JP2006073560A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 強誘電体キャパシタにあまりプロセスダメージを与えることなく、強誘電体キャパシタとその周辺部との段差を容易に緩和できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 第1層間絶縁膜20をエッチングして第1コンタクトホールH1を形成し、この第1コンタクトホールH1内に第1プラグ電極21を形成する。次に、この第1プラグ電極21周辺の第1層間絶縁膜20上に第1絶縁膜33と第1水素バリア膜34と第2絶縁膜35とからなる積層構造の絶縁膜を形成し、この積層構造の絶縁膜をエッチングして、第2コンタクトホールH2を形成する。さらに、この第2コンタクトホールH2内に第2プラグ電極22を形成し、この第2プラグ電極22上に強誘電体キャパシタ40を形成する。次に、この強誘電体キャパシタ40下以外の第1層間絶縁膜20上に1層目配線51を形成し、その後、第2層間絶縁膜70を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1層間絶縁膜20をエッチングして第1コンタクトホールH1を形成し、この第1コンタクトホールH1内に第1プラグ電極21を形成する。次に、この第1プラグ電極21周辺の第1層間絶縁膜20上に第1絶縁膜33と第1水素バリア膜34と第2絶縁膜35とからなる積層構造の絶縁膜を形成し、この積層構造の絶縁膜をエッチングして、第2コンタクトホールH2を形成する。さらに、この第2コンタクトホールH2内に第2プラグ電極22を形成し、この第2プラグ電極22上に強誘電体キャパシタ40を形成する。次に、この強誘電体キャパシタ40下以外の第1層間絶縁膜20上に1層目配線51を形成し、その後、第2層間絶縁膜70を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、特に、強誘電体キャパシタとロジックLSIとを混載したエンベッデッドFeRAM及びその製造方法に関する。
従来から、強誘電体の分極ヒステリシス特性を利用した不揮発性メモリとして、強誘電体メモリ(FeRAM:ferroelectric memory)が広く知られている。このFeRAMは、低消費電力で、しかも高速動作が可能なので、その需要はますます高まりつつある。このようなFeRAMにおいても、他のメモリ装置であるDRAM(daynamic random access memory)等と同様にその微細化、高集積化が進みつつある。
FeRAM自体は既に製品化され、その基本構造は公知のものとなっている。ただし、当初想定された単体のメモリーデバイスという用途ではなく、マイコン用エンベッデッドメモリー等、ロジックLSIとの混載が中心用途となっている。この場合、ロジックLSIとの効率的なプロセス融合が非常に重要となるが、これまでこうした視点からプロセス自体を見直すことは殆どされてこなかった。これは、混載用メモリというFeRAMの主要用途が明確になってからまだあまり年数がたっていないため、そうした用途を想定した場合に何が新たな課題となるかが十分整理されていなかったことが一因である。
従来技術としては、例えば特許文献1〜3がある。これらは、必ずしもFeRAMとロジックLSIとの混載プロセスを意識したものではないが、強誘電体キャパシタとの段差によるプロセス上の不具合を如何に克服するか、ということを意識したものである。
特許文献1では、強誘電体キャパシタとその周辺部との段差(以下、「キャパシタ段差」ともいう。)を緩和するために、強誘電体キャパシタの下部電極を形成した後で、基板上の全面に絶縁性水素バリア膜(SiN膜)を堆積し、この絶縁性水素バリア膜にCMP処理を施している。これにより、下部電極表面と、下部電極間に残された絶縁性水素バリア膜表面とを面一にし、キャパシタ段差を緩和している。
特許文献1では、強誘電体キャパシタとその周辺部との段差(以下、「キャパシタ段差」ともいう。)を緩和するために、強誘電体キャパシタの下部電極を形成した後で、基板上の全面に絶縁性水素バリア膜(SiN膜)を堆積し、この絶縁性水素バリア膜にCMP処理を施している。これにより、下部電極表面と、下部電極間に残された絶縁性水素バリア膜表面とを面一にし、キャパシタ段差を緩和している。
また、特許文献2では、強誘電体キャパシタ形成時に平坦化工程を導入しキャパシタ段差を緩和するという点は特許文献1と同じだが、この際同時にキャパシタ領域以外の部分にダマシンプロセスにより配線を形成するというものである。これにより、配線形成の工程数を削減している。
一方、特許文献3は、プレーナキャパシタプロセスを基本とするものである。この特許文献3では、強誘電体キャパシタ以外の周辺回路部分に配線層を形成することで、キャパシタ領域と周辺回路部分との段差を緩和している。
特開2003−17415号公報
特開平11−40768号公報
特開2000−36568号公報
一方、特許文献3は、プレーナキャパシタプロセスを基本とするものである。この特許文献3では、強誘電体キャパシタ以外の周辺回路部分に配線層を形成することで、キャパシタ領域と周辺回路部分との段差を緩和している。
ところで、特許文献1によれば、キャパシタ段差をある程度解消することはできるが、キャパシタ領域以外の部分では、キャパシタ段差を解消した絶縁膜上からSi基板面まで、非常に深いコンタクトを形成しなければならない。従って、全体的なプロセスの難度が高くなってしまうおそれがあった。
また、特許文献2によれば、強誘電体キャパシタの下部電極と同時に形成する配線層は、基本的に当該下部電極と同材料を使用することが前提となる。従って、この下部電極と同時に形成する配線層は白金やイリジウム等に限定され、アルミニウム等からなる通常の多層配線と完全互換とすることはできなかった。
また、特許文献2によれば、強誘電体キャパシタの下部電極と同時に形成する配線層は、基本的に当該下部電極と同材料を使用することが前提となる。従って、この下部電極と同時に形成する配線層は白金やイリジウム等に限定され、アルミニウム等からなる通常の多層配線と完全互換とすることはできなかった。
