JP2006066869A - 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子 - Google Patents

窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2006066869A
JP2006066869A JP2005046577A JP2005046577A JP2006066869A JP 2006066869 A JP2006066869 A JP 2006066869A JP 2005046577 A JP2005046577 A JP 2005046577A JP 2005046577 A JP2005046577 A JP 2005046577A JP 2006066869 A JP2006066869 A JP 2006066869A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride semiconductor
layer
semiconductor layer
conductivity type
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005046577A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2006066869A5 (enrdf_load_stackoverflow
Inventor
Yuji Matsuyama
松山裕司
Shinji Suzuki
鈴木真二
Kosuke Ise
伊勢康介
Atsuo Michigami
道上敦生
Akinori Yoneda
章法 米田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2005046577A priority Critical patent/JP2006066869A/ja
Publication of JP2006066869A publication Critical patent/JP2006066869A/ja
Publication of JP2006066869A5 publication Critical patent/JP2006066869A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
JP2005046577A 2004-04-02 2005-02-23 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子 Pending JP2006066869A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005046577A JP2006066869A (ja) 2004-04-02 2005-02-23 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004110019 2004-04-02
JP2004223755 2004-07-30
JP2005046577A JP2006066869A (ja) 2004-04-02 2005-02-23 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006202666A Division JP2006303539A (ja) 2004-04-02 2006-07-26 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子
JP2007316791A Division JP4131293B2 (ja) 2004-04-02 2007-12-07 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006066869A true JP2006066869A (ja) 2006-03-09
JP2006066869A5 JP2006066869A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2007-12-06

Family

ID=36113022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005046577A Pending JP2006066869A (ja) 2004-04-02 2005-02-23 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006066869A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093683A (ja) * 2004-08-24 2006-04-06 Toshiba Corp 半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子
JP2007258257A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体発光素子
JP2007281476A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Samsung Electro Mech Co Ltd ＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法
WO2008117595A1 (ja) * 2007-03-28 2008-10-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 窒化ガリウム系エピタキシャルウエハ、および窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法
JP2008244281A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JP2008244360A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体発光素子
WO2009020033A1 (ja) * 2007-08-03 2009-02-12 Nichia Corporation 半導体発光素子及びその製造方法
JP2009224704A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物系半導体発光素子、エピタキシャルウエハ、及び窒化物系半導体発光素子を作製する方法
JP2009267030A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ装置の製造方法
JP2009272380A (ja) * 2008-05-01 2009-11-19 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその表面処理方法、ｉｉｉ族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
JP2010067953A (ja) * 2009-06-29 2010-03-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物系半導体光素子、窒化物系半導体光素子のためのエピタキシャルウエハ、及び半導体発光素子を製造する方法
WO2010041657A1 (ja) * 2008-10-07 2010-04-15 住友電気工業株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法
JP2011254113A (ja) * 2011-09-16 2011-12-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法
JP2012015566A (ja) * 2008-10-07 2012-01-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法
JP2012064956A (ja) * 2004-08-24 2012-03-29 Toshiba Corp 半導体素子
JP2012235091A (ja) * 2011-04-01 2012-11-29 Soraa Inc ミスカットバルク基板上にエピタキシャルプロセスを行う方法およびシステム
JP2013131773A (ja) * 2013-03-08 2013-07-04 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその表面処理方法、ｉｉｉ族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
US8847249B2 (en) 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
JP2019201185A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 旭化成株式会社 レーザダイオード
CN113517630A (zh) * 2020-04-09 2021-10-19 松下知识产权经营株式会社 激光二极管条及其制造方法和波长光束耦合系统
CN113629490A (zh) * 2020-05-08 2021-11-09 松下知识产权经营株式会社 激光二极管条及其制造方法、使用其的波长光束耦合系统

