JP2006023142A - Lsiテスタ用電源回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】負帰還制御によっては、高速な抑制が困難な電源電圧の変動を、効果的に抑制する。
【解決手段】DUT2として良品を用意し、検査の種類を示すフラグ信号を利用して、電源電圧の変動が生じやすい検査の実施期間においてADC112、メモリ113a,113bを動作させ、電源電圧の変動特性をモニタし、演算装置114にて、その変動特性とは逆の特性をもつ変動補償用データを作成し、メモリ113bに記憶させる。次に、検査対象のDUT2に対し、検査を実施し、電源電圧の変動が生じるポイントで、変動補償用データをアナログ信号に変換し、これにより生成される変動補償成分を、所定の電源電圧(Va)に重畳し、DUT2に供給する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、LSIテスタ用電源回路に関するものである。
図20は、従来のLSIテスタ用電源回路の構成を示すブロック図である。LSIテスタ用電源回路1は、アンプ100と、センスアンプ120とを備え、アンプ100の出力を被測定デバイス2の電源端子200に接続して電源電圧を供給する。また、被測定デバイス2の電源電圧の変動を検出するため、電源端子200から、LSIテスタ用電源回路1のセンスアンプ120の入力端子に接続する。更にセンスアンプ120の出力をアンプ100に負帰還がかかるように接続する。このように、被測定デバイス2の電源電圧を、センスアンプ120を用いて監視し、電源電圧の変動に対し、負帰還をかけて補正していた(例えば、特許文献1参照)。
特開平7−218598号公報
しかしながら上記従来のLSIテスタ用電源回路の構成では、電圧変動が比較的に緩やかな場合は問題ないが、電源電流の急激な変化に対しては、帰還回路の閉ループ特性によって、図21に示すように電源電圧の変動が発生するという問題点があった。特に、半導体デバイスの機能試験(ファンクションテスト)において、検査対象の回路のほとんどが一斉に動作するような場合には、電源ラインに大電流が流れ、電源電圧の大きな揺れが必ず発生し、帰還系の動作がこの変動に追従できずに、電源電圧の揺れが生じる。この電源電圧の揺れが収束しない状態で検査を実行すれば、その検査の信頼性を保てず、また、電源電圧の揺れが収まるのを待っていたのでは、半導体デバイスの検査に長時間を要することになる。
本発明は、LSIテスタから検査対象の半導体デバイスに供給される電源電圧の急峻な変動を効果的に抑制し、電源電圧の安定化を実現することができるLSIテスタ用電源回路を提供することを目的とする。
本発明は、LSIテスタによる半導体デバイスの電気特性を検査するためのLSIテスタ用電源回路であって、前記半導体デバイスに対して実施した電気特性検査で生じる電源電圧の変動特性とは逆の特性を有する変動補償用データを記憶する補償用データメモリと、前記変動補償用データに基づいて生成した変動補償成分を重畳した電源電圧を前記半導体デバイスに供給する電源電圧供給手段とを備える。
帰還系による電源電圧の安定化方法(事後的な電源電圧の安定化方法)に代えて、事前補償方式の電源電圧安定化方法を採用する。すなわち、どの検査のどの部分において、大きな電源電圧の揺れが生じるかを事前に調査し、その調査に基づいて、その電源電圧の変動と逆特性を示す変動補償用データをあらかじめ算出し、補償用データメモリに記憶しておく。そして、実際の検査時に、変動補償成分が重畳された電源電圧を供給する。回路の一斉動作等に伴い発生する電源電圧の大きな変動は、変動補償成分によって瞬時に相殺される。よって、従来にない、非常に高速な電源安定化制御が実現され、電源電圧の安定供給が可能となる。
本発明において、前記半導体デバイスに対する機能試験期間を検出する手段を有し、前記補償用データメモリは、前記半導体デバイスに対する機能試験期間における電源電圧の変動補償用データを記憶する。
大きな電源電圧変動は、機能試験(ファンクションテスト)時において発生しやすい。 そこで、機能試験の実施期間における変動補償用データのみを、補償用データメモリに記憶するようにし、メモリ容量の削減を図るものである。
さらに、本発明において、前記半導体デバイスに対して実施した電気特性検査で生じる電源電圧の変動を予め設定した基準電圧との比較で検出する手段を有し、前記補償用データメモリは、前記半導体デバイスに対する機能試験期間における前記基準電圧を超える電源電圧の変動補償用データを記憶する。