さらに、特許文献3によれば、強誘電体キャパシタを形成した後であって、この強誘電体キャパシタ上に厚い層間絶縁膜を形成する前に、その周辺回路部分に基板‐1層目配線間を接続するタングステン(W)プラグ電極を形成している。このプロセスでは、強誘電体キャパシタ上に厚い層間絶縁膜が形成されていない状態でW−CVD及びW−エッチバック工程を実施しているので、強誘電体キャパシタヘのプロセスダメージが比較的大きいという問題があった。
そこで、この発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、強誘電体キャパシタにあまりプロセスダメージを与えることなく、強誘電体キャパシタとその周辺部との段差を容易に緩和できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供を目的とする。
〔発明1〕 上記目的を達成するために、発明1の半導体装置の製造方法は、強誘電体キャパシタと、当該強誘電体キャパシタに接続する選択トランジスタとを有する半導体装置の製造方法であって、前記選択トランジスタが形成された基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、前記選択トランジスタのソース又はドレインの一方上の前記第1層間絶縁膜をエッチングして、当該第1層間絶縁膜に該ソース又はドレインの一方に至る第1開口部を形成する工程と、前記第1開口部内に第1プラグ電極を形成する工程と、前記第1プラグ電極周辺の前記第1層間絶縁膜上に当該第1プラグ電極上を覆う絶縁部材を形成する工程と、前記第1プラグ電極上の前記絶縁部材をエッチングして、当該絶縁部材に該第1プラグ電極に至る第2開口部を形成する工程と、前記第2開口部内に第2プラグ電極を形成する工程と、前記絶縁部材上に前記第2プラグ電極上を覆う強誘電体キャパシタを形成する工程と、前記強誘電体キャパシタ下以外の前記第1層間絶縁膜上に配線部材を形成する工程と、前記配線部材と前記強誘電体キャパシタとが形成された前記第1層間絶縁膜上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
ここで、強誘電体キャパシタは、例えば下部電極膜と、強誘電体膜と、上部電極膜とを有するものである。下部電極膜と上部電極膜は、例えば白金やイリジウム等の導電材料からなるものである。また、強誘電体膜は、例えばPZT(PbZr1−XTiXO3)や、SBT(SrBi2Ta2O9)等のペブロスカイト構造を有する結晶膜である。さらに、配線部材は、例えばアルミニウム等の低抵抗な導電材料からなるものである。
発明1の半導体装置の製造方法によれば、第1層間絶縁膜上での配線部材と、強誘電体キャパシタとの高さの関係を、強誘電体キャパシタ下の絶縁部材の厚さで調整することができるので、第2層間絶縁膜を比較的平坦に形成することが容易である。また、特許文献3と比べて、強誘電体キャパシタを形成する前に基板に至る第1プラグ電極を形成するので、強誘電体キャパシタへのプロセスダメージを低減することができる。
〔発明2〕 発明2の半導体装置の製造方法は、発明1の半導体装置の製造方法において、前記配線部材を形成する工程の前に、前記ソース又はドレインの他方上の前記第1層間絶縁膜をエッチングして、当該第1層間絶縁膜に該ソース又はドレインの他方に至る第3開口部を形成する工程と、前記第3開口部内に第3プラグ電極を形成する工程と、を含み、前記配線部材を形成する工程では、当該配線部材で前記第3プラグ電極上を覆うことを特徴とするものである。
ここで、発明2の半導体装置の製造方法では、第1開口部を形成する工程と、第3開口部を形成する工程とを同時に行う、又は、それぞれの工程を別々に行う。また、第1プラグ電極を形成する工程と、第3プラグ電極を形成する工程とを同時に行う、又は、それぞれの工程を別々に行う。
発明2の半導体装置の製造方法によれば、選択トランジスタ上の第2層間絶縁膜を比較的平坦に形成することができる。
発明2の半導体装置の製造方法によれば、選択トランジスタ上の第2層間絶縁膜を比較的平坦に形成することができる。
〔発明3〕 発明3の半導体装置の製造方法は、発明1又は発明2の半導体装置の製造方法において、前記絶縁部材を形成する工程の前に、前記第1層間絶縁膜上に前記第1プラグ電極上を覆う第1局所配線を形成する工程を含み、前記絶縁部材を形成する工程では、前記第1局所配線上に当該絶縁部材を形成し、前記第2開口部を形成する工程では、前記第1局所配線上の前記絶縁部材をエッチングして、当該第1局所配線に至る該第2開口部を形成する、ことを特徴とするものである。
ここで、第1局所配線は、例えば窒化チタン(TiN)からなるものである。また、第1局所配線の平面視での大きさは、当該第1局所配線下の第1プラグ電極よりも大きい。
発明3の半導体装置の製造方法によれば、第2開口部を形成する工程では、第1プラグ電極上ではなく、この第1プラグ電極上を覆う第1局所配線上にマスクの開口部を合わせれば良いので、マスクの合わせズレに対するマージンを大きくすることができる。
発明3の半導体装置の製造方法によれば、第2開口部を形成する工程では、第1プラグ電極上ではなく、この第1プラグ電極上を覆う第1局所配線上にマスクの開口部を合わせれば良いので、マスクの合わせズレに対するマージンを大きくすることができる。
〔発明4〕 発明4の半導体装置の製造方法は、発明2又は発明3の半導体装置の製造方法において、前記配線部材を形成する工程の前に、前記第1層間絶縁膜上に前記第3プラグ電極上を覆う第2局所配線を形成する工程を含み、前記配線部材を形成する工程では、前記第2局所配線上に当該配線部材を形成することを特徴とするものである。
ここで、この第2局所配線は、例えば窒化チタン(TiN)からなるものである。また、第2局所配線の平面視での大きさは、当該第2局所配線下の第3プラグ電極よりも大きい。また、この第2局所配線の他に上記の第1局所配線を形成する場合には、第1局所配線を形成する工程と、第2局所配線を形成する工程とを同時に行う、又は、それぞれの工程を別々に行う。
発明4の半導体装置の製造方法によれば、配線部材を形成する工程では、第3プラグ電極上ではなく、この第3プラグ電極上を覆う第2局所配線上にマスクを合わせれば良いので、マスクの合わせズレに対するマージンを大きくすることができる。
