JP2006282456A - Pzt薄膜形成用組成物及びpzt薄膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 MOD法やゾル−ゲル法に適用でき、組成が均一な強誘電体薄膜を製造することができるPZT薄膜形成用組成物及びPZT薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を構成する金属を含む有機金属化合物を含有するコロイド溶液であり、Tiを含む有機金属化合物としてTiの多座配位子化合物を含有すると共に、Zrを含む有機金属化合物としてZrのアルコキシドを含有するPZT薄膜形成用組成物とする。
【選択図】 なし
【解決手段】 チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を構成する金属を含む有機金属化合物を含有するコロイド溶液であり、Tiを含む有機金属化合物としてTiの多座配位子化合物を含有すると共に、Zrを含む有機金属化合物としてZrのアルコキシドを含有するPZT薄膜形成用組成物とする。
【選択図】 なし
Description
本発明は、MOD(Metal Organic Deposition)法やゾル−ゲル法によって強誘電体薄膜を形成するのに用いられるPZT薄膜形成用組成物及びPZT薄膜の製造方法に関する。
チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等に代表される結晶を含む強誘電体薄膜は、自発分極、高誘電率、電気光学効果、圧電効果、焦電効果等を有しているため、圧電素子等の広範なデバイス開発に応用されている。また、このような強誘電体薄膜の成膜方法としては、例えば、MOD法、ゾル−ゲル法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、スパッタリング法等が知られているが、特に、MOD法及びゾル−ゲル法は、強誘電体薄膜を比較的低コストで且つ簡便に成膜することができるという利点を有する。
例えば、強誘電体薄膜は、MOD法によって成膜する場合、一般的に、金属アルコキシド等の有機金属化合物をアルコールに溶解し、これに加水分解抑制剤等を加えて得たコロイド溶液を被対象物上に塗布した後、これを乾燥して焼成することで成膜される。一方、ゾル−ゲル法によって成膜する場合には、有機金属化合物をアルコールに溶解し、この有機金属化合物の溶液に必要最小限の水を加えて加水分解及び重縮合させて得たコロイド溶液を用いる以外、MOD法と同様にして強誘電体薄膜が成膜される(例えば、特許文献1参照)。
ここで、MOD法及びゾル−ゲル法を用いた強誘電体薄膜の製造方法について具体的に説明する。タンクに貯留された強誘電体薄膜形成用組成物を乾燥窒素ガス等の乾燥不活性ガス(キャリヤーガス)により被対象物上に配置されたノズルまで搬送し、強誘電体薄膜形成用組成物をそのノズルから回転する被対象物上に滴下する。これによって、被対象物上に前駆体膜を成膜し、これを乾燥及び脱脂してゲル化した後、さらに焼成することにより、強誘電体薄膜が製造される。
しかしながら、このようなMOD法及びゾル−ゲル法を用いた強誘電体薄膜の製造方法においては、製造された強誘電体膜の深さ方向での組成傾斜、すなわち、例えば、PZT膜の場合、PZT成分うちチタン(Ti)及び鉛(Pb)の濃度に、膜の深さ方向でのばらつきが生じるという問題がある。そして、このような組成傾斜によって、PZT膜の変位特性等が低下するという問題が生じる。
本発明はこのような事情に鑑み、MOD法やゾル−ゲル法に適用でき、組成が均一な強誘電体薄膜を製造することができるPZT薄膜形成用組成物及びPZT薄膜の製造方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決する本発明の第1の態様は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を構成する金属を含む有機金属化合物を含有するコロイド溶液であり、Tiを含む有機金属化合物としてTiの多座配位子化合物を含有すると共に、Zrを含む有機金属化合物としてZrのアルコキシドを含有することを特徴とするPZT薄膜形成用組成物にある。
かかる第1の態様では、Tiの多座配位子化合物を含有すると共にZrのアルコキシドを含有するので、薄膜形成時にチタン酸鉛(PT)及びジルコン酸鉛(PZ)の結晶化のバランスが良好となり、乾燥温度等の乾燥焼結条件に大きく左右されることなく、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。
かかる第1の態様では、Tiの多座配位子化合物を含有すると共にZrのアルコキシドを含有するので、薄膜形成時にチタン酸鉛(PT)及びジルコン酸鉛(PZ)の結晶化のバランスが良好となり、乾燥温度等の乾燥焼結条件に大きく左右されることなく、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。
本発明の第2の態様は、第1の態様において、前記Tiの多座配位子化合物が、テトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)であることを特徴とするPZT薄膜形成用組成物にある。
かかる第2の態様では、テトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)を用いることにより、チタン酸鉛(PT)の結晶化が、ジルコン酸鉛(PZ)の結晶化とバランス良く進み、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。
