水平に平面であってもよい。
ＬＥＤ１００のランプ１１０は透明な物質で作成される。これは透明エポキシ、または、シリコーン、ハイブリッド系（エポキシとシリコーン）、ガラスなど任意の透明な材料であってよく、ＬＥＤダイ１０２からの光はランプを介して移動し、ランプの出力部１１４から放射される。この実施形態では、ランプ１１０は波長シフト領域１１６を含む。波長シフト領域１１６は伝播する光の媒体でもあり、透明物質と蛍光物質１１８の混合から作成される。波長シフト領域１１６内の蛍光物質１１８を使用し、ＬＥＤダイ１０２が放射する、元となる光の少なくとも一部を、より低いエネルギ（より長い波長）の光に変換する。蛍光物質１１８が変換する元となる光の量は、ＬＥＤ１００の所望の出力光に依存して変えることができる。例えば、ＬＥＤダイ１０２がＵＶ ＬＥＤダイである場合、ＵＶ光は目に有害であり出力光の中では望ましくないので、実質的にすべての元となる光を蛍光物質１１８によって変換することができる。変換された光および吸収されない光（あった場合）は、ＬＥＤ １００の出力光としてランプ１１０の光出力部１１４から放射される。
波長シフト領域１１６の蛍光物質１１８は、
ａ） １つまたは複数の無機燐光物質、
ｂ） １つまたは複数の蛍光有機染料、
ｃ） １つまたは複数のハイブリッド燐光物質、
ｄ） １つまたは複数のナノ燐光物質、または、
ｅ） 蛍光有機染料と無機燐光物質とハイブリッド燐光物質とナノ燐光物質との中から任意に組み合わせたもの
から構成することができる。本明細書でハイブリッド燐光物質とは、無機燐光物質と、有機燐光物質または染料の任意の組み合わせから作成される燐光物質、と定義する。どのような組成であっても、蛍光物質１１８は、出力光の波長スペクトラムが可視光波長範囲とＩＲ範囲を含むようにＬＥＤダイ１０２からの元となる光の一部または実質的に全部を変換する波長変換特性を有する。ＬＥＤ１００からの出力光の波長スペクトラムは、波長シフト領域１１６内の蛍光物質１１８の波長変換特性と、ＬＥＤダイ１０２が生成する元となる光のピーク波長の両方に依存する。したがって、所望の波長スペクトラムを有する出力光を生成するために、蛍光物質１１８とＬＥＤダイ１０２の両方を考慮に入れなければならない。
下記は、本発明によって、可視光波長範囲とＩＲ波長範囲に広い波長スペクトラムを有する出力光を生成するために共に使用できるＬＥＤダイと蛍光物質の一部の例である。本明細書では、可視光波長範囲は約４００ｍｍから７００ｎｍ、ＩＲ波長範囲は約７００ｎｍから１，６００ｎｍである。次の例では、各ＬＥＤダイに関する色はそのＬＥＤダイが生成する光のピーク波長を意味する。同様に、各燐光物質に関する色はその燐光物質が変換した光のピーク波長を意味する。第１の例は、青色ＬＥＤダイ、および、赤色と黄色の燐光物質、または、赤色と緑色の燐光物質、赤色と黄色と緑色の燐光物質といった蛍光物質である。この組み合わせは、４００ｎｍから９５０ｎｍの範囲の中に波長スペクトラムを有する出力光を生成する。第２の例は、赤色ＬＥＤダイと赤色燐光物質の蛍光物質である。この組み合わせは、６００ｎｍから１５００ｎｍの範囲の中に波長スペクトラムを有する出力光を生成する。第３の例は、深ＵＶ ＬＥＤダイ、および、赤色と青色と黄色の燐光物質、または、赤色と青色と緑色の燐光物質、赤色と青色と緑色と黄色の燐光物質という蛍光物質である。この組み合わせは、４００ｎｍから８００ｎｍの範囲の中に波長スペクトラムを有する出力光を生成する。たとえば、黄色燐光物質は次のような物質であってよい。ＹＡＧ：セリウム、または、ＴＡＧ：セリウム、ＹＡＧ：セリウム，Ｐｒ。赤色燐光物質は次のような物質であってよい。ＣａＳ：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+、または、ＳｒＳ：Ｅｕ2+、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、Ｍｇ4ＧｅＯ5.5Ｆ：ＭＮ4+、ＺｎＳｅ：Ｃｕ、ＺｎＳｅＳ：Ｃｕ，Ｃｌ。緑色燐光物質は、次のような物質であってもよい。ＺｎＳ：Ｃｕ+、または、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ2+、ＹＡＧ：Ｃｅ3+、ＢａＳｒＧａ4Ｓ7：Ｅｕ。青色燐光物質はＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕであってもよい。しかし、所望の波長変換特性を有する任意の蛍光物質を上記の例の代りに使用することもできる。
図３では、ランプ１１０の波長シフト領域１１６の形状は長方形であるが、波長シフト領域は半球など他の形状に構成してもよい。さらに他の実施形態では、波長シフト領域１１６はＬＥＤダイ１０２に物理的に組み合わせなくてもよい。１実施形態では、波長シフト領域１１６はランプ１１０内の別の位置にあってもよい。別の実施形態では、波長シフト領域１１６は、電子フラッシュ１０の光透過性カバー３４の中に位置する。
図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃでは、本発明の１実施形態による、代替のランプ構成を備えたＬＥＤ２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃを示す。図４ＡのＬＥＤ２００Ａは、全ランプが波長シフト領域であるランプ２１０Ａを含む。したがってこの構成では、ランプ２１０Ａ全体が、透明な物質と蛍光物質１１８の混合で作成される。図４ＢのＬＥＤ２００Ｂは、波長シフト領域２１６Ｂがランプの外部表面に位置するランプ２１０Ｂを含む。したがってこの構成では、蛍光物質１１８を含まないランプ２１０Ｂの領域をまずＬＥＤダイ１０２の上に形成し、ついで、透明な物質と蛍光物質１１８の混合をこの領域の上に付着させて、ランプの波長シフト領域２１６Ｂを形成する。図４ＣのＬＥＤ２００Ｃは、波長シフト領域２１６ＣがＬＥＤダイ１０２の上にコーティングされた透明な物質と蛍光物質１１８の混合の薄層であるランプ２１０Ｃを含む。したがってこの構成では、まずＬＥＤダイ１０２を透明な物質と蛍光物質１１８の混合でコーティングまたはカバーして波長シフト領域２１６Ｃを形成し、ついで、蛍光物質１１８を含まない透明な物質を波長シフト領域上に付着させることによってランプ２１０Ｃの残りの部分を形成することができる。たとえば、ＬＥＤ２００Ｃの波長シフト領域２１６Ｃの厚さは、１０ミクロンと６０ミクロンの間とすることができる。
