JP2006108423A - 素子分離構造部の製造方法 - Google Patents
素子分離構造部の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006108423A JP2006108423A JP2004293587A JP2004293587A JP2006108423A JP 2006108423 A JP2006108423 A JP 2006108423A JP 2004293587 A JP2004293587 A JP 2004293587A JP 2004293587 A JP2004293587 A JP 2004293587A JP 2006108423 A JP2006108423 A JP 2006108423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- isolation structure
- forming
- silicon nitride
- thermal oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
Abstract
【解決手段】素子分離構造部11を製造するに当たり、基板12に、第1熱酸化膜を形成する。この第1熱酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する。素子分離構造部形成領域10aの、シリコン窒化膜及び第1熱酸化膜を除去し、かつ素子分離構造部形成領域である基板の表面から基板内に至る溝部14を形成する。溝部内を覆う溝部酸化膜16を形成する。溝部内を埋込む、前駆埋込み酸化膜を形成する。前駆埋込み酸化膜を、シリコン窒化膜と同一の高さに揃うまで除去する。前駆埋込み酸化膜を、第1熱酸化膜と同一の高さに揃うまで除去する。前駆埋込み酸化膜の露出面を覆うレジスト層を形成する。素子分離構造部形成領域のみを覆うレジストマスクを形成する。レジストマスクから露出するシリコン窒化膜及び第1熱酸化膜を順次に除去し、レジストマスクを除去する。基板の露出面上に、第2熱酸化膜を形成する。第2熱酸化膜を除去し、かつ前駆埋込み酸化膜を、基板露出面と同一の高さとして、埋込み部18を形成する。
【選択図】図1
Description
まず、図1を参照して、この発明の素子分離構造部の構成例につき説明する。
以下、図2〜図7を参照して、この発明の素子分離構造部の具体的な製造工程につき説明する。
具体的には、使用されるレジスト材料に応じた従来公知の露光工程等の任意好適な処理により、第1領域10aのレジスト層40Xを除去する。この場合には、図5(A)に示すように、レジストマスク40の高さは、シリコン窒化膜30の高さよりも高くなる。
この場合には、かかるCMP工程は、シリコン窒化膜30をストッパ膜として行われる。従って、第2領域10bに形成されるレジストマスク40の高さは、シリコン窒化膜30の高さと等しくなる(図示せず。)。
具体的には、形成されたレジスト層40Xの上面40Xa全面に対して、適用されたレジスト材料に応じたエッチャントを用いて、任意好適なエッチングレートになるような条件を設定して、シリコン窒化膜30が露出するまで、ウェットエッチング工程を行えばよい。
10a:第1領域、素子形成領域(アクティブ領域)
10b:第2領域、素子分離構造部形成領域(フィールド領域)
11:素子分離構造部
12:基板
12a:表面
12b:下面
14:溝部(トレンチ)
16:溝部酸化膜
18:埋込み部
18X:前駆埋込み酸化膜
20:第1熱酸化膜
30:シリコン窒化膜
40:レジストマスク
40X:レジスト層
40Xa:上面
50:第2熱酸化膜
Claims (4)
- 表面及び当該表面と対向する下面を有する基板に、複数の素子形成領域及び当該複数の素子形成領域同士を互いに離間する素子分離構造部形成領域を設定する工程と、
前記基板の前記表面に、第1熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1熱酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記素子分離構造部形成領域の前記シリコン窒化膜及び前記第1熱酸化膜を除去し、かつ前記素子分離構造部形成領域である前記基板の前記表面から当該基板の内に至る溝部を形成する工程と、
前記溝部内を覆う溝部酸化膜を形成する工程と、
前記溝部酸化膜で覆われている前記溝部内を埋込み、かつ前記シリコン窒化膜及び前記第1熱酸化膜の露出面を覆う前駆埋込み酸化膜を形成する工程と、
前記前駆埋込み酸化膜を、前記シリコン窒化膜が露出し、かつ前記素子分離構造部形成領域内にあっては前記シリコン窒化膜と同一の高さに揃うまで除去する工程と、
前記シリコン窒化膜と同一の高さとされた前記前駆埋込み酸化膜を、前記第1熱酸化膜と同一の高さに揃うまで除去する工程と、
前記シリコン窒化膜の露出面及び前記前駆埋込み酸化膜の露出面を覆うレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングして、前記素子形成領域を開口し、かつ前記素子分離構造部形成領域を覆うレジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクから露出する前記シリコン窒化膜を除去する工程と、
前記レジストマスクから露出する前記第1熱酸化膜を除去する工程と、
前記レジストマスクを除去する工程と、
前記第1熱酸化膜が除去された前記基板の露出面上に、第2熱酸化膜を形成する工程と、
前記第2熱酸化膜を除去し、かつ前記前駆埋込み酸化膜を、前記第2熱酸化膜が除去された基板の露出面と同一の高さとして、埋込み部を形成する工程と
を含むことを特徴とする素子分離構造部の製造方法。 - 前記レジストマスクを形成する工程は、前記素子形成領域及び前記素子分離構造部形成領域を覆うレジスト層を形成するステップと、当該レジスト層のうち、前記素子形成領域に相当する部分領域をホトリソグラフィ工程により除去するステップとを含む工程であることを特徴とする請求項1に記載の素子分離構造部の製造方法。
- 前記レジストマスクを形成する工程は、前記素子形成領域及び前記素子分離構造部形成領域を覆うレジスト層を形成するステップと、当該レジスト層の上面全面を、前記シリコン窒化膜が露出するまで化学的機械研磨工程により削ることにより除去するステップとを含む工程であることを特徴とする請求項1に記載の素子分離構造部の製造方法。
- 前記レジストマスクを形成する工程は、前記素子形成領域及び前記素子分離構造部形成領域を覆うレジスト層を形成するステップと、当該レジスト層の上面全面を、前記シリコン窒化膜が露出するまでエッチング工程により除去するステップとを含む工程であることを特徴とする請求項1に記載の素子分離構造部の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004293587A JP2006108423A (ja) | 2004-10-06 | 2004-10-06 | 素子分離構造部の製造方法 |
US11/226,412 US7323394B2 (en) | 2004-10-06 | 2005-09-15 | Method of producing element separation structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004293587A JP2006108423A (ja) | 2004-10-06 | 2004-10-06 | 素子分離構造部の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006108423A true JP2006108423A (ja) | 2006-04-20 |
Family
