JP2006237506A - 磁性体ペースト、インダクタおよび多層配線板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 バインダー樹脂と磁性体粒子とを含み、磁性体層を構成する磁性体ペーストであって、前記磁性体粒子の粒径は前記磁性体層の厚さの5%以上40%以下であり、かつバインダー樹脂は環状オレフィン系樹脂であることを特徴とする磁性体ペーストにより達成される。前記環状オレフィン系樹脂としては、ノルボルネン系樹脂を含むものを用いることができる。本発明のインダクタは、前記磁性体ペーストで構成される磁性体と導体より構成されることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
また、本発明の目的は、加工性や信頼性に優れた基板内蔵インダクタを提供することである。
また、電気特性の安定性および信頼性の良好な多層配線板を提供できる。
(1) 磁性体と環状オレフィン系樹脂を含んでなる磁性体ペースト。
(2) 前記磁性体は、フェライト粉末である第(1)項に記載の磁性体ペースト。
(3) 前記磁性体は、0.2μm以上10μm以下の粒径を有するものである第(1)項または第(2)項に記載の磁性体ペースト。
(4) 前記磁性体は、20〜90体積%含む第(1)項乃至第(3)項のいずれかに記載の磁性体ペースト。
(5) 前記環状オレフィン系樹脂は、ノルボルネン系樹脂を含む第(1)項乃至第(4)項のいずれかに記載の磁性体ペースト。
(6) 前記ノルボルネン系樹脂は、ノルボルネン系単量体の付加重合体である第(5)項に記載の磁性体ペースト。
(7) 前記ノルボルネン系樹脂は下記一般式(1)で表される構造を有するものである、第(5)項または第(6)項に記載の磁性体ペースト。
(10) 第(1)項乃至第(9)項のいずれかに記載の磁性体ペーストで構成される磁性体層と導体層より構成されることを特徴とするインダクタ。
(11) 第(1)項乃至第(9)項のいずれかに記載の磁性体ペーストで構成されるインダクタを内蔵した多層配線板。
また、本発明によれば加工性や信頼性に優れた基板内蔵インダクタを得ることができる。
また、電気特性の安定性および信頼性の良好な多層配線板を提供できる。
このような極性基を有するノルボルネン系単量体の具体例として、ヒドロキシル基、カルボキシル基、エステル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するものとしては、例えば、5−ノルボルネン−2−メタノール、酢酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、プロピオン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、酪酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、吉草酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプロン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプリル酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、ラウリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、ステアリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、オレイン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、リノレン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、5−カルボキシル−2−ノルボルネン、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸エチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸t−ブチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸i−ブチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸トリメチルシリルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸トリエチルシリルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸イソボニルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシエチルエステル、5−ノルボルネン−2−メチル−2−カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、5−ノルボルネン−2−メチルエチルカルボネート、5−ノルボルネン−2−メチルn−ブチルカルボネート、5−ノルボルネン−2−メチルt−ブチルカルボネート、5−メトキシ−2−ノルボルネン、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−エチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−n−ブチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−n−プロピルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−i−ブチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−i−プロピルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−ヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−オクチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−デシルエステルなどが挙げられる。
