JP2001196714A - 回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】導電部や金属箔との密着性および接着性に優
れ、かつ絶縁性にも優れたポリイミド樹脂回路基板を提
供する。 【解決手段】弾性率が１０ＧＰａ未満のポリイミド系複
合物からなる絶縁層と、該絶縁層の片面または両面に形
成された導体パターンと、該絶縁層を貫通した導電部と
を有する回路基板。このような回路基板は、たとえば、
(a)導電性箔上に導電性ペースト組成物をパターン状に
塗布し、加熱硬化させてバンプ状導電部を形成する工程
と、(b)バンプ状導電部が形成された導電性箔上に弾性
率が１０ＧＰａ未満のポリイミド系複合物を含む組成物
を前記バンプ状導電部が形成された導電性箔上に塗布し
て、絶縁層を形成する工程と、(c)バンプ状導電部の先
端部およびバンプ状導電部の先端部表面の絶縁層を除去
する工程と、(d)前記導電性箔をパターニングして導体
パターンを形成する工程とから製造される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、層間の絶縁膜厚が
薄くでき、導通信頼性のある微小な貫通した導電部（バ
ンプ）を容易に形成可能な、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体
素子を搭載するための回路基板およびその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】熱硬化性樹脂の溶液をガラス繊維などの
基材に含浸させた後、乾燥させたもの（プレプレグ）を
所要枚数積層し、その片面もしくは両面に銅箔等を張り
合わせ、加熱圧着によって前記熱硬化性樹脂を硬化させ
た多層基板は、産業用エレクトロニクス機器、ＯＡ機
器、民生用電気製品等のプリント配線用基板に使用さ
れ、その需要が拡大してきている。近年、電気・電子部
品における小型軽量化、高集積化に伴い多層化、高密度
化が進んでおり、回路基板の薄膜化が可能であり、かつ
容易に層間の導電をとることが可能な回路基板の製造方
法の出現が強く求められている。

【０００３】ところで、従来、回路基板に多く用いられ
ている熱硬化性樹脂は、ビスフェノールＡ型を主とする
エポキシ樹脂である。しかしながら、エポキシ樹脂は、
未硬化物の各種溶剤への溶解性、成形後の銅箔等の金属
との接着性および樹脂自体の耐薬品性には優れているも
のの、薄膜にしたときの耐熱性および電気特性が不十分
であった。

【０００４】このため、通常、回路基板用の樹脂として
は、銅などの金属材料の熱線膨張率になるべく近い熱線
膨張率を有するポリイミド樹脂が使用されていた。しか
しながら、このような銅などの金属材料の熱線膨張係数
に近い値を有するポリイミド樹脂は、高弾性であり、こ
のためバンプや金属箔との積層時に反りが生じたりする
ことがあり、密着性および接着性が悪く、得られた基板
は絶縁性という点で必ずしも満足するものではなかっ
た。

【０００５】このため、金属箔などとの積層時に反りを
生ずることなく、しかもバンプや金属箔との密着性およ
び接着性に優れ、かつ絶縁性にも優れたポリイミド樹脂
基板の出現が望まれていた。このような状況下、本発明
者らは、新規なポリイミド樹脂基板について鋭意検討し
たところ、ポリイミド樹脂として、弾性率が１０ＧＰａ
未満である、弾性の低いポリイミド系複合物を使用する
ことによって、金属箔などとの積層時に反りを生ずるこ
となく、バンプや金属箔との密着性および接着性に優
れ、このため絶縁性に優れた回路基板を得ることができ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、導電
部（バンプ）や金属箔との密着性および接着性に優れ、
絶縁性にも優れたポリイミド樹脂回路基板を提供するこ
とにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、弾性率
が１０ＧＰａ未満のポリイミド系複合物からなる絶縁層
と、該絶縁層の片面または両面に形成された導体パター
ンと、該絶縁層を貫通した導電部とを有する回路基板が
提供される。このような回路基板は、下記の方法により
提供される。 （１）(a)導電性箔上に導電性ペースト組成物をパター
ン状に塗布し、加熱硬化させてバンプ状導電部を形成す
る工程と、(b)バンプ状導電部が形成された導電性箔上
に弾性率が１０ＧＰａ未満のポリイミド系複合物を含む
組成物を、前記バンプ状導電部が形成された導電性箔上
に塗布して絶縁層を形成する工程と、 (c)バンプ状導電
部の先端部およびバンプ状導電部の先端部表面の絶縁層
を除去する工程と、(d)前記導電性箔をパターニングし
て導体パターンを形成する工程とを含む回路基板の製造
方法（以後、本明細書では、「方法１」ということがあ
る）。 （２）(a)導電性箔上に弾性率が１０ＧＰａ未満のポリ
イミド系複合物からなる絶縁層を形成する工程と、(b)
該絶縁層を貫通する穴をパターン状に開ける工程と、
(c)当該穴部分に導電性ペースト組成物を充填、熱硬化
して導電部を形成する工程と、(d)前記導電性箔をパタ
ーニングして導体パターンを形成する工程とを含む回路
基板の製造方法（以後、本明細書では「方法２」という
ことがある）。 （３）(a)導電性箔上に弾性率が１０ＧＰａ未満のポリ
イミド系複合物からなる絶縁層を形成する工程と、(b)
該絶縁層を貫通する穴をパターン状に開ける工程と、
(c)該穴部分に金属メッキにより導電部を形成する工程
と、(d)前記導電性箔をパターニングして導体パターン
を形成する工程とを含む回路基板の製造方法（以後、本
明細書では、「方法３」ということがある）。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の回路基板およびそ
の製造方法について適宜図面を参照しながら具体的に説
明する。 ［回路基板］まず、本発明に係る回路基板について説明
する。

【０００９】本発明に係る回路基板は、弾性率が１０Ｇ
Ｐａ未満のポリイミド系複合物からなる絶縁層と、該絶
縁層の片面または両面に形成された導体パターンと、絶
縁層を貫通した導電部（バンプ）とを有することを特徴
としている。このような回路基板は、たとえば図１に表
される。図１は、本発明に係る回路基板の一実施例を表
す概略断面図であり、弾性率が１０ＧＰａ未満のポリイ
ミド系複合物からなる絶縁層１の両面に導体パターン２
および３が形成され、かつ絶縁層１を貫通した導電部４
を介して導体パターン２と導体パターン３とが導通して
いる回路基板である。なお、本発明に係る回路基板は、
図１に示される回路基板が、複数積層された多層回路基
板であってもよい。

【００１０】導体パターン 絶縁層表面に形成された導体パターン（電気回路という
こともある）は、通常、導電性箔から形成される。導電
性箔は、導電性を有するものであれば特に限定されない
が、銅、金、銀、ニッケル、ステンレス、アルミニウ
ム、鉄、および各種合金からなる箔を挙げることができ
る。また必要に応じて複数の導電性箔の積層体やメッキ
物であっても良い。このような導電性箔の厚さは特に制
限されるものではないが、通常５〜７５μｍ、好ましく
は８〜５０μｍの範囲にあるものが望ましい。

【００１１】導体パターンは、図１のように絶縁層両面
に形成されていてもよいが、また絶縁層片面にのみ形成
されていてもよい。導電部 導電部（バンプということもある）は、通常、導電性ペ
ースト組成物または金属メッキ層から形成される。

【００１２】導電性ペースト組成物としては公知のもの
を用いることができ、通常導電性粒子、およびバインダ
ー樹脂を含有している。導電性微粒子としては公知のも
のを使用でき、特にその種類は制限されないが、金、
銀、銅、すず、白金、パラジウムおよびニッケルなどか
ら選ばれる導電性粒子が好ましい。バインダー樹脂とし
ては公知の熱硬化性樹脂を使用でき、特にその種類は制
限されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹
脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂か
ら選ばれる少なくとも１種が使用される。このような熱
硬化性樹脂は、通常希釈溶剤、硬化触媒などの各種添加
剤と併用して使用される。

【００１３】また導電部が金属メッキにより形成される
場合、金属メッキに用いる金属としては、金、銀、銅、
ニッケルおよび各種合金を挙げることができる。メッキ
の方法は公知の方法を使用できる。なお、導電部の形状
としては特に制限されるものではなく、たとえば、円柱
状、円すい状、角柱状、角すい状などであればよい。