予め設定した基準電圧との比較により大きな電源電圧の変動が検出された期間の変動補償用データのみを用意すればよい。つまり、機能試験期間内の、実際に変動が生じる期間に対応する変動補償データのみを用意するだけでよく、補償用データメモリの容量をさらに削減することができる。
また、本発明において、前記半導体デバイスに対して実施した電気特性検査で生じる電源電圧の変動を予め対応付けたテストパターン発生器のアドレスとの比較で検出する手段を有し、前記補償用データメモリは、前記半導体デバイスに対する機能試験期間における前記アドレス区間の電源電圧の変動補償用データを記憶する。
電源電圧の変動を予め対応付けたテストパターン発生器のアドレスとの比較により、機能試験期間内の、実際に変動が生じる期間に対応する変動補償データのみを用意するだけでよく、補償用データメモリの容量をさらに削減することができる。また、検査対象のデバイスの電源電圧が変動を開始するポイントと終了ポイントを予めシミュレーションによって正確に求め、これをテストパターン発生器のアドレスと対応づけることで、補償開始ポイントおよび終了ポイントを精度よく抽出して被検査デバイスの電源電圧変動を抑えることができ、高精度の電源安定化を実現することができる。
本発明によれば、回路の一斉動作等に伴い発生する電源電圧の大きな変動は、変動補償成分によって瞬時に相殺され、高速な電源安定化制御が実現される。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1におけるLSIテスタ用電源回路の構成を示すブロック図である。図1において、参照符号1はLSIテスタ用電源回路を示し、2は被測定デバイスを示す。LSIテスタ用電源回路1は、被測定デバイス2に電源を供給するためのアンプ100と電源電圧補正手段110により構成されている。
電源電圧補正手段110は、被測定デバイス2が機能試験中であることを示すフラグレジスタ111と、前記フラグレジスタ111の出力により、被測定デバイス2が機能試験の間、前記被測定デバイス2の電源電圧をデジタル信号に変換するためのADコンバータ112と、前記ADコンバータ112の出力を記憶するためのメモリ113aと、前記メモリ113aに記憶されたADコンバータ112の出力データをもとに、補正値を計算するための演算装置114と、前記演算装置114の演算結果を記憶するためのメモリ113bと、前記メモリ113bに記憶されたデータをアナログ信号に変換するためのDAコンバータ115により構成されている。
なお、モード信号により、前記メモリ113aおよびメモリ113bのリード/ライト制御とDAコンバータ115の出力制御を行っている。また、被測定デバイス2の200は電源端子である。また、LSIテスタ用電源回路1の各構成要素と、被測定デバイス2との接続関係は図1に示すとおりである。
以上のように構成された本発明の実施の形態1のLSIテスタ用電源回路について、以下その動作について説明する。図1において、まず、LSIテスタ(図示せず)にて、被測定デバイス2の測定を開始する。このとき、被測定デバイス2は良品を使用する。また、モード信号により、DAコンバータ115の出力はOFFしておく。
LSIテスタは、コンタクトテスト、入力リークテスト、出力リークテスト、電源電流テスト、静止電源電流テスト、入力電流テスト、出力電流テストなどのDCテストと、機能試験などのファンクションテストを行う。この時、被測定デバイス2の電源電圧は前記のような各テスト項目に応じて必要な電源電圧が供給される。被測定デバイス2が機能試験を行っている時、機能試験期間中であることを示すため、LSIテスタよりフラグ信号を出力するようにテストプログラムを作成しておく。フラグレジスタ111は、前記フラグ信号を受けてONするようになっている。
図2にフラグレジスタ111の入出力関係を示す。図2において、300はLSIテスタ内の命令デコーダであり、テストプログラムの命令コードを受けて、フラグ信号1(機能試験開始)、およびフラグ信号2(機能試験終了)信号を出力する。また、フラグレジスタ111は、フラグ信号1(機能試験開始)を受けてONとなり、フラグ信号2(機能試験終了)を受けてOFFとなるような回路構成となっている。
図3は、図2の回路におけるタイミングチャートである。図3(a)はフラグ信号1(機能試験開始)を、図3(b)はフラグ信号2(機能試験終了)を、図3(c)はフラグレジスタ111の出力を示す。
図4(a)に被測定デバイス2の電源端子200における測定開始から測定終了までの電源電圧波形を示す。縦軸は電源電圧(V)を示し、横軸は時間(t)を示す。なお、以降の図のタイミングチャートにおいても、縦軸は電源電圧(V)を示し、横軸は時間(t)を示す。
