JP2000314920A - カラーレーザディスプレイ - Google Patents
カラーレーザディスプレイInfo
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- JP2000314920A JP2000314920A JP11357440A JP35744099A JP2000314920A JP 2000314920 A JP2000314920 A JP 2000314920A JP 11357440 A JP11357440 A JP 11357440A JP 35744099 A JP35744099 A JP 35744099A JP 2000314920 A JP2000314920 A JP 2000314920A
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- semiconductor
- light source
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- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】カラーレーザディスプレイにおいて、小型化、
高出力化、低ノイズ化を実現する。 【解決手段】 基本光源に紫外光を発するGaN系半導体
レーザ１を使用する。このレーザの光源から出射された
レーザ光をスクリーン８上のＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、
Ｂ（青色）の蛍光体に照射することにより画像を表示す
る。赤色蛍光体にはZnCdS:Ag、緑色蛍光体にはZnS:Cu、
青色蛍光体にはZnS:Agを使用する。
高出力化、低ノイズ化を実現する。 【解決手段】 基本光源に紫外光を発するGaN系半導体
レーザ１を使用する。このレーザの光源から出射された
レーザ光をスクリーン８上のＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、
Ｂ（青色）の蛍光体に照射することにより画像を表示す
る。赤色蛍光体にはZnCdS:Ag、緑色蛍光体にはZnS:Cu、
青色蛍光体にはZnS:Agを使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラーレーザディ
スプレイ、特に、レーザ光源として紫外域のレーザ光を
用いたカラーレーザディスプレイに関するものである。
スプレイ、特に、レーザ光源として紫外域のレーザ光を
用いたカラーレーザディスプレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、カラーレーザディスプレイに
おいて、高輝度化のために、出力がＷ（ワット）クラス
のレーザ光源が必要とされている。このため、レーザ光
源として高出力のAr＋ガスレーザやKr＋ガスレーザ等が
使用されてきた。しかし、ガスレーザ光源は、エネルギ
ー変換効率が0.1％と悪く、また、水冷機構が必要であ
るため、装置が大型化し、コストが非常に高いという問
題があった。
おいて、高輝度化のために、出力がＷ（ワット）クラス
のレーザ光源が必要とされている。このため、レーザ光
源として高出力のAr＋ガスレーザやKr＋ガスレーザ等が
使用されてきた。しかし、ガスレーザ光源は、エネルギ
ー変換効率が0.1％と悪く、また、水冷機構が必要であ
るため、装置が大型化し、コストが非常に高いという問
題があった。
【０００３】そこで、近年、1997年12月発行のLaser Fo
rcus World p52に示すように、可視の短波長レーザ光源
としてＬＤ励起ＳＨＧ固体レーザが使用され始めた。例
えば、波長が1064nmのＬＤ励起固体レーザを用いた532n
mの緑色波長を発するYAGレーザではガスレーザよりもエ
ネルギー変換効率が高いものが得られている。
rcus World p52に示すように、可視の短波長レーザ光源
としてＬＤ励起ＳＨＧ固体レーザが使用され始めた。例
えば、波長が1064nmのＬＤ励起固体レーザを用いた532n
mの緑色波長を発するYAGレーザではガスレーザよりもエ
ネルギー変換効率が高いものが得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述したＬＤ
励起ＳＨＧ固体レーザは高出力化に伴い、レーザ光に縦
モード競合というノイズが発生することが知られてい
る。例えば、1998年12月発行のLaser Forcus World p24
3には、青色、緑色固体レーザではノイズは３％以下で
あるのに対し、赤色固体レーザでは50％ものノイズが発
生するということが記載されている。これらの縦モード
