JP2006042564A - 電力スイッチング回路、電力変換装置及び電力用半導体スイッチング素子の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 電力用半導体スイッチング素子における主端子間電圧のオーバーシュートを抑制すると共に主端子間電圧変動の整定時間を均一化あるいは短時間化する。
【解決手段】 制御駆動手段は、所定の制御伝達関数によって主端子間電圧を補正電圧に変換する補正電圧発生部と、補正電圧に基づいて駆動信号を生成する駆動信号生成部とを備え、上記制御伝達関数は、主端子間電圧が定常電圧となるように制御するためのフィードバック制御系の二次振動系伝達関数における減衰係数及び角振動数を、上記オーバーシュートのピーク電圧Vp及び主端子間電圧変動の整定時間Taが所望の値となるように設定することによって規定される。
【選択図】 図1
【解決手段】 制御駆動手段は、所定の制御伝達関数によって主端子間電圧を補正電圧に変換する補正電圧発生部と、補正電圧に基づいて駆動信号を生成する駆動信号生成部とを備え、上記制御伝達関数は、主端子間電圧が定常電圧となるように制御するためのフィードバック制御系の二次振動系伝達関数における減衰係数及び角振動数を、上記オーバーシュートのピーク電圧Vp及び主端子間電圧変動の整定時間Taが所望の値となるように設定することによって規定される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電力スイッチング回路、電力変換装置及び電力用半導体スイッチング素子の駆動方法に関する。
周知のように電力変換装置はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の電力用半導体スイッチング素子を用いて入力電力をスイッチングして電力変換を行う装置である。このような電力変換装置において電力用半導体スイッチング素子がON状態からOFF状態に切り替わる際(ターンオフ時)に発生するオーバーシュート(過電圧)から電力用半導体スイッチング素子を保護するための技術(過電圧保護方式)として、アクティブゲート制御方式がある。例えば下記の公知文献には、アクティブゲート制御方式の各種変形技術が開示されている。
「スナバレスIGBT直列接続時の過電圧保護」(平成12年電気学会全国大会) 特開2002−44934号公報
「スナバレスIGBT直列接続時の過電圧保護」(平成12年電気学会全国大会)
ところで、上記アクティブゲート制御方式は電力用半導体スイッチング素子のオーバーシュートを抑制する技術であるが、複数の電力用半導体スイッチング素子を組み合わせて電力変換装置を構成する場合には、電力用半導体スイッチング素子の主端子間電圧(IGBTの場合はコレクタ−エミッタ間電圧)が規定電圧に収束するまでの期間(整定時間)を各電力用半導体スイッチング素子毎に均一化する必要があり、したがってオーバーシュートの抑制と整定時間の均一化とを何れも実現し得る技術の開発が切望されている。
また、電力変換装置のスイッチング周波数を高周波化しようとした場合には上記整定時間を極力短くする必要があり、よって整定時間を短時間化する技術も切望されている。
また、電力変換装置のスイッチング周波数を高周波化しようとした場合には上記整定時間を極力短くする必要があり、よって整定時間を短時間化する技術も切望されている。