JP2001185644A

JP2001185644A - 多層配線基板

Info

Publication number: JP2001185644A
Application number: JP36511299A
Authority: JP
Inventors: Masanao Kabumoto; 正尚株元; Yoshihiro Nabe; 義博鍋; Koki Kawabata; 幸喜川畑
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-12-22
Filing date: 1999-12-22
Publication date: 2001-07-06
Anticipated expiration: 2019-12-22
Also published as: JP3940537B2

Abstract

(57)【要約】【課題】多層配線基板の信号配線を容易にかつ精度よ
く終端処理し、しかも高周波ノイズ対策も行なう。【解決手段】信号配線Ｓ１・接地配線Ｇ１を含む第１
の平行配線群Ｌ１を有する第１の絶縁層Ｉ１上に、信号
配線Ｓ２・接地配線Ｇ２を含み第１の平行配線群Ｌ１と
直交する第２の平行配線群Ｌ２を有する第２の絶縁層Ｉ
２を積層し、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２を
貫通導体群Ｔで電気的に接続して成る積層配線体を具備
して成り、第１および／または第２の平行配線群Ｌ１・
Ｌ２の信号配線Ｓ２の一部は、その終端が同じ絶縁層Ｉ
２において隣接する接地配線Ｇ２に、磁性体を含有する
終端抵抗体Ｒを介して接地されている多層配線基板であ
る。高周波ノイズを吸収できる終端処理構造を容易にか
つ精度よく形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子回路基板等に使
用される多層配線基板に関し、より詳細には高速で作動
する半導体素子を搭載する多層配線基板における配線構
造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路素子等の半導体素
子が搭載され、電子回路基板等に使用される多層配線基
板においては、内部配線用の配線導体の形成にあたっ
て、アルミナ等のセラミックスから成る絶縁層とタング
ステン（Ｗ）等の高融点金属から成る配線導体とを交互
に積層して多層配線基板を形成していた。

【０００３】従来の多層配線基板においては、内部配線
用配線導体のうち信号配線は通常はストリップ線路構造
とされており、信号配線として形成された配線導体の上
下に絶縁層を介していわゆるベタパターン形状の広面積
の接地（グランド）層または電源層が形成されていた。

【０００４】また、多層配線基板が取り扱う電気信号の
高速化に伴い、絶縁層を比誘電率が10程度であるアルミ
ナセラミックスに代えて比誘電率が3.5 〜５と比較的小
さいポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いて形成し、こ
の絶縁層上に蒸着法やスパッタリング法等の気相成長法
による薄膜形成技術を用いて銅（Ｃｕ）から成る内部配
線用導体層を形成し、フォトリソグラフィ法により微細
なパターンの配線導体を形成して、この絶縁層と配線導
体とを多層化することにより高密度・高機能でかつ半導
体素子の高速作動が可能となる多層配線基板を得ること
も行なわれていた。

【０００５】一方、多層配線基板の内部配線の配線構造
として、配線のインピーダンスの低減や信号配線間のク
ロストークの低減等を図り、しかも高密度配線を実現す
るために、各絶縁層の上面に平行配線群を形成し、これ
を多層化して各層の配線群のうち所定の配線同士をビア
導体やスルーホール導体等の貫通導体を介して電気的に
接続する構造が提案されている。

【０００６】このような平行配線群を有する多層配線基
板においては、この多層配線基板に搭載される半導体素
子等の電子部品とこの多層配線基板が実装される実装ボ
ードとを電気的に接続するために、多層配線基板内で各
平行配線群のうちから適当な配線を選択し、異なる配線
層間における配線同士の接続はビア導体等の貫通導体を
介して行なわれる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】以上のような平行配線
群を有する多層配線基板についても、搭載される半導体
素子等の電子部品の高周波化に伴いＥＭＩ（電磁的干
渉）ノイズが問題とされるようになっている。このＥＭ
Ｉノイズとは、各種電子機器から不要な電磁波が放射さ
れることによりこの電磁波が電子機器内もしくは周辺の
他の電子機器の電子回路に対して侵入して電磁的な干渉
を生じ、これが電子回路にノイズとして影響を与えるも
のであり、電子機器が誤動作を引き起こす原因となるも
のである。

