JP2006058497A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006058497A5
JP2006058497A5 JP2004238846A JP2004238846A JP2006058497A5 JP 2006058497 A5 JP2006058497 A5 JP 2006058497A5 JP 2004238846 A JP2004238846 A JP 2004238846A JP 2004238846 A JP2004238846 A JP 2004238846A JP 2006058497 A5 JP2006058497 A5 JP 2006058497A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organic material
patterning
intermediate layer
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004238846A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006058497A (ja
JP4507759B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004238846A priority Critical patent/JP4507759B2/ja
Priority claimed from JP2004238846A external-priority patent/JP4507759B2/ja
Publication of JP2006058497A publication Critical patent/JP2006058497A/ja
Publication of JP2006058497A5 publication Critical patent/JP2006058497A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4507759B2 publication Critical patent/JP4507759B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (3)

  1. 基板に有機材料層を形成する工程と、
    前記有機材料層上に中間層を形成する工程と、
    前記中間層上に感光性レジスト材料を塗布することでレジスト材料層を形成する工程と、
    現像液に浸漬することで前記レジスト材料層の露光部又は非露光部を溶解してパターニングする工程と、
    前記感光性レジスト層をマスクとして中間層をパターニングする工程と、
    前記感光性レジスト層及び/又は中間層をマスクとして有機材料層をパターニングする工程とを有することを特徴とする有機材料のパターン形成方法。
  2. 前記中間層は、水溶性材料、アルコール可溶性ナイロン、光吸収材料のいずれか1の材料からなることを特徴とする請求項1記載の有機材料のパターン形成方法。
  3. 前記有機材料のパターニング工程は、前記有機材料を溶解する溶媒又はプラズマエッチングを用いることを特徴とする請求項1または2に記載の有機材料のパターン形成方法。
JP2004238846A 2004-08-18 2004-08-18 有機材料のパターン形成方法 Expired - Fee Related JP4507759B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004238846A JP4507759B2 (ja) 2004-08-18 2004-08-18 有機材料のパターン形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004238846A JP4507759B2 (ja) 2004-08-18 2004-08-18 有機材料のパターン形成方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006058497A JP2006058497A (ja) 2006-03-02
JP2006058497A5 true JP2006058497A5 (ja) 2007-10-04
JP4507759B2 JP4507759B2 (ja) 2010-07-21

Family

ID=36106016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004238846A Expired - Fee Related JP4507759B2 (ja) 2004-08-18 2004-08-18 有機材料のパターン形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4507759B2 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5256583B2 (ja) * 2006-05-29 2013-08-07 大日本印刷株式会社 有機半導体素子、および、有機半導体素子の製造方法
US8202771B2 (en) 2006-09-26 2012-06-19 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Manufacturing method of organic semiconductor device
WO2011090114A1 (ja) * 2010-01-25 2011-07-28 東亞合成株式会社 導電性高分子を含む基材上のフォトレジスト用現像液、およびパターン形成方法
CA2814993C (en) * 2010-10-18 2017-02-14 Wake Forest University Thermoelectric apparatus and applications thereof
JP5901325B2 (ja) * 2011-03-30 2016-04-06 キヤノン株式会社 有機el表示装置の製造方法
JP5995477B2 (ja) 2011-04-27 2016-09-21 キヤノン株式会社 有機el表示装置の製造方法
JP6049279B2 (ja) 2011-04-27 2016-12-21 キヤノン株式会社 有機el表示装置の製造方法、電子機器
JP6080438B2 (ja) * 2011-09-30 2017-02-15 キヤノン株式会社 有機el装置の製造方法
JP2013084576A (ja) * 2011-09-30 2013-05-09 Canon Inc 有機el表示装置の製造方法
JP5854794B2 (ja) 2011-11-25 2016-02-09 キヤノン株式会社 有機el装置の製造方法
JP2014011083A (ja) 2012-06-29 2014-01-20 Canon Inc 有機el表示装置の製造方法
US8999738B2 (en) 2012-06-29 2015-04-07 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing organic electroluminescent display apparatus
JP6591579B2 (ja) * 2013-08-23 2019-10-16 富士フイルム株式会社 積層体
JP6284849B2 (ja) * 2013-08-23 2018-02-28 富士フイルム株式会社 積層体
KR20180085075A (ko) * 2013-08-29 2018-07-25 후지필름 가부시키가이샤 유기층을 리소그래피로 패터닝하기 위한 방법
JP6167017B2 (ja) * 2013-10-31 2017-07-19 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
JP6148967B2 (ja) * 2013-10-31 2017-06-14 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
JP6167018B2 (ja) * 2013-10-31 2017-07-19 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
JP6261285B2 (ja) * 2013-10-31 2018-01-17 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
CN104659287B (zh) * 2015-03-12 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置
JP6514770B2 (ja) * 2015-04-28 2019-05-15 富士フイルム株式会社 積層体およびキット

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04120545A (ja) * 1990-09-11 1992-04-21 Nitto Chem Ind Co Ltd 微細パターン形成用基材
JP3019506B2 (ja) * 1991-08-13 2000-03-13 東レ株式会社 二層構造感放射線性レジストおよびその製造方法
JP3920222B2 (ja) * 1995-06-30 2007-05-30 富士通株式会社 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法
JPH09166876A (ja) * 1995-12-18 1997-06-24 Mitsubishi Chem Corp 中間膜組成物及びこれを用いた基板上への感光膜の形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006058497A5 (ja)
EP1589377A3 (en) Patterning process and resist overcoat material
WO2009132023A3 (en) Photosensitive hardmask for microlithography
CN100477080C (zh) 制造半导体装置的方法
JP2005530338A5 (ja)
TW200745740A (en) Mask pattern generating method
JP2009539252A5 (ja)
TW200610055A (en) Photolithography method to prevent photoresist pattern collapse
WO2008149989A1 (ja) パターニング方法
WO2006026699A3 (en) Method for integrated circuit fabrication using pitch multiplication
TW200504864A (en) Immersion lithography methods using carbon dioxide
WO2008149988A1 (ja) パターニング方法
JP2009545774A5 (ja)
CN103348503A (zh) 薄膜器件的材料图案化工艺
ATE496977T1 (de) Deckschichtzusammensetzung, alkali- entwicklerlösliche deckschichtfolie mit der zusammensetzung und musterbildungsverfahren mit hilfe damit
TW200721260A (en) Substrate processing method, photomask manufacturing method, photomask and device manufacturing method
WO2008049844B1 (en) High resolution imaging process using an in-situ image modifying layer
WO2006085220A3 (en) A process of imaging a photoresist with multiple antireflective coatings
KR20080023814A (ko) 반도체소자의 미세패턴 형성방법
EP1686422A3 (en) Method for photomask plasma etching using a protected mask
WO2005029179A3 (en) Combined nanoimprinting and photolithography for micro and nano devices fabrication
TW200925776A (en) Method of forming mask pattern
JP2005509177A5 (ja)
JP2020030291A5 (ja)
JP2008544550A5 (ja)