かかる第2の態様では、テトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)を用いることにより、チタン酸鉛(PT)の結晶化が、ジルコン酸鉛(PZ)の結晶化とバランス良く進み、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。
本発明の第3の態様は、第1又は2の態様において、前記Zrのアルコキシドが、テトラエトキシジルコニウム及びテトライソプロポキシジルコニウムからなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とするPZT薄膜形成用組成物にある。
かかる第3の態様では、Zrのアルコキシドとして、テトラエトキシジルコニウム及びテトライソプロポキシジルコニウムからなる群から選択され化合物を用いるので、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができるPZT薄膜形成用組成物となる。
かかる第3の態様では、Zrのアルコキシドとして、テトラエトキシジルコニウム及びテトライソプロポキシジルコニウムからなる群から選択され化合物を用いるので、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができるPZT薄膜形成用組成物となる。
本発明の第4の態様は、第1〜3の何れかの態様において、さらに、加水分解抑制剤を含有することを特徴とするPZT薄膜形成用組成物にある。
かかる第4の態様では、加水分解抑制剤を含有するので、安定したPZT薄膜形成用組成物となる。
かかる第4の態様では、加水分解抑制剤を含有するので、安定したPZT薄膜形成用組成物となる。
本発明の第5の態様は、第4の態様において、前記加水分解抑制剤が、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン及びアセチルアセトンからなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とするPZT薄膜形成用組成物にある。
かかる第5の態様では、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン及びアセチルアセトンからなる群から選択される少なくとも一種を含有するので、安定したPZT薄膜形成用組成物となる。
かかる第5の態様では、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン及びアセチルアセトンからなる群から選択される少なくとも一種を含有するので、安定したPZT薄膜形成用組成物となる。
本発明の第6の態様は、第1〜5の何れかの態様において、さらに、酢酸を含有することを特徴とするPZT薄膜形成用組成物にある。
かかる第6の態様では、酢酸がテトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)の極近傍に存在することで、テトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)の分散が安定化するPZT薄膜形成用組成物となる。
かかる第6の態様では、酢酸がテトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)の極近傍に存在することで、テトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)の分散が安定化するPZT薄膜形成用組成物となる。
本発明の第7の態様は、第1〜6の何れかの態様に記載のPZT薄膜形成用組成物を被対象物上に塗布し、これを乾燥して焼成することにより前記強誘電体薄膜を形成することを特徴とするPZT薄膜の製造方法にある。
かかる第7の態様では、Tiの多座配位子化合物を含有すると共にZrのアルコキシドを含有するPZT薄膜形成用組成物を用いるので、薄膜形成時にPT及びPZの結晶化のバランスが良好となり、乾燥温度等の乾燥焼結条件に大きく左右されることなく、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。
かかる第7の態様では、Tiの多座配位子化合物を含有すると共にZrのアルコキシドを含有するPZT薄膜形成用組成物を用いるので、薄膜形成時にPT及びPZの結晶化のバランスが良好となり、乾燥温度等の乾燥焼結条件に大きく左右されることなく、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。
本発明の第8の態様は、第7の態様において、乾燥して焼成するに際し、第1の乾燥工程と、第2の乾燥工程と、脱脂工程と、焼成工程とを実施し、前記第1の乾燥工程を140℃〜170℃で実施し、前記第2の乾燥工程を140℃〜280℃で実施することを特徴とするPZT薄膜の製造方法にある。
かかる第8の態様では、所定の工程を経てPZT薄膜を得るが、第2の乾燥工程の温度条件を幅広く設定することが可能で、その結果、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。
かかる第8の態様では、所定の工程を経てPZT薄膜を得るが、第2の乾燥工程の温度条件を幅広く設定することが可能で、その結果、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。