【０００８】このＥＭＩノイズの対策としては、通常は
次のような３つのレベルでの対策が考えられる。第１に
電子機器等のシステムレベルでは、電子機器を構成する
筐体の内側等に電波吸収剤をコーティングするなどの方
法により、電磁波を遮断するといった対策がある。第２
に電子回路が構成されるボードレベルでは、電子回路中
にＥＭＩフィルタやコンデンサ等のＥＭＩ対策部品を使
用するといった対策がある。第３に半導体素子等の電子
部品を搭載もしくは収容する多層配線基板やパッケージ
等のパッケージレベルでは、内部の配線層をベタパター
ンといわれる広面積の接地導体層で覆ってＥＭＩノイズ
をシールドするといった対策がある。

【０００９】これに対し、以上のような平行配線群を有
する従来の多層配線基板においては、その配線方向は互
いに直交するいわゆるＸ方向とＹ方向とで構成されてお
り、広面積の接地導体層が存在しないことから、上記の
パッケージレベルで行なわれるＥＭＩ対策が施されてい
ないという問題点があった。

【００１０】一方、ＥＭＩノイズが生じるのは、例えば
信号配線における反射ノイズやクロストークノイズ・電
源／グランドノイズに含まれる高調波成分が放射される
ことによるため、これらのノイズの低減を図ることもＥ
ＭＩノイズ対策として有効である。そこで、多層配線基
板においてこのような反射ノイズを低減させる対策とし
て、内部配線における信号配線の終端部を終端抵抗を介
して接地導体層や接地配線に接続する、いわゆる終端処
理が行なわれる。

【００１１】しかしながら、従来のストリップ線路構造
の内部配線を有する多層配線基板においては、図３
（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ絶縁層１ａ・１ｂ・１ｃ毎の
平面図で、また図４にそれらを積層した状態の断面図で
示すように、ストリップ線路による信号配線２と接地層
３ａ・３ｃとは異なる絶縁層間に配設されているため、
信号配線２と同一平面にパターン化した抵抗層を形成し
て終端抵抗体４を設け、その一端を信号配線２の端部に
接続した場合に、その終端抵抗体４の他端を接地層３ａ
に電気的に接続するためには、絶縁層１ｂを貫通するビ
ア導体やスルーホール導体等の貫通導体５ならびにこの
貫通導体５と終端抵抗体４とを接続するための接地ラン
ド６を形成する必要があることから、終端抵抗体４を接
続するための貫通導体５や接地ランド６等の余分な配線
パターンが必要となり、配線構造が複雑なものとなって
しまうという問題点があった。なお、図４において１ｄ
は、絶縁層１ｃ上に積層された、多層配線基板の表面層
となる絶縁層である。

【００１２】また、終端抵抗体のみならず、貫通導体や
接地ランド等の抵抗も含めて所定の抵抗値に合わせ込む
必要があることから、終端抵抗体４の抵抗値の精度が悪
く、所望通りの抵抗値を得ることが困難であるという問
題点もあった。

【００１３】これに対して、直交させた平行配線群を有
する多層配線基板においては、平行配線群中の信号配線
の必要な箇所でその終端を同じ絶縁層において隣接する
接地配線に終端抵抗体を介して接地することで、精度良
く終端処理を行なうことができる。

【００１４】しかしながら、この場合においても、反射
以外の原因で生じるノイズについては終端抵抗体を通し
て信号配線中を伝播してしまい、搭載される半導体素子
等に侵入してその誤動作を引き起こすことがあるという
問題点があった。