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄに示すように、代替の実施形態では、ＬＥＤダイが配置されるＬＥＤのリードフレームはリフレクタカップを含んでいてもよい。図５Ａから図５Ｄは、リフレクタカップ３２２を有するリードフレーム３２０を含む異なるランプ構成を伴うＬＥＤ３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ、３００Ｄを示す。リフレクタカップ３２２はＬＥＤダイ１０２を入れるためのくぼんだ領域を備え、ＬＥＤダイが生成する光の一部をリードフレーム３２０で反射して外に導き、有用な出力光としてそれぞれのＬＥＤから放射するように位置している。
上述した異なるランプ構成は、面実装ＬＥＤなど他のタイプのＬＥＤに適用し、本発明による他のタイプのＬＥＤを生成することもできる。さらに、本発明によるこれらの異なるランプ構成は、半導体レーザデバイスなどの他のタイプの発光デバイスに適用することもできる。これらの発光デバイスでは、光源は、レーザダイオードなど、ＬＥＤダイ以外の任意の光源であってもよい。
次に図６を参照して、本発明の１実施形態による、写真撮影に使用するフラッシュ光を生成する方法を説明する。ブロック６０２では元となる光を生成する。元となる光は、ＵＶ ＬＥＤダイ、または、青色ＬＥＤダイ、赤色ＬＥＤダイなどのＬＥＤダイから生成することができる。次にブロック６０４では、元となる光を受光し、元となる光の少なくとも一部を蛍光物質によって変換された光に変換する。元となる光は、赤色燐光物質、青色燐光物質、黄色燐光物質、緑色燐光物質などの、１つまたは複数の燐光物質を使用して変換することができる。次にブロック６０６では、変換された光は、フラッシュ光を生成する出力光の成分として放射される。出力光は、可視光波長範囲とＩＲ波長範囲の中に波長スペクトラムを有する。
本発明の特定の実施形態を説明および図示したが、本発明は説明し図示した特定の形態または部品の構成に限定されるものではない。本発明の範囲は、本明細書に付随する請求項およびその等価物によって定義されるものである。
撮影装置または外部フラッシュユニット内に含めることのできる、本発明による電子フラッシュを示す図である。 本発明の１実施形態による統合された電子フラッシュを伴うデジタル撮影装置の図である。 本発明の１実施形態による可視光波長範囲および赤外線（ＩＲ）波長範囲の中に放射スペクトラムを有するＬＥＤの図である。 本発明の一実施の形態に係る、別のランプ構成を備えたＬＥＤの図である。 本発明の一実施の形態に係る、別のランプ構成を備えたＬＥＤの図である。 本発明の一実施の形態に係る、別のランプ構成を備えたＬＥＤの図である。 本発明の別の実施の形態に係る、リフレクタカップを有するリードフレームを備えたＬＥＤの図である。 本発明の別の実施の形態に係る、リフレクタカップを有するリードフレームを備えたＬＥＤの図である。 本発明の別の実施の形態に係る、リフレクタカップを有するリードフレームを備えたＬＥＤの図である。 本発明の別の実施の形態に係る、リフレクタカップを有するリードフレームを備えたＬＥＤの図である。 本発明の一実施の形態に係る、フラッシュ光を生成する方法のフロー図である。
符号の説明
１０ 電子フラッシュ
１２ デジタルカメラ
１４ カメラ付電話
１６ 外部フラッシュユニット
２０ デジタル撮影装置
２２ レンズ
２４ イメージセンサ
２６ アナログデジタルコンバータ
２８ プロセッサ
３０ 記憶装置
３２ 筐体
３４ 光透過性カバー
３６、３８、４０、４２ 光源デバイス
４４ 反射面
４６ ドライバ回路
４８ 光カラーセンサ
５０ コントローラ
１００ ＬＥＤ
１０２ ＬＥＤダイ
１０４ リードフレーム
１０６ リードフレーム
１０８ ワイヤ
１１０ ランプ
１１２ ランプの主部
１１４ ランプの出力部
１１６ 波長シフト領域
１１８ 蛍光物質
２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ、３００Ｄ ＬＥＤ
２１０Ａ、２１０Ｂ、２１０Ｃ ランプ
２１６Ｂ、２１６Ｃ 波長シフト領域
３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ、３００Ｄ ＬＥＤ
３２０ リードフレーム
３２２ リフレクタカップ

Claims (10)

  1. 筐体と、
    前記筐体に、動作可能に組み合わされる光源であって、元となる光を生成するように構成される光源と、
    前記元となる光を受光するように前記光源に光学的に組み合わされる波長シフト領域であって、前記波長シフト領域は、出力光を生成するために前記元となる光の少なくとも一部を変換された光に変換する波長変換特性を有する蛍光物質を含み、前記出力光は可視光波長範囲と赤外線波長範囲の両方に波長スペクトラムを有する、波長シフト領域と
    を備えることを特徴とする写真撮影用の電子フラッシュ。
  2. 前記光源は、紫外線波長範囲および可視光波長範囲の少なくともいずれかににピーク波長を有する、元となる光を生成することができる１つまたは複数の発光ダイオードダイを含むことを特徴とする請求項１に記載の電子フラッシュ。
  3. 前記蛍光物質は、蛍光有機染料、無機燐光物質、ハイブリッド燐光物質、ナノ燐光物質のうち１つを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電子フラッシュ。
  4. 前記光源は、可視光スペクトラム中の特定のカラー波長範囲内にピーク波長を有する元となる光を生成するように構成され、
    前記蛍光物質は、前記特定のカラー波長範囲内にピーク波長を有する変換された光を生成できる燐光物質を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電子フラッシュ。
  5. さらに、前記光源及び前記波長シフト領域を有する一つの光源デバイスを含む、複数の光源デバイスを備え、
