JP2006054333A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
半導体基板1にメモリ素子領域と、メモリ素子以外の他の素子領域とを有する半導体装置であって、メモリ領域上の第1層間絶縁膜20に設けられた第1コンタクトホールH1及び第1プラグ電極21と、ロジック領域上の第1層間絶縁膜に設けられた第2コンタクトホールH2及び第2プラグ電極22と、メモリ領域上の第1層間絶縁間20上に設けられて第1プラグ電極21上を覆う強誘電体キャパシタ30と、ロジック領域上の第1層間絶縁膜20上に設けられて第2プラグ電極22上を覆う第2配線52と、第2層間絶縁膜70と、第2層間絶縁膜70に設けられた第2配線52に至る第1ビアホールh1及び第3プラグ電極23と、を備えたものである。
【選択図】 図1
Description
しかしながら、ダミーキャパシタを含めて、強誘電体キャパシタの微細加工は一般のLSI製造よりも難易度が高く微細化が遅れているので、ダミーキャパシタを用いる方法では、コンタクトを密に配置することができない。このため、特にエンベッデッドメモリでは、ダミーキャパシタの配置ルールによって、ロジック領域の微細化が阻害されてしまうおそれがあった。
前記熱処理後に、前記第2プラグ電極上から前記上部電極膜と前記強誘電体膜と前記下部電極膜とを除去する工程と、を有することを特徴とするものである。
発明3の半導体装置の製造方法によれば、基板を酸素雰囲気中で熱処理する際に、第1、第2プラグ電極への酸素の到達を防ぐことができ、その酸化を防ぐことができる。
このような構成であれば、強誘電体キャパシタへの水素の到達をある程度防ぐことができ、強誘電体膜を還元されないようにすることができる。
発明5の半導体装置の製造方法によれば、配線の形成工程前から強誘電体キャパシタの上方を局所配線で保護することができるので、強誘電体キャパシタへのプロセスダメージを低減することができる。また、この局所配線をイリジウム酸化膜等の水素バリア機能を備えた導電膜で構成することで、強誘電体キャパシタへの水素の到達をより防ぐことができ、強誘電体膜の還元防止に寄与することができる。
(1) 第1実施形態
図1は本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の構成例を示す断面図である。この半導体装置100は、半導体基板1のメモリ領域上に複数個の強誘電体キャパシタ30を有し、半導体基板1のロジック領域にロジックLSIを有する、いわゆるエンベッデッドFeRAMである。
即ち、まず始めに、熱酸化法によって、半導体基板1上にゲート絶縁膜(図示せず)を形成する。次に、CVD(chemical vapor deposition)によって、このゲート絶縁膜の上面にリン等の不純物を含むポリシリコン膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用いて、このポリシリコン膜を所定形状にパターニングし、図2(A)に示すようなゲート電極11,16を形成する。
次に、フォトリソグラフィ技術と、ドライエッチング技術とを用いて、セル選択MOSトランジスタ10のS/D18上と、ロジック領域のMOSトランジスタ15のS/D19上とに、第1、第2コンタクトホールH1,H2をそれぞれ形成する。
次に、図2(D)に示すように、強誘電体キャパシタ30等が形成された第1層間絶縁膜20上に絶縁膜35を形成する。この絶縁膜35は、例えば反応性スパッタよって形成する。この絶縁膜35は、例えば水素バリア機能を備えたアルミナ(Al2O3)であり、その厚さは50〜70[nm]程度である。図2(D)に示すように、この絶縁膜35によって、強誘電体キャパシタ30やダミーキャパシタ40、ダミー領域50のそれぞれの上面と側面とが覆われる。
ここで、図3(D)に示すように、第2ビアホールh2は、前のエッチングにより形成された上部電極膜33の中心部分の開口部内壁と、強誘電体膜32の中心部分の開口部内壁とをそれぞれ第2層間絶縁膜70で覆った状態にしておく。また、第3ビアホールh3は、第2層間絶縁膜70だけでなく、その下地の絶縁膜35も除去して形成する。
その後、これら第3〜第5プラグ電極23〜25が形成された第2層間絶縁膜70上に、それぞれ第3〜第5配線53〜55(図1参照)を形成する。第3〜第5配線53〜55の形成は、第1、第2配線51,52と同様に、例えばスパッタリング技術を用いた導電膜の形成と、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用いた導電膜のパターニングとによって行う。この導電膜は、例えばアルミ膜又はアルミ合金膜である。これにより、図1に示した半導体装置100を完成させる。