【００１５】本発明は上記問題点に鑑み案出されたもの
であり、その目的は、余分な貫通導体の形成を必要とせ
ず、形成が容易で高精度の終端抵抗体で信号配線を精度
良く終端させることができ、しかもその電気的特性を劣
化させることなく反射以外の原因で生じるＥＭＩノイズ
も抑制することができる、高速で作動する半導体素子等
の電子部品を搭載する電子回路基板やパッケージ等に好
適な多層配線基板を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板
は、信号配線および接地配線を含む第１の平行配線群を
有する第１の絶縁層上に、信号配線および接地配線を含
み前記第１の平行配線群と直交する第２の平行配線群を
有する第２の絶縁層を積層し、前記第１および第２の平
行配線群を貫通導体群で電気的に接続して成る積層配線
体を具備して成り、前記第１の平行配線群および／また
は前記第２の平行配線群の前記信号配線の一部は、その
終端が同じ絶縁層において隣接する前記接地配線に、磁
性体を含有する終端抵抗体を介して接地されていること
を特徴とするものである。

【００１７】また、本発明の多層配線基板は、上記構成
において、前記第１および第２の平行配線群は、それぞ
れ複数の信号配線と、各信号配線に隣接する電源配線ま
たは接地配線とを有することを特徴とするものである。

【００１８】本発明の多層回路基板によれば、信号配線
および接地配線を含む平行配線群を互いに直交配置して
貫通導体群で接続して成る積層配線体において、終端処
理を行なう信号配線である平行配線群の信号配線の一部
の終端を、同じ絶縁層において隣接する接地配線に対し
て同じ絶縁層に形成された終端抵抗体を介して電気的に
接続して接地されていることから、終端抵抗体は信号配
線や接地配線と同様に厚膜印刷法や各種の薄膜形成法等
により形成でき、信号配線の終端処理に際して従来のよ
うに余分な貫通導体を形成する必要がないため、配線構
造が複雑なものとなることはなく容易に終端処理構造を
形成することができる。

【００１９】また、従来のように貫通導体や接地ランド
が必要ではなく、終端抵抗体のみの抵抗値を合わせ込む
だけでよいことから、終端抵抗体の抵抗値の精度が高
く、高精度の終端処理を行なって良好な高周波特性を有
する多層配線基板を得ることができる。

【００２０】さらに、終端抵抗体が磁性体を含有するも
のであることから、信号配線中を伝播する高周波ノイズ
信号をこの磁性体により信号配線の終端部において熱エ
ネルギーに変換させて吸収することができ、その結果、
ＥＭＩノイズの侵入や放射を防止し、搭載される半導体
素子等の電子部品の誤動作を引き起こすことなく正常に
動作させることができる。

【００２１】これにより、本発明の多層配線基板によれ
ば、余分な貫通導体の形成を必要とせず、形成が容易で
高精度の終端抵抗体で信号配線を精度よく終端させるこ
とができ、しかもその電気的特性を劣化させることなく
反射以外の原因で生じるＥＭＩノイズも抑制することが
できる、高速で作動する半導体素子等の電子部品を搭載
する電子回路基板やパッケージ等に好適な多層配線基板
となる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の多層配線基板につ
いて添付図面に示す実施例に基づき詳細に説明する。

【００２３】図１は本発明の多層配線基板に係る積層配
線体の実施の形態の一例を示す分解平面図であり、同図
（ａ）は第２の絶縁層の、（ｂ）は第１の絶縁層の平面
図をそれぞれ示している。また、図２はこれらを積層し
て成る積層配線体を含む本発明の多層配線基板の実施の
形態の一例を示す断面図である。

【００２４】これらの図において、Ｉ１〜Ｉ３はそれぞ
れ第１〜第３の絶縁層であり、Ｌ１およびＬ２はそれぞ
れ第１および第２の絶縁層Ｉ１・Ｉ２の上面に略平行に
配設された第１および第２の平行配線群、Ｓ１およびＳ
２はそれぞれ第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２中
の信号配線、Ｇ１およびＧ２はそれぞれ第１および第２
の平行配線群Ｌ１・Ｌ２中の接地配線、Ｐ１およびＰ２
はそれぞれ第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２中の
電源配線、Ｔは第１の平行配線群Ｌ１と第２の平行配線
群Ｌ２とを所定の箇所で電気的に接続する貫通導体群で
ある。