【００１４】この導電部は、後述する絶縁層を貫通して
形成されており、かつ上記した導体パターンと電気的に
導通している。絶縁層 絶縁層は、弾性率が１０ＧＰａ未満のポリイミド系複合
物から形成される。このようなポリイミド系複合物は
（Ａ）ポリイミド成分と（Ｂ）その他のポリマー成分と
からなる。なお、ポリイミド系複合物は、（Ａ）ポリイ
ミド成分と（Ｂ）その他のポリマー成分との混合物であ
っても、反応物であってもよい。 〔（Ａ）ポリイミド成分〕本発明においては、（Ａ）ポ
リイミド成分とは、ポリイミドの他に本発明のポリイミ
ド系複合物を調製する過程でポリイミドに変化するもの
をも含む概念である。

【００１５】ポリイミドは、典型的には、有機極性溶媒
中、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを混
合して重縮合させて、ポリアミック酸を得、該ポリアミ
ック酸を加熱イミド化法または化学イミド化法により脱
水閉環反応させることにより、合成される。従って、ポ
リイミドの中間体（前駆体）であるポリアミック酸は、
（Ａ）ポリイミド成分に包含される。

【００１６】また、テトラカルボン酸二無水物とジアミ
ン化合物との重縮合を多段階で行うことにより合成され
たブロック構造を有するポリイミドも好適な（Ａ）ポリ
イミド成分として用いることができる。（Ａ）ポリイミ
ド成分は、有機溶媒可溶であることが好ましい。 ＜テトラカルボン酸二無水物＞（Ａ）ポリイミド成分の
製造に用いられるテトラカルボン酸二無水物は特に限定
されるものではなく、その具体例としては、ブタンテト
ラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタン
テトラカルボン酸二無水物、１，２−ジメチル−１，
２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、
１，３−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテト
ラカルボン酸二無水物、１，３−ジクロロ−１，２，
３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，
２，３，４−テトラメチル−１，２，３，４−シクロブ
タンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シク
ロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５
−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’−ジシクロヘキシルテトラカルボン酸二
無水物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢
酸二無水物、３，５，６−トリカルボキシノルボルナン
−２−酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフ
ランテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，
５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５
−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−
フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ
−ヘキサヒドロ−５−メチル−５−（テトラヒドロ−
２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−
ｃ］−フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，
５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−エチル−５−（テトラヒ
ドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト
［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、１，３，３
ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−７−メチル−５−
（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−
ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、１，
３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−７−エチル−
５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニ
ル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオ
ン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−８−
メチル−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−
フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３−
ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−
８−エチル−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−
３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，
３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒド
ロ−５，８−ジメチル−５−（テトラヒドロ−２，５−
ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フ
ラン−１，３−ジオン、５−（２，５−ジオキソテトラ
ヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−
１，２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．
２］−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカル
ボン酸二無水物や、下記式（１）および式（２）で表さ
れる化合物等の脂肪族テトラカルボン酸二無水物および
脂環式テトラカルボン酸二無水物、

【００１７】

【化１】

【００１８】（式中、Ｒ¹およびＲ³は芳香環を有する２
価の有機基を示し、Ｒ²およびＲ⁴は、同一または異なっ
て、水素原子またはアルキル基を示す）、ピロメリット
酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニ
ルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，
７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，
４，４’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水
物、３，３’，４，４’−ジメチルジフェニルシランテ
トラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−テトラ
フェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−フランテトラカルボン酸二無水物、４，４’−
ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルス
ルフィド二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４，
４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェ
ニルプロパン二無水物、３，３’，４，４’−パーフル
オロイソプロピリデンジフタル酸二無水物、３，３’，
４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス
（フタル酸）フェニルホスフィンオキサイド二無水物、
ｐ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水
物、ｍ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二
無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジ
フェニルエーテル二無水物、ビス（トリフェニルフタル
酸）−４，４’−ジフェニルメタン二無水物、エチレン
グリコール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、プロ
ピレングリコール−ビス（アンヒドロトリメリテー
ト）、１，４−ブタンジオール−ビス（アンヒドロトリ
メリテート）、１，６−ヘキサンジオール−ビス（アン
ヒドロトリメリテート）、１，８−オクタンジオール−
ビス（アンヒドロトリメリテート）、２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパン−ビス（アンヒドロト
リメリテート）や、下記式（３）〜（６）で表される化
合物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物、

【００１９】

【化２】

【００２０】

【化３】

【００２１】

【化４】

【００２２】等を挙げることができる。これらのテトラ
カルボン酸二無水物は、１種単独でまたは２種以上を組
み合わせて使用することができる。 ＜ジアミン化合物＞また、（Ａ）ポリイミドの製造に用
いられるジアミン化合物としては、例えばｐ−フェニレ
ンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−ジア
ミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニル
エタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、
４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジ
メチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジ
アミノベンズアニリド、４，４’−ジアミノジフェニル
エーテル、１，５−ジアミノナフタレン、３，３’−ジ
メチル−４，４’−ジアミノビフェニル、５−アミノ−
１−（４’−アミノフェニル）−１，３，３−トリメチ
ルインダン、６−アミノ−１−（４’−アミノフェニ
ル）−１，３，３−トリメチルインダン、３，４’−ジ
アミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノベンゾ
フェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，
４’−ジアミノベンゾフェノン、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２
−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキ
サフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３
−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，９−ビス（４−ア
ミノフェニル）−１０−ヒドロアントラセン、２，７−
ジアミノフルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニ
ル）フルオレン、４，４’−メチレン−ビス（２−クロ
ロアニリン）、２，２’，５，５’−テトラクロロ−
４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジクロロ−
４，４’−ジアミノ−５，５’−ジメトキシビフェニ
ル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェ
ニル、４，４’−（ｐ−フェニレンイソプロピリデン）
ビスアニリン、４，４’−（ｍ−フェニレンイソプロピ
リデン）ビスアニリン、２，２’−ビス［４−（４−ア
ミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］
ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−２,
２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，
４’−ビス［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）
フェノキシ］−オクタフルオロビフェニル等の芳香族ジ
アミン類；１，１−メタキシリレンジアミン、１，３−
プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメ
チレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチ
レンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレン
ジアミン、４，４−ジアミノヘプタメチレンジアミン、
１，４−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジアミ
ン、テトラヒドロジシクロペンタジエニレンジアミン、
ヘキサヒドロ−４，７−メタノインダニレンジメチレン
ジアミン、トリシクロ［６．２．１．０^2,7 ］−ウンデ
シレンジメチルジアミン、４，４’−メチレンビス（シ
クロヘキシルアミン）等の脂肪族ジアミンあるいは脂環
式ジアミン類；２，３−ジアミノピリジン、２，６−ジ
アミノピリジン、３，４−ジアミノピリジン、２，４−
ジアミノピリミジン、５，６−ジアミノ−２，３−ジシ
アノピラジン、５，６−ジアミノ−２，４−ジヒドロキ
シピリミジン、２，４−ジアミノ−６−ジメチルアミノ
−１，３，５−トリアジン、１，４−ビス（３−アミノ
プロピル）ピペラジン、２，４−ジアミノ−６−イソプ
ロポキシ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアミノ
−６−メトキシ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジ
アミノ−６−フェニル−１，３，５−トリアジン、２，
４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、
２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン、４，６−
ジアミノ−２−ビニル−１，３，５−トリアジン、２，
４−ジアミノ−５−フェニルチアゾール、２，６−ジア
ミノプリン、５，６−ジアミノ−１，３−ジメチルウラ
シル、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、
６，９−ジアミノ−２−エトキシアクリジンラクテー
ト、３，８−ジアミノ−６−フェニルフェナントリジ
ン、１，４−ジアミノピペラジン、３，６−ジアミノア
クリジン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルアミン
や、下記式（７）または（８）で表される化合物等の、
分子内に２つの第一級アミノ基および該第一級アミノ基
以外の窒素原子を有するジアミン類、

【００２３】

【化５】

【００２４】（式中、Ｒ⁵は、ピリジン、ピリミジン、
トリアジン、ピペリジンおよびピペラジンの群から選ば
れる含窒素環構造を有する化合物に由来する１価の有機
基を示し、Ｘは２価の有機基を示す）、

【００２５】

【化６】

【００２６】（式中、Ｒ⁶は、ピリジン、ピリミジン、
トリアジン、ピペリジンおよびピペラジンの群から選ば
れる含窒素環構造を有する化合物に由来する２価の有機
基を示し、Ｘは、同一または異なって、２価の有機基を
示す）；下記式（９）で表されるモノ置換フェニレンジ
アミン類、