図4(a)において、tsは測定開始時刻、tpは測定終了時刻を示す。また、tdc1およびtdc2は、電流計や電圧計を使用した入力リークテストや出力リークテストなどのDCテスト期間を示し、tfは機能試験を行うファンクションテスト期間を示している。図4(b)はフラグレジスタ111の出力を示している。測定開始時刻tsより測定を開始し、被測定デバイス2が機能試験期間(tf)の間ONになり、測定終了時刻tpで測定を終了する。なお、機能試験期間(tf)は、被測定デバイス2の仕様を保証するため、電源電圧を3条件に変化させ測定を行っており、それぞれ保証すべき電源電圧で測定が行われる。各電源電圧条件での測定期間をta、tb、tcとして表している。被測定デバイス2の測定において、機能試験の中で特に被測定デバイス2内の回路がほとんど全て動作状態になるようなテストパターンを実行した場合、電源電流が急激に増大し、電源電圧が変動する。
図5は、図4(b)におけるtaの期間を拡大したものである。図5において、p1のポイントが、電源電流が急激に増大して、電源電圧が変動したポイントに当たる。ADコンバータ112は、被測定デバイス2が機能試験期間(tf)中に、被測定デバイス2の電源電圧の値を適切な間隔でサンプリングして、データ変換を行う。
図6は、ADコンバータ112が、被測定デバイス2の機能試験期間(tf)の中のta期間をサンプリングする様子を示す。このADコンバータ112で変換されたデータはメモリ113aに記憶される。そして引き続き、各種必要な測定を行い、第一回目の測定を終了する。被測定デバイス2の測定が終了後、演算装置114により、メモリ113aに記憶されたADコンバータ112の出力データをもとに、被測定デバイス2の電源変動特性と逆特性を示す値を計算し、その計算結果をメモリ113bに記憶する。次に、被測定デバイス2を、実際に検査を行うデバイスに取り替える。また、モード信号により、DAコンバータ115の出力をONしておく。以降の検査はこの状態で行う。そして、LSIテスタにより第一回目と同様の測定を行う。被測定デバイス2が機能試験を開始した時、すなわちフラグレジスタ111の出力がONになった時、メモリ113bは記憶されている逆特性の値を順次出力する。DAコンバータ115は、メモリ113bから出力されたデータをアナログの値に変換する。
図7は、DAコンバータ115から出力された波形を示す。DAコンバータ115から出力された波形は、図1のアンプ100に入力される。アンプ100は、入力電圧VaにDAコンバータ115から出力された波形Vbを加算して、Vcを出力する。図8にこの様子を示す。図8において、(a)は入力電圧Va、(b)はDAコンバータの出力Vb、(c)はアンプ110の出力Vcを示す。
図9は被測定デバイス2の電源端子200の状態を示す。図9(a)は機能試験におけるテストパターンを実行した時の補正前の電源波形であるが、図9(b)のように、補正を施した波形をアンプ100から出力することにより、被測定デバイス2の電源端子200には図9(c)のような電源電圧を供給できる。
以上のように、本発明の実施の形態1によれば、機能試験時に被測定デバイス2の電源電圧変動を抑えることができ、安定な電源供給ができる。なお、本発明の実施の形態1の図1において、メモリ113aおよびメモリ113bは、それぞれ個別に記載したが、ADコンバータ112の出力データを記憶したアドレスと同じアドレスに演算装置114の演算結果を記憶することにより、メモリ113aとメモリ113bは兼用できる。
(実施の形態2)
次に、本発明の実施の形態2によるLSIテスタ用電源回路について、図10を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態2によるLSIテスタ用電源回路は、本発明の実施の形態1における図1の構成要素のほかに、コンパレータ116が追加されたものである。また、2つのメモリ(113aと113b)は兼用し、メモリ113としている。なお、図1と同じ構成要素の説明は省略する。
図11にコンパレータ116の構成を示す。図11において、116aは電圧比較器であり、LSIテスタ内で設定される基準電圧Vtと、被測定デバイス2の電源電圧を比較し、被測定デバイス2の電源電圧が基準電圧Vtより少ない場合、または被測定デバイス2の電源電圧が基準電圧Vtを超えた場合にONする。簡単のため、本発明の実施の形態2では被測定デバイスの電源電圧が基準電圧Vtより少ない場合にONするようにしている。
