JP2006019438A - 偏向器およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 略同一形状の二対の電極に偏向用電圧を印加する配線が各電極に接続されている。配線の接続は、隣り合う電極に同一の配線が接続する。二つの電極へ接続された一つの配線のうち、いずれかの電極に不良が存在する場合に、いずれか一方の配線が補償回路となり、ブランキングアパーチャアレイの歩留まりが向上する。
【選択図】 図5
Description
(1)作製方法が複雑である。そのため、アレイ数の増加を試みた場合、多数のブランキングアパーチャアレイを歩留まり良く作製することが困難である。特に、電極形成や電極と配線の接続部分において製造不良が発生しやすい。
(2)偏向電極の付近に例えばシリコン酸化膜等の絶縁体が広範囲に露出している。そのため、荷電粒子線が照射された場合に、チャージアップが生じ、開孔を通過する荷電粒子線に影響を与え、荷電粒子線の適切な偏向、および位置制御が行われず、精度良くパターンを露光することが困難になる可能性がある。
の提供、チャージアップの起こりにくいブランキングアパーチャアレイを提供することを目的とするものである。
基板に形成された貫通孔と、第1の方向で2つの電極が互いに対向するように該貫通孔の側壁に設置された第1の電極対と、前記第1の方向とは略直交する第2の方向で2つの電極が互いに対向するように該貫通孔の側壁に設置された第2の電極対とを有し、
該第1および第2の電極対を構成する4つの電極は略同一形状であることを特徴とする偏向器。
前記第1および第2の電極対を構成する4つの電極を形成する工程と、
該4つの電極に荷電粒子ビーム偏向用電圧を印加するための配線を形成する工程と、
不良電極または電極と配線の不良接続部分を選別する工程と、
不良電極または不良接続部分が存在した場合に、不良電極または不良接続部分へ接続された配線を切断する工程と、
該不良電極または不良接続部分から切断された配線を接地する工程と、
を有することを特徴とする偏向器の製造方法。
[実施形態1]
荷電粒子線を偏向する偏向器であって、該偏向器は、基板に形成された貫通孔と該貫通孔の側壁に対向して設置された第一の電極対と、該第一の電極対に略垂直な側壁面に設置された第二の電極対とを有し、該4つの電極は略同一形状であることを特徴とする偏向器。
実施形態1に記載の2組の略同一形状の電極対を有する偏向器であって、荷電粒子線偏向用電圧を印加するため電極に接続される配線は、配線形成工程が完了した時点において、偏向用電圧を印加する一方の配線にはふたつの電極対のうちのそれぞれひとつの電極が、もう一方の偏向用電圧を印加する配線にはふたつの電極対のうちの残りの電極が接続されていることを特徴とする偏向器。すなわち、実施形態2においては、前記二組の電極対の4つの電極の隣り合うふたつの電極に同じ荷電粒子線偏向用電圧を印加する配線が接続されている。
実施形態2に記載の偏向器であって、完成時または使用時において、二組の電極対に接続された配線のうちいずれか一方の電極対には偏向用電圧を印加する配線に接続されたままであり、もう一方の電極対に接続されていた配線は、偏向用電圧を印加する配線から切断されている、こと特徴とする偏向器。
複数の偏向器を配列してなる偏向器アレイであって、実施形態2に記載された配線形成工程が完了した時点のままの偏向器と実施形態3に記載された一方の一方の電極対に接続されていた配線を切断された偏向器とが混在していることを特徴とする偏向器アレイ。この偏向器アレイは、ブランキングアパーチャアレイとして好適なものである。
前記偏向器を製造する方法であって、前記2組の電極対を構成する略同一形状の4つの電極を形成する工程と、該4つの電極へ荷電粒子ビーム駆動用電圧を印加するための配線を形成する工程と、2組の電極対のうち良好な電極または電極と配線の接続部分を選別する工程と、良好でない、すなわち不良な電極または電極と配線の接続部分が見つかった場合に、不良な電極または電極と配線の接続部分への配線を切断する工程と、該不良な電極または電極と配線の接続部分に接続されていて切断された配線の切断部より各電極に近い配線部分において、該配線を接地する工程と、を有することを特徴とする偏向器の製造方法。
前記電極および配線を形成する工程は、前記2組の電極対を構成する略同一形状の4つの電極を形成した電極基板と、該電極基板に形成した各電極対に電圧を印加するための配線を形成した配線基板と、を張り合わせる工程であることを特徴とする偏向器の製造方法。
[実施例1]
図1-1(1)〜図1-3(13)は、本発明に関わる電子ビーム露光装置のブランキングアパーチャアレイ(BAA)の製造方法の一例を説明する断面図である。
。溝4に導電材8を埋め込んだ後、導電材8、8´の不必要な(例えば基板1の表面より盛り上がった)部分を、例えば化学的機械的研磨法(CMP)法により、研磨して除去する。また、金メッキ前に、Si酸化膜からなる絶縁層5と金からなる導電材8、8´の密着性を向上させる目的で、絶縁層5の表面にCr膜をスパッタ法で成膜しても良い。また、メッキ材料として、金の他に、銅を用いても良い。以上により、同一形状の二対の電極が形成される。
方法でも良い。
図4は、本発明に関わる電子ビーム露光装置のブランキングアパーチャアレイ(BAA)の第2実施例を説明する模式図である。