この第1実施形態では、半導体基板1が本発明の基板に対応し、メモリ領域が本発明のメモリ素子領域に対応し、ロジック領域が本発明のメモリ素子以外の他の素子領域に対応している。また、コンタクトホールH1が本発明の第1開口部に対応し、コンタクトホールH2が本発明の第2開口部に対応している。さらに、第2配線52が本発明の配線に対応し、第1ビアホールh1が本発明の第3開口部に対応している。また、第2ビアホールh2が本発明の第4開口部に対応し、絶縁膜35が本発明の水素バリア機能を備えた絶縁膜に対応している。
(2)第2実施形態
図4は本発明の第2実施形態に係る半導体装置200の構成例を示す断面図である。図4において、図1に示した半導体装置200と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。図4に示すように、この半導体装置200では、強誘電体キャパシタ30上の絶縁膜上から当該強誘電体キャパシタ30から離れた位置の絶縁膜上にかけて局所配線が設けられており、この局所配線と強誘電体キャパシタ30の上部電極とが接続している。また、この強誘電体キャパシタ30から離れた位置で、この局所配線は第3ビアホール内に形成された第5プラグ電極に接続している。次に、この半導体装置200の製造方法について説明する。
図5(A)に示すように、強誘電体キャパシタ30とダミーキャパシタ40とダミー領域50とを覆うように、第1層間絶縁膜20上に絶縁膜35を例えば50〜70[nm]程度の厚さに形成した後で、強誘電体キャパシタ30上の絶縁膜35を選択的に除去する。ここでは、強誘電体キャパシタ30上の全面から絶縁膜35を除去するのではなく、強誘電体キャパシタ30の中心領域上だけから絶縁膜35を除去し、その周辺領域上には絶縁膜35を残しておく。このような絶縁膜35の選択的な除去は、例えばフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて行う。
次に、図5(D)に示すように、ロジック領域の第1層間絶縁膜20上に第1、第2配線51,52を形成する。これら第1、第2配線51,52の形成は、例えばスパッタリング技術を用いた導電膜の形成と、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用いた導電膜のパターニングとによって行う。この導電膜は、例えばアルミ膜又はアルミ合金膜である。
その後、これら第3〜第5プラグ電極23,24及び25´が形成された第2層間絶縁膜70上に、それぞれ第3〜第5配線53〜55(図4参照)を形成する。第3〜第5配線53〜55の形成は、例えばスパッタリング技術を用いた導電膜の形成と、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用いた導電膜のパターニングとによって行う。この導電膜は、例えばアルミ膜又はアルミ合金膜である。これにより、図4に示した半導体装置200を完成させる。
この局所配線37は、例えばイリジウム酸化膜、又はイリジウム酸化膜を含む積層構造膜である。このような局所配線37はその下層への水素の拡散を防ぐ機能(水素バリア機能)を有する。また、この局所配線37は、例えばドライエッチング等によるプロセスダメージをその下層に伝えにくい性質を有する。
(3)応用、その他
本発明はFeRALMの平坦化負荷を減らすという効果を持つものである。特に、エンベッデッドFeRAMにおいてはロジックLSI部分で多層配線が求められる一方、FeRAMセルアレイ部では2〜3層配線で十分と考えられる。すなわち、FeRAMセルアレイ部で発生する段差をロジックLSI部の配線で相殺し、配線層を有効利用出来るのである。
Claims (7)
- 基板にメモリ素子領域と、メモリ素子以外の他の素子領域とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記メモリ素子領域上の前記第1層間絶縁膜をエッチングして当該第1層間絶縁膜に前記基板に至る第1開口部を形成する工程と、
前記他の素子領域上の前記第1層間絶縁膜をエッチングして当該第1層間絶縁膜に前記基板に至る第2開口部を形成する工程と、
前記第1開口部内に第1プラグ電極を形成し、前記第2開口部内に第2プラグ電極を形成する工程と、
前記第1プラグ電極と前記第2プラグ電極とを形成した後で、前記メモリ素子領域上の前記第1層間絶縁間上に前記第1プラグ電極上を覆う強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記他の素子領域上の前記第1層間絶縁膜上に前記第2プラグ電極上を覆う配線を形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタと前記配線とが形成された前記第1層間絶縁膜上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記他の素子領域上の前記第2層間絶縁膜をエッチングして当該第2層間絶縁膜に前記配線に至る第3開口部を形成する工程と、