116bは、カウンタレジスタであり、フラグレジスタ111がONしてから、電圧比較器116aがONするまでの期間“H”になり、後述するカウンタ116cの動作を制御する。116cは、カウンタであり、フラグレジスタ111がONしてから、電圧比較器116aがONするまでの期間待機した後ONし、ストップ信号を受けてOFFする機能を有する。すなわち、この期間がADコンバータ112およびメモリ113およびDAコンバータ115の動作範囲を決定している。なお、コンパレータ116の各構成要素の接続関係は、図11に示すとおりである。
図12は、図11の構成におけるタイミングチャートである。図12(a)はフラグレジスタ111の出力信号を、図12(b)は電圧比較器116aの出力信号を、図12(c)はストップ信号を、図12(d)はカウンタレジスタ116bの出力信号を、図12(e)はカウンタ116cの出力信号を示す。
図10に戻って、LSIテスタ用電源回路1の各構成要素と、被測定デバイス2との接続関係は図に示すとおりである。なお、モード信号により、コンパレータ116および前記メモリ113のリード/ライトおよびDAコンバータ115の出力の各制御を行っている。
以上のように構成された本発明の実施の形態2のLSIテスタ用電源回路について、以下その動作について説明する。図10において、まず、LSIテスタ(図示せず)にて、被測定デバイス2の測定を開始する。この場合、被測定デバイス2は良品を使用する。また、モード信号により、DAコンバータ115の出力はOFFしておく。LSIテスタは、コンタクトテスト、入力リークテスト、出力リークテスト、電源電流テスト、静止電源電流テスト、入力電流テスト、出力電流テストなどのDCテストと、機能試験などのファンクションテストを行う。この時、被測定デバイス2の電源電圧は前記の各テスト項目に応じて必要な電源電圧が供給される。被測定デバイス2の測定において、機能試験の中で特に被測定デバイス2内の回路がほとんど全て動作状態になるようなテストパターンを実行した場合、電源電流が急激に増大し、電源電圧が変動する。
図13(a)は、機能試験期間であるtaの期間を拡大したものである。図13(a)において、p2のポイントが、電源電流が急激に増大して、電源電圧が変動したポイントに当たる。コンパレータ116は、前記p2のポイントからストップ信号を受けるまでの期間(td1)ONする信号を出力する。図13(b)に電圧比較器116aの出力信号を、図13(c)にストップ信号を、図13(d)にコンパレータ116の出力信号を示す。なお、フラグレジスタがONしてから、p2のポイントまでに期間をt1とする。
ADコンバータ112は、コンパレータ116の出力がONの間、被測定デバイス2の電源電圧の値を適切な間隔でサンプリングしてデータ変換を行う。そしてメモリ113は、ADコンバータ112の出力データを記憶する。なお、td1の期間は、あらかじめ消費電力シミュレーションやオシロスコープによる観測などで求めておく。
図14は、td1期間にADコンバータが被測定デバイス2の電源電圧の値をサンプリングする様子を示す。そして引き続き、各種必要な測定を行い、第一回目の測定を終了する。被測定デバイス2の測定が終了後、演算装置114により、メモリ113に記憶されたデータをもとに、被測定デバイス2の電源変動特性と逆特性を示す値を計算し、その値を再びメモリ113に記憶する。
次に、被測定デバイス2を、実際に検査を行うデバイスに取り替える。また、モード信号により、DAコンバータ115の出力はONしておく。以降の検査はこの状態で行う。 そして、LSIテスタで、第一回目と同様の測定を行う。被測定デバイス2が機能試験を開始し、t1期間待機した後、メモリ113は記憶されている逆特性の値を順次出力する。DAコンバータ115は、メモリ113から出力されたデータをアナログの値に変換する。
図15は、DAコンバータ115から出力されたtd1期間の波形を示す。DAコンバータ115から出力された波形は、図10のアンプ100に入力される。アンプ110は入力電圧VaにDAコンバータ115から出力された波形Vbを加算して、Vcを出力する。図16にこの様子を示す。図16において、(a)は入力電圧Va、(b)はDAコンバータの出力Vb、(c)はアンプ110の出力Vcを示す。以降の動作は、本実施の形態1と同様のため、説明は省略する。
以上のように、本発明の実施の形態2によれば、コンパレータ116を設けることにより、被測定デバイス2が機能試験中でかつ、コンパレータ116がONした時点から、メモリ113にADコンバータ112の出力データを記憶するため、メモリ容量を削減でき、さらに被測定デバイス2の電源電圧変動を抑えることができ、安定な電源供給ができる。
