JP2006104318A - 樹脂組成物、樹脂層、樹脂層付きキャリア材料および回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A)環状オレフィン系樹脂と、(B)多孔質無機フィラー、無機中空フィラー、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粒子のいずれか一種もしくは複数種組み合わせたものと、を含んでなることを特徴とする樹脂組成物、好ましくは、前記環状オレフィン系樹脂がポリノルボルネン系樹脂を含むものである樹脂組成物。
Description
また、本発明の目的は、誘電特性および寸法安定性に優れる樹脂層を提供することである。
また、本発明の目的は、誘電特性及び寸法安定性に優れる樹脂層付きキャリア材料を提供することである。
また、本発明の目的は、誘電特性及び接続信頼性に優れた回路基板を提供することである。
[1] (A)環状オレフィン系樹脂と、(B)多孔質無機フィラー、無機中空フィラー、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粒子のいずれか一種もしくは複数種組み合わせたものと、を含んでなることを特徴とする樹脂組成物。
[2] (A)環状オレフィン系樹脂と、(B)多孔質無機フィラー、無機中空フィラー、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粒子のいずれか一種もしくは複数種組み合わせたものと、(C)無孔無機フィラーと、を含んでなることを特徴とする樹脂組成物。
[3] 前記多孔質無機フィラーが多孔質シリカであり、前記無機中空フィラーが無機中空シリカであり、前記無孔無機フィラーがシリカである第[1]又は[2]項に記載の樹脂組成物。
[4] 前記環状オレフィン系樹脂は、ポリノルボルネン系樹脂を含むものである第[1]ないし[3]項のいずれかに記載の樹脂組成物。
[5] 前記ポリノルボルネン系樹脂は、下記一般式(1)で表される構造を含むものである第[4]項に記載の樹脂組成物。
[6] 前記ポリノルボルネン系樹脂は、ノルボルネン型モノマーを付加重合して得られるものである第[4]または[5]項に記載の樹脂組成物。
[8] 前記ポリノルボルネン系樹脂は、下記一般式(2)で表されるモノマーを含むノルボルネン型モノマーを付加(共)重合して得られるものである第[4]ないし[7]項のいずれかに記載の樹脂組成物。
[10] 第[9]項に記載の樹脂層が、キャリア材料の少なくとも片面に形成されていることを特徴とする樹脂層付きキャリア材料。
[11] 第[9]項に記載の樹脂層を有することを特徴とする回路基板。
本発明の樹脂組成物は、配線板の樹脂層を構成する樹脂組成物であって、(A)環状オレフィン系樹脂と、(B)多孔質無機フィラー、無機中空フィラー、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粒子のいずれか一種もしくは複数種組み合わせたものと、を含むことを特徴とする。
また、本発明の樹脂層は、上記に記載の樹脂組成物で構成されていることを特徴とする。
また、本発明の樹脂付きキャリア材料は、上記に記載の樹脂層が、キャリア材料の少なくとも片面に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の回路基板は、上記に記載の樹脂層を有することを特徴とする。
上記のうち、(1)ノルボルネン型モノマーを付加(共)重合させて得られる付加(共)重合体が好ましいが、本発明はなんらこれに限定されるものではない。
配位重合に用いる金属触媒として代表的なニッケルと白金触媒は、PCT WO 9733198とPCT WO 00/20472に述べられている。配位重合用金属触媒の例としては、(トルエン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、(メシレン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、(ベンゼン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、ビス(テトラヒドロ)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、ビス(エチルアセテート)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、ビス(ジオキサン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケルなどの公知の金属触媒が挙げられる。
一般的にはラジカル重合はラジカル開始剤の存在下、温度を50℃〜150℃に上げ、モノマーを溶液中で反応させる。ラジカル開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウリル、アゾビスイソカプトロニトリル、アゾビスイソレロニトリル、t−ブチル過酸化水素などである。
アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル、シクロオクチル基等が、アルケニル基の具体例としては、ビニル、アリル、ブチニル、シクロヘキセニル基等が、アルキニル基の具体例としては、エチニル、1−プロピニル、2−プロピニル、1−ブチニル、2−ブチニル、ヘキシニル、オクチニル、ヘプチニル基等が、アリール基の具体例としては、フェニル、トリル、ナフチル、アントラセニル基等が、アラルキル基の具体例としてはベンジル、フェネチル基等がそれぞれ挙げられるが、本発明は何らこれらに限定されない。また、エポキシ基の具体例としては、グリシジルエーテル基等が、アルコキシシリル基の具体例としては、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、トリエトキシシリル、トリエトキシシリルエチル基等が、(メタ)アクリル基の具体例としては、メタクリロキシメチル基等が、エステル基の具体例としては、メチルエステル、エチルエステル、n−プロピルエステル、n−ブチルエステル、t−ブチルエステル基等が、がそれぞれ挙げられるが、本発明は何らこれらに限定されない。また、エーテル基およびケトン基を含有する有機基については、これらの基を有している官能基であれば特に構造は限定されない。