を制御するために、例えば、エタロンを波長選択素子と
して挿入した場合、完全な単一モード発振を行うには、
ロスが大きすぎ、その結果、高出力が得られなくなり、
高輝度化できないという問題が発生する。従って、ＬＤ
励起ＳＨＧ固体レーザをレーザディスプレイの光源に用
いた場合、小型化、高効率化という点では改善される
が、性能、コストの点で多くの問題点が残されている。
励起ＳＨＧ固体レーザは高出力化に伴い、レーザ光に縦
モード競合というノイズが発生することが知られてい
る。例えば、1998年12月発行のLaser Forcus World p24
3には、青色、緑色固体レーザではノイズは３％以下で
あるのに対し、赤色固体レーザでは50％ものノイズが発
生するということが記載されている。これらの縦モード
を制御するために、例えば、エタロンを波長選択素子と
して挿入した場合、完全な単一モード発振を行うには、
ロスが大きすぎ、その結果、高出力が得られなくなり、
高輝度化できないという問題が発生する。従って、ＬＤ
励起ＳＨＧ固体レーザをレーザディスプレイの光源に用
いた場合、小型化、高効率化という点では改善される
が、性能、コストの点で多くの問題点が残されている。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みて、小型化、高効
率化された、かつ低ノイズなカラーレーザディスプレイ
を提供することを目的とするものである。
率化された、かつ低ノイズなカラーレーザディスプレイ
を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のカラーレーザデ
ィスプレイは、紫外域のレーザ光を発するレーザ光源
と、前記レーザ光を変調する手段と、前記レーザ光によ
り赤色に発色する赤色蛍光体と前記レーザ光により緑色
に発色する緑色蛍光体と前記レーザ光により青色に発光
する青色蛍光体とを各画素毎に備えた蛍光体スクリーン
からなる表示部と、前記レーザ光を前記スクリーン上に
２次元状に走査する手段とを備えたことを特徴とするも
のである前記レーザ光源はＧａＮ系半導体を活性層に用
いた半導体レーザであってもよい。
ィスプレイは、紫外域のレーザ光を発するレーザ光源
と、前記レーザ光を変調する手段と、前記レーザ光によ
り赤色に発色する赤色蛍光体と前記レーザ光により緑色
に発色する緑色蛍光体と前記レーザ光により青色に発光
する青色蛍光体とを各画素毎に備えた蛍光体スクリーン
からなる表示部と、前記レーザ光を前記スクリーン上に
２次元状に走査する手段とを備えたことを特徴とするも
のである前記レーザ光源はＧａＮ系半導体を活性層に用
いた半導体レーザであってもよい。
【０００７】ここで、上記ＧａＮ系半導体とは、少なく
ともＧａとＮとを含む半導体のことを示す。例えば、Ｇ
ａＮ、ＩｎｘＧａ1-xＮ、ＧａＮｙＡｓ1-y、ＩｎｘＧａ
１− ｘＮｙＡｓ１−ｙ、あるいはＡｌxＧａ1-xＮ（ただ
し、0＜x＜1、0＜y＜1である）からなる半導体を意味す
る。
ともＧａとＮとを含む半導体のことを示す。例えば、Ｇ
ａＮ、ＩｎｘＧａ1-xＮ、ＧａＮｙＡｓ1-y、ＩｎｘＧａ
１− ｘＮｙＡｓ１−ｙ、あるいはＡｌxＧａ1-xＮ（ただ
し、0＜x＜1、0＜y＜1である）からなる半導体を意味す
る。
【０００８】また、前記半導体レーザはテーパアンプ
型、α−ＤＦＢ型、位相同期アレイ型あるいは面発光型
であることが望ましい。
型、α−ＤＦＢ型、位相同期アレイ型あるいは面発光型
であることが望ましい。
【０００９】また、前記レーザ光源は、ＧａＮ系半導体
を活性層に用いた半導体レーザと、該半導体レーザによ
って励起されてレーザ発振する、基板上にＧａＮ系半導
体からなる活性層を備えた面発光型半導体素子とを備え
てなる半導体レーザであってもよい。
を活性層に用いた半導体レーザと、該半導体レーザによ
って励起されてレーザ発振する、基板上にＧａＮ系半導
体からなる活性層を備えた面発光型半導体素子とを備え
てなる半導体レーザであってもよい。
【００１０】また、前記レーザ光源は、励起光源と、該
励起光源により励起されてレーザビームを発する希土類
元素のうち、少なくともＰｒ３＋が添加されたファイバ
ーと前記レーザビームを紫外域のレーザ光に波長変換す
る波長変換素子とを備えてなるファイバーレーザであっ
てもよい。
励起光源により励起されてレーザビームを発する希土類
元素のうち、少なくともＰｒ３＋が添加されたファイバ
ーと前記レーザビームを紫外域のレーザ光に波長変換す
る波長変換素子とを備えてなるファイバーレーザであっ
てもよい。
【００１１】また、前記赤色蛍光体はZnCdS:Agであり、
前記緑色蛍光体はZnS:Cuであり、前記青色蛍光体はZnS:
Agであることが望ましい。
前記緑色蛍光体はZnS:Cuであり、前記青色蛍光体はZnS:
Agであることが望ましい。
【００１２】また、レーザ光源にＧａＮ系半導体を活性
層に用いた半導体レーザと該半導体レーザによって励起
されてレーザ発振する、基板上にＧａＮ系半導体からな
る活性層を備えた面発光型半導体素子を備えてなる半導
体レーザであって、３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の波
長の発振が可能な紫外レーザを用いてもよい。
層に用いた半導体レーザと該半導体レーザによって励起
されてレーザ発振する、基板上にＧａＮ系半導体からな
る活性層を備えた面発光型半導体素子を備えてなる半導
体レーザであって、３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の波
長の発振が可能な紫外レーザを用いてもよい。
【００１３】さらに、前記レーザ光源が、励起光源と該
励起光源により励起されてレーザビームを発する希土類
元素のうち少なくともＰｒ３＋が添加されたファイバー
と、該ファイバーから出射されたレーザビームを紫外域
のレーザ光に波長変換する波長変換素子とを備えてなる
３６０ｎｍの発振が可能なダブルクラッド型ファイバー
レーザを用いてもよい。
励起光源により励起されてレーザビームを発する希土類
元素のうち少なくともＰｒ３＋が添加されたファイバー
と、該ファイバーから出射されたレーザビームを紫外域
のレーザ光に波長変換する波長変換素子とを備えてなる
３６０ｎｍの発振が可能なダブルクラッド型ファイバー
レーザを用いてもよい。
【００１４】
【発明の効果】本発明のカラーレーザディスプレイによ
ると、紫外レーザ、より好ましくはＧａＮ系半導体を活
性層とする半導体レーザを用い、この半導体レーザから
発振する紫外レーザを、スクリーン上の紫外光によって
Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）に光る蛍光体に照
射することによって、カラー画像を得ることができる。
特に、１本の紫外レーザで、ＲＧＢの３色を得ることが
可能であるので、信頼性の向上およびコストを低減でき
る。
ると、紫外レーザ、より好ましくはＧａＮ系半導体を活
性層とする半導体レーザを用い、この半導体レーザから
発振する紫外レーザを、スクリーン上の紫外光によって
Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）に光る蛍光体に照
射することによって、カラー画像を得ることができる。
特に、１本の紫外レーザで、ＲＧＢの３色を得ることが
可能であるので、信頼性の向上およびコストを低減でき
る。
【００１５】また、半導体レーザを光源に用いた場合、
これまでのガスレーザのように水冷機構は必要ないた
め、ディスプレイを小型化できるという利点がある。
これまでのガスレーザのように水冷機構は必要ないた
め、ディスプレイを小型化できるという利点がある。
【００１６】また、光源にＧａＮ系の材料からなる半導
体レーザを用いた場合は、波長変換素子を使用する必要
がないため、縦モード競合によるノイズの発生を生じる
ことがないので、ノイズ量を１％未満にすることができ
る。
体レーザを用いた場合は、波長変換素子を使用する必要
がないため、縦モード競合によるノイズの発生を生じる
ことがないので、ノイズ量を１％未満にすることができ
る。
【００１７】さらに、光源に用いる半導体レーザとし
て、高出力なテーパアンプ型、α−ＤＦＢ型、位相同期
アレイ型あるいは面発光型を用いることにより、十分な
蛍光量を得ることができるので、高輝度の画像を得るこ
とができる。
て、高出力なテーパアンプ型、α−ＤＦＢ型、位相同期
アレイ型あるいは面発光型を用いることにより、十分な
蛍光量を得ることができるので、高輝度の画像を得るこ
とができる。
【００１８】また、半導体レーザを光源に用いた場合、
この半導体レーザを直接変調することにより変調光を得
ることができるという利点がある。
この半導体レーザを直接変調することにより変調光を得
ることができるという利点がある。
【００１９】また、レーザ光源に、ＧａＮ系半導体を活
性層に用いた半導体レーザと該半導体レーザによって励
起され、レーザ発振する基板上にＧａＮ系半導体からな
る活性層を備えた面発光型半導体素子を備えてなる半導
体レーザを用いることにより、３８０ｎｍ以上４２０ｎ
ｍ以下の発振が可能な紫外レーザを用いても高強度の紫
外光を得ることができるので、上記同様、画像の高輝度
化に有効である。
性層に用いた半導体レーザと該半導体レーザによって励
起され、レーザ発振する基板上にＧａＮ系半導体からな
る活性層を備えた面発光型半導体素子を備えてなる半導
体レーザを用いることにより、３８０ｎｍ以上４２０ｎ
ｍ以下の発振が可能な紫外レーザを用いても高強度の紫