【００２５】また、Ｒは、ここでは第２の絶縁層Ｉ２上
に、第２の平行配線群Ｌ２の信号配線Ｓ２とそれに隣接
する接地配線Ｇ２との間に形成された、磁性体を含有す
る終端抵抗体である。これらにより本発明の多層配線基
板に係る積層配線体が構成されている。

【００２６】なお、同じ平面に配設された複数の信号配
線Ｓ１・Ｓ２はそれぞれ異なる信号を伝送するものとし
てもよく、同じ平面に配設された複数の電源配線Ｐ１・
Ｐ２はそれぞれ異なる電源を供給するものとしてもよ
い。

【００２７】このような本発明の多層配線基板には、例
えばその表面にＭＰＵ（Micro Processing Unit ）・Ａ
ＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit ）
・ＤＳＰ（Digital Signal Processor）のような半導体
素子等の電子部品が搭載される。そして、半導体素子収
納用パッケージ等の電子部品収納用パッケージや電子部
品搭載用基板、多数の半導体集積回路素子が搭載される
いわゆるマルチチップモジュールやマルチチップパッケ
ージ、あるいはマザーボード等として使用される。これ
らの電子部品は、例えばいわゆるバンプ電極によりこの
多層配線基板の表面に実装されて、あるいは接着剤・ろ
う材等により搭載部に取着されるとともにボンディング
ワイヤ等を介して、貫通導体等により例えば第２の平行
配線群Ｌ２と電気的に接続される。なお、外部電気回路
との接続部ならびに搭載される半導体素子等の電子部品
との接続部は図示していない。

【００２８】貫通導体群Ｔは、ここでは絶縁層Ｉ２を貫
通して上下の配線同士を、あるいは配線と半導体素子ま
たは多層配線基板の表面に形成される外部接続端子等と
を電気的に接続するものであり、通常はスルーホール導
体やビア導体等が用いられ、接続に必要な箇所に形成さ
れる。

【００２９】本発明の多層配線基板の積層配線体におい
ては、信号配線Ｓ１および接地配線Ｇ１を含む第１の平
行配線群Ｌ１は第１の方向に略平行に配線され、この上
に積層される同じく信号配線Ｓ２および接地配線Ｇ２を
含む第２の平行配線群Ｌ２は第１の方向と直交する第２
の方向に略平行に配設されており、これらの各配線が第
２の絶縁層Ｉ２を貫通する貫通導体群Ｔで電気的に接続
されて、積層配線体を構成している。

【００３０】このような積層配線体によれば、第１の平
行配線群Ｌ１と第２の平行配線群Ｌ２とが直交するよう
に積層されていることから、それら平行配線群Ｌ１・Ｌ
２の配線間におけるクロストークノイズを減少させて最
小とすることができる。

【００３１】また、この積層配線体の第２の平行配線群
Ｌ２の信号配線Ｓ２の一部の終端には、その信号配線Ｓ
２と隣接する接地配線Ｇ２との間に、信号配線Ｓ２の終
端と接地配線Ｇ２との間に電気的に接続されて信号配線
Ｓ２の終端処理を行なうための終端抵抗体Ｒが形成さ
れ、これによりこの信号配線Ｓ２の終端処理が行なわれ
ている。

【００３２】このような終端抵抗体Ｒは、第１の平行配
線群Ｌ１に対して形成してその信号配線Ｓ１の終端処理
に用いてもよく、平行配線群Ｌ１・Ｌ２と同様にして厚
膜印刷法や蒸着・スパッタリング等の薄膜形成法により
形成すればよい。

【００３３】また、終端抵抗体Ｒの抵抗値は、搭載され
る半導体素子のデバイス特性や多層配線基板の仕様等に
応じて適宜設定すればよいが、通常は配線の特性インピ
ーダンスと同じ50Ωに設定すればよい。