本発明の第9の態様は、第8の態様において、前記第2の乾燥工程を180℃〜280℃で実施することを特徴とするPZT薄膜の製造方法にある。
かかる第9の態様では、第2の乾燥工程を180℃〜280℃で実施して高沸点アルコール溶媒を除去するようにしても、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。
かかる第9の態様では、第2の乾燥工程を180℃〜280℃で実施して高沸点アルコール溶媒を除去するようにしても、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
(実施形態1)
本発明のPZT薄膜形成用組成物は、MOD(Metal Organic Deposition)法やゾル−ゲル法によってPZT薄膜を形成するのに用いられるコロイド溶液(ゾル)であり、具体的には、PZT薄膜を構成する金属を含む有機金属化合物と、アルコール類などの所望の溶媒とを少なくとも含有するものである。
(実施形態1)
本発明のPZT薄膜形成用組成物は、MOD(Metal Organic Deposition)法やゾル−ゲル法によってPZT薄膜を形成するのに用いられるコロイド溶液(ゾル)であり、具体的には、PZT薄膜を構成する金属を含む有機金属化合物と、アルコール類などの所望の溶媒とを少なくとも含有するものである。
ここで、PZT薄膜を構成する金属を含む有機金属化合物とは、Pb、Zr及びTiをそれぞれ含む有機金属化合物である。ここで、本発明では、Tiを含む有機金属化合物としてTiの多座配位子化合物を用い、且つZrを含む有機金属化合物としてZrのアルコキシドを用いる。これは薄膜形成時にチタン酸鉛(PT)及びジルコン酸鉛(PZ)の結晶化のバランスが良好となり、乾燥温度等の乾燥焼結条件に大きく左右されることなく、組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができるからである。すなわち、Tiの多座配位子化合物とZrのアルコキシドとを比較すると、前者の方が相対的に分解しがたいが、PTの結晶化温度が400℃であるのに対して、PZの結晶化温度は500℃であるから、PT及びPZの結晶化のタイミングが同等になり、所望の組成比で組成傾斜のないPZT薄膜を得ることができる。Tiの多座配位子化合物としては、例えば、テトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4、ヘキサフルオロチタン酸アンモニウム(F6Ti(NH4)2)、トリクロロインデニルチタン(C9H7Cl3Ti)などを挙げることができる。また、Zrのアルコキシドとしては、テトラエトキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、テトラーn−プロポキシジルコニウム、テトラ−n−ブトキシジルコニウムなどを挙げることができる。
なお、Pbを含む有機金属化合物は特に限定されず、従来から通常使われている化合物を用いることができ、例えば、酢酸鉛3水和物(Pb(CH3COO)2・3H2O)、塩基性炭酸鉛(Pb(CO3))、硝酸鉛(Pb(NO3))、ジ−i−プロポキシ鉛(Pb(O−i−C3H7)2を挙げることができる。
一方、本発明のPZT薄膜形成用組成物に用いられる溶媒は、例えば、アルコール類であり、例えば、ブトキシエタノール、プロパノール等が挙げられる。
また、本発明のPZT薄膜形成用組成物は、好ましくは、有機金属化合物の加水分解を抑制する加水分解抑制剤を含有するものである。ここで、加水分解抑制剤としては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、及びアセチルアセトン等が挙げられる。
なお、本発明のPZT薄膜形成用組成物には、必要に応じて、有機金属化合物を安定化させ、これにより強誘電体薄膜のクラックの発生を防止するための安定化剤として、例えば、ポリエチレングリコール等を添加物として加えてもよく、その他の添加剤として、増粘剤等を加えてもよい。さらに、添加剤として酢酸を添加するのが好ましい。これは、
酢酸がテトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)の極近傍に存在することで、テトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)の分散が安定化するPZT薄膜形成用組成物となるからである。
酢酸がテトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)の極近傍に存在することで、テトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)の分散が安定化するPZT薄膜形成用組成物となるからである。
(実施形態2)
以下、上述したPZT薄膜形成用組成物を用いての本発明のPZT薄膜の製造方法を、液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの製造に適用した場合を例として説明する。
以下、上述したPZT薄膜形成用組成物を用いての本発明のPZT薄膜の製造方法を、液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの製造に適用した場合を例として説明する。