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、電力用半導体スイッチング素子における主端子間電圧のオーバーシュートを抑制すると共に主端子間電圧変動の整定時間を均一化あるいは短時間化することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明では、ターンオンとターンオンとを繰り返すことにより一対の主端子に印加された電力をスイッチングする電力用半導体スイッチング素子と、電力用半導体スイッチング素子をターンオンさせるためのターンオン電圧とターンオフさせるためのターンオフ電圧と該ターンオフ電圧に付加され主端子の端子間電圧(主端子間電圧)に基づいて生成された補正電圧とからなる駆動信号を生成し、ターンオン電圧とターンオフ電圧とによって電力用半導体スイッチング素子をスイッチング駆動すると共に、補正電圧をターンオフ電圧に付加することによりターンオフ時における主端子間電圧のオーバーシュートを低減する制御駆動手段とを備える電力スイッチング回路であって、制御駆動手段は、所定の制御伝達関数によって主端子間電圧を補正電圧に変換する補正電圧発生部と、補正電圧に基づいて駆動信号を生成する駆動信号生成部とを備え、制御伝達関数は、主端子間電圧が定常電圧となるように制御するためのフィードバック制御系の二次振動系伝達関数における減衰係数及び角振動数を、オーバーシュートのピーク電圧Vp及び主端子間電圧変動の整定時間Taが所望の値となるように設定することによって規定される、という解決手段を採用する。
本発明によれば、主端子間電圧が定常電圧となるように制御するためのフィードバック制御系の二次振動系伝達関数における減衰係数及び角振動数を、オーバーシュートのピーク電圧Vp及び整定時間Taが所望値となるように設定することによって、制御伝達関数を規定するので、オーバーシュートのピーク電圧Vpを所望値に抑制することできると共に主端子間電圧変動の整定時間Taを所望値に均一化あるいは短時間化することができる。
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る電力スイッチング回路の回路図である。
この回路図において、符号1はスイッチング信号発生回路、2はE/O変換器、3はO/E変換器、4はゲート電源、5はIGBT(電力用半導体スイッチング素子)、6は抵抗分圧器、7は補正電圧発生器、、R1〜R3は抵抗器、D1はダイオードである。
図1は、本発明の第1実施形態に係る電力スイッチング回路の回路図である。
この回路図において、符号1はスイッチング信号発生回路、2はE/O変換器、3はO/E変換器、4はゲート電源、5はIGBT(電力用半導体スイッチング素子)、6は抵抗分圧器、7は補正電圧発生器、、R1〜R3は抵抗器、D1はダイオードである。
スイッチング信号発生回路1は、IGBT5のスイッチングタイミングを規定するスイッチング信号を生成してE/O変換器2に供給する。E/O変換器2は、例えばフォトトランジスタであり、上記スイッチング信号を光電変換して光スイッチング信号に変換してO/E変換器3に出力する。O/E変換器3は、例えばフォトダイオードであり、上記光スイッチング信号を光電変換することによりスイッチング信号を再生してゲート電源4に出力する。ここで、E/O変換器2及びO/E変換器3は、スイッチング信号発生回路1を他の回路系と電気的に絶縁するための絶縁手段である。
ゲート電源4は、上記O/E変換器3から入力されたスイッチング信号及び補正電圧発生器7から入力された補正電圧Vhに基づいて、IGBT5をターンオンさせるためのターンオン電圧Vonとターンオフさせるためのターンオフ電圧Voffとが交互に繰り返すと共に当該ターンオフ電圧Voffに補正電圧Vhが付加された所定電圧(ゲート電圧Vg)のゲート信号(駆動信号)を生成する。抵抗器R3は、ゲート電源4の出力端とIGBT5のゲート端子Tgとの間に介挿されたゲート抵抗である。ゲート電源4から出力されたゲート信号は、このゲート抵抗R3を介してIGBT5のゲート端子Tgに入力される。
IGBT5は、主端子であるコレクタ端子Tcとエミッタ端子Teとの間に印加される交流あるいは直流の電力を上記ゲート信号に基づいてスイッチングする電力用半導体スイッチング素子である。すなわち、IGBT5は、制御端子であるゲート端子Tgに入力されたゲート信号に基づいてスイッチング動作することにより一対の主端子Tc,Te間を短絡/開放することによりに当該一対の主端子Tc,Teに印加された電力をスイッチングする。