また、シリル基を有するものとして、例えば、5−メトキシ−2−ノルボルネン、5−トリメトキシシリル−2−ノルボルネン、5−トリエトキシシリル−2−ノルボルネン、5−(2−トリメトキシシリルエチル)−2−ノルボルネン、5−(2−トリエトキシシリルエチル)−2−ノルボルネン、5−(3−トリメトキシプロピル)−2−ノルボルネン、5−(4−トリメトキシブチル)−2−ノルボルネン、5−トリメチルシリルメチルエーテル−2−ノルボルネンなどアルコキシシリル基を有するものや、5−(1,2,3−トリメチル−4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、ジメチルビス((5−ノルボルネン−2−イル)メチル))メトキシシラン、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ジメチルビス((2−(5−ノルボルネン−2−イル)エチル)トリシロキサンなどが挙げられる。
また、本発明においては、上記ノルボルネン系単量体の他に、例えば、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、エチリデンテトラシクロドデセン、フェニルテトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体や官能基等を有したその置換体を用いることができる。これらは単独、あるいは2種以上の混合物として用いることができる。
本発明に用いる架橋剤としては、ビスアジド化合物、パーオキサイド、脂肪族ポリアミン、脂環族ポリアミン、芳香族ポリアミン、酸無水物、ジカルボン酸化合物、多価フェノール、ポリアミド等が挙げられ、前記ビスアジド化合物としては、例えば、4,4’−ビスアジドベンザル(4−メチル)シクロヘキサンノン、4,4’−ジアジドカルコン、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチル−シクロヘキサノン、4,4’−ジアジドジフェニルスルホン、4,4’−ジアジドジフェニルメタンおよび2,2’−ジアジドスチルベンなど;前記パーオキサイドとしては、例えば、α,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイドおよび2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキサイド)ヘキシン−3など;前記脂肪族ポリアミンとしては、例えば、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチレントリアミンおよびテトラエチレンペンタミンなど;前記脂環族ポリアミンとしては、例えば、ジアミノシクロヘキサン、3(4),8(9)−ビス(アミノメチル)トリシクロ〔5,2,1,02,6〕デカン;1,3−(ジアミノメチル)シクロヘキサン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、N−アミノエチルピペラジン、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタンおよびビス(4−アミノシクロヘキシル)メタンなど;前記芳香族ポリアミンとしては、例えば、4,4’−ジアミノジフェニルエ−テル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、α,α’−ビス(4−アミノフェニル)−1,3−ジイソプロピルベンゼン、α,α’−ビス(4−アミノフェニル)−1,4−ジイソプロピルベンゼン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフォンおよびメタフェニレンジアミンなどの;前記酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、ナジック酸無水物、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、無水マレイン酸変性ポリプロピレンおよび無水マレイン酸変性環状オレフィン系樹脂など;前記ジカルボン酸としては、例えば、フマル酸、フタル酸、マレイン酸、トリメリット酸およびハイミック酸など;前記多価フェノールとしては、例えば、フェノ−ルノボラック樹脂およびクレゾ−ルノボラック樹脂など;前記ポリアミドとしては、例えば、ナイロン−6、ナイロン−66、ナイロン−610、ナイロン−11、ナイロン−612、ナイロン−12、ナイロン−46、メトキシメチル化ポリアミド、ポリヘキサメチレンジアミンテレフタルアミドおよびポリヘキサメチレンイソフタルアミド;等が挙げられる。これらは、一種でも二種以上の混合物として使用しても良い。