図1は、本実施形態のPZT薄膜の製造方法を適用するインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及び断面図である。図示するように、流路形成基板10は、本実施形態では面方位(110)のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ0.5〜2μmの弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14を介して連通されている。なお、連通部13は、後述する保護基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。なお、ノズルプレート20は、厚さが例えば、0.01〜1mmで、線膨張係数が300℃以下で、例えば2.5〜4.5[×10-6/℃]であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又は不錆鋼などからなる。
一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように、厚さが例えば約1.0μmの二酸化シリコン(SiO2)からなる弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、厚さが例えば、約0.4μmの酸化ジルコニウム(ZrO2)からなる絶縁体膜55が形成されている。また、この絶縁体膜55上には、厚さが例えば、約0.2μmの下電極膜60と、厚さが例えば、約1.0μmの圧電体層70と、厚さが例えば、約0.05μmの上電極膜80とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、下電極膜60、圧電体層70及び上電極膜80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層70から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜60は圧電素子300の共通電極とし、上電極膜80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。また、このような各圧電素子300の上電極膜80には、例えば、金(Au)等からなるリード電極90がそれぞれ接続され、このリード電極90を介して各圧電素子300に選択的に電圧が印加されるようになっている。
なお、このような圧電素子300を構成する圧電体層70を、本発明のPZT薄膜形成用組成物を用いて製造したチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜で構成する。
また、流路形成基板10上の圧電素子300側の面には、圧電素子300に対向する領域にその運動を阻害しない程度の空間を確保可能な圧電素子保持部31を有する保護基板30が接合されている。さらに、保護基板30には、流路形成基板10の連通部13に対応する領域にリザーバ部32が設けられている。このリザーバ部32は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の並設方向に沿って設けられており、上述したように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバ100を構成している。
また、保護基板30の圧電素子保持部31とリザーバ部32との間の領域には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられ、この貫通孔33内に下電極膜60の一部及びリード電極90の先端部が露出され、これら下電極膜60及びリード電極90には、図示しないが、駆動ICから延設される接続配線の一端が接続される。
なお、保護基板30の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
また、保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料(例えば、厚さが6μmのポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム)からなり、この封止膜41によってリザーバ部32の一方面が封止されている。また、固定板42は、金属等の硬質の材料(例えば、厚さが30μmのステンレス鋼(SUS)等)で形成される。この固定板42のリザーバ100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザーバ100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動ICからの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの下電極膜60と上電極膜80との間に電圧を印加し、弾性膜50、絶縁体膜55、下電極膜60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
ここで、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図3〜図6を参照して説明する。なお、図3〜図6は、圧力発生室12の長手方向の断面図である。まず、図3(a)に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ110を約1100℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコン膜51を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板10として、板厚が約625μmと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