〔発明5〕 発明5の半導体装置の製造方法は、発明1から発明4の何れか一の半導体装置の製造方法において、前記第2層間絶縁膜を形成する工程の前に、前記強誘電体キャパシタ上とその側面とに水素バリア膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。ここで、水素バリア膜としては、例えばアルミナ(Al2O3)が挙げられる。
発明5の半導体装置の製造方法によれば、強誘電体キャパシタへの水素の到達をある程度防ぐことができ、強誘電体膜を還元されないようにすることができる。
発明5の半導体装置の製造方法によれば、強誘電体キャパシタへの水素の到達をある程度防ぐことができ、強誘電体膜を還元されないようにすることができる。
〔発明6〕 発明6の半導体装置の製造方法は、発明5の半導体装置の製造方法において、前記水素バリア膜上に保護膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。このような構成であれば、強誘電体キャパシタへのプロセスダメージをより低減することができる。
〔発明7〕 発明7の半導体装置の製造方法は、発明1から発明6の何れか一の半導体装置の製造方法において、前記第2層間絶縁膜上を平坦化する工程と、前記第2層間絶縁膜を平坦化した後で、前記配線部材上の前記第2層間絶縁膜をエッチングして、当該第2層間絶縁膜に該配線部材に至る第4開口部を形成する工程と、前記第4開口部内に第4プラグ電極を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
このような構成であれば、第4開口部から第2層間絶縁膜上にかけて直接配線を形成する場合と比べて、第4開口部の埋め込み特性を向上させることが可能であり、第2層間絶縁膜より上に形成される層の平坦化に寄与することができる。
〔発明8〕 発明8の半導体装置の製造方法は、発明7の半導体装置の製造方法において、前記第2層間絶縁膜を平坦化した後で、前記強誘電体キャパシタ上の前記第2層間絶縁膜をエッチングして、当該第2層間絶縁膜に該強誘電体キャパシタに至る第5開口部を形成する工程と、前記第5開口部内に第5プラグ電極を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。ここで、発明8の半導体装置の製造方法では、第4プラグ電極を形成する工程と、第5プラグ電極を形成する工程とを同時に行う、又は、それぞれの工程を別々に行う。
このような構成であれば、第5開口部から第2層間絶縁膜上にかけて直接配線を形成する場合と比べて、第5開口部の埋め込み特性を向上させることが可能であり、第2層間絶縁膜より上に形成される層の平坦化に寄与することができる。
〔発明9〕 発明9の半導体装置は、強誘電体キャパシタと、当該強誘電体キャパシタに接続する選択トランジスタとを有する半導体装置であって、前記選択トランジスタが形成された基板上に設けられた第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜に設けられて前記選択トランジスタのソース又はドレインの一方に至る第1開口部と、前記第1開口部内に設けられた第1プラグ電極と、前記第1プラグ電極周辺の第1層間絶縁膜上に設けられた絶縁部材と、前記絶縁部材に設けられて前記第1プラグ電極に至る第2開口部と、前記第2開口部内に設けられた第2プラグ電極と、前記絶縁部材上に設けられて前記第2プラグ電極上を覆う強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタ下以外の前記第1層間絶縁膜上に設けられた配線部材と、前記配線部材と前記強誘電体キャパシタとを覆うように前記第1層間絶縁膜上に設けられた第2層間絶縁膜と、を有することを特徴とするものである。
このような構成であれば、第1層間絶縁膜上での配線部材と、強誘電体キャパシタとの高さの関係を、強誘電体キャパシタ下の絶縁部材の厚さで調整することができるので、第2層間絶縁膜を比較的平坦にすることができる。また、半導体装置の製造過程で、第2層間絶縁膜にCMP等の平坦化処理が施される際には、強誘電体キャパシタ上は第2層間絶縁膜によって厚く覆われている。従って、強誘電体キャパシタへのプロセスダメージを低減することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置について説明する。
(1)第1実施形態
図1は本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の構成例を示す断面図である。この半導体装置100は、半導体基板1のメモリ領域上に複数個の強誘電体キャパシタ40と、これら複数個の強誘電体キャパシタ40にそれぞれ接続する複数個の選択制御用のMOSトランジスタ10とを有し、一方、半導体基板1のロジック領域にはロジックLSIを有する、いわゆるエンベッデッドFeRAMである。
(1)第1実施形態
図1は本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の構成例を示す断面図である。この半導体装置100は、半導体基板1のメモリ領域上に複数個の強誘電体キャパシタ40と、これら複数個の強誘電体キャパシタ40にそれぞれ接続する複数個の選択制御用のMOSトランジスタ10とを有し、一方、半導体基板1のロジック領域にはロジックLSIを有する、いわゆるエンベッデッドFeRAMである。
図1に示すように、この半導体装置100は、半導体基板1に設けられた素子分離層5と、この素子分離層5で囲まれた半導体基板1に形成された選択制御用のMOSトランジスタ10と、MOSトランジスタ10が形成された半導体基板1上に設けられた第1層間絶縁膜20と、この第1層間絶縁膜20に設けられてMOSトランジスタ10のソース又はドレイン(以下、「S/D」という。)13の一方に至る第1コンタクトホールH1と、この第1コンタクトホールH1内に設けられた第1プラグ電極21と、第1層間絶縁膜20上に設けられて第1プラグ電極21上を覆う第1局所配線31と、第1プラグ電極21周辺の第1層間絶縁膜20上に設けられて第1局所配線31を覆う第1絶縁膜33と、この第1絶縁膜33上に設けられた第1水素バリア膜34と、この第1水素バリア膜34上に設けられた第2絶縁膜35と、第1絶縁膜33と水素バリア膜と第2絶縁膜35とに設けられて、第1局所配線31に至る第2コンタクトホールH2と、この第2コンタクトホールH2内に設けられた第2プラグ電極22とを有する。