前記第3開口部内に第3プラグ電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1開口部と前記第1プラグ電極とをそれぞれ複数形成し、前記複数の第1プラグ電極と前記第2プラグ電極とを形成した後で、
前記メモリ素子領域上の前記第1層間絶縁膜上に、一の前記第1プラグ電極上を覆う強誘電体キャパシタと他の前記第1プラグ電極上を覆うダミーキャパシタとをそれぞれ形成する工程と、
前記ダミーキャパシタの上部電極膜の一部と強誘電体膜の一部とをエッチングして、当該ダミーキャパシタの下部電極膜の一部を該上部電極膜下から露出させる工程と、
前記配線を形成した後で、前記第1層間絶縁膜上に前記第2層間絶縁膜を形成して、当該配線と前記強誘電体キャパシタと前記ダミーキャパシタとを覆う工程と、
前記ダミーキャパシタ上の前記第2層間絶縁膜をエッチングして、当該第2層間絶縁膜に該ダミーキャパシタの下部電極膜に至る第4開口部を形成する工程と、
前記第4開口部内に第4プラグ電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記メモリ素子領域上の前記第1層間絶縁膜上に、一の前記第1プラグ電極上を覆う強誘電体キャパシタと他の前記第1プラグ電極上を覆うダミーキャパシタとをそれぞれ形成する工程は、
前記複数の第1プラグ電極と前記第2プラグ電極とが形成された前記第1層間絶縁膜上に下部電極膜と、強誘電体膜と、上部電極膜とを順次形成する工程と、
前記上部電極膜と前記強誘電体膜と前記下部電極膜とをそれぞれ順次エッチングして、前記メモリ素子領域上の前記第1層間絶縁間上に一の前記第1プラグ電極上を覆う強誘電体キャパシタと、他の前記第1プラグ電極上を覆うダミーキャパシタとをそれぞれ形成し、かつ、少なくとも前記第2プラグ電極上には前記上部電極膜と前記強誘電体膜と前記下部電極膜とを残しておく工程と、
前記強誘電体キャパシタと前記ダミーキャパシタとが形成され、かつ、少なくとも前記第2プラグ電極上に前記上部電極膜と前記強誘電体膜と前記下部電極膜とが残された前記基板を酸素雰囲気中で熱処理する工程と、
前記熱処理後に、前記第2プラグ電極上から前記上部電極膜と前記強誘電体膜と前記下部電極膜とを除去する工程と、を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理後であって前記第2層間絶縁膜を形成する工程の前に、前記強誘電体キャパシタ上及びその側面に水素バリア機能を備えた絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線を形成する工程の前に、
前記強誘電体キャパシタの前記上部電極膜上に形成された前記絶縁膜をエッチングして当該絶縁膜下から少なくとも該上部電極膜の一部を露出させる工程と、
前記強誘電体キャパシタ上に局所配線を形成して、当該局所配線と前記絶縁膜下から露出した前記上部電極膜の一部とを接続する工程と、を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板にメモリ素子領域と、メモリ素子以外の他の素子領域とを有する半導体装置であって、
前記基板上に設けられた第1層間絶縁膜と、
前記メモリ素子領域上の前記第1層間絶縁膜に設けられた前記基板に至る第1開口部と、
前記他の素子領域上の前記第1層間絶縁膜に設けられた前記基板に至る第2開口部と、
前記第1開口部内に設けられた第1プラグ電極と、
前記第2開口部内に設けられた第2プラグ電極と、
前記メモリ素子領域上の前記第1層間絶縁間上に設けられて前記第1プラグ電極上を覆う強誘電体キャパシタと、
前記他の素子領域上の前記第1層間絶縁膜上に設けられて前記第2プラグ電極上を覆う配線と、
前記第1層間絶縁膜上に設けられた第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜に設けられた前記配線に至る第3開口部と、
前記第3開口部内に設けられた第3プラグ電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1開口部と、前記第1開口部内に設けられた前記第1プラグ電極とをそれぞれ複数備え、
前記メモリ素子領域上の前記第1層間絶縁膜上に設けられて一の前記第1プラグ電極上を覆う前記強誘電体キャパシタと、
前記メモリ素子領域上の前記第1層間絶縁膜上に設けられて他の前記第1プラグ電極上を覆うダミーキャパシタと、
前記第1層間絶縁膜上に設けられた前記第2層間絶縁膜とを備え、
前記ダミーキャパシタ上の前記第2層間絶縁膜と、当該ダミーキャパシタの上部電極膜及びその強誘電体膜とには、当該ダミーキャパシタの下部電極膜に至る第4開口部が設けられており、
前記第4開口部内に第4プラグ電極が設けられていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
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