    前記複数の光源デバイスは、異なる波長スペクトラムを有する光を生成して合成された光を生成するように構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電子フラッシュ。
  6. 前記光源デバイスに光学的に組み合わされたカラーセンサをさらに備え、
    前記カラーセンサは、前記合成された光の波長特性を測定するように構成されることを特徴とする請求項５に記載の電子フラッシュ。
  7. 元となる光を生成することと、
    前記元となる光を受光することであって、前記元となる光の少なくとも一部を蛍光物質によって、変換された光に変換することを含む、元となる光を受光することと、
    フラッシュ光を生成するために、前記変換された光を出力光の成分として放射することであって、前記出力光は可視光波長範囲と赤外線波長範囲の中に波長スペクトラムを有する、前記変換された光を出力光の成分として放射することと
    を含むことを特徴とする写真撮影用のフラッシュ光を生成する方法。
  8. 前記元となる光を生成することは、紫外線波長範囲および可視光波長範囲の少なくともいずれかの範囲中にピーク波長を有する、元となる光を生成することを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
  9. 前記変換することは、蛍光有機染料、無機燐光物質、ハイブリッド燐光物質、ナノ燐光物質のうち１つを使用して前記元となる光の少なくとも一部を変換された光に変換することを含むことを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
  10. 前記元となる光を生成することは、特定のカラー波長範囲内にピーク波長を有する元となる光を生成することを含み、
    前記変換することは、前記特定のカラー波長範囲内にピーク波長を有する前記変換された光を生成できる燐光物質を使用して、前記元となる光の少なくとも一部を前記変換された光に変換することを含むことを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004948A (ja) * 2006-06-09 2008-01-10 Philips Lumileds Lightng Co Llc 低プロファイルの側面放射ｌｅｄ
JP2013506011A (ja) * 2009-09-25 2013-02-21 海洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 発光ガラス及びその製造方法、並びに発光装置
US8405111B2 (en) 2008-11-13 2013-03-26 National University Corporation Nagoya University Semiconductor light-emitting device with sealing material including a phosphor
JP2015508509A (ja) * 2011-12-22 2015-03-19 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドＨｅｐｔａｇｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ Ｐｔｅ． Ｌｔｄ． 光電子モジュール、特にフラッシュモジュールおよびそれらの製造方法
JP2017163151A (ja) * 2012-04-05 2017-09-14 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． フルスペクトル発光装置
JP2017531315A (ja) * 2014-09-03 2017-10-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス半導体デバイス、及び、フラッシュライト
JP2018515913A (ja) * 2015-04-29 2018-06-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス装置
JP2019102818A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードを含む発光装置
WO2020217670A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置並びにそれを用いた医療システム、電子機器及び検査方法
WO2020217671A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換体、並びにそれを用いた発光装置、医療システム、電子機器及び検査方法
JPWO2020217669A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29
US11489093B2 (en) 2019-07-31 2022-11-01 Nichia Corporation Illumination device and infrared camera-equipped illumination device

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7772609B2 (en) 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US8324641B2 (en) 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US7670872B2 (en) * 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US7481562B2 (en) * 2004-11-18 2009-01-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for providing illuminating light using quantum dots