また、この半導体装置100は、第1層間絶縁膜20に設けられてMOSトランジスタ10のS/D13の他方に至る第3コンタクトホールH3と、この第3コンタクトホールH3内に設けられた第3プラグ電極23と、第1層間絶縁膜20上に設けられて第3プラグ電極23上を覆う第2局所配線32と、第1層間絶縁膜20上に設けられて第2局所配線32を覆う1層目配線51とを有する。
さらに、この半導体装置は、第2絶縁膜35上に設けられて第2プラグ電極22を覆う強誘電体キャパシタ40と、この強誘電体キャパシタ40の上面(即ち、上部電極膜)と側面とを覆う第2水素バリア膜44と、第1層間絶縁膜20上に設けられて強誘電体キャパシタ40や、1層目配線51を覆う第2層間絶縁膜70と、この第2層間絶縁膜70に設けられて1層目配線51に至る第1ビアホールh1と、第1ビアホールh1内に設けられた第4プラグ電極24と、第2層間絶縁膜70に設けられて強誘電体キャパシタ40の上面に至る第2ビアホールh2と、第2層間絶縁膜70上に設けられて第2ビアホールh2を埋め込んだり、又は第4プラグ電極24上を覆ったりする2層目配線52a及び52bとを有する。
これらの中で、半導体基板1は、例えばシリコン基板である。また、第1、第2層間絶縁膜20,70と、第1、第2絶縁膜33,35は、例えばシリコン酸化膜(SiO2)である。さらに、第1〜第4プラグ電極21〜24は例えばタングステン(W)からなり、第1、第2局所配線31,32は例えば窒化チタン(TiN)からなるものである。また、第1、第2水素バリア膜34,44は例えばアルミナ(Al2O3)からなり、1層目配線51と2層目配線52a及び52bは例えばアルミニウムからなるものである。
強誘電体キャパシタ40は、例えば下部電極膜41と、強誘電体膜42と、上部電極膜43とを有するものである。下部電極膜41と上部電極膜43は、例えば白金やイリジウム等の導電材料からなるものである。また、強誘電体膜42は、例えばPZTや、SBT等のペブロスカイト構造を有する結晶膜である。次に、この半導体装置100の製造方法について説明する。
図2(A)〜図4は本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の製造方法を示す工程図である。図2(A)において、まず始めに、熱酸化法によって、半導体基板1上にゲート絶縁膜(図示せず)を形成する。次に、CVD(chemical vapor deposition)によって、このゲート絶縁膜の上面にリン等の不純物を含むポリシリコン膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程(以下、フォト/エッチ工程という。)によって、このポリシリコン膜を所定形状にパターニングし、図2(A)に示すように、ゲート電極11を形成する。次に、このゲート電極11の側壁にサイドウォールスペーサ12を形成する。
次に、このサイドウォールスペーサ12が形成されたゲート電極11をマスクに用いて、半導体基板1に例えばリン等の不純物をイオン注入し、ゲート電極下(チャネル領域)両側の半導体基板1にそれぞれS/D13を形成する。このようにして、メモリ領域の半導体基板1にMOSトランジスタ10を形成する。また、図示しないが、ロジック領域の半導体基板1にもMOSトランジスタ等を形成する。
次に、図2(A)に示すように、MOSトランジスタ10を覆うように半導体基板1上に第1層間絶縁膜20を形成する。この第1層間絶縁膜20は、例えばシリコン酸化膜であり、その厚さは例えば800[nm]程度である。この第1層間絶縁膜20の形成は、例えばCVDによって行う。次に、フォト/エッチ工程によって、MOSトランジスタ10のS/D13上に、第1、第3コンタクトホールH1,H3をそれぞれ形成する。
次に、図2(A)に示すように、第1、第3コンタクトホールH1,H3内に、タングステン(W)等の高融点金属膜からなる第1、第3プラグ電極21,23をそれぞれ形成する。この第1、第3プラグ電極21,23の形成は、例えば、CVDによる第1層間絶縁膜20上へのW膜の堆積と、CMP(chemical mechanical polish)によるW膜の平坦化とによって行う。
次に、図2(A)に示すように、第1層間絶縁膜20上に第1プラグ電極21上を覆う第1局所配線31と、第3プラグ電極23上を覆う第2局所配線32とを形成する。この第1、第2局所配線31,32の形成は、例えば、CVDによる第1層間絶縁膜20上へのTiN膜の堆積と、フォト/エッチ工程でのTiN膜のパターニングとによって行う。
次に、この第1、第2局所配線31,32が形成された第1層間絶縁膜20上に第1絶縁膜33を形成する。この第1絶縁膜33は、例えばシリコン酸化膜であり、その厚さは例えば400[nm]程度である。この第1絶縁膜33の形成は、例えばCVDによって行う。さらに、この表面を絶縁膜CMPにより平坦化し、局所配線32,32起因で発生する段差を解消する。この工程により、第1絶縁膜33は下に局所配線の存在しない領域で200[nm]の膜厚となる。
次に、この第1、第2局所配線31,32が形成された第1層間絶縁膜20上に第1絶縁膜33を形成する。この第1絶縁膜33は、例えばシリコン酸化膜であり、その厚さは例えば400[nm]程度である。この第1絶縁膜33の形成は、例えばCVDによって行う。さらに、この表面を絶縁膜CMPにより平坦化し、局所配線32,32起因で発生する段差を解消する。この工程により、第1絶縁膜33は下に局所配線の存在しない領域で200[nm]の膜厚となる。
次に、この第1絶縁膜33上に第1水素バリア膜34を形成する。この第1水素バリア膜34は、例えば絶縁性を備えたアルミナであり、その形成は、例えばスパッタリング法を用いて行う。そして、この第1水素バリア膜34上に第2絶縁膜35を形成する。この第2絶縁膜35は、例えばシリコン酸化膜であり、その厚さは例えば200[nm]程度である。この第2絶縁膜35の形成は、例えばCVDによって行う。