抵抗分圧器6は、IGBT5のコレクタ−エミッタ間電圧Vceを抵抗分圧し検出電圧Vkとして補正電圧発生器7に出力する。すなわち、抵抗分圧器6は、IGBT5の主端子つまりコレクタ端子Tcとエミッタ端子Teとの間に直列接続された2つの抵抗器R1,R2から構成されており、IGBT5のコレクタ−エミッタ間電圧Vceを抵抗器R1,R2の各々の抵抗値で分圧した検出電圧Vkを出力する。この検出電圧Vkは、当然にコレクタ−エミッタ間電圧Vceの変化に応じて変化するものであり、コレクタ−エミッタ間電圧Vceと同等のものと考えられる。
補正電圧発生器7は、上記検出電圧Vkを入力信号とすると共に補正電圧Vhを出力信号とする電圧変換回路であり、変換特性として以下に詳説するように比例積分系伝達関数の形式の制御伝達関数G(s)を有する。すなわち、この補正電圧発生器7は、検出電圧Vkを制御伝達関数G(s)によって補正電圧Vhに変換してゲート電源4に出力する。このような補正電圧発生器7は、比例積分系伝達関数を有するRC受動回路あるいはRC能動回路によって構成される。
次に、このように構成された本電力スイッチング回路の動作について図2〜図4を参照して詳しく説明する。
最初に、上記補正電圧発生器7における制御伝達関数G(s)は以下のように設定される。
すなわち、本電力スイッチング回路は、IGBT5のコレクタ-エミッタ間電圧Vceに基づいてゲート電圧Vgをフィードバック制御するフィードバック制御系とみなすことができる。図2は、このフィードバック制御系を上記補正電圧発生器7の制御伝達関数G(s)及びIGBT5が有する伝達関数Gs(s)によって示したものである。
すなわち、本電力スイッチング回路は、IGBT5のコレクタ-エミッタ間電圧Vceに基づいてゲート電圧Vgをフィードバック制御するフィードバック制御系とみなすことができる。図2は、このフィードバック制御系を上記補正電圧発生器7の制御伝達関数G(s)及びIGBT5が有する伝達関数Gs(s)によって示したものである。
すなわち、本電力スイッチング回路におけるフィードバック制御系は、上記コレクタ-エミッタ間電圧Vceの定常電圧Edcと実際のコレクタ-エミッタ間電圧Vceとの差である誤差電圧eを上記制御伝達関数G(s)及び伝達関数Gs(s)を介して上記コレクタ-エミッタ間電圧Vceに変換するものであり、そのループ伝達関数Gt(s)は制御伝達関数G(s)及び伝達関数Gs(s)によって下式(1)のように表される。なお、ゲート電源4及び抵抗分圧器5の伝達関数は定数なので、図2及び式(1)ではゲート電源4及び抵抗分圧器6の伝達関数を無視している。
ここで、ターンオフ時のコレクタ-エミッタ間電圧Vceは、そのときの動作温度、ゲート電圧Vg、遮断電流Ic、周辺回路の配線インダクタンスLや浮遊静電容量C等、各種パラメータによって規定されるものであり、定常電圧Edcとの関係を示すループ伝達関数Gt(s)は、下式(2)に示すように一般的な2次振動系と考えることができる。なお、この式において、ζは減衰係数、ωは角振動数、ψは振動位相である。
一方、IGBT5の活性領域(小信号領域)におけるゲート電圧Vgとコレクタ-エミッタ間電圧Vceとの関係は、下式(3)に示すような一次遅れ系伝達関数Gs(s)で与えられる。
ここで、IGBT7の活性領域におけるゲート電圧Vgとコレクタ-エミッタ間電圧Vceとの関係は線形と考えることができるので、上記一次遅れ系伝達関数Gs(s)におけるゲインK及び時定数τについては、ターンオフ時におけるIGBT5のコレクタ-エミッタ間電圧Vceの過渡応答波形を測定することにより実験的に求めることができる。
例えばIGBT5に印加するゲート電圧Vgの電圧変化幅を例えばa1(0V→−15V),a2(0V→−10V),a3(0V→−5V)にステップ状に変化させた場合、図3に示すようなコレクタ-エミッタ間電圧Vceの過渡応答波形が得られるが、これら過渡応答波形におけるオーバーシュートのピーク電圧Vp1〜Vp3及び当該ピーク電圧Vp1〜Vp3の遅れ時間T1〜T3を実測することにより上記ゲインK及び時定数τを特定することができる。