外光を得ることができるので、上記同様、画像の高輝度
化に有効である。
【００２０】さらに、前記レーザ光源に、励起光源と、
該励起光源により励起されてレーザビームを発する希土
類元素のうち、少なくとも、Ｐｒ３＋が添加されたファ
イバーと該ファイバービームを紫外域のレーザ光に波長
変換する波長変換素子とを備えてなる３６０ｎｍの発振
が可能なダブルクラッド型のファイバーを用いることに
より、１０Ｗ級の高出力化が可能であり、高輝度化を図
ることができる。
該励起光源により励起されてレーザビームを発する希土
類元素のうち、少なくとも、Ｐｒ３＋が添加されたファ
イバーと該ファイバービームを紫外域のレーザ光に波長
変換する波長変換素子とを備えてなる３６０ｎｍの発振
が可能なダブルクラッド型のファイバーを用いることに
より、１０Ｗ級の高出力化が可能であり、高輝度化を図
ることができる。
【００２１】
【実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面により
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２２】図１に本発明の第１の実施の形態であるカ
ラーレーザディスプレイを示す。
ラーレーザディスプレイを示す。
【００２３】図１に示すように、基本光源に紫外光を発
する出力３Ｗのテーパアンプ型のＧａＮ系半導体レーザ
１を使用する。このレーザ光を変調器２により変調を行
い、その後、電気光学偏向器３により、ラスターのピッ
チむらを補正する。その後、ウォブリング用ガルバノメ
ータ４、垂直偏向用ガルバノメーター５により、垂直走
査を行う。その後リレーレンズ６でレーザ光を伝達及び
集光し、回転多面鏡７により水平走査を行い、強度変調
されたレーザ光をＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）
の蛍光体を各々備えた多数の画素からなるスクリーン８
上に２次元走査し、スクリーン上に画像を表示する。蛍
光体には、赤色蛍光体としてZnCdS:Ag、緑色蛍光体とし
てZnS:Cu、青色蛍光体としてZnS:Agを使用する。
する出力３Ｗのテーパアンプ型のＧａＮ系半導体レーザ
１を使用する。このレーザ光を変調器２により変調を行
い、その後、電気光学偏向器３により、ラスターのピッ
チむらを補正する。その後、ウォブリング用ガルバノメ
ータ４、垂直偏向用ガルバノメーター５により、垂直走
査を行う。その後リレーレンズ６でレーザ光を伝達及び
集光し、回転多面鏡７により水平走査を行い、強度変調
されたレーザ光をＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）
の蛍光体を各々備えた多数の画素からなるスクリーン８
上に２次元走査し、スクリーン上に画像を表示する。蛍
光体には、赤色蛍光体としてZnCdS:Ag、緑色蛍光体とし
てZnS:Cu、青色蛍光体としてZnS:Agを使用する。
【００２４】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。
る。
【００２５】図２に本発明の第２の実施の形態であるカ
ラーレーザディスプレイを示す。
ラーレーザディスプレイを示す。
【００２６】図２に示すように、基本光源として、赤
色、緑色、青色の各色に応じた出力３Ｗの紫外光を発す
るテーパアンプ型の３個のＧａＮ系半導体レーザ（11
a、11b、11c）を用いる。このレーザ光を変調器（12a、
12b、12c）によりそれぞれ変調を行い、ダイクロイック
ミラー（13a,13b、13c）により反射または透過すること
により混合させ、その後、第１の実施の形態と同様に、
電気光学偏向器14により、ラスターのピッチむらを補正
し、ウォブリング用ガルバノメータ15、垂直偏向用ガル
バノメーター16により、垂直走査を行い、リレーレンズ
17で伝達および集光し、回転多面鏡18により水平走査を
行い、各色の強度に応じて変調されたレーザ光をスクリ
ーン19上のＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の蛍光
体に、並列的に投射することにより画像を表示する。蛍
光体には、赤色蛍光体としてZnCdS:Ag、緑色蛍光体とし
てZnS:Cu、青色蛍光体としてZnS:Agを使用する。
色、緑色、青色の各色に応じた出力３Ｗの紫外光を発す
るテーパアンプ型の３個のＧａＮ系半導体レーザ（11
a、11b、11c）を用いる。このレーザ光を変調器（12a、
12b、12c）によりそれぞれ変調を行い、ダイクロイック
ミラー（13a,13b、13c）により反射または透過すること
により混合させ、その後、第１の実施の形態と同様に、