US7551848B2 (en) * 2005-05-10 2009-06-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Photographic light system, imaging device and method for providing different types of photographic light using a single multifunctional light module
JP4588571B2 (ja) * 2005-06-28 2010-12-01 セイコーインスツル株式会社 照明装置及びこれを備える表示装置
JP4441918B2 (ja) * 2006-08-31 2010-03-31 セイコーエプソン株式会社 光源装置及び画像表示装置
US20080080850A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Motorola, Inc. Flash shutter mechanism and method of operating same
US7825958B2 (en) * 2007-01-25 2010-11-02 Research In Motion Limited Method and apparatus for controlling a camera module to compensate for the light level of a white LED
US7710466B2 (en) * 2007-01-25 2010-05-04 Research In Motion Limited Method and apparatus for controlling a camera module to compensate for the color spectrum of a white LED
JP4888261B2 (ja) * 2007-07-12 2012-02-29 セイコーエプソン株式会社 光源装置、画像表示装置及びモニタ装置
JP4591489B2 (ja) * 2007-08-30 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 光源装置、画像表示装置及びモニタ装置
DE102008051256B4 (de) * 2008-10-10 2018-05-24 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US7995911B2 (en) * 2009-01-26 2011-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Matching led flash to camera's ambient light compensation algorithm
CN101894901B (zh) 2009-04-08 2013-11-20 硅谷光擎 用于多个发光二极管的封装
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
TWI442286B (zh) * 2010-02-01 2014-06-21 Acer Inc 觸控式輸入方法及其裝置
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
KR20110132084A (ko) * 2010-06-01 2011-12-07 삼성전자주식회사 카메라 및 카메라의 영상 표시 방법
WO2012100132A1 (en) * 2011-01-21 2012-07-26 Osram Sylvania Inc. Luminescent converter and led light source containing same
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US20130064531A1 (en) * 2011-09-13 2013-03-14 Bruce Harold Pillman Zoom flash with no moving parts
DE102012201500A1 (de) * 2012-02-02 2013-08-08 Robert Bosch Gmbh Digitalkamera und Verfahren zum Betrieb einer Digitalkamera
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
US9591234B2 (en) 2013-08-20 2017-03-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Facilitating detection, processing and display of combination of visible and near non-visible light
KR102139663B1 (ko) 2013-10-08 2020-07-30 삼성전자주식회사 적외선을 이용한 노광 시간 제어 방법 및 상기 방법을 기록한 컴퓨터 판독 가능 저장매체 및 디지털 촬영 장치.
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
US9642206B2 (en) 2014-11-26 2017-05-02 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
TWI734213B (zh) * 2019-10-08 2021-07-21 勝智會科技顧問股份有限公司 無色差之影像掃描、顯示及照明系統

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS48102585A (ja) * 1972-04-04 1973-12-22
