JP2006049792A - 誘電体膜の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 有機金属化合物のゾルを塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、該誘電体前駆体膜を乾燥する乾燥工程と、前記誘電体前駆体膜を脱脂する脱脂工程と、前記誘電体前駆体膜を焼成して誘電体膜とする焼成工程とを有する誘電体膜の製造方法であって、乾燥工程が、誘電体前駆体膜をゾルの主溶媒である溶剤の沸点よりも低い温度に加熱して一定時間保持することで乾燥させる第1の乾燥工程と、誘電体前駆体膜を再加熱して一定時間保持することでさらに乾燥させる第2の乾燥工程とを実施する。
【選択図】 なし
Description
かかる第1の態様では、誘電体膜の結晶が良好に成長し、所望の結晶状態の誘電体膜を形成できる。
かかる第2の態様では、誘電体膜の結晶が良好に成長し、所望の結晶状態の誘電体膜を形成できる。
かかる第3の態様では、連続した工程で降温させることなく連続して加熱することによって、熱処理時間を短縮することができると共に加熱のための無駄なエネルギーを消費させることなく製造コストを低減することができる。
かかる第4の態様では、連続した工程で降温させることなく連続して加熱することによって、さらに熱処理時間を短縮することができると共に加熱のための無駄なエネルギーを消費させることなく製造コストを低減することができる。
かかる第5の態様では、RTP装置によって連続した工程で降温させることなく連続して加熱することができると共に、誘電体前駆体膜の面内方向で熱の均一性を向上して、面内方向で特性を均一化した誘電体膜を形成することができる。
かかる第6の態様では、結晶の配向を制御することで、機械的特性に非常に優れた誘電体膜を形成できる。
かかる第7の態様では、所望の結晶粒径の誘電体膜を形成でき、誘電体膜の機械的特性を向上することができる。
かかる第8の態様では、誘電体前駆体膜が良好に脱脂され、誘電体膜の特性が向上する。
かかる第9の態様では、誘電体前駆体膜が良好に焼成され、誘電体膜の特性が向上する。
かかる第10の態様では、圧電体層の機械的及び電気的特性を向上させて圧電素子の変位特性を向上させることができる。
かかる第11の態様では、誘電体膜の結晶が良好に成長し、所望の結晶状態の誘電体膜を形成できる。
かかる第12の態様では、連続した工程で降温させることなく連続して加熱することによって、熱処理時間を短縮することができると共に加熱のための無駄なエネルギーを消費させることなく製造コストを低減することができる。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及び断面図である。図示するように、流路形成基板10は、本実施形態では面方位(110)のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ0.5〜2μmの弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14を介して連通されている。なお、連通部13は、後述する保護基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
以上、本発明の各実施形態を説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。また、上述した実施形態では、インクジェット式記録ヘッドを例示して本発明を説明したが、勿論、インク以外の液体を噴射するものにも適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、FED(面発光ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
Claims (12)
- 有機金属化合物のゾルを塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、該誘電体前駆体膜を乾燥する乾燥工程と、前記誘電体前駆体膜を脱脂する脱脂工程と、前記誘電体前駆体膜を焼成して誘電体膜とする焼成工程とを有し、
前記乾燥工程が、前記誘電体前駆体膜を前記ゾルの主溶媒である溶剤の沸点よりも低い温度に加熱して一定時間保持することで乾燥させる第1の乾燥工程と、前記誘電体前駆体膜を再加熱して一定時間保持することでさらに乾燥させる第2の乾燥工程とを有することを特徴とする誘電体膜の製造方法。 - 請求項1において、前記第1の乾燥工程、前記第2の乾燥工程、前記脱脂工程及び前記焼成工程をそれぞれ独立して有することを特徴とする誘電体膜の製造方法。
- 請求項1において、前記第1の乾燥工程、前記第2の乾燥工程、前記脱脂工程及び前記焼成工程の連続した少なくとも2工程で、降温させることなく連続して加熱することを特徴とする誘電体膜の製造方法。
- 請求項3において、前記第1の乾燥工程、前記第2の乾燥工程、前記脱脂工程及び前記焼成工程の連続した工程で、降温させることなく連続して加熱することを特徴とする誘電体膜の製造方法。
- 請求項3又は4において、前記第1の乾燥工程、前記第2の乾燥工程、前記脱脂工程及び前記焼成工程の連続した少なくとも2工程を、RTP装置により行うことを特徴とする誘電体膜の製造方法。
- 請求項1〜5の何れかにおいて、前記第2の乾燥工程での到達温度を調整することで、結晶を菱面体晶系の(100)面に優先配向させることを特徴とする誘電体膜の製造方法。
- 請求項1〜6の何れかにおいて、前記第2の乾燥工程での昇温レートを調整することで、結晶粒径を制御することを特徴とする誘電体膜の製造方法。
- 請求項1〜7の何れかにおいて、前記脱脂工程では、前記誘電体前駆体膜を前記溶剤の沸点を100℃以上300℃以下の範囲で上回る温度まで加熱することを特徴とする誘電体膜の製造方法。
- 請求項1〜8の何れかにおいて、前記焼成工程では、前記誘電体前駆体膜を前記溶剤の沸点を400℃以上上回る温度まで加熱することを特徴とする誘電体膜の製造方法。
- 液滴を吐出するノズル開口にそれぞれ連通する圧力発生室に対向する領域に、当該圧力発生室の一方面を構成する振動板を介して圧電素子を形成する工程を具備し、
前記圧電素子を形成する工程が、前記振動板上に下電極膜を形成する工程と、該下電極膜上に圧電体層を形成する工程と、該圧電体層上に上電極膜を形成する工程とからなり、且つ前記圧電体層を形成する工程では、有機金属化合物のゾルを塗布して圧電体前駆体膜を形成する工程と、該圧電体前駆体膜を前記ゾルの主溶媒である溶剤の沸点よりも低い温度に加熱して一定時間保持することで乾燥させる第1の乾燥工程と、前記圧電体前駆体膜を前記溶剤の沸点以上の温度まで加熱して一定時間保持することでさらに乾燥させる第2の乾燥工程と、前記圧電体前駆体膜を前記溶剤の沸点を上回る温度に加熱して脱脂させる脱脂工程と、前記圧電体前駆体膜を結晶化させて前記圧電体膜とする焼成工程とを有する圧電体層形成工程を複数回行なって複数層の圧電体膜からなる圧電体層を積層することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。 - 請求項10において、前記第1の乾燥工程、前記第2の乾燥工程、前記脱脂工程及び前記焼成工程をそれぞれ独立して有することを特徴とする誘電体膜の製造方法。
- 請求項10において、前記第1の乾燥工程、前記第2の乾燥工程、前記脱脂工程及び前記焼成工程の連続した少なくとも2工程で、降温させることなく連続して加熱することを特徴とする誘電体膜の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006306709A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Seiko Epson Corp | 誘電体膜の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法、誘電体膜、圧電体素子、及び液体噴射装置 |