また、上記架橋剤の他に、必要に応じて硬化助剤を配合して、架橋反応の効率を高めることも可能である。
前記架橋剤の含有量としては、とくに制限はないが、架橋反応を効率良く反応させ、かつ、環状オレフィン系樹脂の架橋物の物性面から、環状オレフィン系樹脂100重量部に対して0.1〜50重量部が好ましく、より好ましくは1〜10重量部の範囲である。架橋剤の含有量が前記範囲内であると、架橋反応が効率良く行われ、架橋物の電気特性や、耐水性および耐湿性などの特性が良好である架橋剤の添加量が、少なすぎると環状オレフィン樹脂との反応が起こりにくく、多すぎると電気特性、耐水性、耐湿性などの特性が低下するため好ましくない。
これらの中でも、カルビトール類、酢酸エステル類の中から選ばれる1種以上が好ましい。これにより、磁性体ペーストの印刷性が向上する。
また、上記で得られた磁性体ペーストとしては、インダクタとして用いる上で、透磁率が、例えば、10kHzの周波数において、15以上であることが、より好ましい。
このようなインダクタについて、プリント配線板上に作製する場合の例を、図1を用いて説明すると、例えば、まず、プリント配線板用銅張積層板の銅層をエッチングすることにより、インダクタの下部導体回路パターン101を形成する(図1(a))。
次に、この下部導体回路パターン上に、磁性体ペーストを印刷して、磁性体層102を形成する(図1(b))。
磁性体層102は、例えば180℃で2時間加熱硬化させた後に、磁性体層に形成されたスルーホール103内に、銅メッキあるいは銅ペースト印刷により、下地となるプリント配線板の下部導体回路パターン101上に、銅ポストを立てるように形成する。また、前記磁性体ペーストの印刷方法としては、例えば、スクリーン印刷およびステンシル印刷などの印刷方法や、ディスペンサースピンコート、インクジェットおよびスプレーなどによる塗布方法や、アプリケータ、バーコータ、ナイフコータ、カーテンコータ、ダイコータおよびグラビアコータなどによる製膜方法を挙げることができるが、これらに限定されない。
このようにして、導体コイルパターン内部に、本発明の高い透磁率を有する磁性体が形成されたインダクタを作製することができる。上記導体コイルの巻き数は、導体ラインパターン数を増やすことによって、インダクタンスを増加させることができるが、本発明のインダクタを多層配線板内部に内蔵させる場合には、必要とするインダクタンスにより決定して良い。前記インダクタを構成する導体回路と磁性体層の厚みは適宜決定されるが、例えば、導体回路の厚みとしては15μm程度、磁性体層の厚みとしては10μm〜100μm程度で形成される。多層配線板の厚みを薄くする場合は、磁性体層を薄く調節して作製することができる。
まず、コア基板として、FR−4の両面金属箔(銅箔)付き絶縁基板203に、ドリル機で開孔して開孔部202を設けた後、無電解めっきにより、開孔部202にめっきを行い、前記絶縁基板両面の金属箔間の導通を図り、次いで、前記金属箔をエッチングすることにより導体回路層201を形成し、両面導体回路層を有するコア基板210を得る(図2(a))。
導体回路層201の材質としては、この製造方法に適するものであれば、どのようなものでも良いが、導体回路の形成においてエッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましく、前記エッチングにおいては、これに使用される薬液などに耐性を有するものが好ましい。そのような導体回路層201の材質としては、例えば、銅、銅合金、42合金およびニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板および銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、導体回路層201として使用するのに好ましい。
インダクタ形成方法は、スクリーン印刷やステンシル印刷などによる印刷方法やディスペンサー、インクジェットおよびスプレーなどによる塗布方法などが挙げられる。
絶縁層207を形成する方法としては、塗布法やフィルム積層法などが挙げられ、前記塗布法としては、例えば、絶縁層を形成する面に、カーテンコータ、バーコータ、コンマコータ、ナイフコータ、グラビアコータ、ダイコータ、スピンコータ、印刷機、真空印刷機およびディスペンサーなどの装置を用いて、絶縁層用樹脂組成物を塗布して、塗膜を形成し、該塗膜を、乾燥機、窒素乾燥機および真空乾燥機などを用いて、乾燥・硬化して、絶縁層を形成する方法が挙げられる。前記フィルム積層方法としては、絶縁層用樹脂組成物を用いて、ポリエステルフィルムなどの基材の上に、上記同様にして塗膜を形成し、これを、乾燥して支持基材付きフィルム(絶縁膜)を作製し、これを、絶縁層を形成する面に、真空プレス、常圧ラミネーター、真空ラミネータ−およびベクレル式積層装置等を用いて、フィルムを積層して絶縁層を形成する方法が挙げられ、また、ポリエステルフィルムなどの樹脂基材に替えて、金属基材の上に、上記同様にして絶縁膜を形成し、金属層付きフィルム(絶縁膜)を作製し、これを積層して絶縁層を形成する方法などが挙げられる。前記金属層付きフィルムにおいては、該金属層を導体回路として加工することができる。
前記絶縁層用樹脂組成物としては、上記環状オレフィン系樹脂、ポリイミド、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられる。