電気光学偏向器14により、ラスターのピッチむらを補正
し、ウォブリング用ガルバノメータ15、垂直偏向用ガル
バノメーター16により、垂直走査を行い、リレーレンズ
17で伝達および集光し、回転多面鏡18により水平走査を
行い、各色の強度に応じて変調されたレーザ光をスクリ
ーン19上のＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の蛍光
体に、並列的に投射することにより画像を表示する。蛍
光体には、赤色蛍光体としてZnCdS:Ag、緑色蛍光体とし
てZnS:Cu、青色蛍光体としてZnS:Agを使用する。
【００２７】次に本発明の第３の実施の形態を説明す
る。
る。
【００２８】図３に本発明の第３の実施の形態であるカ
ラーレーザディスプレイを示す。
ラーレーザディスプレイを示す。
【００２９】図３に示すように、基本光源として、本出
願人による特願平10-190105号に記載されているような
リオフィルター21とミラー20を備えた出力３Ｗテーパア
ンプ型半導体レーザ22を用いる。これは、半導体レーザ
の一端から発振するレーザ光をミラー20により反射さ
せ、リオフィルター21によって発振波長幅を0.01μmま
で狭くし、半導体レーザ22に戻す機構である。その後、
このレーザ光を変調器23により変調を行い、以後、上記
第１、第２の実施の形態と同様に、ピッチむら補正を行
い、スクリーン８上にレーザ光を走査する。第１の実施
の形態と同様の部品には同じ符号を使用し、説明を省略
する。
願人による特願平10-190105号に記載されているような
リオフィルター21とミラー20を備えた出力３Ｗテーパア
ンプ型半導体レーザ22を用いる。これは、半導体レーザ
の一端から発振するレーザ光をミラー20により反射さ
せ、リオフィルター21によって発振波長幅を0.01μmま
で狭くし、半導体レーザ22に戻す機構である。その後、
このレーザ光を変調器23により変調を行い、以後、上記
第１、第２の実施の形態と同様に、ピッチむら補正を行
い、スクリーン８上にレーザ光を走査する。第１の実施
の形態と同様の部品には同じ符号を使用し、説明を省略
する。
【００３０】リオフィルターを使用することにより、半
導体レーザの発振波長幅を約0.01μmと従来の1/10まで
狭くでき、また、リオフィルターの透過率が99％である
ため、高効率化、高出力が可能となり、画像の高輝度化
を実現することができる。
導体レーザの発振波長幅を約0.01μmと従来の1/10まで
狭くでき、また、リオフィルターの透過率が99％である
ため、高効率化、高出力が可能となり、画像の高輝度化
を実現することができる。
【００３１】なお、ピッチむら補正を行う電気光学偏向
器の代わりにシリンドリカルレンズを用いた面倒れ補正
光学系を用いても良い。
器の代わりにシリンドリカルレンズを用いた面倒れ補正
光学系を用いても良い。
【００３２】また、変調器はAOM（音響光学変調器）ま
たはEOM（電気光学変調器）を用いることができるが、
変調器の替わりに半導体レーザの直接変調を行っても良
い。
たはEOM（電気光学変調器）を用いることができるが、
変調器の替わりに半導体レーザの直接変調を行っても良
い。
【００３３】また、蛍光体には無機系では上記のZnS、Z
nCdS系の他にY2O2S系を用いても良く、有機系ではcouma
rine(クマリン)6等を用いても良い。
nCdS系の他にY2O2S系を用いても良く、有機系ではcouma
rine(クマリン)6等を用いても良い。
【００３４】また、紫外域のレーザ光を発する光源とし
ては、例えば、本出願人による特願平11-206817号に記
載されているような、希土類イオンのうち、少なくとも
Ｐｒ ３＋が添加されたファイバーレーザと波長変換素子
を備えた３６０ｎｍ発振が可能なファイバーレーザを用
いてもよい。
ては、例えば、本出願人による特願平11-206817号に記
載されているような、希土類イオンのうち、少なくとも
Ｐｒ ３＋が添加されたファイバーレーザと波長変換素子
を備えた３６０ｎｍ発振が可能なファイバーレーザを用
いてもよい。
【００３５】さらに、本出願人による特願平11-257529
号に記載されているような３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ以
下のレーザ発振が可能な紫外高出力レーザを用いてもよ
い。
号に記載されているような３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ以
下のレーザ発振が可能な紫外高出力レーザを用いてもよ
い。
【００３６】なお、励起するレーザ光が人間の目に対し
て十分な視感度があると、そのレーザ光のために、ディ
スプレイの色純度が低下するため、人間の目の視感度が