JP2007258389A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | 圧電膜とその製造方法、及び圧電素子 |
JP2012054560A (ja) * | 2011-09-02 | 2012-03-15 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の製造方法、インクジェット式記録ヘッドの製造方法およびインクジェットプリンタの製造方法 |
JP2013225669A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-10-31 | Ricoh Co Ltd | 圧電体膜の製造方法、圧電体膜、電気―機械変換素子の製造方法、および、液体吐出ヘッド、インクジェットプリンタ。 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4956939B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2012-06-20 | Tdk株式会社 | 誘電体膜及びその製造方法 |
JP2009163058A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置とその製造方法並びに電子機器 |
JP5382905B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2014-01-08 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子の製造方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
US9761785B2 (en) | 2011-10-17 | 2017-09-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Stylo-epitaxial piezoelectric and ferroelectric devices and method of manufacturing |
US8866367B2 (en) | 2011-10-17 | 2014-10-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Thermally oxidized seed layers for the production of {001} textured electrodes and PZT devices and method of making |
JP5919956B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-05-18 | 三菱マテリアル株式会社 | Pzt系強誘電体薄膜の製造方法 |
JP6544909B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2019-07-17 | キヤノン株式会社 | 記録素子基板、液体吐出ヘッドおよびインクジェット記録装置 |
US10745820B2 (en) * | 2014-12-31 | 2020-08-18 | Essilor International | Method of mirror coating an optical article and article thereby obtained |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08247668A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Ngk Insulators Ltd | 加熱炉及びその運転方法 |
JPH10274486A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスの焼成装置 |
WO1999036353A1 (fr) * | 1998-01-19 | 1999-07-22 | Seiko Epson Corporation | Procede de formation d'une couche mince ceramique d'oxyde |
JP2001130958A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-15 | Seiko Epson Corp | 圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法 |
JP2001298222A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
JP2002043642A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Seiko Epson Corp | 強誘電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ |
WO2003098714A1 (fr) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Seiko Epson Corporation | Actionneur piezo-electrique et tête à jet d'encre |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3966479B2 (ja) * | 1993-04-16 | 2007-08-29 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ゾルーゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法 |
DE69617288T2 (de) * | 1995-02-20 | 2002-05-23 | Seiko Epson Corp | Verfahren zur Herstellung einer piezoelektrischen Dünnschicht |
JP3188179B2 (ja) * | 1995-09-26 | 2001-07-16 | シャープ株式会社 | 強誘電体薄膜素子の製造方法及び強誘電体メモリ素子の製造方法 |
JP3209082B2 (ja) * | 1996-03-06 | 2001-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体薄膜素子及びその製造方法、並びにこれを用いたインクジェット式記録ヘッド |
JP3366212B2 (ja) | 1997-02-10 | 2003-01-14 | シャープ株式会社 | 強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子及び強誘電体メモリ装置 |
JPH10270646A (ja) | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Sharp Corp | 強誘電体薄膜素子の製造方法及び半導体装置 |
US5909482A (en) * | 1997-09-08 | 1999-06-01 | Ultratec, Inc. | Relay for personal interpreter |