BR8707544A (pt) * 1986-11-25 1989-03-14 Zone Technology Processo de aquisicao de imagem,sensor de imagem digital,camera inteligente e sistema de formacao de imagem
US4866285A (en) * 1988-06-20 1989-09-12 Murasa International Infrared flash unit
WO1998039805A1 (de) * 1997-03-03 1998-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
JP3036465B2 (ja) 1997-05-17 2000-04-24 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードを用いたディスプレイ
US20020074559A1 (en) * 1997-08-26 2002-06-20 Dowling Kevin J. Ultraviolet light emitting diode systems and methods
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
US6371625B2 (en) * 1998-11-23 2002-04-16 James P. Campman All solid-state omni directional luminary and flashlight
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
JP2000314920A (ja) 1999-03-04 2000-11-14 Fuji Photo Film Co Ltd カラーレーザディスプレイ
US6515413B1 (en) * 1999-04-22 2003-02-04 Luminator Holding, Lp Infrared filter system for fluorescent lighting
JP2001035210A (ja) * 1999-07-23 2001-02-09 Ichikoh Ind Ltd 車両用灯具のｌｅｄ固定構造
US20020176259A1 (en) * 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP2001352101A (ja) 2000-06-06 2001-12-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
TW579491B (en) * 2001-03-06 2004-03-11 Ibm Liquid crystal display device and display device
CN100386888C (zh) 2001-10-01 2008-05-07 松下电器产业株式会社 发光元件及使用它的发光装置
JP4312975B2 (ja) * 2001-10-09 2009-08-12 Ｈｏｙａ株式会社 ストロボ光制御装置を備える測光装置
US20030180037A1 (en) * 2002-03-21 2003-09-25 Mathew Sommers LED flash device for camera
US6927799B2 (en) * 2002-03-21 2005-08-09 Sunplus Technology Co., Ltd. Auto-strobe apparatus and method for digital camera
US7528908B2 (en) * 2002-06-04 2009-05-05 Toray Industries, Inc. Color filter for liquid crystal display and semitransmission liquid crystal display
US20040022531A1 (en) * 2002-07-31 2004-02-05 Schinner Charles E. Camera lens focus setting for low brightness scenes
JP4325158B2 (ja) * 2002-08-27 2009-09-02 株式会社ニコン 閃光制御装置、電子閃光装置、及び撮影システム
KR100497143B1 (ko) 2002-10-11 2005-06-28 서울반도체 주식회사 카메라 조명용 발광 다이오드 소자
JP2004347678A (ja) 2003-05-20 2004-12-09 Konica Minolta Opto Inc カメラの受光装置
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
US7075225B2 (en) * 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US20050046739A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-03 Voss James S. System and method using light emitting diodes with an image capture device
US7330577B2 (en) * 2004-01-27 2008-02-12 Densys Ltd. Three-dimensional modeling of the oral cavity by projecting a two-dimensional array of random patterns
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
US7488990B2 (en) * 2004-04-02 2009-02-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Using multiple types of phosphor in combination with a light emitting device