【００２７】

【化７】

【００２８】（式中、Ｙは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣ
Ｏ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−または−ＣＯ−を示
し、Ｒ⁷は水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、炭素数６〜３０のアルキル基またはステロイド骨格
を有する１価の基を示す。）；下記式（１０）で表され
るジアミノオルガノシロキサン、

【００２９】

【化８】

【００３０】（式中、Ｒ⁹は、同一または異なって、炭
素数１〜１２の炭化水素基を示し、ｐおよびｒは１〜３
の整数であり、ｑは１〜２０の整数である）；下記式
（１１）〜（２３）で表される化合物等を挙げることが
できる。これらのジアミン化合物は、１種単独でまたは
２種以上を組み合わせて使用することができる。

【００３１】

【化９】

【００３２】

【化１０】

【００３３】（式中、ｙは２〜１２の整数、ｚは１〜５
の整数である。）

【００３４】

【化１１】

【００３５】

【化１２】

【００３６】前記テトラカルボン酸二無水物とジアミン
化合物との使用割合は、ジアミン化合物中のアミノ基１
当量に対して、テトラカルボン酸二無水物中の酸無水物
基が０．２〜２当量となる割合が好ましく、さらに好ま
しくは０．３〜１．２当量となる割合である。 ＜ポリアミック酸＞ポリイミド成分を製造するための中
間体としての、あるいは（Ａ）ポリイミド成分としての
ポリアミック酸の合成は、上記テトラカルボン酸二無水
物と上記ジアミン化合物とを有機溶媒中で、通常−２０
〜１５０℃、好ましくは０〜１００℃の温度条件下で反
応することにより行われる。

【００３７】上記有機溶媒としては、生成するポリアミ
ック酸を溶解しうるものであれば特に制限はなく、その
例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、テトラメ
チル尿素、ヘキサメチルホスホルトリアミド等の非プロ
トン系極性溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プ
ロピル、酢酸ｎ−ブチル、メトキシプロピオン酸メチ
ル、エトキシプロピオン酸エチル、しゅう酸ジエチル、
マロン酸ジエチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳
酸ｎ−ブチル等のエステル類；アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン類；フェノール、ｍ−クレゾール、キシレノー
ル、ハロゲン化フェノール等のフェノール類等を挙げる
ことができる。

【００３８】有機溶媒の使用量は、テトラカルボン酸二
無水物とジアミン化合物との合計量が、反応溶液の全量
に対して０．１〜３０重量％になるような量であること
が好ましい。また、上記有機溶媒には、アルコール類、
エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類等の他
の有機溶媒を、生成するポリアミック酸が析出しない範
囲で併用することができる。 ＜ポリイミドの合成＞本発明で使用される（Ａ）成分の
ポリイミドは、前記ポリアミック酸を脱水閉環すること
により合成することができる。

【００３９】ポリアミック酸の脱水閉環反応は、（イ）
ポリアミック酸の有機溶媒溶液を加熱し、副生する水を
共沸留去する加熱イミド化法、または（ロ）ポリアミッ
ク酸の有機溶媒溶液に脱水剤および脱水閉環触媒を添加
し、必要に応じて加熱して反応させる化学イミド化法に
より行われる。

【００４０】本発明における（Ａ）成分としてのポリイ
ミドは、分子量が調節された末端修飾型のものであって
もよい。このような末端修飾型ポリイミドは、ポリアミ
ック酸を合成する際に、カルボン酸一無水物、モノアミ
ン化合物、アミノ酸、モノイソシアネート化合物等を反
応系に添加することにより合成することができる。

【００４１】本発明における（Ａ）成分として使用され
るポリイミドおよびポリアミック酸は、例えば、カルボ
キシル基、アミノ基、水酸基、スルホン酸基、アミド
基、エポキシ基、イソシアネート基、ビニル基等の反応
性基（ａ）を１種以上有するものであってもよい。本発
明で用いられる（Ａ）成分としては、上記で説明したポ
リイミド、ポリアミック酸、末端修飾型ポリイミド、反
応性基を持つポリイミドおよびポリアミック酸が好まし
い。さらに好ましくは末端修飾型ポリイミド、反応性基
を持つポリイミドおよびポリアミック酸であり、これら
を使用することで、後述する（Ｂ）成分との反応が良好
となり、一層優れたポリイミド系複合物が得られる。 〔（Ｂ）その他ポリマー成分〕本発明における（Ｂ）そ
の他ポリマー成分は、好ましくは（Ａ）ポリイミド成分
と直接あるいは間接的に架橋剤を介して反応可能な反応
基（ｂ）を有すものであり、ポリイミド系複合物の弾性
率が１０ＧＰａ未満となるものであれば、どのようなポ
リマーでも使用できる。

【００４２】本発明に用いることができる（Ｂ）成分の
具体例としては、例えば、アクリルポリマー等のビニル
単量体の重合体、天然ゴムおよびそのエポキシ化物、ポ
リブタジエンおよびそのエポキシ化物、スチレン−ブタ
ジエンゴム、イソプレンゴム、ウレタンゴム、アクリロ
ニトリルゴム、エチレン−プロピレンゴム、フッ素ポリ
マー、シリコーンポリマー等が挙げられ、これらを単独
であるいは２種以上を併用して用いてもよい。