US6594346B2 (en) * | 1997-09-08 | 2003-07-15 | Ultratec, Inc. | Relay for personal interpreter |
US6603835B2 (en) * | 1997-09-08 | 2003-08-05 | Ultratec, Inc. | System for text assisted telephony |
JP3517876B2 (ja) * | 1998-10-14 | 2004-04-12 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体薄膜素子の製造方法、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタ |
US7881441B2 (en) * | 2005-06-29 | 2011-02-01 | Ultratec, Inc. | Device independent text captioned telephone service |
US6824814B2 (en) | 2002-05-21 | 2004-11-30 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Preparation of LCPMO thin films which have reversible resistance change properties |
CN100385698C (zh) * | 2002-06-24 | 2008-04-30 | 精工爱普生株式会社 | 压电元件及液体喷头 |
JP4081809B2 (ja) | 2002-06-24 | 2008-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体素子の製造方法 |
JP2004111835A (ja) | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Canon Inc | 圧電体素子の製造方法、圧電体素子及びインクジェット式記録ヘッド |
JP3791614B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2006-06-28 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体膜、強誘電体メモリ装置、圧電素子、半導体素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド及びプリンタ |
JP4016421B2 (ja) | 2002-11-21 | 2007-12-05 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体デバイス、液体吐出ヘッド、強誘電体デバイス及び電子機器の製造方法 |
US7142642B2 (en) * | 2003-11-04 | 2006-11-28 | Mci, Llc | Systems and methods for facilitating communications involving hearing-impaired parties |
US7315612B2 (en) * | 2003-11-04 | 2008-01-01 | Verizon Business Global Llc | Systems and methods for facilitating communications involving hearing-impaired parties |
US7142643B2 (en) * | 2004-12-17 | 2006-11-28 | Sorenson Communications, Inc. | Method and system for unifying phonebook for varied hearing disabilities |
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2004
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2008
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08247668A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Ngk Insulators Ltd | 加熱炉及びその運転方法 |
JPH10274486A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスの焼成装置 |
WO1999036353A1 (fr) * | 1998-01-19 | 1999-07-22 | Seiko Epson Corporation | Procede de formation d'une couche mince ceramique d'oxyde |
JP2001130958A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-15 | Seiko Epson Corp | 圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法 |
JP2001298222A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
JP2002043642A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Seiko Epson Corp | 強誘電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ |
WO2003098714A1 (fr) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Seiko Epson Corporation | Actionneur piezo-electrique et tête à jet d'encre |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006306709A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Seiko Epson Corp | 誘電体膜の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法、誘電体膜、圧電体素子、及び液体噴射装置 |
JP2007258389A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | 圧電膜とその製造方法、及び圧電素子 |
JP2012054560A (ja) * | 2011-09-02 | 2012-03-15 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の製造方法、インクジェット式記録ヘッドの製造方法およびインクジェットプリンタの製造方法 |
JP2013225669A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-10-31 | Ricoh Co Ltd | 圧電体膜の製造方法、圧電体膜、電気―機械変換素子の製造方法、および、液体吐出ヘッド、インクジェットプリンタ。 |
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