次いで、図3(b)に示すように、弾性膜50(二酸化シリコン膜51)上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成する。具体的には、まず、弾性膜50上に、例えば、DCスパッタ法によりジルコニウム層を形成し、このジルコニウム層を熱酸化することにより酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成する。次いで、図3(c)に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜55上に積層することにより下電極膜60を形成後、この下電極膜60を所定形状にパターニングする。
次に、図3(d)に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)からなる圧電体層70を形成する。ここで、本実施形態では、実施形態1のPZT薄膜形成用組成物を塗布し、乾燥焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆるMOD法を用いて圧電体層70を形成する。なお、ゾル−ゲル法を用いてもよい。
圧電体層70の具体的な形成手順としては、まず、図4(a)に示すように、下電極膜60上にPZT前駆体膜である圧電体前駆体膜71を成膜する。すなわち、下電極膜60が形成された流路形成基板10上にPZT薄膜形成用組成物を(コロイド溶液)を塗布する(塗布工程)。次いで、圧電体前駆体膜71を、室温からコロイド溶液の主溶媒である溶剤の沸点よりも低い温度、例えば、140℃〜170℃に加熱して一定時間乾燥させ、コロイド溶液の溶媒を蒸発させることで圧電体前駆体膜71を乾燥させる(第1の乾燥工程)。
ここで、コロイド溶液の主溶媒が、例えば、沸点が176℃である2−n−ブトキシエタノールを用いている場合には、本実施形態では、図7に示すように、第1の乾燥工程200において、塗布したコロイド溶液を溶剤の沸点である176℃(図中点線で示す)以下、例えば、約170℃程度に加熱して8〜10分間程度保持することで、圧電体前駆体膜71を乾燥させる。
次いで、圧電体前駆体膜71を再び加熱することにより、例えば、本実施形態では、コロイド溶液の主溶媒である溶剤の沸点よりも高い温度まで上昇させて一定時間保持し、ゾルの主溶媒をさらに蒸発させて圧電体前駆体膜71を乾燥させる(第2の乾燥工程)。第2の乾燥工程201における到達温度は、溶剤の沸点よりも高い温度、例えば、140℃〜280℃であることが好ましく、また、乾燥時間は、8〜30分間程度であることが好ましい。例えば、本実施形態では、図7に示すように、第2の乾燥工程201において、溶剤として2−n−ブトキシエタノールを用いているので、最低限、その沸点よりも高い約178℃まで温度を上昇させればよい。但し、主溶媒の他、高沸点(例えば、180℃〜250℃)のアルコールを含有する場合には、180℃〜280℃、好ましくは、200℃〜280℃、本実施形態では250℃程度とした。
また、この第2の乾燥工程での昇温レートは、例えば、0.5〜1.5(℃/sec)であり、また、乾燥時間は、例えば、5分〜30分程度であることが好ましい。なお、ここで言う「昇温レート」とは、加熱開始時の温度(室温)と到達温度との温度差の20%上昇した温度から、温度差の80%の温度に達するまでの温度の時間変化率と規定する。例えば、室温25℃から100℃まで50秒で昇温させた場合の昇温レートは、(100−25)×(0.8−0.2)/50=0.9[℃/sec]となる。
また、このような乾燥工程で用いる加熱装置としては、例えば、クリーンオーブン(拡散炉)、あるいはベーク装置等が挙げられるが、特に、ベーク装置を用いることが好ましい。クリーンオーブンでは、熱風を当てることによって温度を制御しているため、流路形成基板用ウェハの面内方向で、圧電体前駆体膜の特性がばらつきやすいからである。
このような第1及び第2の乾燥工程によって圧電体前駆体膜71を乾燥後、さらに大気雰囲気下において一定の温度で一定時間、圧電体前駆体膜71を脱脂する(脱脂工程)。なお、ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜71の有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。
脱脂工程における加熱方法は、特に限定されないが、本実施形態では、流路形成基板用ウェハよりも外径が若干大きい所定厚さのアルミ板である治具を介して、ホットプレート上に流路形成基板用ウェハを載置して、圧電体前駆体膜71を所定の温度まで上昇させている。脱脂工程での到達温度は、コロイド溶液の主溶媒である溶剤の沸点よりも、100℃〜300℃の範囲から選択された温度だけ上回っていることが好ましい。例えば、本実施形態では、溶剤の沸点が176℃であるため、脱脂温度は、276℃〜476℃の範囲の温度とするのが好ましく、さらに好適には、300℃〜400℃の範囲である。温度が高すぎると結晶化が始まってしまい、また温度が低すぎると十分な脱脂が行えないからである。また、脱脂工程は、10分以上行うことが好ましい。なお、本実施形態では、図7に示すように、脱脂工程202において、乾燥した圧電体前駆体膜71を300℃〜400℃程度まで上昇させ約15〜30分間保持することで圧電体前駆体膜71を脱脂した。なお、本実施形態では、脱脂工程の到達温度は、320℃程度とするのが最適である。