ループ伝達関数Gt(s)が式(2)に示すような2次振動系伝達関数を有し、またIGBT5が式(3)に示すような一次遅れ系伝達関数Gs(s)を有するので、この2つの条件を満足する制御伝達関数G(s)は、下式(4)に示すような比例積分系となる。なお、式(4)における定数Gpは比例ゲイン、定数GIは積分ゲインである。
そして、一次遅れ系伝達関数Gs(s)と比例積分系の制御伝達関数G(s)とからターンオフ時におけるループ伝達関数Gt(s)は下式(5)〜(7)のように表すことができる。
ここで、ζ’は減衰係数、ω’は角振動数である。コレクタ-エミッタ間電圧Vceにおけるオーバーシュートのピーク電圧Vpが所望値となるように減衰係数ζ’を指定することにより式(5)から積分ゲインGIを求め、整定時間Taが所望値となるように角振動数ω’を指定することにより式(6)から比例ゲインGpを求めることによって、制御伝達関数G(s)がオーバーシュートのピーク電圧Vp及び整定時間Taが何れも所望値となるように設定される。
図4は、本電力スイッチング回路の効果を示す波形図である。本電力スイッチング回路によれば、補正電圧発生器7の制御伝達関数G(s)の2つの定数つまり上記比例ゲインGp及び積分ゲインGIが上述したように設定され、かつこのように設定された制御伝達関数G(s)に基づく補正電圧Vhがゲート電源4に供給される。
これに対して、ゲート電源4は、上記O/E変換器3から入力されたスイッチング信号に基づいて予め規定されたターンオン電圧Vonとターンオフ電圧Voffとの切替タイミングを設定すると共にターンオフ電圧Voffに補正電圧発生器7から入力された補正電圧Vhを重畳させたゲート信号を生成する。すなわち、このゲート電圧Vgは、図示するようにターンオン電圧Vonからターンオフ電圧Voffにステップ状に変化した後、補正電圧Vhによって一旦上昇した後に降下してターンオフ電圧Voffに復帰する。そして、このような補正電圧Vhの作用によって、コレクタ-エミッタ間電圧Vceにおけるオーバーシュートのピーク電圧Vp及び整定時間Taは、上段波形図に示すように所望の値に抑制(設定)される。
次に、図5及び図6を参照して、本電力スイッチング回路の変形例について説明する。
図5は、本変形例に係る電力スイッチング回路の回路図である。この電力スイッチング回路は、上述した本実施形態に係る電力スイッチング回路に対して開閉スイッチ8及びコンパレータ9が追加されたものである。なお、これら開閉スイッチ8及びコンパレータ9は、本変形例における補正電圧供給調整部を構成している。
図5は、本変形例に係る電力スイッチング回路の回路図である。この電力スイッチング回路は、上述した本実施形態に係る電力スイッチング回路に対して開閉スイッチ8及びコンパレータ9が追加されたものである。なお、これら開閉スイッチ8及びコンパレータ9は、本変形例における補正電圧供給調整部を構成している。
開閉スイッチ8は、ゲート電源4と補正電圧発生器7との間に介挿されており、コンパレータ9から入力される開閉信号に基づいて補正電圧Vhのゲート電源4への供給を制御する。一方、コンパレータ9は、抵抗分圧器6から入力された検出電圧Vkと基準電圧Vrefとを比較し、当該比較結果を上記開閉信号として開閉スイッチ8に出力する。
ここで、上述した実施形態に係る電力スイッチング回路では、補正電圧発生器7が検出電圧Vkに基づいて生成した補正電圧Vhがゲート電源4に常時供給されるので、ゲート電圧Vgの立下り時においても比較的小レベルの補正電圧Vhがゲート電源4に供給され、したがって補正電圧Vhの立下りの急峻さが損なわれる。
