JP6958499B2 - 半導体装置および電力変換装置 - Google Patents
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Description
第2の開示に係る半導体装置は、温度に応じて抵抗値の変化する半導体チップと、該半導体チップと直列に接続された外部抵抗と、該半導体チップと該外部抵抗とが形成する直列回路の両端に第1電圧が印加された状態で該外部抵抗の両端に印加される第2電圧を検出する検出部と、を備え、該検出部は、該第2電圧から該半導体チップの温度を算出し、該半導体チップは、該直列回路に該第1電圧が供給されることでスイッチングし、該検出部は、スイッチングを開始してから該半導体チップに印加される電圧が予め定められた電圧に達するまでの時間から、該半導体チップの温度を算出する。
第3の開示に係る半導体装置は、温度に応じて抵抗値の変化する半導体チップと、該半導体チップと直列に接続された外部抵抗と、該半導体チップと該外部抵抗とが形成する直列回路の両端に第1電圧が印加された状態で該外部抵抗の両端に印加される第2電圧を検出する検出部と、を備え、該検出部は、該第2電圧から該半導体チップの温度を算出し、該半導体チップは、該直列回路に該第1電圧が供給されることでスイッチングし、該検出部は、スイッチング開始時の該半導体チップに印加される電圧の傾きから、該半導体チップの温度を算出する。
第4の開示に係る半導体装置は、温度に応じて抵抗値の変化する半導体チップと、該半導体チップと直列に接続された外部抵抗と、該半導体チップと該外部抵抗とが形成する直列回路の両端に第1電圧が印加された状態で該外部抵抗の両端に印加される第2電圧を検出する検出部と、を備え、該検出部は、該第2電圧から該半導体チップの温度を算出し、該半導体チップは、該直列回路に該第1電圧が供給されることでスイッチングし、該検出部は、スイッチングを開始してから該半導体チップに印加される電圧が予め定められた電圧に収束するまでの時間から、該半導体チップの温度を算出する。
第5の開示に係る半導体装置は、温度に応じて抵抗値の変化する半導体チップと、該半導体チップと直列に接続された外部抵抗と、該半導体チップと該外部抵抗とが形成する直列回路の両端に第1電圧が印加された状態で該外部抵抗の両端に印加される第2電圧を検出する検出部と、を備え、該検出部は、該第2電圧から該半導体チップの温度を算出し、該半導体チップは、並列に接続された複数の内部抵抗を有し、該半導体チップの該抵抗値は、該複数の内部抵抗の抵抗値である。
図1は、実施の形態1に係る電力変換装置101を説明する図である。電力変換装置101では、2つの半導体チップ14が直列に接続され、ハーフブリッジ回路が形成されている。半導体チップ14は、例えばIGBT(Insulated gate bipolar transistor)等のパワーデバイスチップである。
図3は、実施の形態2に係る半導体チップ14の抵抗値の温度変化を説明する図である。なお、図3では検出部22が省略されている。本実施の形態では、半導体チップ14の抵抗値は、半導体チップ14の温度が低いほど大きくなる。図3に示されるように、半導体チップ14は、内部抵抗14aと素子容量14bとを有する。内部抵抗14aは、例えば−40℃の低温時では10Ω、25℃の常温時では3Ω、150℃の高温時では0.006Ωとなる。また、外部抵抗21の抵抗値は例えば3Ωである。
図5は、実施の形態3に係る半導体チップ14の抵抗値の温度変化を説明する図である。半導体チップ14は、並列に接続された複数の内部抵抗14a、14cを有する。本実施の形態において半導体チップ14の抵抗値は、複数の内部抵抗14a、14cの抵抗値である。内部抵抗14cは、内部抵抗14aよりも温度変化に対する抵抗値の変化量が小さい。実施の形態2で説明したように、内部抵抗14aは負の温度係数を有する。また、内部抵抗14cは温度係数がほぼ0である。内部抵抗14cの抵抗値は、例えば−40℃〜+150℃の間で約1Ωである。
図6は、実施の形態4に係る外部装置220を説明する図である。外部装置220は、検出部222を有する。検出部222は、微分回路を有する。微分回路では、出力が入力の導関数となる。このため、検出部222は第2電圧のピーク値を検出できる。検出部222は、第2電圧のピーク値から、外部抵抗21と半導体チップ14の内部抵抗との分圧比を算出する。これにより、容易に半導体チップ14の温度を検出できる。
Claims (13)
- 温度に応じて抵抗値の変化する半導体チップと、
前記半導体チップと直列に接続された外部抵抗と、