次に、フォト/エッチ工程によって、この第2絶縁膜35と、第1水素バリア膜34と、第1絶縁膜33とに、第1局所配線31に至る第2コンタクトホールH2を形成する。そして、この第2コンタクトホールH2内に、タングステン(W)等の高融点金属膜からなる第2プラグ電極22を形成する。この第2プラグ電極22の形成は、第1、第3プラグ電極21,23と同様に、例えば、CVDによるW膜の堆積と、CMPによるW膜の平坦化とによって行う。
次に、図2(A)に示すように、第2プラグ電極22が形成された第2絶縁膜35上に下部電極膜41を形成する。この下部電極膜41は例えば白金(Pt)であり、その厚さは例えば150〜250[nm]程度である。下部電極膜41の形成は、例えばスパッタリング法を用いて行う。
さらに、この下部電極膜41上にSBT、またはPZT等の強誘電体膜の原料液をスピンコート法により塗布する。そして、この塗布された原料液を400[℃]程度の乾燥雰囲気中で乾燥させる。このような塗布・乾燥の工程を数回繰り返して、強誘電体膜42を例えば100〜150nm程度の厚さに形成する。次に、この強誘電体膜42が形成された半導体基板1を例えば700[℃]程度の酸素を含む雰囲気中で熱処理して、この強誘電体膜42を結晶化させる。
さらに、この下部電極膜41上にSBT、またはPZT等の強誘電体膜の原料液をスピンコート法により塗布する。そして、この塗布された原料液を400[℃]程度の乾燥雰囲気中で乾燥させる。このような塗布・乾燥の工程を数回繰り返して、強誘電体膜42を例えば100〜150nm程度の厚さに形成する。次に、この強誘電体膜42が形成された半導体基板1を例えば700[℃]程度の酸素を含む雰囲気中で熱処理して、この強誘電体膜42を結晶化させる。
次に、図2(A)に示すように、結晶化された強誘電体膜42上に上部電極膜43を形成する。この上部電極膜43は例えば白金(Pt)であり、その厚さは例えば150〜250[nm]程度である。上部電極膜43の形成は、例えばスパッタリング法を用いて行う。次に、フォト/エッチ工程によって、上部電極膜43と強誘電体膜42と下部電極膜41とをパターニングする。これにより、図2(B)に示すように、第1層間絶縁膜20上に第2プラグ電極22を覆う強誘電体キャパシタ40を形成する。キャパシタエッチング時のオーバエッチングにより第2絶縁膜35もエッチングし、第1水素バリア膜34を露出させエッチングストッパーとする。
次に、強誘電体キャパシタ40が形成された半導体基板1を酸素雰囲気中で熱処理する。この熱処理は、図2(B)の工程で、上部電極膜43と強誘電体膜42と下部電極膜41とをそれぞれ順次エッチングした際に強誘電体膜42等が受けた可能性のあるエッチングダメージを回復させるための処理である。この酸素雰囲気中での熱処理工程では、第2プラグ電極22上は強誘電体キャパシタ40で覆われ、かつ、第3プラグ電極23は酸素バリア性も兼備する第1水素バリア膜34及び第1絶縁膜33中に埋め込まれているので、第1〜第3プラグ電極21〜23への酸素の到達を防ぐことができ、その酸化を防ぐことができる。
次に、図2(C)に示すように、強誘電体キャパシタ40が形成された半導体基板1の上方全面に第2水素バリア膜44を形成する。この第2水素バリア膜44は、例えば絶縁性を備えたアルミナであり、その形成は、例えばスパッタリング法を用いて行う。この第2水素バリア膜44によって、強誘電体キャパシタ40はその上面と側面とが覆われる。
次に、フォト/エッチ工程によって、図2(D)に示すように、強誘電体キャパシタ40以外の領域から第2水素バリア膜44と、第1水素バリア膜34とを除去する。さらに、同一のレジストマスクを用いて第2局所配線32が露出するまで、第1絶縁膜33をエッチングする。そして、図3(A)に示すように、第2局所配線32上に1層目配線51を形成する。この1層目配線51は、例えばアルミニウムからなり、その厚さは例えば500[nm]程度である。この1層目配線51の形成は、例えばアルミニウム膜のスパッタリングと、フォト/エッチ工程によって行う。
次に、フォト/エッチ工程によって、図2(D)に示すように、強誘電体キャパシタ40以外の領域から第2水素バリア膜44と、第1水素バリア膜34とを除去する。さらに、同一のレジストマスクを用いて第2局所配線32が露出するまで、第1絶縁膜33をエッチングする。そして、図3(A)に示すように、第2局所配線32上に1層目配線51を形成する。この1層目配線51は、例えばアルミニウムからなり、その厚さは例えば500[nm]程度である。この1層目配線51の形成は、例えばアルミニウム膜のスパッタリングと、フォト/エッチ工程によって行う。
次に、図3(B)に示すように、1層目配線51が形成された半導体基板1の上方に第2層間絶縁膜70を形成して、この1層目配線51と強誘電体キャパシタ40とを覆う。この第2層間絶縁膜70は、例えばシリコン酸化膜であり、その厚さは例えば1800[nm]程度である。この第2層間絶縁膜70の形成は、例えばCVDによって行う。さらに、CMPによって、この第2層間絶縁膜70を平坦化する。CMP後の第2層間絶縁膜70は、キャパシタ及び配線の存在しない領域で1200[nm]である。
次に、フォト/エッチ工程によって、図3(C)に示すように、1層目配線51の表面に至る第1ビアホールh1を形成する。そして、図3(D)に示すように、この第1ビアホールh1内にW等からなる第4プラグ電極24を形成する。この第4プラグ電極24の形成は、第1〜第3プラグ電極と同様に、例えばCVDによるW膜の堆積と、CMPによるW膜の平坦化によって行う。
次に、フォト/エッチ工程によって、図4に示すように、強誘電体キャパシタ40上の第2層間絶縁膜70と第2水素バリア膜44とをエッチングして、強誘電体キャパシタ40の上面に至る第2ビアホールh2を形成する。その後、第2層間絶縁膜70上に設けられて第4プラグ電極24上を覆う2層目配線52a(図1参照)や、第2層間絶縁膜70上に設けられて第2ビアホールh2内を埋め込む2層目配線52b(図1参照)を形成する。これら2層目配線52a及び52bの形成は、例えばアルミニウム膜のスパッタリングと、フォト/エッチ工程によって行う。これにより、図1に示した半導体装置100を完成させる。
このように、本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の製造方法によれば、強誘電体キャパシタ40下のみ、第1局所配線31を介して第1プラグ電極21と第2プラグ電極22との2段積み構造とする。そして、強誘電体キャパシタ40を形成した後、強誘電体キャパシタ40が形成されない領域を掘り下げて第2局所配線32を露出させる。