【００３４】なお、終端抵抗値Ｒの抵抗値のばらつき
は、特性インピーダンスのミスマッチにより生じる反射
ノイズを半導体素子等のデバイスが誤動作しないレベル
に抑えるためには、±５％以内となるようにすることが
好ましい。

【００３５】このような終端抵抗体Ｒを形成するための
抵抗材料としては、抵抗温度係数が低く、また許容電流
値が大きいものとして、例えばタングステン・レニウム
・モリブデンやニクロム・窒化タンタルあるいはそれら
の合金を用いることができる。また、磁性体を含有させ
ることから、さらに低抵抗の合金材料、例えば銅を主成
分とする金属材料等も用いることができる。中でも、タ
ングステン−レニウム合金を用いると、抵抗温度係数が
約100 ｐｐｍ／℃と低く、絶縁層にセラミックスを用い
る場合に絶縁層との同時焼成が可能である点で好適なも
のとなる。

【００３６】そして、本発明の多層配線基板において
は、このような終端抵抗体Ｒに磁性を持たせるために磁
性体を含有させている。終端抵抗体Ｒに磁性体を含有さ
せるには、例えば抵抗体ペーストに磁性体粉末を含有さ
せて終端抵抗体Ｒを形成すればよく、磁性体としては例
えばＺｎＦｅ₂Ｏ₄・ＭｎＦｅ₂Ｏ₄・ＦｅＦｅ₂Ｏ₄
・ＣｏＦｅ₂Ｏ₄・ＮｉＦｅ₂Ｏ₄・ＣｕＦｅ₂Ｏ₄の
少なくとも１種以上が好適に使用される。例えば、Ｃｕ
Ｆｅ₂Ｏ₄を用いると、セラミックスとの同時焼成時に
おける導体金属との粒子拡散による特性劣化が少ないこ
とから、良好な焼結体となって所望の抵抗値を制御する
ことが容易な良好な終端抵抗体Ｒが得られる。

【００３７】また、磁性体の含有量は、終端抵抗体Ｒ中
に10〜70重量％程度含有されるようにすることがよく、
含有量が約10重量％未満となると十分な磁性を持たせる
ことが困難となって高周波ノイズ信号を十分に吸収する
ことができなくなる傾向があり、また、抵抗材料に銅等
の比較的低抵抗のものを用いた場合には、回路内に必要
とされる十分な抵抗値が得られなくなる傾向もある。他
方、含有量が約70重量％を超えると焼結速度の違いによ
り焼結時に反りが大きくなる等、良好な焼結体による終
端抵抗体Ｒが得られなくなる傾向がある。

【００３８】終端抵抗体Ｒの幅や長さ・厚み等は、選択
した材料の抵抗率等により、また所望の磁気特性が得ら
れるように適宜設定すればよい。一例として、銅を主成
分とするペーストに上記の磁性体粉末を含有させた場合
であれば、幅を100 μｍ程度、厚みは信号配線と同程度
の厚みとし、長さは所望の抵抗値、例えば50Ωとなるよ
うに設定すればよい。

【００３９】なお、上記のＺｎＦｅ₂Ｏ₄・ＭｎＦｅ₂
Ｏ₄・ＦｅＦｅ₂Ｏ₄等の磁性体粉末は、中性または還
元性雰囲気にて約1200℃の温度で磁性を失う傾向がある
が、絶縁層Ｉ１〜Ｉ３を例えばＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−
ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃系結晶性ガラスセラミックス
等で形成すれば、この絶縁層Ｉ１〜Ｉ３の焼成温度は約
800 〜1050℃と低いことから、絶縁層Ｉ１〜Ｉ３と終端
抵抗体Ｒとを同時焼成によって形成しても終端抵抗体Ｒ
中の磁性体が磁性を失うことはなく、この終端抵抗体Ｒ
によって高周波ノイズ信号を熱エネルギーに変換して吸
収することができる。