前記レーザーとしては、エキシマレーザー、UVレーザーおよび炭酸ガスレーザーなどが使用でき、前記レーザーによるビアホールの開孔においては、絶縁層の材質が感光性・非感光性に関係なく、微細なビアホールを容易に形成することができるので、微細加工が必要とされる場合に、特に好ましい。また、ビアホール208の形成方法としては、上記レーザーを照射する方法以外にレーザーおよびプラズマなどによるドライエッチング、ケミカルエッチング等を用いることができる。また、絶縁層207を感光性の樹脂により作製した場合には、絶縁層207を選択的に感光し、現像することでビアホール208を形成することもできる。
第二の導体回路層209の形成方法としては、公知の方法であるセミアディティブ法などで形成することができる。これらの方法により、内部にインダクタが形成された多層配線板を製造することができる。
以下、本発明を実施例および比較例に基づき詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでは無い。
室温で、フェライト粉末50g(平均粒径5μm)を、ブチルノルボルネン90mol%とトリエトキシシリルノルボルネン10mol%の共重合体からなるポリノルボルネン50g(プロメラス社製)とジエチレングリコールモノメチルエーテル20gとの混合溶液に投入し、遊星回転式混練装置により、予備混合を行った。予備混合終了後、3本ロールミルにて十分に混練を行い、目的とする磁性体ペーストを得た。
上記で得た磁性体ペーストを用いて、PETフィルム上に製膜し、その後180℃で3時間加熱することにより、硬化させた磁性体フィルムを得た。硬化後の磁性体フィルムをPETフィルムからはがし、フィルムを50mm角の大きさにカットし、透磁率測定サンプルを得た。フィルムの厚みはレーザーホロゲージ(ミツトヨ(株)製)によりサンプル5箇所の厚みを測定し、その平均値を試料厚みとした。透磁率の測定は、平板用透磁率測定装置(キーコム(株)製、LA−430)を用いて行った。
実施例1において平均粒径が0.1μmであるフェライト粉末を使用した以外は、実施例1と同様にした。
実施例1において平均粒径が13μmであるフェライト粉末を使用した以外は、実施例1と同様にした。
実施例1においてフェライト粉末の体積%が、15体積%となるように樹脂組成物を調整した以外は、実施例1と同様にした。
実施例1においてフェライト粉末の体積%が、95体積%となるように樹脂組成物を調整した以外は、実施例1と同様にした。
実施例1と同様にして作製した磁性体ペーストを用いて、下部導体回路パターン301(図3(a))上に、磁性体層302を印刷形成し、磁性体層302を180℃で2時間加熱硬化させた後に、磁性体層302に予め設けておいた開孔部に、銅メッキにより、開孔部を充填して、下地の銅回路上に銅ポスト303を形成した(図3(b))。次に、磁性体層の上に、銅ペーストを用いて、コの字型の導体コイル層304を、印刷して回路を形成した(図3(c))。さらに銅コイルの一部を露出させるようにして、磁性体層305を印刷・硬化させた(図3(d))。その後、銅コイル層形成・磁性体層形成を4回繰り返し、評価用インダクタを作製した。
磁性体ペースト粘度の測定は、ブルックフィールド粘度計(ブルックフィールドエンジニアリング製、HBDV−III+CP)を用いて測定した。
透磁率の測定は、平板用透磁率測定装置(キーコム(株)製、LA−430)を用い、測定周波数は2.6GHzで行った。
表面粗さの測定には、表面粗さ測定装置(ACCRETECH社製 SURFCOM 1400D)を用いて、算術平均粗さRaを測定した。
銅箔との密着性に関しては、12μm厚みの銅箔粗化面に、磁性体ペーストを30μm厚みで塗布し、180℃3時間、加熱して硬化後、10mm×100mmの短冊状の磁体付き銅箔を作成し、銅箔引き剥がし強度を測定した。
102 磁性体層
103 スルーホール
104 上部導体回路パターン
201 導体回路層
202 開孔部
203 両面金属箔(銅箔)付き絶縁基板
204 磁性体層
205 銅ポスト
206 上部銅回路パターン
207 絶縁層
208 ビアホール
209 導体回路層
301 下部導体回路パターン
302 磁性体層
303 銅ポスト
304 導体コイル層
305 磁性体層
Claims (11)
- 磁性体と環状オレフィン系樹脂を含んでなる磁性体ペースト。
- 前記磁性体は、フェライト粉末である請求項1に記載の磁性体ペースト。
- 前記磁性体は、0.2μm以上10μm以下の粒径を有するものである請求項1または2に記載の磁性体ペースト。
- 前記磁性体は、20〜90体積%含む請求項1乃至3のいずれかに記載の磁性体ペースト。
- 前記環状オレフィン系樹脂は、ノルボルネン系樹脂を含む請求項1乃至4のいずれかに記載の磁性体ペースト。
- 前記ノルボルネン系樹脂は、ノルボルネン系単量体の付加重合体である請求項5に記載の磁性体ペースト。
- 磁性体ペーストの粘度が、0.1Pa・s以上100Pa・s以下である1乃至8のいずれかに記載の磁性体ペースト。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載の磁性体ペーストで構成される磁性体層と導体層より構成されることを特徴とするインダクタ。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載の磁性体ペーストで構成されるインダクタを内蔵した多層配線板。
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