ID=36126104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004293587A Pending JP2006108423A (ja) | 2004-10-06 | 2004-10-06 | 素子分離構造部の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7323394B2 (ja) |
JP (1) | JP2006108423A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4756926B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2011-08-24 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 素子分離構造部の製造方法 |
DE102008059411A1 (de) * | 2008-11-27 | 2010-06-02 | Mann + Hummel Gmbh | Kunststoffhohlteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN104425347B (zh) * | 2013-09-09 | 2017-12-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 浅沟槽隔离的制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340315A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000012674A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および素子分離方法 |
JP2003282705A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323563A (ja) | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3604072B2 (ja) | 1999-11-08 | 2004-12-22 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6413828B1 (en) | 2000-03-08 | 2002-07-02 | International Business Machines Corporation | Process using poly-buffered STI |
JP3492279B2 (ja) | 2000-03-21 | 2004-02-03 | Necエレクトロニクス株式会社 | 素子分離領域の形成方法 |
JP3548512B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2004-07-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-10-06 JP JP2004293587A patent/JP2006108423A/ja active Pending
-
2005
- 2005-09-15 US US11/226,412 patent/US7323394B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340315A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000012674A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および素子分離方法 |
JP2003282705A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060073671A1 (en) | 2006-04-06 |
US7323394B2 (en) | 2008-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100746223B1 (ko) | 반도체소자의 트렌치 소자분리 방법 | |
US20050255668A1 (en) | Method of fabricating shallow trench isolation structure | |
JPH11340317A (ja) | 分離構造形成方法 | |
US6727150B2 (en) | Methods of forming trench isolation within a semiconductor substrate including, Tshaped trench with spacers | |
JP5013708B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
KR100672155B1 (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
US6716718B2 (en) | Method of producing a semiconductor device | |
JP2003197731A (ja) | 半導体素子の素子分離膜の形成方法 | |
JP2006032919A (ja) | 半導体素子のストレージノードコンタクトの形成方法 | |
US7323394B2 (en) | Method of producing element separation structure | |
JP2008004881A (ja) | 素子分離構造部の製造方法 | |
JP4756926B2 (ja) | 素子分離構造部の製造方法 | |
JP2001332613A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100588642B1 (ko) | 트렌치 코너 라운딩 향상 방법 | |
KR100792709B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
KR100524459B1 (ko) | 반도체 소자의 트랜치 형성 방법 | |
JP2009158916A (ja) | 半導体素子のトレンチ形成方法 | |
KR20070113861A (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 소자분리막 제조 방법 | |
KR100486875B1 (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 및 그 형성 방법 | |
KR100652288B1 (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 제조 방법 | |
KR100800106B1 (ko) | 반도체 소자의 트렌치 절연막 형성 방법 | |
KR20040105980A (ko) | 반도체 소자의 얕은 트랜치 소자분리막 형성방법 | |
KR100620171B1 (ko) | 반도체 소자의 섀로우 트랜치 분리막 제조방법 | |
KR100645177B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 | |
KR100743619B1 (ko) | 반도체장치의 트렌치 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070607 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081126 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101012 |