【００４３】反応性基（ｂ）としては、アミノ基、カル
ボキシル基、酸無水物基、水酸基、エポキシ基、イソシ
アネート基、オルガノシロキサニル基、ビニル基、ケト
ン基等が挙げられる。上記（Ｂ）成分の合成に使用でき
るビニル単量体として、下記のビニル系単量体を挙げる
ことができる。 （１）アミノ基含有単量体 ２−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−
ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−ジメ
チルアミノプロピル（メタ）アクリレート、３−ジメチ
ルアミノプロピル（メタ）アクリレート等のアミノアル
キル基含有（メタ）アクリレート類；２−（２−ジメチ
ルアミノエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、２−
（２−ジエチルアミノエトキシ）エチル（メタ）アクリ
レート、２−（２−ジメチルアミノエトキシ）プロピル
（メタ）アクリレート、３−（２−ジメチルアミノエト
キシ）プロピル（メタ）アクリレート等のアミノアルコ
キシアルキル基含有（メタ）アクリレート類；Ｎ−（２
−ジメチルアミノエチル）（メタ）アクリルアミド、Ｎ
−（２−ジエチルアミノエチル）（メタ）アクリルアミ
ド、Ｎ−（２−ジメチルアミノプロピル）（メタ）アク
リルアミド、Ｎ−（３−ジメチルアミノプロピル）（メ
タ）アクリルアミド等のＮ−アミノアルキル基含有（メ
タ）アクリルアミド類；ｐ−ジメチルアミノメチルスチ
レン、ｐ−ジエチルアミノメチルスチレン、ｐ−ジメチ
ルアミノメチル−α−メチルスチレン、ｐ−ジエチルア
ミノメチル−α−メチルスチレン、ｐ−（２−ジメチル
アミノエチル）スチレン、ｐ−（２−ジエチルアミノエ
チル）スチレン、ｐ−（２−ジメチルアミノエチル）−
α−メチルスチレン、ｐ−（２−ジエチルアミノエチ
ル）−α−メチルスチレン、２−ビニルピリン、４−ビ
ニルピリン等のアミノ基含有芳香族ビニル化合物；グリ
シジル（メタ）アクリレートと第一級または第二級のア
ミン化合物との付加物等や、これらの単量体中のアミノ
基を中和あるいは四級化した塩等 （２）カルボキシル基含有単量体 （メタ）アクリル酸、クロトン酸、けい皮酸、マレイン
酸、フマル酸、イタコン酸等の不飽和カルボン酸類やこ
れらの塩；マレイン酸モノメチルエステル、マレイン酸
モノエチルエステル、フマル酸モノメチルエステル、フ
マル酸モノエチルエステル等の不飽和ポリカルボン酸の
遊離カルボキシル基含有エステル類やこれらの塩；こは
く酸のモノ（２−（メタ）アクリロイルオキシエチル）
エステル、フタル酸のモノ（２−（メタ）アクリロイル
オキシエチル）エステル等の非重合性ジカルボン酸のモ
ノ（２−（メタ）アクリロイルオキシアルキル）エステ
ル類やこれらの塩等 （３）水酸基含有単量体 ２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒド
ロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシ
プロピル（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メ
タ）アクリルアミド、フタル酸の２−（メタ）アクリロ
イルオキシエチル・２−ヒドロキシエチルジエステル等
を挙げることができ、 （４）スホン酸基含有ビニル系単量体 ｐ−スチレンスルホン酸、ｐ−α−メチルスチレンスル
ホン酸、スルホン化イソプレンやこれらの塩等 （５）アミド基含有単量体 （メタ）アクリルアミド、クロトン酸アミド、けい皮酸
アミド、マレイン酸ジアミド、フマル酸ジアミド等 （６）エポキシ基含有単量体 グリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエ
ーテル、３，４−エポキシシクロヘキシル（メタ）アク
リレート等 （７）イソシアネート基含有単量体 ２−イソシアナトエチル（メタ）アクリレート、２−イ
ソシアナトプロピル（メタ）アクリレート、３−イソシ
アナトプロピル（メタ）アクリレート等を挙げることが
できる。 （８）その他のモノビニル単量体 メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレ
ート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピ
ル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリル
レート、ｉ−ブチル（メタ）アクリルレート、ｓｅｃ−
ブチル（メタ）アクリルレート、ｔ−ブチル（メタ）ア
クリルレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、２
−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メ
タ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、
シクロヘキシル（メタ）アクリレート等の（シクロ）ア
ルキル（メタ）アクリレート類；２−メトキシエチル
（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）ア
クリレート、２−メトキシプロピル（メタ）アクリレー
ト、３−メトキシプロピル（メタ）アクリレート、２−
メトキシブチル（メタ）アクリレート、３−メトキシブ
チル（メタ）アクリレート、４−メトキシブチル（メ
タ）アクリレート、ｐ−メトキシシクロヘキシル（メ
タ）アクリレート等のアルコキシ（シクロ）アルキル
（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル、
シアン化ビニリデン、クロトンニトリル、２−シアノエ
チル（メタ）アクリレート、２−シアノプロピル（メ
タ）アクリレート、３−シアノプロピル（メタ）アクリ
レート等のシアノ基含有単量体類；Ｎ−メトキシメチル
（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エトキシメチル（メタ）
アクリルアミド、Ｎ−（２−メトキシエチル）（メタ）
アクリルアミド、Ｎ−（３−メトキシプロピル）（メ
タ）アクリルアミド、Ｎ−（４−メトキシブチル）（メ
タ）アクリルアミド、ジアセトン（メタ）アクリルアミ
ド等の前記アミド基含有単量体のＮ−アルコキシアルキ
ル置換誘導体類；トリフルオロエチル（メタ）アクリレ
ート、ペンタフルオロプロピル（メタ）アクリレート、
ヘプタフルオロブチル（メタ）アクリレート等のフルオ
ロアルキル（メタ）アクリレート類；トリメチルシロキ
サニルジメチルシリルプロピル（メタ）アクリレート、
トリス（トリメチルシロキサニル）シリルプロピル（メ
タ）アクリレート、ジ（メタ）アクリロイルプロピルジ
メチルシリルエーテル等のシロキサニル化合物類；スチ
レン、ｏ−ビニルトルエン、ｍ−ビニルトルエン、ｐ−
ビニルトルエン、ｐ−エチルスチレン、α−メチルスチ
レン、α−フルオロスチレン、クロロメチルスチレン、
ｔ−ブトキシスチレン、ヒドロキシスチレン等のモノビ
ニル芳香族化合物；塩化ビニル、塩化ビニリデン等のハ
ロゲン化ビニル化合物；酢酸ビニル、クロロ酢酸ビニ
ル、プロピオン酸ビニル等のビニルエステル類；エチレ
ン、プロピレン等のオレフィン類；スチレンスルホン酸
等のビニル基含有スルホン酸およびその塩類；そのほ
か、シリコン変性モノマー、マクロモノマー等 （９）ポリビニル芳香族化合物 ジビニルベンゼン、ジイソプロペニルベンゼン等 （１０）ジ（メタ）アクリレート類 エチレンビス（メタ）アクリルアミド、トリメチレンビ
ス（メタ）アクリルアミド、テトラメチレンビス（メ
タ）アクリルアミド等のビス（メタ）アクリルアミド
類；エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエ
チレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレ
ングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、１，３−ブチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、１，６−ヘキシレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メ
タ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリ
ロキシプロピオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）プロ
パン等 （１１）３個以上の（メタ）アクリロキシ基を有する単
量体 グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリメチロール
プロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエ
タントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール
テトラ（メタ）アクリレート、ジ−トリメチロールプロ
パンテトラアクリレート等 （１２）その他 ブタジエン、イソプレン、ジシクロペンタジン、エチリ
デンノルボルネン等の不飽和脂肪族炭化水素類；イソプ
レンスルホン酸等 これらのモノビニルあるいはポリビニル単量体は、単独
でまたは２種以上を使用して、公知の重合方法（ラジカ
ル、アニオン、カチオン等）を用い、（Ｂ）その他ポリ
マー成分を製造することができる。

【００４４】好ましい（Ｂ）成分は、弾性ポリマー、反
応性基を有する弾性ポリマーであり、反応性基を有する
弾性ポリマーが特に好ましい。（Ｂ）成分として反応性
基を有する弾性ポリマーを用いることにより、（Ａ）成
分との反応が良好となり、一層すぐれたポリイミド系複
合物が得られる。（Ｂ）成分のガラス転移温度は、好ま
しくは＋１２０℃〜−２００℃、さらに好ましくは＋８
０℃〜−１２０℃である。ガラス転移温度がこの範囲に
あると、接着性、成形性等が一層良好となる。

【００４５】ポリイミド系複合物は、（Ａ）ポリイミド
成分および（Ｂ）その他のポリマー成分が架橋剤で架橋
されていてもよい。架橋剤としては、（Ａ）ポリイミド
成分および（Ｂ）その他のポリマー成分と反応可能な基
を２つ以上有するものであれば特に制限されない。ま
た、ポリイミド系複合物には、必要に応じて各種添加剤
を配合されていてもよい。

【００４６】このような添加剤としては、例えばクレ
ー、ゼオライト、タルク、マイカ、シリカ、カーボンブ
ラック、グラファイト、アルミナ、炭酸カルシウム、ワ
ラストナイト、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン系架橋粒
子等の充填剤や、ガラス、カーボン、アルミナ、チタン
酸カリウム、ほう酸アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケ
イ素、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミ
ド、全芳香族ポリエステル、超高分子量ポリエチレン、
高強度ポリアクリロニトリル、高強力ポリビニルアルコ
ール等の繊維あるいはウイスカー等の補強材を挙げるこ
とができる。

【００４７】また、上記補強材は、例えば、織布、不織
布、編み物等の布帛の形で用い、該布帛に、本発明のポ
リイミド系複合物を形成し得る溶液（ワニス）またはエ
マルジョンを含浸させて使用することもできる。前記各
添加剤は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して使
用することができる。

【００４８】さらに、ポリイミド系複合物には、前記以
外に、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定
剤、帯電防止剤、難燃剤、着色剤、滑剤、防曇剤、接着
性改善剤、防かび剤などが含まれていてもよい。ポリイ
ミド系複合物の弾性率は、室温で１０ＧＰａ未満であ
り、好ましくは０．００１ＧＰａ〜９．８ＧＰａであ
る。より好ましくは０．００１〜５ＧＰａであり、さら
に好ましくは０．０１〜１ＧＰａの範囲にある。弾性率
が１０ＧＰａ以上の場合、弾性が高いので、導体パター
ンと絶縁層との接着性が低下したり、作製した回路基板
が反ってしまうことがある。

【００４９】なお、ポリイミド系複合物の弾性率の測定
は、（Ａ）成分および（Ｂ）成分のみから形成された複
合物、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、架橋剤、および架橋助
剤から形成された複合物、さらにはこれらに添加剤を配
合して形成された複合物等のポリイミド系複合物をフィ
ルム状になし、このフィルムについて、常温で引張り伸
縮型、ベント型等の動的粘弾性測定装置で測定される。