しかしながら、本変形例に係る電力スイッチング回路では、コンパレータ9が検出電圧Vkと基準電圧Vrefとを比較するので、検出電圧Vkが基準電圧Vrefよりも大きくなった時点において補正電圧Vhのゲート電源4への供給が開始される。したがって、本変形例に係る電力スイッチング回路によれば、図6に示すように、補正電圧Vhが立下りを開始する時刻t0から検出電圧Vkが基準電圧Vrefよりも大きくなった時点tsまでの期間ΔTにおいては補正電圧Vhがゲート電源4に供給されないので、上述した補正電圧Vhの立下りの急峻さが損なわれるという不具合を改善することが可能である。
次に、上記電力スイッチング回路を用いた電力変換装置について図7を参照して説明する。
この電力変換装置は、例えば60Hzの三相交流電力(つまり交流系統Aの交流電力)を50Hzの三相交流電力(つまり交流系統Bの交流電力)に変換するものであり、60Hzの三相交流電力を直流電力に変換する合計10台のコンバータ回路K1〜K10とこの直流電力を50Hzの三相交流電力に変換する合計10台のインバータ回路M1〜M10とから構成されている。すなわち、この電力変換装置では、同一性能を有する合計10台のコンバータ回路K1〜K10を並列接続すると共に、同じく同一性能を有する合計10台のインバータ回路M1〜M10を並列接続することによって電力変換容量を例えば300MW程度に向上させている。
この電力変換装置は、例えば60Hzの三相交流電力(つまり交流系統Aの交流電力)を50Hzの三相交流電力(つまり交流系統Bの交流電力)に変換するものであり、60Hzの三相交流電力を直流電力に変換する合計10台のコンバータ回路K1〜K10とこの直流電力を50Hzの三相交流電力に変換する合計10台のインバータ回路M1〜M10とから構成されている。すなわち、この電力変換装置では、同一性能を有する合計10台のコンバータ回路K1〜K10を並列接続すると共に、同じく同一性能を有する合計10台のインバータ回路M1〜M10を並列接続することによって電力変換容量を例えば300MW程度に向上させている。
1つのコンバータ回路K1あるいはインバータ回路M1に着目すると、コンバータ回路K1及びインバータ回路M1は、図示するように三相交流の各相に対応スイッチアームつまり合計6個のスイッチアームを備えている。各スイッチアームは、合計100個のIGBTを直列接続することによって構成されている。各IGBTは、上述した電力スイッチング回路に対応しており、コレクタ-エミッタ間電圧におけるオーバーシュートのピーク電圧及び整定時間が所望値となるように設定されている。
このように構成された電力変換装置によれば、各IGBTのコレクタ-エミッタ間電圧におけるオーバーシュートのピーク電圧及び整定時間が所望値に設定されているので、スイッチング周波数を高周波数化することが可能であり、よって精度の良い電力変換制御を実現することができる。
なお、上記説明では、半導体スイッチング素子としてIGBTを用いる場合について説明したが、本発明は、IGBTに限定されることなく他の半導体スイッチング素子についても適用可能である。また、上述した電力スイッチング回路は、上述した交流電力を他の交流電力に変換する電力変換装置、交流電力を直流電力に変換するコンバータ回路及び直流電力を交流電力に変換するインバータ回路の他に、直流電力を他の直流電力に変換するチョッパ回路にも適用可能である。
1…ゲート信号発生回路、2…E/O変換器、3…O/E変換器、4…ゲート電源、5…IGBT(電力用半導体スイッチング素子)、6…抵抗分圧器、7…補正電圧発生器、R1〜R3…抵抗器、D1…ダイオード
Claims (13)
- ターンオンとターンオンとを繰り返すことにより一対の主端子に印加された電力をスイッチングする電力用半導体スイッチング素子と、電力用半導体スイッチング素子をターンオンさせるためのターンオン電圧とターンオフさせるためのターンオフ電圧と該ターンオフ電圧に付加され前記主端子の端子間電圧(主端子間電圧)に基づいて生成された補正電圧とからなる駆動信号を生成し、前記ターンオン電圧とターンオフ電圧とによって電力用半導体スイッチング素子をスイッチング駆動すると共に、補正電圧を前記ターンオフ電圧に付加することによりターンオフ時における主端子間電圧のオーバーシュートを低減する制御駆動手段とを備える電力スイッチング回路であって、