(実施の形態3)
次に、本発明の実施の形態3によるLSIテスタ用電源回路について、図17を参照しながら説明する。なお、本実施の形態によるLSIテスタ用電源回路は、実施の形態1における図1の構成要素からフラグレジスタ111を削除し、かつ、アドレス比較回路117を追加している。なお、図1と同じ構成要素の説明は省略する。アドレス比較回路117は、スタートアドレスとエンドアドレスを設定できるようになっており、LSIテスタのパターン発生器から出力されるパターンアドレスを順次比較し、スタートアドレスと一致した時にONし、エンドアドレスと一致したときにOFFする回路構成となっている。すなわち、この期間がADコンバータ112およびメモリ113およびDAコンバータ115の動作範囲を決定している。なお、モード信号により、前記メモリ113のリード/ライト制御とDAコンバータ115の各出力制御を行っている。LSIテスタ用電源回路1の各構成要素と、被測定デバイス2との接続関係は図17に示すとおりである。
以上のように構成された本発明の実施の形態3のLSIテスタ用電源回路について、以下その動作について説明する。本発明の実施の形態3においては、あらかじめ測定前に、被測定デバイス2の機能試験に使用するテストパターンを用いて、消費電力シミュレーションを実施しておく。この消費電力シミュレーションにより、被測定デバイス2に急激に電源電流が流れるポイントおよび変動終了ポイントを算出しておく。これらのポイントは、被測定デバイス2の機能試験を行う時、テストパターンを発生するパターン発生器のアドレスとして一義的に決定される。簡単のため、このアドレスポイントを“p3”および“p4”とする。
図17において、まず、アドレス比較回路117に、あらかじめ求めておいたアドレスp3(被測定デバイス2に急激に電源電流が流れるポイントに対応するパターン発生器のアドレスデータ)およびアドレスp4(変動終了ポイントに対応するパターン発生器のアドレスデータ)を設定する。そして、LSIテスタ(図示せず)にて、被測定デバイス2の測定を開始する。この場合、被測定デバイス2は良品を使用する。LSIテスタは、コンタクトテスト、入力リークテスト、出力リークテスト、電源電流テスト、静止電源電流テスト、入力電流テスト、出力電流テストなどのDCテストと、機能試験などのファンクションテストを行う。この時、被測定デバイス2には前記の各テスト項目に応じて必要な電源電圧が供給される。被測定デバイス2の測定において、機能試験の中で特に被測定デバイス2内の回路がほとんど全て動作状態になるようなテストパターンを実行した場合、電源電流が急激に増大し、電源電圧が変動する。
図18は、機能試験期間であるtaの期間を拡大したものである。図18において、p3のポイントが、電源電流が急激に増大して、電源電圧が変動したポイントに当たり、p4のポイントが変動終了点に当たる。被測定デバイス2が機能試験期間中、パターン発生器のアドレスと、あらかじめ設定されたアドレス(p3およびp4)が順次比較される。 パターン発生器がp3のアドレスを出力すると、アドレス比較回路117がONになり、ADコンバータ112が変換を開始する。これと同時にメモリ113は、ADコンバータ112から出力されたデータを順次記憶する。また、パターン発生器がp4のアドレスを出力すると、アドレス比較回路117がOFFになり、ADコンバータ112およびメモリ113の動作が終了する。そして、引き続き、各種必要な測定を行い、第一回目の測定を終了する。
被測定デバイス2の測定が終了後、演算装置114により、メモリ113に記憶されたデータをもとに、被測定デバイス2の電源変動特性と逆特性を示す値を計算し、その値を再びメモリ113に記憶する。次に、被測定デバイス2を、実際に検査を行うデバイスに取り替える。また、モード信号により、DAコンバータ115の出力はONしておく。以降の検査はこの状態で行う。そして、LSIテスタで、第一回目と同様の測定を行う。
被測定デバイス2が機能試験を開始し、アドレス比較回路があらかじめ設定されたアドレスと一致した時、すなわちp3ポイントになった時、メモリ113は、記憶されている逆特性の値を順次出力する。DAコンバータ115は、メモリ113から出力されたデータをアナログの値に変換する。DAコンバータ115から出力された波形は、アンプ100に入力される。アンプ110は入力電圧VaにDAコンバータ115から出力された波形Vbを加算して、Vcを出力する。図19にこの様子を示す。図19において、(a)は入力電圧Va、(b)はDAコンバータの出力Vb、(c)はアンプ110の出力Vcを示す。以降の動作は、本実施の形態1と同様のため、説明は省略する。