【００５０】本発明においては、ポリイミド系複合物の
弾性率は、ポリイミド系複合物が（Ａ）成分、（Ｂ）成
分以外に添加剤等が配合されて形成されていた場合、添
加剤等が配合されたままで測定された値である。ポリイ
ミド系複合物は、（Ａ）成分であるポリイミドが連続相
を形成し、（Ｂ）成分のその他のポリマーがポリイミド
連続相に囲まれて不連続相を形成していることが好まし
い。このような構造を取ることにより、ポリイミド系複
合物はポリイミドが寄与する絶縁性等の特性とその他の
ポリマーが寄与する良好な接着性、成形性等の特性が高
水準にバランスして、本発明の目的がより好ましく達成
される。

【００５１】（Ｂ）その他のポリマーの不連続相の大き
さは、円相当径としての数平均粒子径で表され、好まし
くは０．０１〜０．９μｍ、より好ましくは０．０３〜
０．７μｍ、特に好ましくは０．０５〜０．５μｍであ
る。なお、平均粒子径は、下記の方法で撮影した電子顕
微鏡写真を画像解析して算出することができる。また、
ポリイミド系複合物は、ポリイミドとその他のポリマー
が物理的あるいは化学的に結合していることが好まし
く、より好ましくは化学的に結合していることである。
いずれにせよ、ポリイミドとその他のポリマーは部分的
に結合していればよい。

【００５２】このようなポリイミド系複合物を形成する
ための（Ａ）ポリイミド成分と（Ｂ）その他のポリマー
成分の使用割合は、両成分の合計量を１００重量部（固
形分）として、（Ａ）ポリイミド成分が、通常５〜９５
重量部、好ましくは１０〜９０重量部、さらに好ましく
は２０〜８０重量部であり、（Ｂ）その他のポリマー成
分は、通常９５〜５重量部、好ましくは１０〜９０重量
部、さらに好ましくは２０〜８０重量部である。

【００５３】（Ａ）ポリイミド成分と（Ｂ）その他のポ
リマー成分が上記範囲にあることにより、ポリイミド系
複合物は接着性および耐水性に優れ、ポリイミド系複合
物を用いて作成される基板は電気絶縁性、接着性および
耐水性に優れる結果となる。 〔絶縁層の形成〕このようなポリイミド系複合物から絶
縁層を形成する場合は、ポリイミド系複合物を含む液状
の組成物が用いられる。具体的には、ポリイミド系複合
物が溶媒に溶解した溶液状態（ワニスという）、あるい
は水性媒体に乳化した水性分散体（エマルジョンとい
う）にして、使用される。

【００５４】ワニスを調製するに際して使用される溶媒
は、（Ａ）ポリイミド成分および（Ｂ）その他のポリマ
ー成分に対して不活性であり、かつこれらを溶解しうる
限り、特に制約されるものではない。このような溶媒と
しては、例えばポリイミドの合成に使用される前記Ｎ−
メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサ
ノン、テトラヒドロフラン等の極性溶媒を挙げることが
できる。これらの溶媒は、単独でまたは２種以上を混合
して使用することができる。

【００５５】エマルジョンでは、その中に分散している
同一粒子内に前記（Ａ）ポリイミドと（Ｂ）その他のポ
リマーとが含有されており、しかも粒子の平均粒子径は
０．０３〜５μｍ、好ましくは０．０５〜３μｍであ
る。なお、エマルジョンにおける水性媒体とは、水を主
成分とする媒体を意味する。この場合、水性媒体中にお
ける水の含有率は、通常４０重量％以上、好ましくは５
０重量％以上である。場合により水とともに使用される
他の媒体としては、例えば非プロトン性極性溶媒、エス
テル類、ケトン類、フェノール類や、前記極性溶媒と同
様のものを挙げることができる。

【００５６】エマルジョンを調製する方法としては、例
えば、（Ａ）有機溶媒可溶性のポリイミドと（Ｂ）親水
性ポリマーとを、有機溶媒中にて溶液状態で混合したの
ち、この混合溶液を水性媒体中に分散させて混合し、所
定の平均粒子径の粒子とし、場合により有機溶媒の少な
くとも一部を除去する方法を挙げることができる。ま
た、エマルジョンを調製する際には、必要に応じて界面
活性剤、ｐＨ調製剤などが適量含まれていてもよい。

【００５７】ワニスおよびエマルジョンを調製する際の
溶媒（エマルジョンの場合水性媒体）の使用量は、
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００重量部当り、１０
〜１０，０００重量部が好ましく、さらに好ましくは２
０〜５，０００重量部である。ポリイミド系複合物をエ
マルジョン状態で使用すると、粘度が低いためため取り
扱いが簡単になり、また表面に荷電を持たせることによ
り電着塗装が可能になるため、好適である。

【００５８】［回路基板の製造方法］本発明の回路基板
は以下の方法で製造される。方法１ 本発明に係る回路基板の製造方法の第１の態様例（以
後、方法１という）は、導電性箔上に導電性ペースト組
成物をパターン状に塗布し、加熱硬化させてバンプ状導
電部を形成する工程と、前記導電性箔上に弾性率が１０
ＧＰａ未満のポリイミド系複合物を含む組成物を、前記
バンプ状導電部が形成された導電性箔上に塗布して絶縁
層を形成する工程と、バンプ状導電部の先端部表面の絶
縁層を除去する工程と、前記導電性箔をパターニングし
て導体パターンを形成する工程とからなる。

【００５９】このような本発明に係る方法１の回路基板
の製造工程を表す概略図を図２に示す。具体的には、ま
ず、図２(a)に示されるように、導電性箔１２上に版１
３を介してスキージ１４を用いて導電性ペースト組成物
１５を印刷する。このとき、導電性ペースト組成物１５
の印刷を複数回にわけて行い、かつ版１３の口径を徐々
に小さくしていくことによって、図２(b)に示される円
錐状のバンプ状導電部１６を形成することができる。こ
のようなバンプ状導電部１６の高さはたとえば１０〜３
００μｍの範囲内にあることが望ましい。

【００６０】次いで、図２(b)および図２(c)に示される
ように、乾燥・熱硬化処理を行う。乾燥温度は、導電性
ペースト組成物１５に含まれている溶剤が蒸発する温度
であれば、特に制限されるものではない。また熱硬化処
理温度は、導電性ペースト組成物中の未硬化成分（熱硬
化性樹脂）が硬化する温度であれば特に制限はない。

【００６１】次いで、図２(d)に示されるように、導電
性箔表面およびバンプ表面に、弾性率が１０ＧＰａ未満
のポリイミド系複合物からなる絶縁層１７を、バンプ状
導電部１６が形成された導電性箔上に塗布する。絶縁層
１７は、前記ポリイミド系複合物が溶解されたワニス
を、直接金属箔上に、ロールコーター、ディップコータ
ー、カーテンコーター等の方法により塗布したのち乾式
法にて乾燥させて作製される。また、ポリイミド系複合
物が水性媒体中で乳化したエマルジョンを使用し、１０
〜１００Ｖの電圧を印可する方法（電着塗装法）によっ
て、塗布したのち、乾燥させても絶縁層１７を作製する
こともできる。本発明では、特に電着塗装法を使用して
絶縁層１７を形成することが望ましい。

【００６２】絶縁層１７を形成したのち、加熱処理を施
してもよい。この加熱処理によって、絶縁層中のポリイ
ミド系複合物の硬化を進めることができる。次に、バン
プ状導電部１６の先端部および該先端部表面の絶縁層を
除去する。バンプ状導電部１６の先端部および該先端部
表面の絶縁層の除去は、たとえば、適当な硬度の金属板
を絶縁層１７の表面に載せ（図示せず）加熱圧着させる
ことによって行われる。この加熱圧着によって、バンプ
状導電部１６の先端部および該先端部表面の絶縁層が押
しつぶされて、バンプ状導電部１６が絶縁層表面に露出
する。

【００６３】なお、この際、図２(e)に示されるよう
に、絶縁層１７と導電性箔１８とを加熱圧着させてもよ
い。このように導電性箔１８と絶縁層１７とを加熱圧着
させても、バンプ状導電部１６の先端部および該先端部
表面の絶縁層は除去される。また、バンプ状導電部１６
が露出して導電性箔１８と接触するので、バンプ状導電
部１６を介して、導電性箔１２と導電性箔１８を導通さ
せることができる。絶縁層１７と導電性箔１８との熱圧
着させるための温度は、通常１５０〜３００℃であり、
接着圧力は１〜１０ＭＰaであることが望ましい。加熱
圧着は熱プレス法、ロール法などの従来より知られてい
る方法を用いて行うことができる。