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093683A (ja) * 2004-08-24 2006-04-06 Toshiba Corp 半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子
JP2014027315A (ja) * 2004-08-24 2014-02-06 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2012114461A (ja) * 2004-08-24 2012-06-14 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2012064956A (ja) * 2004-08-24 2012-03-29 Toshiba Corp 半導体素子
JP2007258257A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体発光素子
JP2007281476A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Samsung Electro Mech Co Ltd ＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法
KR101087899B1 (ko) * 2007-03-28 2011-11-30 스미토모덴키고교가부시키가이샤 질화갈륨계 에피택셜 웨이퍼 및 질화갈륨계 반도체 발광 소자를 제작하는 방법
WO2008117595A1 (ja) * 2007-03-28 2008-10-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 窒化ガリウム系エピタキシャルウエハ、および窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法
JP2008244281A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JP2008244360A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体発光素子
US8513645B2 (en) 2007-03-28 2013-08-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gallium nitride-based epitaxial wafer and method of producing gallium nitride-based semiconductor light-emitting device
KR101509834B1 (ko) * 2007-08-03 2015-04-14 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5267462B2 (ja) * 2007-08-03 2013-08-21 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
WO2009020033A1 (ja) * 2007-08-03 2009-02-12 Nichia Corporation 半導体発光素子及びその製造方法
US8236591B2 (en) 2007-08-03 2012-08-07 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same
JP2009224704A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物系半導体発光素子、エピタキシャルウエハ、及び窒化物系半導体発光素子を作製する方法
JP2009267030A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ装置の製造方法
JP2009272380A (ja) * 2008-05-01 2009-11-19 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその表面処理方法、ｉｉｉ族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
US8847249B2 (en) 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
JP2010114418A (ja) * 2008-10-07 2010-05-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法
KR101267702B1 (ko) 2008-10-07 2013-05-24 스미토모덴키고교가부시키가이샤 질화갈륨계 반도체 발광 소자, 질화갈륨계 반도체 발광 소자를 제작하는 방법, 질화갈륨계 발광 다이오드, 에피택셜 웨이퍼 및 질화갈륨계 발광 다이오드를 제작하는 방법
JP2012015566A (ja) * 2008-10-07 2012-01-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法
US8488642B2 (en) 2008-10-07 2013-07-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gallium nitride based semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same, gallium nitride based light-emitting diode, epitaxial wafer, and method for fabricating gallium nitride light-emitting diode
WO2010041657A1 (ja) * 2008-10-07 2010-04-15 住友電気工業株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法
JP2010067953A (ja) * 2009-06-29 2010-03-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物系半導体光素子、窒化物系半導体光素子のためのエピタキシャルウエハ、及び半導体発光素子を製造する方法
JP2012235091A (ja) * 2011-04-01 2012-11-29 Soraa Inc ミスカットバルク基板上にエピタキシャルプロセスを行う方法およびシステム
US9236530B2 (en) 2011-04-01 2016-01-12 Soraa, Inc. Miscut bulk substrates
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
JP2011254113A (ja) * 2011-09-16 2011-12-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法
JP2013131773A (ja) * 2013-03-08 2013-07-04 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその表面処理方法、ｉｉｉ族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
JP2019201185A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 旭化成株式会社 レーザダイオード
JP7185867B2 (ja) 2018-05-18 2022-12-08 旭化成株式会社 レーザダイオード
CN113517630A (zh) * 2020-04-09 2021-10-19 松下知识产权经营株式会社 激光二极管条及其制造方法和波长光束耦合系统
JP2021168326A (ja) * 2020-04-09 2021-10-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザーダイオードバーの製造方法、レーザーダイオードバー、及び波長ビーム結合システム
JP7474963B2 (ja) 2020-04-09 2024-04-26 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザーダイオードバーの製造方法、レーザーダイオードバー、及び波長ビーム結合システム
JP2024059936A (ja) * 2020-04-09 2024-05-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザーダイオードバーの製造方法
JP7617541B2 (ja) 2020-04-09 2025-01-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザーダイオードバーの製造方法
CN113629490A (zh) * 2020-05-08 2021-11-09 松下知识产权经营株式会社 激光二极管条及其制造方法、使用其的波长光束耦合系统
JP7486119B2 (ja) 2020-05-08 2024-05-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザーダイオードバー、レーザーダイオードバーを用いた波長ビーム結合システム、及びレーザーダイオードバーの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101337689B1 (ko) 질화물 반도체 레이저 소자 및 질화물 반도체 소자
JP4830315B2 (ja) 半導体レーザ素子
JP3791246B2 (ja) 窒化物半導体の成長方法、及びそれを用いた窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JP2006066869A (ja) 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子
EP1496584B1 (en) Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device
JP5076746B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
JP5076656B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP4665394B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP2005340625A (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP4997744B2 (ja) 窒化物半導体素子及びその製造方法
JP2006165407A (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP4873116B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法
JP4131293B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子
JP2008028375A (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP4639571B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
JP4955195B2 (ja) 窒化物半導体素子
JP5023567B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP2006303539A (ja) 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子
JP2006165277A (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP5532082B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP2006186025A (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP2000012956A (ja) 窒化物半導体レーザ素子
KR101423340B1 (ko) 질화물 반도체 레이저 소자의 제조 방법 및 질화물 반도체레이저 소자
JP4953559B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP3893614B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子のストライプ導波路の側面及び窒化物半導体層の平面に絶縁性の保護膜を形成する方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070313

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070313

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080205

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080430

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080625

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080630

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080729

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081007

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090108