JP2006100629A5 - - Google Patents
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- 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、処理室内へガスを供給するガス供給装置と、被処理材を載置可能な基板電極と、基板電極に被処理材を吸着させるための静電吸着膜と、基板電極に静電吸着用直流電圧を印加する静電吸着用直流電源と、被処理材を温調するための冷却ガス導入機構と、基板電極に対向するプラズマを発生するための電磁波を放射するアンテナ電極と、基板電極へ接続された高周波電源と、アンテナ電極へ接続された高周波電源からなるプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、
処理終了時に被処理材の裏面に処理材上昇用のプッシャーピンを密着させ、前記静電吸着膜から脱離する方向に力を印加しつつ、基板電極に高周波電圧を印加する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１記載のプラズマ処理方法において、高周波電圧は、基板電極に印加する静電吸着用直流電源の極性を所定の周波数で切替えることによって得られることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項１または請求項２記載のプラズマ処理方法において、高周波電圧の周波数は、０．１Ｈｚから１０Ｈｚであることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項１または請求項２記載のプラズマ処理方法において、高周波電圧の電圧振幅は、前記基板電極に印加する静電吸着用電圧以上とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、処理室内へガスを供給するガス供給装置と、被処理材を載置可能な基板電極と、基板電極に被処理材を吸着させるための静電吸着膜と、基板電極に静電吸着用直流電圧を印加する静電吸着用直流電源と、被処理材を温調するための冷却ガス導入機構と、基板電極に対向するプラズマを発生するための電磁波を放射するアンテナ電極と、基板電極へ接続された高周波電源と、アンテナ電極へ接続された高周波電源と、処理材を静電吸着膜から脱離する方向に力を印加するプッシャーピンと、装置全体を制御する制御部からなるプラズマ処理装置であって、
プッシャーピンの圧力変化またはプッシャーピンの変位を検出する手段と、
プッシャーピンの圧力または変位を検出する手段がプッシャーピンの圧力変化または変位を検出したときにプッシャーピンに印加する力を制御する手段と、
プラズマ処理終了時に基板電極に高周波電圧を印加する手段を
設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項５記載のプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了時に基板電極に高周波電圧を印加する手段は、静電吸着用直流電源の極性を所定の周波数で切替えることによって得る手段であることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項５または請求項６記載のプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了時に基板電極に印加する高周波電圧の周波数は、０．１Ｈｚから１０Ｈｚであることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項５または請求項６記載のプラズマ処理装置において、高周波電圧の電圧振幅は、基板電極に印加する静電吸着用電圧以上とすることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004285753A JP4365300B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004285753A JP4365300B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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| JP4365300B2 JP4365300B2 (ja) | 2009-11-18 |
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| JP2004285753A Expired - Fee Related JP4365300B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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| JP (1) | JP4365300B2 (ja) |
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| JPH10209258A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | 静電吸着保持方法および装置 |
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2004
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