【００６４】次いで、図２(f)に示されるように導電性
箔１２および１８にエッチングなどの公知の方法により
導体パターン１９を形成すると回路基板１０が作製され
る。また、得られた複数枚の回路基板を、前記バンプを
介して導通するように、同様な条件で加熱圧着すれば多
層化が可能となる。なお、複数枚の回路基板を加熱圧着
する際には、接着剤を介して接着させてもよい。接着剤
としては、公知のものが使用される。

【００６５】方法２ 本発明に係る回路基板の製造方法の第２の態様例（以
後、方法２という）は、導電性箔上に弾性率が１０ＧＰ
ａ未満のポリイミド系複合物からなる絶縁層を形成する
工程と、該絶縁層を貫通する穴をパターン状に開ける工
程と、前記導電性箔をパターニングして導体パターンを
形成する工程とからなる。

【００６６】このような本発明に係る方法２の回路基板
の製造工程を表す概略図を図３に示す。具体的には、ま
ず、図３(a)に示されるように、導電性箔１２上に、弾
性率が１０ＧＰａ未満のポリイミド系複合物からなる絶
縁層１７を形成する。絶縁層１７は、前記方法１にて例
示した方法により形成される。

【００６７】次に、図３(b)に示されるように、絶縁層
１７のみを貫通する穴２０を、パターン状に開ける。穴
開け加工は、レーザの照射によって行うことが望まし
い。レーザーを使用すると、微小径の穴を容易に高密度
に形成することが可能である。また、レーザによる穴開
け加工であれば、導電性箔を損傷することなく、絶縁層
を貫通する穴を開けることができる。また、この穴開け
により、導電性箔により一端が閉鎖された状態の穴が形
成されるので、その穴に導電性ペースト組成物を充填す
ることにより、導電性ペースト組成物と導体回路が面接
触するため、確実な導通が得られる。本発明に用いるレ
ーザとしては、炭酸ガスレーザやエキシマレーザ、ＹＡ
Ｇレーザの第４高調波などが挙げられる。特に、炭酸ガ
スレーザは、加工速度が極めて高いという点で好適であ
る。

【００６８】次に、図３(c)に示されるように、形成し
た穴部分に導電性ペースト組成物を充填し、熱硬化して
導電部１６を形成し、さらに必要に応じて、図３(d)に
示されるように絶縁層１７の表面に導電性箔１８を圧着
する。熱硬化処理温度は、導電性ペースト組成物中の未
硬化成分（熱硬化性樹脂）が硬化する温度であれば特に
制限はない。導電性箔１８の圧着は、上記方法１で例示
した圧着方法を採用して行うことができる。

【００６９】さらに図３(e)に示されるように、導電性
箔１２および１８にエッチングなどの公知の方法により
導体パターン１９を形成して、回路基板１０が作製され
る。得られた複数枚の回路基板を、前記導電部１６を介
して導通するように加熱圧着すれば多層の回路基板を作
製することができる。なお、複数枚の回路基板を加熱圧
着する際には、接着剤を介して接着させてもよい。接着
剤としては、公知のものが使用される。

【００７０】方法３ 本発明に係る回路基板の製造方法の第３の態様例（以
後、方法３という）は、導電性箔上に弾性率が１０ＧＰ
ａ未満のポリイミド系複合物からなる絶縁層を形成する
工程と、該絶縁層にパターン状の穴開け加工する工程
と、該穴部分に金属メッキにより導電部を形成する工程
と、前記導電性箔をパターニングして導体パターンを形
成する工程とからなる。

【００７１】このような本発明に係る方法３の回路基板
の製造工程を示す概略図を図４に示す。具体的には、ま
ず、図４(a)に示されるように、導電性箔１２上に、弾
性率が１０ＧＰａ未満のポリイミド系複合物からなる絶
縁層１７を形成する。絶縁層１７は、前記方法１および
２にて例示した方法により形成される。

【００７２】次に、図４(b)に示されるように、絶縁層
１７のみを貫通する穴２０をパターン状に開ける加工を
行う。この穴開け加工は、前記方法２にて例示したレー
ザの照射によって行うことが望ましい。次に、図４(c)
に示されるように、形成した穴部分に金属メッキを行い
導電部を形成する。金属メッキは無電解メッキおよび／
または電解メッキにより行われる。無電解メッキでは予
め穴の内面への触媒核の付与が行われる。穴の内面への
触媒核の付与は、例えば、絶縁層の穴を開ける側の面に
マスキングフィルムを貼合し、上記した方法によって所
定の位置に穴を開け、次いで、常法に従って触媒核を付
与した後、前記マスキングフィルムを除去することによ
り行われ、これによって、穴の内面にのみ触媒核が付与
された状態となる。また、この触媒核の活性化は、既知
の方法を採用することができ、例えば、酸処理により行
う。さらに、無電解メッキ液は、既知の成分組成を有す
る無電解金属メッキ液が採用でき、この無電解メッキ液
に基板を浸漬することによって、活性化された前記触媒
核から順次無電解メッキ金属が析出され、上記穴の内面
に無電解メッキ金属皮膜が析出される。また、電解メッ
キは、絶縁層に穴を開けた後、金属メッキ液を用い電圧
を印可することによって行われる。なお、これらの金属
メッキを行った後、上記方法２と同様に導電性ペースト
組成物でさらに穴を充填してもよい。さらに、必要に応
じて図４(d)に示されるように絶縁層１７の表面に導電
性箔１８を圧着させてもよい。

【００７３】次に、図４(e)に示されるように、導電性
箔１２および１８にエッチングなどの公知の方法により
導体パターン１９を形成し、回路基板１０が作製され
る。得られた複数枚の回路基板１０を、前記導電部を介
して加熱圧着すれば多層の回路基板を作製することがで
きる。複数枚の回路基板を加熱圧着する際には、接着剤
を介して接着させてもよい。

【００７４】

【発明の効果】以上の本発明の回路基板では、弾性率が
１０GＰａ未満のポリイミド系複合物からなる絶縁層を
使用しているので、基板に反りを生じたり、回路が剥離
することがない。しかも本発明に係る回路基板は、簡便
なプロセスで製造することが可能であり、さらに多層化
も容易である。

【００７５】このような本発明の回路基板は、ＬＳＩな
どの半導体素子を搭載するための回路基板を構成する基
板に好適に用いることができ、フラッシュメモリ分野、
ＩＣカード分野、ゲーム機器分野、コンピュータ分野、
携帯通信機器分野、携帯ＡＶ機器分野に好適に用いられ
る。

【００７６】

【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体
的に説明する。但し、本発明の範囲はこれらの実施例に
何ら制約されるものではない。以下において、特記しな
い限り、「部」および「％」は重量基準である。

【００７７】

【合成例１】ポリイミド系樹脂エマルジョン テトラカルボン酸二無水物として３，３’，４，４’−
ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３２．２
９ｇ（９０ミリモル）、および１，３，３ａ，４，５，
９ｂ−ヘキサヒドロ−５（テトラヒドロ−２，５−ジオ
キソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］−フラン
−１，３−ジオン ３．００ｇ（１０ミリモル）、ジア
ミン化合物として２，２−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］プロパン３６．９５ｇ（９０ミリモ
ル）およびオルガノシロキサンＬＰ７１００（信越化学
製）２．４９ｇ（１０ミリモル）をＮ−メチル−２−ピ
ロリドン４５０ｇに溶解して、室温で１２時間反応させ
た。その後、この反応溶液に、ピリジン３２ｇおよび無
水酢酸７１ｇを添加し、１００℃で３時間脱水閉環反応
を行った。次いで、反応溶液を減圧留去して精製し、固
形分１０％のポリイミド溶液（Ａ−１）を得た。

【００７８】γ−ブチロラクトン１００部を入れた反応
容器を、窒素ガス雰囲気下で８５℃に保持し、この反応
容器に、ｎ−ブチルアクリレート６５部、ジメチルアミ
ノエチルアクリレート３０部、グリシジルメタアクリレ
ート５部およびアゾビスイソブチロニトリル１部からな
る混合液を５時間かけて連続的に添加しつつ、撹拌下で
溶液重合を行なった。滴下終了後、８５℃でさらに２時
間撹拌を続けて、溶液重合を完結させ、固形分５０％の
アクリルポリマーの溶液（Ｂ−１）を得た。