十分に小さい、４２０ｎｍ以下の発振光になるように、
半導体レーザの活性層の組成を調整することが好まし
い。ＩｎＧａＮ系であれば、例えば、ＩｎｘＧａ１−ｘ
Ｎ（0＜x＜0.2）に組成を制御すれば確実に４２０ｎｍ
以下の発振光を得ることができる。また、ＧａＮを用い
ても４２０ｎｍ以下の発振光を得ることができる。
て十分な視感度があると、そのレーザ光のために、ディ
スプレイの色純度が低下するため、人間の目の視感度が
十分に小さい、４２０ｎｍ以下の発振光になるように、
半導体レーザの活性層の組成を調整することが好まし
い。ＩｎＧａＮ系であれば、例えば、ＩｎｘＧａ１−ｘ
Ｎ（0＜x＜0.2）に組成を制御すれば確実に４２０ｎｍ
以下の発振光を得ることができる。また、ＧａＮを用い
ても４２０ｎｍ以下の発振光を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示すカラーレーザ
ディスプレイの概略構成図。
ディスプレイの概略構成図。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示すカラーレーザ
ディスプレイの概略構成図。
ディスプレイの概略構成図。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示すカラーレーザ
ディスプレイの概略構成図。
ディスプレイの概略構成図。
1,11a,11b,11c,22 半導体レーザ 2,12a,12b,12c,23 変調器 3,14 電気光学偏向器 4,15 ウォブリング用ガルバノメーター 13a,13b,13c ダイクロイックミラー 5,16 垂直偏向用ガルバノメーター 6,17 リレーレンズ 7,18 回転多面鏡 8,19 スクリーン
Claims (6)
- 【請求項１】 紫外域のレーザ光を発するレーザ光源
と、前記レーザ光を変調する手段と、前記レーザ光によ
り赤色に発色する赤色蛍光体と前記レーザ光により緑色
に発色する緑色蛍光体と前記レーザ光により青色に発光
する青色蛍光体とを各画素毎に備えた蛍光体スクリーン
からなる表示部と、前記レーザ光を前記スクリーン上に
２次元状に走査する手段とを備えたことを特徴とするカ
ラーレーザディスプレイ。 - 【請求項２】 前記レーザ光源がＧａＮ系半導体を活性
層に用いた半導体レーザであることを特徴とする請求項
１記載のカラーレーザディスプレイ。 - 【請求項３】 前記半導体レーザがテーパアンプ型、α
−ＤＦＢ型、位相同期アレイ型あるいは面発光型である
ことを特徴とする請求項２記載のカラーレーザディスプ
レイ。 - 【請求項４】 前記レーザ光源が、ＧａＮ系半導体を活
性層に用いた半導体レーザと、該半導体レーザによって
励起されてレーザ発振する、基板上にＧａＮ系半導体か
らなる活性層を備えた面発光型半導体素子とを備えてな
る半導体レーザであることを特徴とする請求項１記載の
カラーレーザディスプレイ。 - 【請求項５】 前記レーザ光源が、励起光源と、該励起
光源により励起されてレーザビームを発する希土類元素
のうち、少なくともＰｒ３＋が添加されたファイバー
と、前記レーザビームを紫外域のレーザ光に波長変換す
る波長変換素子とを備えてなるファイバーレーザである
ことを特徴とする請求項１記載のカラーレーザディスプ
レイ。 - 【請求項６】 前記赤色蛍光体がZnCdS:Agであり、前記
緑色蛍光体がZnS:Cuであり、前記青色蛍光体がZnS:Agで
あることを特徴とする請求項１、２、３、４または５記
載のカラーレーザディスプレイ。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
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| JP11-57187 | 1999-03-04 | ||
| JP5718799 | 1999-03-04 | ||
| JP11357440A JP2000314920A (ja) | 1999-03-04 | 1999-12-16 | カラーレーザディスプレイ |
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| Publication Number | Publication Date |
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|---|---|---|---|
| JP11357440A Withdrawn JP2000314920A (ja) | 1999-03-04 | 1999-12-16 | カラーレーザディスプレイ |
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