以上のように、本発明の実施の形態3によれば、ADコンバータ112の出力データを記憶する期間を短縮できるため、メモリ容量を削減でき、かつ、被測定デバイス2の電源電圧が変動を開始するポイントと終了ポイントをあらかじめシミュレーションによって正確に求めることができるため、補正開始ポイントおよび終了ポイントを精度よく抽出して被測定デバイス2の電源電圧変動を抑えることができ、安定な電源供給ができる。
本発明のLSIテスタ用電源回路は、回路の一斉動作等に伴い発生する電源電圧の大きな変動は、変動補償成分によって瞬時に相殺され、高速な電源安定化制御が実現されるという効果を有し、LSIテスタ用の電源回路等として有用である。
本発明の実施の形態1におけるLSIテスタ用電源回を示すブロック図 本発明の実施の形態1におけるフラグレジスタの入出力関係を示すブロック図 本発明の実施の形態1におけるフラグレジスタの動作を示すタイミングチャート 被測定デバイスの電源電圧とフラグレジスタの出力を示すタイミングチャート 本発明の実施の形態1における被測定デバイスの電源電圧変動を示す図 本発明の実施の形態1における被測定デバイスの電源電圧をADコンバータでサンプリングする様子を示す図 本発明の実施の形態1におけるDAコンバータの出力を示す図 本発明の実施の形態1におけるアンプの入出力波形を示す図 本発明の実施の形態における被測定デバイスの電源電圧補正関係を示す図 本発明の実施の形態2におけるLSIテスタ用電源回を示すブロック図 本発明の実施の形態2におけるコンパレータの構成を示すブロック図 本発明の実施の形態2におけるコンパレータのタイミングチャート 本発明の実施の形態2における被測定デバイスの電源電圧波形とコンパレータのタイミング関係を示す図 本発明の実施の形態2における被測定デバイスの電源電圧をADコンバータでサンプリングする様子を示す図 本発明の実施の形態2におけるDAコンバータの出力を示す図 本発明の実施の形態2におけるアンプの入出力波形を示す図 本発明の実施の形態3におけるLSIテスタ用電源回を示すブロック図 本発明の実施の形態3における被測定デバイスの電源電圧変動を示す図 本発明の実施の形態3におけるアンプの入出力波形を示す図 従来のLSIテスタ用電源回を示す図 被測定デバイスの電源電圧の変動を示すタイミングチャート
符号の説明
1 電源
2 被測定デバイス
100 アンプ
110 補正手段
111 フラグレジスタ
112 ADコンバータ
113 メモリ
114 演算装置
115 DAコンバータ
116 コンパレータ
117 アドレス比較回路
120 センスアンプ
300 命令デコーダ

Claims (4)

  1. LSIテスタによる半導体デバイスの電気特性を検査するためのLSIテスタ用電源回路であって、
    前記半導体デバイスに対して実施した電気特性検査で生じる電源電圧の変動特性とは逆の特性を有する変動補償用データを記憶する補償用データメモリと、
    前記変動補償用データに基づいて生成した変動補償成分を重畳した電源電圧を前記半導体デバイスに供給する電源電圧供給手段と、
    を備えるLSIテスタ用電源回路。
  2. 請求項1記載のLSIテスタ用電源回路であって、
    前記半導体デバイスに対する機能試験期間を検出する手段を有し、
    前記補償用データメモリは、前記半導体デバイスに対する機能試験期間における電源電圧の変動補償用データを記憶するLSIテスタ用電源回路。
  3. 請求項2記載のLSIテスタ用電源回路であって、
    前記半導体デバイスに対して実施した電気特性検査で生じる電源電圧の変動を予め設定した基準電圧との比較で検出する手段を有し、
    前記補償用データメモリは、前記半導体デバイスに対する機能試験期間における前記基準電圧を超える電源電圧の変動補償用データを記憶するLSIテスタ用電源回路。
  4. 請求項2記載のLSIテスタ用電源回路であって、
    前記半導体デバイスに対して実施した電気特性検査で生じる電源電圧の変動を予め対応付けたテストパターン発生器のアドレスとの比較で検出する手段を有し、
    前記補償用データメモリは、前記半導体デバイスに対する機能試験期間における前記アドレス区間の電源電圧の変動補償用データを記憶するLSIテスタ用電源回路。
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