【００７９】ポリイミド溶液（Ａ−１）５０部（固形
分）とアクリルポリマー溶液（Ｂ−１）３０部（固形
分）とエピコート８２８（油化シェルエポキシ社製）２
０部を混合し、７０℃で３時間反応させた後、酢酸３部
を徐々に添加して混合し、ＰＨ調整を行った。次いで、
蒸留水１０００部を徐々に添加し、かつ強く攪拌して、
ポリイミド系樹脂を主成分とするカチオン性エマルジョ
ンを得た。

【００８０】調製したエマルジョンは、下記塗布法によ
り硬化薄膜および銅張り薄膜を形成して、下記物性を評
価した。 ［電着法］ 調製したエマルジョンを離型性電極（銅基
体にＮｉ−ＰＴＦＥメッキした電極）を陰極に用いて電
着法により塗膜を形成し、１００℃で１０分間プリベー
クした後、更に２５０℃で３０分間加熱して硬化させて
膜厚５０μｍ硬化薄膜を得た。また、膜厚１８μｍ銅箔
を陰極に用いて電着法により塗膜を形成し、１００℃で
１０分間プリベークした後、更に２５０℃で３０分間加
熱して硬化させて全体膜厚５０μｍ銅張り薄膜を得た。

【００８１】得られた銅張り薄膜について、以下の評価
を行った。結果を表１に示す。 弾性率：硬化薄膜について、ＤＭＴＡ（Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ社製）を用いて測定し
た。

【００８２】反り性：銅張り薄膜の反り性について、
下記基準で評価した。 ○・・・平面台に銅張り薄膜を置いた時に全体が台に密
着する ×・・・平面台に銅張り薄膜を置いた時に中央部或いは
端部が浮く 銅剥離強度：銅張り薄膜について銅と絶縁層との剥離
強度をＪＩＳ Ｈ８６３０に準拠して密着強度試験器
（山本鍍金試験器（株）製）を用いて測定した。

【００８３】

【合成例２】ポリイミド系樹脂ワニス 合成例１のポリイミド溶液（Ａ−１）６０部（固形分）
とアクリルポリマー溶液（Ｂ−１）３０部（固形分）と
エピコート８２８２（油化シェルエポキシ社製）１０部
を混合し、８０℃で３時間反応させた後、減圧で溶剤を
留去して固形分２０％のワニスを得た。

【００８４】調製したワニスは、下記塗布法により硬化
薄膜および銅張り薄膜を形成して、上記合成例１と同様
の物性を評価した。結果を表１に示す。 ［回転塗布法］ 調製したワニスを予め離型処理したガ
ラス基体上に、スピンナーを用いてワニスを回転塗布し
て、１００℃で１０分間プリベークした後、２５０℃で
３０分間加熱して硬化させて膜厚５０μｍ硬化薄膜を得
た。また、膜厚１８μｍ銅箔をガラス基体上に貼り付
け、スピンナーを用いてワニスを回転塗布して、１００
℃で１０分間プリベークした後、２５０℃で３０分間加
熱して硬化させて全体膜厚５０μｍ銅張り薄膜を得た。

【００８５】

【合成例３】ポリイミド樹脂のワニス 合成例１のポリイミド溶液（Ａ−１）のみを用いて固形
分１０％のワニスを得た。調製したワニスは、上記合成
例２と同様の塗布法により硬化薄膜および銅張り薄膜を
形成して、上記合成例１と同様の物性を評価した。

【００８６】結果を表１に示す。

【００８７】

【表１】

【００８８】

【実施例１】方法１による回路基板の製造 １８μｍの銅箔の上に、銀系導電性ペースト組成物をメ
タル版（厚み１２５μｍ、ホール径１５０μｍ）を介し
てスクリーン印刷機で銅箔上に印刷した。このバンプを
１００℃、１０分の条件で乾燥し、この時点で、光学顕
微鏡を用いて印刷状態を観察した。その結果、導電性ペ
ースト組成物が、所定テストパターン形状に印刷されて
いた。

【００８９】次いで、オーブンを用いて、１５０℃、３
０分の条件で、導電性ペースト組成物からなるバンプを
加熱硬化させた。また、硬化後のバンプ形状を走査型電
子顕微鏡を用いて観察した。その結果、高さ１５０μ
ｍ、径１５０μｍアスペクト比の高いバンプ形状が得ら
れた。また、抵抗率計を用いて、硬化後の塗膜の抵抗率
を測定したところ、０．６ｍΩ・ｃｍという良好な導電
性を示すことが確認された。

【００９０】２リットルのガラス製容器に、合成例１で
得られたポリイミド系樹脂エマルジョンからなる電着液
を入れ、上記で得たバンプ付銅箔・裏面をマスキングテ
ープで保護して陰極とし、対向電極を陽極にして、攪拌
しながら温度２５℃、電極間距離５ｃｍ、電圧４０Ｖで
２分間電着を行い、次いで電着されたポリイミド系樹脂
層（絶縁層）を１００℃で１５分間プレ乾燥させた。次
いで、電着されたポリイミド系樹脂層表面に厚さ１８μ
ｍの銅箔を載せて２５０℃で１０分間真空熱プレスし
た。ポリイミド系樹脂層の膜厚は２０μｍであり、バン
プと銅箔とが良好に接着していることを確認した。

【００９１】ポリイミド系樹脂層の両面に、ドライフィ
ルムレジストを用いてパターン形成した後に塩化第二鉄
エッチング液に浸漬してエッチングを行い、下面回路と
上面回路とがバンプを介して導通が取られた電気回路
（導体パターン）を形成した。下面回路および上面回路
の電気抵抗を測定したところ０．６ｍΩ・ｃｍと良好な
導電性を示すことが確認された。また、下面回路および
上面回路の回路間の電気抵抗を測定したところ１０¹⁵Ω
cmであった。

【００９２】得られた回路基板について、以下の評価を
行った。結果を表２に示す。回路基板の物性評価 絶縁層の抵抗率：回路間の電気抵抗をＪＩＳ Ｋ６９
１１に準拠して測定した。

【００９３】導電部（バンプ）の抵抗率：上下間の抵
抗率を測定し、体積抵抗率を求めた。 導電部（バンプ）の接続信頼性試験：温度サイクル試
験； 回路基板を−５５℃で３０分間放置した後＋１２
５℃で３０分間放置を５００回繰り返し実施し、５００
個バンプを接続した回路で電気抵抗の変化量を調べた。

【００９４】半田ディップ試験； ２３０℃に加熱溶解
した半田槽に、回路基板を１０秒漬けた前後の５００個
バンプを接続した回路で電気抵抗の変化量を調べた。上
記の試験では、電気抵抗が２５０ｍΩ未満であればバン
プ１ケ当たり０．５ｍΩ未満となり合格（○）、それ以
上は不合格（×）と判断した。

【００９５】

【実施例２】方法１による回路基板 実施例１において、合成例２で得たポリイミド系樹脂ワ
ニスを用いて回転塗布法で塗布したのち１４０℃で３０
分でプレ乾燥させて絶縁層を形成した以外は、実施例１
と同様にして回路基板を作成した。

【００９６】得られた回路基板について、前記実施例１
と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

【００９７】

【実施例３】方法２による回路基板 ２リットルのガラス製容器に、合成例１で得られたポリ
イミド系樹脂エマルジョンからなる電着液を入れ、裏面
をマスキングテープで保護した１８μｍ銅箔を陰極に、
対向電極を陽極にして、攪拌しながら温度２５℃、電極
間距離５ｃｍ、電圧４０Ｖで２分間電着を行い、次いで
電着されたポリイミド系樹脂を１００℃で１５分間プレ
乾燥させ未硬化絶縁層形成銅箔を得た。この未硬化絶縁
層形成銅箔の所定の箇所に炭酸ガスレーザー加工により
貫通孔（穴径１５０μｍ）を開けた。

【００９８】次に前記貫通孔に銅系導電ペースト組成物
をメタル版（厚み１２５μｍ、ホール径１５０μｍ）を
介してスクリーン印刷機で充填した。この導電部を１０
０℃、１０分の条件で乾燥した後オーブンを用いて、１
５０℃、３０分の条件で、導電性ペースト組成物からな
る導電部を加熱硬化させた。次いで、形成されたポリイ
ミド系樹脂表面に銅箔を載せて、２５０℃で１０分間真
空熱プレスした。ポリイミド系樹脂層の膜厚は２０μｍ
であり、導電部と銅箔が良好に接着していることを確認
した。ポリイミド系樹脂層の両面にドライフィルムレジ
ストを用いパターン形成した後に、塩化第二鉄エッチン
グ液に浸漬してエッチングを行い、下面回路と上面回路
とが導電部を介して導通が取られた電気回路（導体パタ
ーン）を形成した。