また、圧電体層の結晶性を向上させるためには、脱脂工程における昇温レートが重要である。具体的には、脱脂工程における昇温レートを0.5〜1.5[℃/sec]とするのが好ましく、これにより、圧電体層の(100)配向強度を向上でき、且つ流路形成基板用ウェハの面内方向における配向強度のばらつきも小さく抑えることができる。
なお、ここで言う「昇温レート」とは、乾燥工程時と同様に、加熱開始時の温度(室温)と到達温度との温度差の20%上昇した温度から、温度差の80%の温度に達するまでの温度の時間変化率である。
このような塗布工程・第1の乾燥工程・第2の乾燥工程・脱脂工程を所定回数、例えば、本実施形態では、2回繰り返すことで、図4(b)に示すように、所定厚の圧電体前駆体膜72を形成する。なお、本実施形態では、塗布工程・第1の乾燥・第2の乾燥・脱脂工程を2回繰り返すことで所定厚の圧電体前駆体膜72を形成したが、勿論、繰り返し回数は2回に限らず、1回のみでもよいし、3回以上でもよい。
その後、この圧電体前駆体膜72を加熱処理することによって結晶化させ、圧電体膜73を形成する(焼成工程)。焼結条件は材料により異なるが、例えば、図7に示すように、本実施形態では、焼成工程203において、680℃以上で5〜30分間加熱を行って圧電体前駆体膜72を焼成して圧電体膜73を形成した。なお、加熱装置としては、拡散炉を使用することができるほか、例えば、RTA(Rapid Thermal Annealing)装置を使用してもよい。
そして、上述した塗布工程・第1及び第2の乾燥工程・脱脂工程・焼成工程を、複数回繰り返すことで、図4(c)に示すように、複数層、本実施形態では、5層の圧電体膜73からなる所定厚さの圧電体層70を形成する。例えば、コロイド溶液の塗布1回あたりの膜厚が0.1μm程度の場合には、圧電体層70全体の膜厚は約1μmとなる。
このように、圧電体前駆体膜71を加熱する工程である第1の乾燥工程200、第2の乾燥工程201、脱脂工程202及び焼成工程203をそれぞれ独立させて実施することで(図7参照)、特性に優れた圧電体層70を形成することができる。また、第2の乾燥工程201における到達温度を調整することで、圧電体層の結晶配向を制御することができる。例えば、本実施形態に係る圧電体層70の結晶系は菱面体晶系であるため、その結晶は(100)面に配向していることが望ましい。
ここで、第2の乾燥工程201においてコロイド溶液の主溶媒である溶剤の沸点よりも高い温度まで上昇させることで、結晶を(100)面に配向させることができるが、第2の乾燥工程201の到達温度をゾルの主溶媒である溶剤の沸点よりも低い温度とした場合、圧電体層70の結晶は(111)面に配向してしまう。ここで、従来のPZT薄膜形成用組成物を用いると、第2の乾燥工程201での到達温度があまり高過ぎると、有機金属化合物の分解と結晶化のバランスが崩れる等の要因により(100)面配向強度が低下してしまうという問題があったが、上述した本発明の実施形態に係るPZT薄膜形成用組成物を用いると、このような問題が解消され、十分高い温度で第2の乾燥工程を行うことができるという効果がある。すなわち、本発明のPZT薄膜用組成物を用いると、第2の乾燥工程の温度条件を厳しく管理する必要がなく、(100)面配向強度が良好なPZT薄膜を得ることができる。
また、本実施形態では、図7に示すように、第1の乾燥工程200、第2の乾燥工程201、脱脂工程202及び焼成工程203をそれぞれ独立させて実施することで、圧電体層70を形成するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、図8に示すように、第1の乾燥工程200、第2の乾燥工程201、脱脂工程202及び焼成工程203の連続する工程で降温させることなく連続して加熱するようにしてもよい。すなわち、図8に示すように、第2の乾燥工程201では、第1の乾燥工程200の処理温度から第2の乾燥工程201の処理温度まで連続して加熱し、脱脂工程202では、第2の乾燥工程201の処理温度から脱脂工程202の処理温度まで連続して加熱し、さらに、焼成工程203では、脱脂工程202の処理温度から焼成温度203の処理温度まで連続して加熱するようにしてもよい。
なお、このように第1の乾燥工程200、第2の乾燥工程201、脱脂工程202及び焼成工程203の各工程で、前工程の加熱温度から降温させることなく次の工程で連続して加熱することができる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTP(Rapid Thermal Processing)装置が挙げられる。このRTP装置は、室温から800℃程度までの温度領域において、昇温レートを0〜15℃/secで自由に制御することが可能なものであり、第1の乾燥工程200、第2の乾燥工程201、脱脂工程202及び焼成工程203の加熱条件を満たすものである。
このように、第1の乾燥工程200、第2の乾燥工程201、脱脂工程202及び焼成工程203の連続する工程で、降温させることなく連続して加熱することで、前工程の加熱温度まで次の工程で再度加熱する必要がなく、各工程の熱処理時間を短縮することができると共に、加熱による無駄なエネルギーを消費させることなく製造コストを低減させることができる。また、各工程で同じ加熱装置を用いることで、流路形成基板用ウェハ110を異なる装置に入れ替える作業を省略することができ、作業を簡略化して生産性を向上することができる。