【００４０】図１および図２に示す例では、積層配線体
を構成する第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２は信
号配線Ｓ１・Ｓ２に電源配線Ｐ１・Ｐ２または接地配線
Ｇ１・Ｇ２をそれぞれ隣接するように配設している。こ
れにより、同じ絶縁層Ｉ１・Ｉ２上の信号配線Ｓ１・Ｓ
２間を電磁的に遮断して、同じ平面上の左右の信号配線
Ｓ１・Ｓ２間のクロストークノイズを良好に低減するこ
とができる。

【００４１】さらに、信号配線Ｓ１・Ｓ２に必ず電源配
線Ｐ１・Ｐ２または接地配線Ｇ１・Ｇ２を隣接させるこ
とで、同じ平面上の電源配線Ｐ１・Ｐ２と信号配線Ｓ１
・Ｓ２および接地配線Ｇ１・Ｇ２と信号配線Ｓ１・Ｓ２
との相互作用が最大となり、電源配線Ｐ１・Ｐ２および
接地配線Ｇ１・Ｇ２のインダクタンスを減少させること
ができる。このインダクタンスの減少により、電源ノイ
ズおよび接地ノイズを効果的に低減することができる。

【００４２】なお、このことは、第１の平行配線群Ｌ１
の下方または第２の平行配線群Ｌ２の上方の配線層とし
て同様に直交する平行配線群を用いた場合には、これら
についても同様に適用することができる。

【００４３】また、本発明の多層配線基板においては、
積層配線体の上下には種々の配線構造の多層配線部を積
層して多層配線基板を構成することができる。例えば、
積層配線体と同様に平行配線群を直交させて積層した構
成の配線構造、あるいはストリップ線路構造の配線構
造、その他、マイクロストリップ線路構造・コプレーナ
線路構造等を多層配線基板に要求される仕様等に応じて
適宜選択して用いることができる。

【００４４】また、例えば、ポリイミド絶縁層と銅蒸着
による導体層といったものを積層して、電子回路を構成
してもよい。また、チップ抵抗・薄膜抵抗・コイルイン
ダクタ・クロスコンデンサ・チップコンデンサ・電解コ
ンデンサといったものを取着して半導体素子収納用パッ
ケージを構成してもよい。

【００４５】また、第１および第２の絶縁層Ｉ１・Ｉ２
を始めとする各絶縁層の形状は、図示したような略正方
形状のものに限られるものではなく、長方形状や菱形状
・多角形状等の形状であってもよい。

【００４６】なお、第１および第２の平行配線群Ｌ１・
Ｌ２は、第１および第２の絶縁層Ｉ１・Ｉ２の表面に形
成するものに限られず、それぞれの絶縁層Ｉ１・Ｉ２の
内部に形成したものであってもよい。

【００４７】また、図２に示す例に対して、第２の平行
配線群Ｌ２を第２の絶縁層Ｉ２の内部に形成した場合に
は、第２の平行配線群Ｌ２は表面に露出しないため、第
３の絶縁層Ｉ３は必ずしも必要ではない。

【００４８】本発明の多層配線基板において、第１およ
び第２の絶縁層Ｉ１・Ｉ２を始めとする各絶縁層は、例
えばセラミックグリーンシート積層法によって、酸化ア
ルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・炭化
珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ムライト質焼結体・
ガラスセラミックス等の無機絶縁材料を使用して、ある
いはポリイミド・エポキシ樹脂・フッ素樹脂・ポリノル
ボルネン・ベンゾシクロブテン等の有機絶縁材料を使用
して、あるいはセラミックス粉末等の無機絶縁物粉末を
エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂で結合して成る複合絶
縁材料などの電気絶縁材料を使用して形成される。

【００４９】これら絶縁層は、それぞれの絶縁層の特性
に応じて、グリーンシート積層法やビルドアップ法等の
方法により所望の多層配線基板を構成するように形成す
ればよい。これら絶縁層の厚みとしては、使用する材料
の特性に応じて、また要求される仕様に対応する機械的
強度や電気的特性・貫通導体群の形成の容易さ等の条件
を満たすように適宜設定される。