【００９９】得られた回路基板について、前記実施例１
と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

【０１００】

【実施例４】方法３による回路基板 ２リットルのガラス製容器に、合成例１で得られたポリ
イミド系樹脂エマルジョンからなる電着液を入れ、裏面
をマスキングテープで保護した１８μｍ銅箔を陰極に、
対向電極を陽極にして、攪拌しながら温度２５℃、電極
間距離５ｃｍ、電圧４０Ｖで２分間電着を行い、次いで
電着されたポリイミド系樹脂を１００℃で１５分間プレ
乾燥させ未硬化絶縁層形成銅箔を得た。この未硬化絶縁
層形成銅箔の所定の箇所に炭酸ガスレーザー加工により
絶縁層を貫通する孔（穴径１５０μｍ）を開けた。

【０１０１】次に前記貫通孔付き未硬化絶縁層形成銅箔
の裏面をマスキングテープで保護してから電解銅メッキ
液浴槽に入れ、５ｍＡ定電流法で２時間メッキを行い貫
通孔に導電部を形成した。次いで、形成されたポリイミ
ド系樹脂表面に銅箔を載せて、２５０℃で１０分間真空
熱プレスした。ポリイミド系樹脂層の膜厚は２０μｍで
あり、導電部と銅箔が良好に接着していることを確認し
た。ポリイミド系樹脂層の両面にドライフィルムレジス
トを用いパターン形成した後に、塩化第二鉄エッチング
液に浸漬してエッチングを行い、下面回路と上面回路と
が導電部を介して導通が取られた電気回路（導体パター
ン）を形成した。

【０１０２】得られた回路基板について、前記実施例１
と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

【０１０３】

【比較例１】方法１による回路基板 実施例２の絶縁層の形成において合成例２のポリイミド
系樹脂ワニスを合成例３のポリイミド系樹脂ワニスに代
える以外は全く同様にして回路基板を作製した。

【０１０４】得られた回路基板について、前記実施例１
と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

【０１０５】

【表２】

【０１０６】表２から明らかなように、弾性率が１０Ｇ
Ｐａ未満のポリイミド系複合物からなる絶縁層を設けた
回路基板は、温度サイクル試験および半田ディップ試験
の何れも合格している。すなわち、弾性率が１０ＧＰａ
未満のポリイミド系複合物からなる絶縁層を設けた回路
基板は接続信頼性に優れている。このことは、本発明に
係るのように弾性の低いポリイミド系複合物から構成さ
れた絶縁層は、導電部や導体パターンとの密着性および
接着性が高く、しかも弾性を有しているので、基板が反
ったり、熱などによって導電部や回路基板が剥離または
脱離することがないことを示している。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る回路基板の一実施例を示す概略
断面図である。

【図２】 本発明に係る回路基板の製造方法（方法１）
の工程を示す概略図である。

【図３】 本発明に係る回路基板の製造方法（方法２）
の工程を示す概略図である。

【図４】 本発明に係る回路基板の製造方法（方法３）
の工程を示す概略図である。

【符号の説明】

１ … 絶縁層 ２および３ … 導体パターン ４ … 導電部 １０ … 回路基板 １２ … 導電性箔 １３ … 版 １４ … スキージ １５ … 導電性ペースト組成物 １６ … 導電部（バンプ状導電部） １７ … 絶縁層 １８ … 導電性箔 １９ … 導体パターン ２０ … 穴

フロントページの続き (72)発明者 山 田 貴 子 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 増 子 英 明 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 岩 永 伸一郎 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB03 BB11 CC13 CC17 CC22 CC25 CC31 CC60 CD21 CD25 CD27 CD32 GG03

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】弾性率が１０ＧＰａ未満のポリイミド系複
   合物からなる絶縁層と、 該絶縁層の片面または両面に形成された導体パターン
   と、 該絶縁層を貫通した導電部とを有する回路基板。
2. 【請求項２】(a)導電性箔上に導電性ペースト組成物を
   パターン状に塗布し、加熱硬化させてバンプ状導電部を
   形成する工程と、 (b)バンプ状導電部が形成された導電性箔上に、弾性率
   が１０ＧＰａ未満のポリイミド系複合物を含む組成物
   を、前記バンプ状導電部が形成された導電性箔上に塗布
   して絶縁層を形成する工程と、 (c) バンプ状導電部の先端部およびバンプ状導電部の先
   端部表面の絶縁層を除去する工程と、 (d)前記導電性箔をパターニングして導体パターンを形
   成する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方
   法。
3. 【請求項３】(a)第１導電性箔上に導電性ペースト組成
   物をパターン状に塗布し、加熱硬化させてバンプ状導電
   部を形成する工程と、 (b)バンプ状導電部が形成された導電性箔上に、弾性率
   が１０ＧＰａ未満のポリイミド系複合物を含む組成物
   を、前記バンプ状導電部が形成された導電性箔上に塗布
   して、絶縁層を形成する工程と、 (c)絶縁層と第２導電性箔とを、前記導電部を介して第
   １導電性箔と第２導電性箔とが導通するように加熱圧着
   する工程と、 (d)前記第１導電性箔および第２導電性箔をパターニン
   グして導体パターンを形成する工程とを含むことを特徴
   とする回路基板の製造方法。
4. 【請求項４】請求項２および／または３に記載された方
   法で得られた回路基板を、複数枚、積層することを特徴
   とする回路基板の製造方法。
5. 【請求項５】(a)導電性箔上に弾性率が１０ＧＰａ未満
   のポリイミド系複合物からなる絶縁層を形成する工程
   と、 (b)該絶縁層を貫通する穴をパターン状に開ける工程
   と、 (c)当該穴部分に導電性ペースト組成物を充填、熱硬化
   して導電部を形成する工程と、 (d)前記導電性箔をパターニングして導体パターンを形
   成する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方
   法。
6. 【請求項６】(a)第１導電性箔上に弾性率が１０ＧＰａ
   未満のポリイミド系複合物からなる絶縁層を形成する工
   程と、 (b)該絶縁層を貫通する穴をパターン状に開ける工程
   と、 (c)当該穴部分に導電性ペースト組成物を充填、熱硬化
   して導電部を形成する工程と、 (d)導電部が形成された絶縁層と第２導電性箔とを、前
   記導電部を介して第１導電性箔と第２導電性箔とが導通
   するように加熱圧着する工程と、 (e) 前記第１導電性箔および第２導電性箔をパターニン
   グして導体パターンを形成する工程とを含むことを特徴
   とする回路基板の製造方法。
7. 【請求項７】請求項５および／または６に記載された方
   法で得られた回路基板を、複数枚、積層することを特徴
   とする回路基板の製造方法。
8. 【請求項８】(a)導電性箔上に弾性率が１０ＧＰａ未満
   のポリイミド系複合物からなる絶縁層を形成する工程
   と、 (b)該絶縁層を貫通する穴をパターン状に開ける工程
   と、 (c)該穴部分に金属メッキにより導電部を形成する工程
   と、 (d)前記導電性箔をパターニングして導体パターンを形
   成する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方
   法。
9. 【請求項９】(a)第１導電性箔上に弾性率が１０ＧＰａ
   未満のポリイミド系複合物からなる絶縁層を形成する工
   程と、 (b)該絶縁層を貫通する穴をパターン状に開ける工程
   と、 (c)該穴部分に金属メッキにより導電部を形成する工程
   と、 (d)導電部が形成された絶縁層と第２導電性箔とを、前
   記導電部を介して第１導電性箔と第２導電性箔とが導通
   するように加熱圧着する工程と、 (e) 第１導電性箔および第２導電性箔をパターニングし
   て導体パターンを形成する工程とを含むことを特徴とす
   る回路基板の製造方法。
10. 【請求項１０】請求項８および／または９に記載された
    方法で得られた回路基板を、複数枚、積層することを特
    徴とする回路基板の製造方法。
11. 【請求項１１】弾性率が１０ＧPa未満のポリイミド系複
    合物エマルジョンを電着で塗布して絶縁層を形成するこ
    とを特徴とする請求項２〜１０のいずれかに記載の回路
    基板の製造方法。