こうすることにより、第2プラグ電極22と強誘電体キャパシタ40とを合わせた段差が第1層間絶縁膜20上に発生する。この段差の大きさは、1層目配線51の高さ、もしくはそれ以上に設定することが可能であり、強誘電体キャパシタ40が形成されない領域のみに1層目配線51を形成することで、強誘電体キャパシタ40が形成される領域と、強誘電体キャパシタ40が形成されない領域の段差を大幅に緩和することが可能である(図1において、強誘電体キャパシタ40による段差のみでは、第1ビアホールh1を設けるだけの深さを確保できず、本発明の構造をつくることができない。)。
こうすることにより、第2プラグ電極22と強誘電体キャパシタ40とを合わせた段差が第1層間絶縁膜20上に発生する。この段差の大きさは、1層目配線51の高さ、もしくはそれ以上に設定することが可能であり、強誘電体キャパシタ40が形成されない領域のみに1層目配線51を形成することで、強誘電体キャパシタ40が形成される領域と、強誘電体キャパシタ40が形成されない領域の段差を大幅に緩和することが可能である(図1において、強誘電体キャパシタ40による段差のみでは、第1ビアホールh1を設けるだけの深さを確保できず、本発明の構造をつくることができない。)。
従って、図3(B)における第2層間絶縁膜70の平坦化を、フォト/エッチ工程を行うことなく、一回のCMPで済ますことができ、平坦化に要する工程の簡略化を図ることができる(段差の大きさが中途半端な場合には、単にCMPだけで平坦化するには無理があり、フォト/エッチ工程を加えて、第2層間絶縁膜70上の凸部をエッチングして積極的に段差を緩和する必要がある。この方法は、工程増のデメリットが大きい。)。
これにより、第1、第2絶縁膜35の厚さを調整することで、平坦化する段差の大きさを変更することが可能となり、第2層間絶縁膜70に発生する段差を、フォト/エッチ工程を行うことなくCMPのみで平坦化可能な範囲内に設定することができる。また、1層目配線51上に第4プラグ電極24を形成した後で、強誘電体キャパシタ40上に第2ビアホールh2を形成することで、第4プラグ電極24を形成する際のW−CVD時の水素ダメージを軽減することも可能となる。
この第1実施形態では、半導体基板1が本発明の基板に対応し、MOSトランジスタ10が本発明の選択トランジスタに対応している。また、第1コンタクトホールH1が本発明の第1開口部に対応し、第2コンタクトホールH2が本発明の第2開口部に対応している。さらに、第3コンタクトホールH3が本発明の第3開口部に対応し、第1ビアホールh1が本発明の第4開口部に対応している。第2ビアホールh2が本発明の第5開口部に対応している。また、第1絶縁膜33と第1水素バリア膜34と第2絶縁膜35とからなる積層構造の絶縁膜が本発明の絶縁部材に対応し、1層目配線51が本発明の配線部材に対応している。さらに、第2水素バリア膜44が本発明の水素バリア膜に対応している。
(2)第2実施形態
図5は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置200の構成例を示す断面図である。図5において、図1に示した半導体装置100と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
(2)第2実施形態
図5は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置200の構成例を示す断面図である。図5において、図1に示した半導体装置100と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図5に示すように、この半導体装置200は、半導体装置100から第1、第2局所配線31,32を無くした構造となっている。そして、第1プラグ電極21上に第2プラグ電極22が直接設けられており、かつ、第3プラグ電極23上に1層目配線51が直接設けられた構造となっている。
このような構成であれば、図2(A)において第2コンタクトホールH2を形成したり、図3(A)で1層目配線51を形成したりする際に、レジストマスクの合わせずれに対するマージンが小さくなってしまう。しかし、その一方で、第1、第2局所配線の形成工程を削減することができるので、全体の工程数を減らすことが可能である。従って、層間絶縁膜に形成される第1、第3プラグ電極21,23や、1層目配線51のデザインルールがあまり厳しくない場合に、この構造は有用である。
(3)第3実施形態
図6は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置300の構成例を示す断面図である。図6において、図1に示した半導体装置100と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
このような構成であれば、図2(A)において第2コンタクトホールH2を形成したり、図3(A)で1層目配線51を形成したりする際に、レジストマスクの合わせずれに対するマージンが小さくなってしまう。しかし、その一方で、第1、第2局所配線の形成工程を削減することができるので、全体の工程数を減らすことが可能である。従って、層間絶縁膜に形成される第1、第3プラグ電極21,23や、1層目配線51のデザインルールがあまり厳しくない場合に、この構造は有用である。
(3)第3実施形態
図6は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置300の構成例を示す断面図である。図6において、図1に示した半導体装置100と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図6に示すように、この半導体装置300は、半導体装置100から絶縁性の第1水素バリア34(図1参照)を無くし、その代わりに下部電極膜41の直下に導電性の水素バリア膜34´を設けた構成となっている。このような構成であれば、絶縁性の第1水素バリア膜34を備えた半導体装置100と同様に、半導体基板1側から強誘電体キャパシタ40への水素の到達を防ぐことができ、強誘電体膜42を還元されないようにすることができる。この第3実施形態では、第1絶縁膜33と第2絶縁膜35とからなる積層構造の絶縁膜が本発明の絶縁部材に対応している。