前記半導体チップと前記外部抵抗とが形成する直列回路の両端に第1電圧が印加された状態で前記外部抵抗の両端に印加される第2電圧を検出する検出部と、
を備え、
前記検出部は、前記第2電圧から前記半導体チップの内部抵抗を算出し、前記内部抵抗から前記半導体チップの温度を算出することを特徴とする半導体装置。 - 前記外部抵抗は、前記半導体チップのゲート端子と接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップは、前記直列回路に前記第1電圧が供給されることでスイッチングすることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 温度に応じて抵抗値の変化する半導体チップと、
前記半導体チップと直列に接続された外部抵抗と、
前記半導体チップと前記外部抵抗とが形成する直列回路の両端に第1電圧が印加された状態で前記外部抵抗の両端に印加される第2電圧を検出する検出部と、
を備え、
前記検出部は、前記第2電圧から前記半導体チップの温度を算出し、
前記半導体チップは、前記直列回路に前記第1電圧が供給されることでスイッチングし、
前記検出部は、スイッチングを開始してから前記半導体チップに印加される電圧が予め定められた電圧に達するまでの時間から、前記半導体チップの温度を算出することを特徴とする半導体装置。 - 温度に応じて抵抗値の変化する半導体チップと、
前記半導体チップと直列に接続された外部抵抗と、
前記半導体チップと前記外部抵抗とが形成する直列回路の両端に第1電圧が印加された状態で前記外部抵抗の両端に印加される第2電圧を検出する検出部と、
を備え、
前記検出部は、前記第2電圧から前記半導体チップの温度を算出し、
前記半導体チップは、前記直列回路に前記第1電圧が供給されることでスイッチングし、
前記検出部は、スイッチング開始時の前記半導体チップに印加される電圧の傾きから、前記半導体チップの温度を算出することを特徴とする半導体装置。 - 温度に応じて抵抗値の変化する半導体チップと、
前記半導体チップと直列に接続された外部抵抗と、
前記半導体チップと前記外部抵抗とが形成する直列回路の両端に第1電圧が印加された状態で前記外部抵抗の両端に印加される第2電圧を検出する検出部と、
を備え、
前記検出部は、前記第2電圧から前記半導体チップの温度を算出し、
前記半導体チップは、前記直列回路に前記第1電圧が供給されることでスイッチングし、
前記検出部は、スイッチングを開始してから前記半導体チップに印加される電圧が予め定められた電圧に収束するまでの時間から、前記半導体チップの温度を算出することを特徴とする半導体装置。 - 前記検出部は微分回路を有し、前記第2電圧のピーク値を検出することを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップの前記抵抗値は、前記半導体チップの温度が低いほど大きくなることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の半導体装置。
- 温度に応じて抵抗値の変化する半導体チップと、
前記半導体チップと直列に接続された外部抵抗と、
前記半導体チップと前記外部抵抗とが形成する直列回路の両端に第1電圧が印加された状態で前記外部抵抗の両端に印加される第2電圧を検出する検出部と、
を備え、
前記検出部は、前記第2電圧から前記半導体チップの温度を算出し、
前記半導体チップは、並列に接続された複数の内部抵抗を有し、
前記半導体チップの前記抵抗値は、前記複数の内部抵抗の抵抗値であることを特徴とする半導体装置。 - 前記複数の内部抵抗は、第1抵抗と、前記第1抵抗よりも温度変化に対する抵抗値の変化量が小さい第2抵抗と、含み、
少なくとも一部の温度領域で、前記第2抵抗の抵抗値は前記第1抵抗の抵抗値よりも小さいことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップはワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項1から10の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドであることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。
- 請求項1から12の何れか1項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電力変換装置。
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