そして、このように圧電体層70を形成後は、図5(a)に示すように、例えば、イリジウムからなる上電極膜80を流路形成基板用ウェハ110の全面に形成する。次いで、図5(b)に示すように、圧電体層70及び上電極膜80を、各圧力発生室12に対向する領域にパターニングして圧電素子300を形成する。次に、リード電極90を形成する。具体的には、図5(c)に示すように、流路形成基板用ウェハ110の全面に亘って、例えば、金(Au)等からなる金属層91を形成する。その後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン(図示なし)を介して金属層91を各圧電素子300毎にパターニングすることでリード電極90が形成される。
次に、図5(d)に示すように、流路形成基板用ウェハ110の圧電素子300側に、シリコンウェハであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハ130を接合する。なお、この保護基板用ウェハ130は、例えば、400μm程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ130を接合することによって流路形成基板用ウェハ110の剛性は著しく向上することになる。
次いで、図6(a)に示すように、流路形成基板用ウェハ110をある程度の厚さとなるまで研磨した後、更に弗化硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ110を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、約70μm厚になるように流路形成基板用ウェハ110をエッチング加工した。次いで、図6(b)に示すように、流路形成基板用ウェハ110上に、例えば、窒化シリコン(SiN)からなるマスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、このマスク膜52を介して流路形成基板用ウェハ110を異方性エッチングすることにより、図6(c)に示すように、流路形成基板用ウェハ110に圧力発生室12、連通部13及びインク供給路14等を形成する。
なお、その後は、流路形成基板用ウェハ110及び保護基板用ウェハ130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ110の保護基板用ウェハ130とは反対側の面にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハ130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハ110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
(他の実施形態)
以上、本発明の各実施形態を説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。また、上述した実施形態では、インクジェット式記録ヘッドを例示して本発明を説明したが、勿論、インク以外の液体を噴射するものにも適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、FED(面発光ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
以上、本発明の各実施形態を説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。また、上述した実施形態では、インクジェット式記録ヘッドを例示して本発明を説明したが、勿論、インク以外の液体を噴射するものにも適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、FED(面発光ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
以下、本発明のPZT薄膜形成用組成物を実施例及び比較例に基づいてさらに詳細に説明する。
(実施例)
フラスコ内に354[g]の2−n−ブトキシエタノール(CH3(CH2)3OCH2CH2OH)を入れた後、このフラスコ内に、45.6[g](0.135[mol])のテトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4を加え、これを室温下で攪拌して溶液Aとした。次に、フラスコ内の溶液Aに、68.8[g]のジエタノールアミン(HN(CH2CH2OH)2)を混合し、これを室温下で攪拌して溶液Bとした。次いで、フラスコ内の溶液Bに、139.8[g](0.368[mol])の酢酸鉛3水和物(Pb(CH3COO)2・3H2O)を加えた後、46.0[g](0.169[mol])のテトラエトキシジルコニウムを加えて、これを70[℃]に加熱しながら、45分間攪拌した後、室温になるまで自然冷却して溶液Cとした。その後、フラスコ内の溶液Cに、34.2[g]のポリエチレングリコール((―CH2CH2O―)n)[平均分子量400]を加え、これを室温下で攪拌し、これを実施例のPZT薄膜形成用組成物(Pb1.21(Zr0.556Ti0.444)O3薄膜形成用組成物)とした。