中でも、特に、可とう性、密着性および誘電特性が良好な樹脂フィルムを得る上で、一般式(1)において、n−ブチル基を有するノルボルネン90mol%とトリエトシキシシリル基を有するノルボルネン10mol%からなるポリノルボルネン、未置換(置換基が水素原子)ノルボルネン90mol%とトリエトシシリル基を有するノルボルネン10mol%からなるポリノルボルネン、および未置換ノルボルネン75mol%とn−ヘキシル基を有するノルボルネン25mol%からなるポリノルボルネンが好ましい。
中でも絶縁層に必須な網目状三次元架橋構造を形成し、良好な実装信頼性および温度サイクル試験などの接続信頼性を得る上で、デシル基を有するノルボルネン70mol%とメチルグリシジルエーテル基を有するノルボルネン30mol%からなるノルボルネンが好ましい。
前記多孔質無機フィラーとしてはこの樹脂組成物に適するものであれば限定されず、市販のものを使用することができる。具体例として、ガラス等のケイ酸塩、アルミナ、シリカ等を挙げることができる。粒径としては、10nm〜50μmが好ましく、さらには30nm〜20μmが好ましい。また、空孔径は1nm〜1μmが好ましく、さらには5nm〜100nmが好ましい。
多孔質シリカの作製方法としては、SiO2、H3BO3、Na2CO3を調合した後、1200℃〜1400℃にて溶融し、スピノーダル分相を利用しSiO2と無機塩を分相させ、無機塩を酸処理することで空孔を持つ多孔性シリカを得ることができる。これらの多孔質無機フィラーの中でも熱放散性の観点からシリカを用いることが好ましい。
PTFEの結晶度は、少なくとも50%以上、好ましくは60%以上であり、更に好ましくは、70%〜90%であってよい。
これらの中でもシリカが好ましい。これにより、熱放散性を向上することができる。
前記オニウム塩の光酸発生剤は、具体的にトリフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロサルフェート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアーセナート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォネート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォニウム、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオロフォスフォネート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオスルフォネート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムトリフルオロボレート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオロアーセネート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルフォスフェート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオロスルフォネート、トリス(4−メトキシフェニル)スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオアンチモネート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオフォスフェート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムトリフルオロスフォネート、トリフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアーセネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリフェニルヨードニウムトリフルオロスルフォネート、3,3−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、3,3−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,3−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアーセネイト、3,3−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアーセネイト、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、4,4‘−ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、4,4’,4“−トリス(t−ブチルフェニル)スルフォニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、4,4‘−ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリス(t−ブチルフェニル)スルフォニムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、(4−メチルフェニル)(4−(1−メチルエチル)フェニル)ヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、4−(2−メチルプロピル)フェニル(4−メチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロフォスフェイトとそれらの混合物である。これらを単独で使用しても混合して使用しても良い。