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004948A (ja) * 2006-06-09 2008-01-10 Philips Lumileds Lightng Co Llc 低プロファイルの側面放射ｌｅｄ
US8405111B2 (en) 2008-11-13 2013-03-26 National University Corporation Nagoya University Semiconductor light-emitting device with sealing material including a phosphor
JP2013506011A (ja) * 2009-09-25 2013-02-21 海洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 発光ガラス及びその製造方法、並びに発光装置
US10431571B2 (en) 2011-12-22 2019-10-01 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Opto-electronic modules, in particular flash modules, and method for manufacturing the same
JP2015508509A (ja) * 2011-12-22 2015-03-19 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドＨｅｐｔａｇｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ Ｐｔｅ． Ｌｔｄ． 光電子モジュール、特にフラッシュモジュールおよびそれらの製造方法
JP2017163151A (ja) * 2012-04-05 2017-09-14 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． フルスペクトル発光装置
JP2017531315A (ja) * 2014-09-03 2017-10-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス半導体デバイス、及び、フラッシュライト
US10020292B2 (en) 2014-09-03 2018-07-10 Osram Opto Semiconductor Gmbh Optoelectronic semiconductor component and flashlight
JP2018515913A (ja) * 2015-04-29 2018-06-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス装置
JP2019102818A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードを含む発光装置
CN112397631A (zh) * 2017-11-30 2021-02-23 首尔半导体株式会社 发光装置
US11632836B2 (en) 2017-11-30 2023-04-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting apparatus including light-emitting diode
US10986711B2 (en) 2017-11-30 2021-04-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting apparatus including light-emitting diode
WO2020217670A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置並びにそれを用いた医療システム、電子機器及び検査方法
JPWO2020217670A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29
WO2020217669A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置並びにそれを用いた医療システム、電子機器及び検査方法
JPWO2020217671A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29
JPWO2020217669A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29
WO2020217671A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換体、並びにそれを用いた発光装置、医療システム、電子機器及び検査方法
JP7361346B2 (ja) 2019-04-24 2023-10-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置並びにそれを用いた医療システム、電子機器及び検査方法
JP7361347B2 (ja) 2019-04-24 2023-10-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換体、並びにそれを用いた発光装置、医療システム、電子機器及び検査方法
JP7361345B2 (ja) 2019-04-24 2023-10-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置並びにそれを用いた医療システム、電子機器及び検査方法
US11489093B2 (en) 2019-07-31 2022-11-01 Nichia Corporation Illumination device and infrared camera-equipped illumination device

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