(4)第4実施形態
図7は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置400の構成例を示す断面図である。図7において、図1に示した半導体装置100と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
(4)第4実施形態
図7は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置400の構成例を示す断面図である。図7において、図1に示した半導体装置100と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図7に示すように、この半導体装置400は、第2水素バリア膜44上にさらに第3絶縁膜45を備えた構成となっている。この第3絶縁膜45は、例えばシリコン酸化膜であり、その厚さは例えば200[nm]程度である。
この半導体装置400の製造方法は、図2(C)のおいて、水素バリア膜44を形成した後で、この水素バリア膜44上にCVDによって第3絶縁膜45を形成する。そして、フォト/エッチ工程によって、強誘電体キャパシタ40以外の領域から第3絶縁膜45と、第2水素バリア膜44と、第1水素バリア膜34とを除去する。これ以降、即ち、図2(D)以降の工程は第1実施形態と同じである。
この半導体装置400の製造方法は、図2(C)のおいて、水素バリア膜44を形成した後で、この水素バリア膜44上にCVDによって第3絶縁膜45を形成する。そして、フォト/エッチ工程によって、強誘電体キャパシタ40以外の領域から第3絶縁膜45と、第2水素バリア膜44と、第1水素バリア膜34とを除去する。これ以降、即ち、図2(D)以降の工程は第1実施形態と同じである。
このような構成であれば、例えば図3(A)に示すような1層目配線51のパターニング時に、強誘電体キャパシタ40をプロセスダメージ(例えば、ドライエッチングによるエッチングダメージ)から保護することができる。従って、半導体装置の歩留まりと信頼性の向上に寄与することができる。この第4実施形態では、第3絶縁膜45が本発明の保護膜に対応している。
(5)第5実施形態
図8は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置500の構成例を示す断面図である。図8において、図1に示した半導体装置100と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
(5)第5実施形態
図8は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置500の構成例を示す断面図である。図8において、図1に示した半導体装置100と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図8に示すように、この半導体装置500は、強誘電体キャパシタ40上に設けられた第2ビアホールh2内に第5プラグ電極25を備えている。また、2層目配線52a及び52bは第2層間絶縁膜70上に設けられており、特に、2層目配線52bは第5プラグ電極25上を覆っている。第5プラグ電極25の形成方法は、第1〜第4プラグ電極21〜24と同様に、例えばCVDによるW膜の堆積と、CMPによるW膜の平坦化によって行う。
このような構成であれば、第2ビアホールh2の埋め込み特性を向上させることができ、2層目配線52bをより平坦に形成することができる。従って、2層目配線52bの信頼性の向上に寄与することができる。
(6)応用、その他
本発明はFeRAMの平坦化負荷を減らすという効果を持つものである。特に、エンベッデッドFeRAMにおいてはロジックLSI部分で多層配線が求められる一方、FeRAMセルアレイ部では2層配線で十分と考えられる。
(6)応用、その他
本発明はFeRAMの平坦化負荷を減らすという効果を持つものである。特に、エンベッデッドFeRAMにおいてはロジックLSI部分で多層配線が求められる一方、FeRAMセルアレイ部では2層配線で十分と考えられる。
すなわち、FeRAMセルアレイ部で発生する段差をロジックLSI部の配線で相殺し、配線層を有効利用出来るのである。またその際、ちょうど多層配線1層分(W−plug+Al配線)の段差を解消するため、通常の多層配線プロセスがそのまま適用可能となるのである。
FeRAMを混載するチップでは、FeRAMセルアレイ領域だけが他領域よりキャパシタ分だけ高くなることが避けられない。よって、この段差の影響を最小限にしてプロセスを組み立てることがFeRAM混載チップ対応プロセスの鍵となるのである。また、「混載」という点では、FeRAM以外の部分は極力、設計変更なしで既存の設計資産を転用したい。そのためには通常の配線プロセス/構造が維持されたままで混載出来ることが必須である。本発明はこうした要求に応えるものであり、設計コストを含めFeRAM混載チップを低コストで量産する上で必須の技術と考えられる。
FeRAMを混載するチップでは、FeRAMセルアレイ領域だけが他領域よりキャパシタ分だけ高くなることが避けられない。よって、この段差の影響を最小限にしてプロセスを組み立てることがFeRAM混載チップ対応プロセスの鍵となるのである。また、「混載」という点では、FeRAM以外の部分は極力、設計変更なしで既存の設計資産を転用したい。そのためには通常の配線プロセス/構造が維持されたままで混載出来ることが必須である。本発明はこうした要求に応えるものであり、設計コストを含めFeRAM混載チップを低コストで量産する上で必須の技術と考えられる。
1 半導体基板、5 素子分離層、10 MOSトランジスタ、11 ゲート電極、12 サイドウォールスペーサ、13 S/D、20 第1層間絶縁膜、21 第1プラグ電極、22 第2プラグ電極、23 第3プラグ電極、24 第4プラグ電極、25 第5プラグ電極、31 第1局所配線、32 第2局所配線、33 第1絶縁膜、34 第1水素バリア膜、34´ (導電性の)水素バリア膜、35 第2絶縁膜、40 強誘電体キャパシタ、41 下部電極膜、42 強誘電体膜、43 上部電極膜、44 第2水素バリア膜、45 第3絶縁膜、51 1層目配線、52a,52b 2層目配線、70 第2層間絶縁膜、100,200,300,400,500 半導体装置、H1 第1コンタクトホール、H2 第2コンタクトホール、H3 第3コンタクトホール、h1 第1ビアホール、h2 第2ビアホール