本発明の樹脂組成物に含まれる架橋剤として、ビスアジド、パーオキサイド、脂肪族ポリアミン、脂環族ポリアミン、芳香族ポリアミン、酸無水物、ジカルボン酸、多価フェノール、ポリアミド等があり、例えば、4,4′−ビスアジドベンザル(4−メチル)シクロヘキサンノン、4,4′−ジアジドカルコン、2,6−ビス(4′−アジドベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4′−アジドベンザル)−4−メチル−シクロヘキサノン、4,4′−ジアジドジフェニルスルホン、4,4′−ジアジドジフェニルメタン、2,2′−ジアジドスチルベンなどのビスアジド;α,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキサイド)ヘキシン−3;ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミンなどの脂肪族ポリアミン;ジアミノシクロヘキサン、3(4),8(9)−ビス(アミノメチル)トリシクロ〔5,2,1,02,6〕デカン;1,3−(ジアミノメチル)シクロヘキサン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、N−アミノエチルピペラジン、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタンなどの脂環族ポリアミン;4,4′−ジアミノジフェニルエ−テル、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、α,α′−ビス(4−アミノフェニル)−1,3−ジイソプロピルベンゼン、α,α′−ビス(4−アミノフェニル)−1,4−ジイソプロピルベンゼン、4,4′−ジアミノジフェニルスルフォン、メタフェニレンジアミン等の芳香族ポリアミン類;無水フタル酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、ナジック酸無水物、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、無水マレイン酸変性ポリプロピレン、無水マレイン酸変性環状オレフィン系樹脂等の酸無水物類;フマル酸、フタル酸、マレイン酸、トリメリット酸、ハイミック酸等のジカルボン酸類;フェノ−ルノボラック樹脂、クレゾ−ルノボラック樹脂等の多価フェノ−ル類;ナイロン−6、ナイロン−66、ナイロン−610、ナイロン−11、ナイロン−612、ナイロン−12、ナイロン−46、メトキシメチル化ポリアミド、ポリヘキサメチレンジアミンテレフタルアミド、ポリヘキサメチレンイソフタルアミド等のポリアミド類;等が挙げられる。これらは、一種でも二種以上の混合物として使用しても良い。均一に分散させやすく好ましい。また、必要に応じて硬化助剤を配合して、架橋反応の効率を高めることも可能である。前記硬化剤の配合量は、とくに制限はないが、架橋反応を効率良く反応させ、かつ、得られる架橋物の物性面から、環状オレフィン系樹脂100重量部に対して0.1〜50重量部、好ましくは1〜10重量部の範囲で使用される。架橋剤の添加量が、少なすぎると環状オレフィン樹脂との反応が起こりにくく、多すぎると電気特性、耐水性、耐湿性などの特性が低下するため好ましくない。
図1は、本発明の積層体の一例を模式的に示す断面図である。
積層体1は、樹脂組成物で構成される層2と、キャリアフィルム3とを積層してなる。
樹脂組成物で構成される層2の厚さは、特に限定されないが、0.1〜60μmが好ましく、特に1〜40μmが好ましい。樹脂組成物で構成される層の厚さが前記下限値未満であると絶縁信頼性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると多層配線板の目的の1つである薄膜化させることが困難になる場合がある。
キャリアフィルム3の厚さは、特に限定されないが、10〜200μmが好ましく、特に20〜100μmが好ましい。
図2は、本発明の回路基板とその製造方法を説明するための断面図である。
まず、コア基板として、FR−4の両面金属箔(銅箔)付き絶縁基板103にドリル機で開孔して開孔部102を設けた後、無電解めっきにより、開孔部102にめっきを行い、前記絶縁基板103の両面の金属箔間の導通を図り、次いで、前記金属箔をエッチングすることにより導体回路層101を形成する(図2(a))。導体回路層101の材質としては、この製造方法に適するものであれば、どのようなものでも良いが、導体回路の形成においてエッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましく、前記エッチングにおいては、これに使用される薬液などに耐性を有するものが好ましい。そのような導体回路層101の材質としては、例えば、銅、銅合金、42合金およびニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板および銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、導体回路層101として使用するのに好ましい。
次に、導体回路層101上に、上記樹脂組成物を用いて、絶縁層104を形成する(図2(b))。絶縁層104を形成する方法としては、塗布法やフィルム積層法などが挙げられ、絶縁層104形成後、乾燥機、窒素乾燥機、真空乾燥機などを用いて、乾燥・硬化を行う。
次に、第二の導体回路層106を形成する(図2(d))。第二の導体回路層106の形成方法としては、公知の方法であるセミアディティブ法などで形成することができる。これらの方法により、回路基板を製造することができる。
絶縁層104は、上述した樹脂組成物で構成されているので誘電特性に優れており、そのため回路基板107の誘電特性も優れている。
[樹脂組成物1の作製]
US特許5,468,819号に記載されている公知の方法によって得られたn−ブチルノルボルネン90mol%とトリエトシキシランノルボルネン10mol%からなるポリノルボルネン18gを、1,3,5−トリメチルベンゼン72gに溶解した環状オレフィン樹脂溶液(品名:アバトレル、プロメラス社製)に、さらに多孔質無機フィラー(平均粒径1.5μm、空孔径20nm、品名:シリカマイクロビードP−500、触媒化成(株)社製)2gを添加し、高速せん断分散方式の混合機((株)奈良機械製作所社製、マイクロスMICROS−0型)により混合分散し樹脂組成物1を得た。
[回路基板の作製]