【００５０】第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２や
その他の配線層ならびに貫通導体群Ｔ等は、例えばタン
グステンやモリブデン・モリブデン−マンガン・銅・銀
・銀−パラジウム等の金属粉末メタライズ、あるいは銅
・銀・ニッケル・クロム・チタン・金・ニオブやそれら
の合金等の金属材料の薄膜等から成る。

【００５１】これら配線導体および貫通導体も、それぞ
れの材料の特性や絶縁層への形成方法に従って、例えば
厚膜印刷法により、あるいはスパッタリング法・真空蒸
着法またはメッキ法により金属層を形成した後フォトリ
ソグラフィ法により、所定のパターン形状・大きさに設
定されて形成され、各絶縁層に配設される。

【００５２】第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２の
各配線の幅および配線間の間隔は、使用する材料の特性
に応じて、要求される仕様に対応する電気的特性や絶縁
層Ｉ１・Ｉ２への配設の容易さ等の条件を満たすように
適宜設定される。

【００５３】なお、各平行配線群Ｌ１・Ｌ２の厚みは１
〜20μｍ程度とすることが好ましい。この厚みが１μｍ
未満となると配線の抵抗が大きくなるため、配線群によ
る半導体素子への良好な電源供給や安定したグランドの
確保・良好な信号の伝搬が困難となる傾向が見られる。
他方、20μｍを超えるとその上に積層される絶縁層によ
る被覆が不十分となって絶縁不良となる場合がある。

【００５４】貫通導体群Ｔの各貫通導体は、横断面形状
が円形のものの他にも楕円形や正方形・長方形等の矩
形、その他の異形状のものを用いてもよい。その位置や
大きさは、使用する材料の特性に応じて、要求される仕
様に対応する電気的特性や絶縁層への形成・配設の容易
さ等の条件を満たすように適宜設定される。

【００５５】例えば、絶縁層にガラスセラミックスを用
い、平行配線群に銅（Ｃｕ）を主成分とする配線導体を
用いた場合であれば、絶縁層の厚みを100 μｍとし、配
線の線幅を100 μｍ、配線間の間隔を100 μｍ、貫通導
体の大きさを100 μｍとすることによって、信号配線の
インピーダンスを50Ωとし、上下の平行配線群間を高周
波信号の反射を抑えつつ電気的に接続することができ
る。そして、終端抵抗体Ｒとして例えばＣｕ：ＣｕＦｅ
₂Ｏ₄＝40重量％：60重量％の材料を用い、厚み20μｍ
・幅200 μｍで長さを100 μｍとすることによって、終
端抵抗体Ｒの抵抗値を50Ωとしてさらにノイズ抑制に必
要な磁性を持たせることができ、信号配線Ｓ１・Ｓ２の
終端とそれらに隣接する接地配線Ｇ１・Ｇ２との間を安
定して接続し接地することができるとともに高周波ノイ
ズ信号を効果的に吸収させることができて、ＥＭＩノイ
ズ対策にも有効な、良好な終端処理構造を形成すること
ができる。

【００５６】なお、本発明は以上の実施の形態の例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例え
ば、上述の例では終端抵抗体を信号配線の端部に接続し
たものを示したが、終端抵抗体は、搭載される半導体素
子間の出力−入力間で行なわれるように、信号配線の途
中に接続するものであってもよい。また、絶縁層に有機
絶縁材料として例えばポリイミドを用いる場合であれ
ば、終端抵抗体の材料にはニクロムや珪酸タンタルに磁
性体を含有させたもの等を用いればよい。

【００５７】また、上述の実施例では本発明を半導体素
子を搭載する多層配線基板として説明したが、これを半
導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージや、あ
るいはマルチチップモジュールに適用するものとしても
よい。また、放熱を考慮した窒化アルミニウム質焼結体
・炭化珪素質焼結体や、低誘電率を考慮したガラスセラ
ミックス質焼結体を用いたものとしてもよい。