Claims (9)
- 強誘電体キャパシタと、当該強誘電体キャパシタに接続する選択トランジスタとを有する半導体装置の製造方法であって、
前記選択トランジスタが形成された基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記選択トランジスタのソース又はドレインの一方上の前記第1層間絶縁膜をエッチングして、当該第1層間絶縁膜に該ソース又はドレインの一方に至る第1開口部を形成する工程と、
前記第1開口部内に第1プラグ電極を形成する工程と、
前記第1プラグ電極周辺の前記第1層間絶縁膜上に当該第1プラグ電極上を覆う絶縁部材を形成する工程と、
前記第1プラグ電極上の前記絶縁部材をエッチングして、当該絶縁部材に該第1プラグ電極に至る第2開口部を形成する工程と、
前記第2開口部内に第2プラグ電極を形成する工程と、
前記絶縁部材上に前記第2プラグ電極上を覆う強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタ下以外の前記第1層間絶縁膜上に配線部材を形成する工程と、
前記配線部材と前記強誘電体キャパシタとが形成された前記第1層間絶縁膜上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記配線部材を形成する工程の前に、
前記ソース又はドレインの他方上の前記第1層間絶縁膜をエッチングして、当該第1層間絶縁膜に該ソース又はドレインの他方に至る第3開口部を形成する工程と、
前記第3開口部内に第3プラグ電極を形成する工程と、を含み、
前記配線部材を形成する工程では、当該配線部材で前記第3プラグ電極上を覆うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁部材を形成する工程の前に、
前記第1層間絶縁膜上に前記第1プラグ電極上を覆う第1局所配線を形成する工程を含み、
前記絶縁部材を形成する工程では、前記第1局所配線上に当該絶縁部材を形成し、
前記第2開口部を形成する工程では、前記第1局所配線上の前記絶縁部材をエッチングして、当該第1局所配線に至る該第2開口部を形成する、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配線部材を形成する工程の前に、
前記第1層間絶縁膜上に前記第3プラグ電極上を覆う第2局所配線を形成する工程を含み、
前記配線部材を形成する工程では、前記第2局所配線上に当該配線部材を形成することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2層間絶縁膜を形成する工程の前に、
前記強誘電体キャパシタ上とその側面とに水素バリア膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記水素バリア膜上に保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2層間絶縁膜上を平坦化する工程と、
前記第2層間絶縁膜を平坦化した後で、前記配線部材上の前記第2層間絶縁膜をエッチングして、当該第2層間絶縁膜に該配線部材に至る第4開口部を形成する工程と、
前記第4開口部内に第4プラグ電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項1から請求項6の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2層間絶縁膜を平坦化した後で、前記強誘電体キャパシタ上の前記第2層間絶縁膜をエッチングして、当該第2層間絶縁膜に該強誘電体キャパシタに至る第5開口部を形成する工程と、
前記第5開口部内に第5プラグ電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 強誘電体キャパシタと、当該強誘電体キャパシタに接続する選択トランジスタとを有する半導体装置であって、
前記選択トランジスタが形成された基板上に設けられた第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜に設けられて前記選択トランジスタのソース又はドレインの一方に至る第1開口部と、
前記第1開口部内に設けられた第1プラグ電極と、
前記第1プラグ電極周辺の第1層間絶縁膜上に設けられた絶縁部材と、
前記絶縁部材に設けられて前記第1プラグ電極に至る第2開口部と、
前記第2開口部内に設けられた第2プラグ電極と、
前記絶縁部材上に設けられて前記第2プラグ電極上を覆う強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタ下以外の前記第1層間絶縁膜上に設けられた配線部材と、
前記配線部材と前記強誘電体キャパシタとを覆うように前記第1層間絶縁膜上に設けられた第2層間絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
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Cited By (1)
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JP2014086561A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-08-31 JP JP2004251484A patent/JP2006073560A/ja not_active Withdrawn
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Date | Code | Title | Description |
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A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071106 |