前記制御駆動手段は、
所定の制御伝達関数によって主端子間電圧を補正電圧に変換する補正電圧発生部と、
前記補正電圧に基づいて駆動信号を生成する駆動信号生成部とを備え、
前記制御伝達関数は、主端子間電圧が定常電圧となるように制御するためのフィードバック制御系の二次振動系伝達関数における減衰係数及び角振動数を、前記オーバーシュートのピーク電圧Vp及び主端子間電圧変動の整定時間Taが所望の値となるように設定することによって規定される
ことを特徴とする電力スイッチング回路。 - 制御伝達関数は、電力用半導体スイッチング素子の入出力伝達関数が一次遅れ系伝達関数であると仮定して求められた比例積分系伝達関数であることを特徴とする請求項1記載の電力スイッチング回路。
- 電力用半導体スイッチング素子のターンオフ時において主端子間電圧が所定のしきい値に達するまでの間、補正電圧の電圧補正部への供給を停止させる補正電圧供給調整部をさらに備えることを特徴とする請求項1または2記載の電力スイッチング回路。
- 半導体スイッチング素子はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であることを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載の電力スイッチング回路。
- 請求項1〜4いずれかの電力スイッチング回路を1あるいは複数直列接続して1つのスイッチアームを構成し、このスイッチアームを複数組み合わせることにより構成されることを特徴とする電力変換装置。
- 直流電力を交流電力に変換するインバータ回路であることを特徴とする請求項5記載の電力変換装置。
- 交流電力を直流電力に変換するコンバータ回路であることを特徴とする請求項5記載の電力変換装置。
- 直流電力を他の直流電力に変換するチョッパ回路であることを特徴とする請求項5記載の電力変換装置。
- コンバータ回路とインバータ回路とによって構成され、交流電力を他の交流電力に変換する交流変換回路であることを特徴とする請求項5記載の電力変換装置。
- ターンオンさせるためのターンオン電圧とターンオフさせるためのターンオフ電圧とを用いて一対の主端子に電力が印加される電力用半導体スイッチング素子をスイッチング駆動すると共に、前記主端子の端子間電圧(主端子間電圧)に基づいて発生させた補正電圧を前記ターンオフ電圧に付加することによりターンオフ時における主端子間電圧のオーバーシュートを低減する駆動方法であって、
所定の制御伝達関数によって主端子間電圧を補正電圧に変換し、
前記補正電圧に基づいて駆動信号を生成し、かつ
前記制御伝達関数は、主端子間電圧が定常電圧となるように制御するためのフィードバック制御系の二次振動系伝達関数における減衰係数及び角振動数を、前記オーバーシュートのピーク電圧Vp及び主端子間電圧変動の整定時間Taが所望の値となるように設定することによって規定される
ことを特徴とする電力用半導体スイッチング素子の駆動方法。 - 制御伝達関数は、電力用半導体スイッチング素子の入出力伝達関数が一次遅れ系伝達関数であると仮定して求められた比例積分系伝達関数であることを特徴とする請求項10記載の電力用半導体スイッチング素子の駆動方法。
- 電力用半導体スイッチング素子のターンオフ時において主端子間電圧が所定のしきい値に達するまでの間、補正電圧の電圧補正部への供給を停止させることを特徴とする請求項10または11記載の電力用半導体スイッチング素子の駆動方法。
- 半導体スイッチング素子がIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であることを特徴とする請求項10〜12いずれかに記載の電力用半導体スイッチング素子の駆動方法。
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