【００５８】

【発明の効果】本発明の多層回路基板によれば、信号配
線および接地配線を含む平行配線群を互いに直交配置し
て貫通導体群で接続して成る積層配線体において、平行
配線群の信号配線のうち終端処理を行なうものの終端
を、同じ絶縁層に配設されこの信号配線に隣接する接地
配線に対して、同じ絶縁層に形成された磁性体を含有す
る終端抵抗体を介して電気的に接続して接地されている
ことから、終端抵抗体は信号配線や接地配線と同様に容
易に精度よく形成することができ、従来のように他の配
線層との間を接続するための余分な貫通導体を形成する
必要がないため、配線構造が複雑なものとなることはな
く、容易に高精度の終端処理構造を形成することができ
る。

【００５９】また、終端抵抗体の抵抗値を高精度に制御
することができるので、高精度の終端処理により良好な
高周波特性を有する多層配線基板を得ることができる。

【００６０】さらに、終端抵抗体が磁性体を含有するも
のであることから、信号配線中を伝播する高周波ノイズ
信号をこの磁性体により信号配線の終端部において熱エ
ネルギーに変換させて吸収することができ、その結果、
ＥＭＩノイズの侵入や放射を防止し、搭載される半導体
素子等の電子部品の誤動作を引き起こすことなく正常に
動作させることができる。

【００６１】以上により、本発明によれば、余分な貫通
導体の形成を必要とせず、形成が容易で高精度の終端抵
抗体で信号配線を精度よく終端させることができ、しか
もその電気的特性を劣化させることなく反射以外の原因
で生じるＥＭＩノイズも抑制することができる、高速で
作動する半導体素子等の電子部品を搭載する電子回路基
板やパッケージ等に好適な多層配線基板を提供すること
ができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多層
配線基板に係る積層配線体の実施の形態の一例を示す第
１の絶縁層および第２の絶縁層の平面図である。

【図２】図１に示す積層配線体を含む本発明の多層配線
基板の実施の形態の一例を示す断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ従来の多層配線基
板の例を示す絶縁層毎の平面図である。

【図４】図３に示す絶縁層を積層した状態の多層配線基
板の例を示す断面図である。

【符号の説明】

Ｉ１、Ｉ２・・・・絶縁層Ｌ１、Ｌ２・・・・平行配線群Ｐ１、Ｐ２・・・・電源配線Ｇ１、Ｇ２・・・・接地配線Ｓ１、Ｓ２・・・・信号配線Ｔ・・・・・・・・貫通導体群Ｒ・・・・・・・・終端抵抗体

フロントページの続きＦターム(参考） 5E346 AA04 AA05 AA12 AA14 AA15 AA22 AA32 AA34 AA35 AA43 AA51 BB02 BB03 BB04 BB06 BB07 BB12 BB15 CC02 CC08 CC09 CC10 CC16 CC17 CC18 CC19 CC25 CC32 CC35 CC36 CC37 CC38 CC39 DD09 DD13 DD16 DD17 DD22 DD34 DD44 EE24 FF05 FF07 FF09 FF10 FF17 FF18 GG06 HH01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】信号配線および接地配線を含む第１の平
行配線群を有する第１の絶縁層上に、信号配線および接
地配線を含み前記第１の平行配線群と直交する第２の平
行配線群を有する第２の絶縁層を積層し、前記第１およ
び第２の平行配線群を貫通導体群で電気的に接続して成
る積層配線体を具備して成り、前記第１の平行配線群お
よび／または前記第２の平行配線群の前記信号配線の一
部は、その終端が同じ絶縁層において隣接する前記接地
配線に、磁性体を含有する終端抵抗体を介して接地され
ていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】前記第１および第２の平行配線群は、そ
れぞれ複数の信号配線と、各信号配線に隣接する電源配
線または接地配線とを有することを特徴とする請求項１
記載の多層配線基板。