フラスコ内に354[g]の2−n−ブトキシエタノール(CH3(CH2)3OCH2CH2OH)を入れた後、このフラスコ内に、45.6[g](0.135[mol])のテトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4を加え、これを室温下で攪拌して溶液Aとした。次に、フラスコ内の溶液Aに、68.8[g]のジエタノールアミン(HN(CH2CH2OH)2)を混合し、これを室温下で攪拌して溶液Bとした。次いで、フラスコ内の溶液Bに、139.8[g](0.368[mol])の酢酸鉛3水和物(Pb(CH3COO)2・3H2O)を加えた後、46.0[g](0.169[mol])のテトラエトキシジルコニウムを加えて、これを70[℃]に加熱しながら、45分間攪拌した後、室温になるまで自然冷却して溶液Cとした。その後、フラスコ内の溶液Cに、34.2[g]のポリエチレングリコール((―CH2CH2O―)n)[平均分子量400]を加え、これを室温下で攪拌し、これを実施例のPZT薄膜形成用組成物(Pb1.21(Zr0.556Ti0.444)O3薄膜形成用組成物)とした。
(比較例)
Tiを含む有機金属化合物として、チタニウムテトライソプロポキシド(Ti((CH3)2CHO)4)を用い、Zrを含む有機金属化合物として、ジルコニウムアセチルアセトナート(Zr(CH3COCHCOCH3)4)を用いた以外は、実施例と同様にして、比較例のPZT薄膜形成用組成物とした。
Tiを含む有機金属化合物として、チタニウムテトライソプロポキシド(Ti((CH3)2CHO)4)を用い、Zrを含む有機金属化合物として、ジルコニウムアセチルアセトナート(Zr(CH3COCHCOCH3)4)を用いた以外は、実施例と同様にして、比較例のPZT薄膜形成用組成物とした。
(試験例)
実施例及び比較例のPZT薄膜形成用組成物をそれぞれ用いて、実施形態2の製造条件に準じてPZT薄膜を製造し、それぞれについてXRD波形を測定した結果を図9に示す。図9(a)は、PZT薄膜をωスキャンして得られるもので、PZT(200)面の基板法線方向からの傾きを表すものである。ピークの中心から低角側及び高角側への分布は配向が傾いている状態を示している。
実施例及び比較例のPZT薄膜形成用組成物をそれぞれ用いて、実施形態2の製造条件に準じてPZT薄膜を製造し、それぞれについてXRD波形を測定した結果を図9に示す。図9(a)は、PZT薄膜をωスキャンして得られるもので、PZT(200)面の基板法線方向からの傾きを表すものである。ピークの中心から低角側及び高角側への分布は配向が傾いている状態を示している。
この結果、図9(b)に示すように、実施例のPZT薄膜形成用組成物を用いたPZT薄膜では、半価幅が小さく、薄膜の厚さ方向に傾斜組成が殆どないことを示しているが、比較例のPZT薄膜形成用組成物を用いたPZT薄膜では半価幅が大きく、組成が傾斜していることが確認された。
10 流路形成基板、 12 圧力発生室、 20 ノズルプレート、 21 ノズル開口、 30 保護基板、 31 圧電素子保持部、 32 リザーバ部、 40 コンプライアンス基板、 50 弾性膜、 55 絶縁体膜、 60 下電極膜、 70 圧電体膜、 80 上電極膜、100 リザーバ、 110 流路形成基板用ウェハ、 110A 熱電対付きウェハ、 300 圧電素子
Claims (9)
- チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を構成する金属を含む有機金属化合物を含有するコロイド溶液であり、Tiを含む有機金属化合物としてTiの多座配位子化合物を含有すると共に、Zrを含む有機金属化合物としてZrのアルコキシドを含有することを特徴とするPZT薄膜形成用組成物。
- 請求項1において、前記Tiの多座配位子化合物が、テトラキスジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)であることを特徴とするPZT薄膜形成用組成物。
- 請求項1又は2において、前記Zrのアルコキシドが、テトラエトキシジルコニウム及びテトライソプロポキシジルコニウムからなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とするPZT薄膜形成用組成物。
- 請求項1〜3の何れかにおいて、さらに、加水分解抑制剤を含有することを特徴とするPZT薄膜形成用組成物。
- 請求項4において、前記加水分解抑制剤が、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン及びアセチルアセトンからなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とするPZT薄膜形成用組成物。
- 請求項1〜5の何れかにおいて、さらに、酢酸を含有することを特徴とするPZT薄膜形成用組成物。
- 請求項1〜6の何れかに記載のPZT薄膜形成用組成物を被対象物上に塗布し、これを乾燥して焼成することにより前記強誘電体薄膜を形成することを特徴とするPZT薄膜の製造方法。
- 請求項7において、乾燥して焼成するに際し、第1の乾燥工程と、第2の乾燥工程と、脱脂工程と、焼成工程とを実施し、前記第1の乾燥工程を140℃〜170℃で実施し、前記第2の乾燥工程を140℃〜280℃で実施することを特徴とするPZT薄膜の製造方法。
- 請求項8において、前記第2の乾燥工程を180℃〜280℃で実施することを特徴とするPZT薄膜の製造方法。
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