公知の方法によりFR−5相当の両面銅箔つき絶縁基板にドリル機で開孔後、無電解めっきで上下銅箔間の導通を図り、前記両面の銅箔をエッチングすることにより回路層を両面に形成した。次に、スピンコータにより、樹脂組成物を、両面回路層上に塗布し、乾燥して、10μm厚みの絶縁層を形成した。これを、窒素雰囲気の乾燥機中において200℃で2時間、加熱処理を行い、絶縁層を硬化した。次に、UV−YAGレーザーにより、前記絶縁層に、ビアトップ径が50μmのビアホールを形成し、過マンガン酸系デスミア液により、ビアホールの洗浄を行った。次に、前記絶縁層において第2の導体回路層を形成する位置に、回路形成用のマスクをして、無電解めっきおよび電解めっきにより線間/線幅=15μm/15μmの銅回路層(第二の導体回路層)を形成し、回路基板を得た。
[樹脂組成物2の作製]
実施例1において、多孔質無機フィラーに替えて、無機中空フィラー(平均粒径60nm、比重1.8g/cm3、空隙率30%、触媒化成工業(株)製)を用いた以外は、実施例1と同様な方法で樹脂組成物2を得た。
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、上記で得た樹脂組成物2を用いた以外は、実施例1と同様な方法で回路基板2を得た。
[樹脂組成物3の作製]
実施例1において、多孔質無機フィラーに替えて、PTFEを(平均粒径300nm、品名:KTL−500F、(株)喜多村社製)用いた以外は、実施例1と同様な方法で樹脂組成物3を得た。
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、上記で得た樹脂組成物3を用いた以外は、実施例1と同様な方法で回路基板3を得た。
[樹脂組成物4の作製]
実施例1において、多孔質無機フィラー2gに替えて、多孔質無機フィラー(平均粒径1.5μm、空孔径20nm、品名:シリカマイクロビードP−500、触媒化成(株)社製)1gと無孔無機フィラー(平均粒径500nm、品名SO−25H、(株)アドマテックス社製)1gとの混合フィラーにした以外は、実施例1と同様な方法で樹脂組成物4を得た。
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、上記で得た樹脂組成物4を用いた以外は、実施例1と同様な方法で回路基板4を得た。
[樹脂組成物5の作製]
実施例1において、多孔質無機フィラーを添加しない以外は、実施例1と同様な方法で樹脂組成物5を得た。
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、上記で得た樹脂組成物5を用いた以外は、実施例1と同様な方法で回路基板5を得た。
[樹脂組成物6の作製]
実施例1において、多孔質無機フィラーに替えて、無孔無機フィラーを(平均粒径500nm、品名SO−25H、(株)アドマテックス社製)用いた以外は、実施例1と同様な方法で樹脂組成物6を得た。
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、上記で得た樹脂組成物6を用いた以外は、実施例1と同様な方法で回路基板6を得た。
周波数10GHzにおける誘電特性を測定した。測定機器は、円筒空洞共振機(アジレント・テクノロジー社製、マイクロ波ネットワークアナライザ HP8510B)を用いた。なお70μm厚の銅圧延銅板(三井金属社製、品番3EC−VLP箔)の光沢面に、上記で得た樹脂溶液を乾燥後25μm厚になるように塗布しオーブン中80℃で5分乾燥を行い、樹脂組成物を形成し続いて窒素雰囲気下の乾燥機により200℃で2時間熱処理して、樹脂組成物を硬化させた。次いで、70μm厚の銅箔をエッチング除去し樹脂硬化物フィルムを得サンプルとした。
実装信頼性
−55℃で10分、125℃で10分を1サイクルとする温度サイクル試験を実施した。サンプル数は10個とし1000サイクル後の断線不良数を測定した。
2 樹脂組成物で構成される層
3 キャリアフィルム
101 導体回路層
102 開孔部
103 絶縁基板
104 絶縁層
105 ビアホール
106 第二の導体回路層
107 配線形成両面基板
Claims (11)
- (A)環状オレフィン系樹脂と、(B)多孔質無機フィラー、無機中空フィラー、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粒子のいずれか一種もしくは複数種組み合わせたものと、を含んでなることを特徴とする樹脂組成物。
- (A)環状オレフィン系樹脂と、(B)多孔質無機フィラー、無機中空フィラー、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粒子のいずれか一種もしくは複数種組み合わせたものと、(C)無孔無機フィラーと、を含んでなることを特徴とする樹脂組成物。
- 前記多孔質無機フィラーが多孔質シリカであり、前記無機中空フィラーが無機中空シリカであり、前記無孔無機フィラーがシリカである請求項1又は2に記載の樹脂組成物。
- 前記環状オレフィン系樹脂は、ポリノルボルネン系樹脂を含むものである請求項1ないし3のいずれかに記載の樹脂組成物。
- 前記ポリノルボルネン系樹脂は、下記一般式(1)で表される構造を含むものである請求項4に記載の樹脂組成物。
- 前記ポリノルボルネン系樹脂は、ノルボルネン系モノマーを付加重合して得られるものである請求項4または5に記載の樹脂組成物。
- 前記ポリノルボルネン系樹脂は、ノルボルネン型モノマーを付加重合して得られるものである請求項4ないし6のいずれかに記載の樹脂組成物。
- 前記ポリノルボルネン系樹脂は、下記一般式(2)で表されるモノマーを含むノルボルネン型モノマーを付加(共)重合して得られるものである請求項4ないし7のいずれかに記載の樹脂組成物。
- 請求項1ないし8のいずれかに記載の樹脂組成物で構成されていることを特徴とする樹脂層。
- 請求項9に記載の樹脂層が、キャリア材料の少なくとも片面に形成されていることを特徴とする樹脂層付きキャリア材料。
- 請求項9に記載の樹脂層を有することを特徴とする回路基板。
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