図4では、図1-3(13)で作製が完了したブランキングアパーチャアレイの中の一つのブランキングアパーチャの電極および配線の構成を模式図に示している。二対の電極101、101´と102、102´に偏向制御用電圧を印加する配線103、103´が各電極に接続されている。配線の接続は、電極101、102に配線103が接続され、電極101´、102´に配線103´が接続されている。二つの電極へ接続された配線のうち、いずれかの電極に不良が存在する場合に、いずれか一方の配線が補償回路となり、ブランキングアパーチャアレイの歩留まりが向上する。
図5は、本発明に関わる電子ビーム露光装置のブランキングアパーチャアレイ(BAA)の第3実施例を説明する模式図である。また図6は、図5のBB´断面図を示す。
図5では、図1-3(13)で作製が完了した後、良好な電極を選別する工程で不良な電極102が発見され、不良な電極または電極と配線の接続部分への配線を切断する工程と、切断された配線の切断部より各電極に近い配線部分において該配線を接地する工程と、を経たブランキングアパーチャアレイの中の一つのブランキングアパーチャの電極および配線を模式図に示している。同図のように、不良な電極102が存在する場合に、一つの配線103が二つの電極101、102に接続されていることから、電極101への配線が補償回路となり、一組の電極対(電極101、101´)が正常に機能するため、ブランキングアパーチャアレイとして使用することが出来、歩留まりの向上したブランキングアパーチャアレイを提供できる。また、図6に示すように、電極102の内部に鬆106などの不良が確認された場合、電極102への配線103を切断する。切断した配線103をブランキングアパーチャアレイ表面に形成された帯電防止層107に接続することにより、開孔内の側壁のほぼ全てが導電材で覆われるため、チャージアップを防止することが出来、精度の良いパターンが形成できるブランキングアパーチャアレイを提供することが出来る。
図7は、本発明に関わる電子ビーム露光装置のブランキングアパーチャアレイ(BAA)の製造方法の第4実施例を説明するフロー図である。
図1-1〜図1-3に示したように電極乃至配線形成工程まででブランキングアパーチャアレイの基本構造を形成した後、電極および電極と配線の接続部分の不良を選別する検査工程を行う。検査方法は、非破壊で検査できるマイクロフォーカスX線CTシステムを用いて行えばよい。続いて、不良の存在する電極へ接続している配線を、フォーカスイオンビーム装置を用いて切断した後、同装置を用いて絶縁材料、例えばSiO2、を開孔した部
分に堆積させ開孔をふさぐ。さらに、切断した配線の電極よりの部分に同装置を用いて、配線まで開孔した後、同装置を用いて金属材料、例えばタングステン、を表面の帯電防止層12(図1-3(13)参照)まで堆積し、帯電防止層と電気的な接続を形成する。以上で、補償回路を用いたブランキングアパーチャアレイが完成する。
また、X線CTシステムとフォーカスイオンビーム装置のステージ座標系をそろえると、製造時の効率が向上する。
図8は、本発明に関わる電子ビーム露光装置のブランキングアパーチャアレイ(BAA)の製造方法の第5実施形態を説明する模式図である。
配線基板201と電極基板202を個別に作製した後、前記2つの基板を張り合わせることによりブランキングアパーチャアレイが製造できる。この方法では、電極の不良を検査する場合、電極基板に配線がないので、不良電極選別の検査を高精度に行うことが出来るため、歩留まりが向上する。
次に上記説明したブランキングアパーチャアレイを用いた電子ビーム露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図9は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)では微小デバイス、例えば半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(EBデータ変換)では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
2 絶縁層
3 レジスト
4 溝
5 絶縁膜
6 導電層
7 絶縁層ダイナミックフォーカスコイル
8、8´導電材
9 絶縁層
10 配線層
11 絶縁層
12 導電層
13 レジスト
101、101´、102、102´ 電極
103、103´ 配線
104コンタクト部
105 配線切断部
201 配線基板
202 電極基板
Claims (10)
- 荷電粒子線を偏向する偏向器であって、
基板に形成された貫通孔と、第1の方向で2つの電極が互いに対向するように該貫通孔の側壁に設置された第1の電極対と、前記第1の方向とは略直交する第2の方向で2つの電極が互いに対向するように該貫通孔の側壁に設置された第2の電極対とを有し、
該第1および第2の電極対を構成する4つの電極は略同一形状であることを特徴とする偏向器。 - 前記第1および第2の電極対を構成する4つの電極に荷電粒子線偏向用電圧を印加するための第1および第2の配線を有し、前記第1の配線は前記第1の電極対を構成する2つの電極の一方および前記第2の電極対を構成する2つの電極の一方に接続され、前記第2の配線は前記第1の電極対を構成する2つの電極の他方および前記第2の電極対を構成する2つの電極の他方に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の偏向器。
- 前記第1および第2の電極対を構成する4つの電極に荷電粒子線偏向用電圧を印加するための第1および第2の配線を有し、前記第1の配線は前記第1および第2の電極対の一方に接続されており、前記第2の配線は前記第1および第2の電極対の他方のうち少なくとも1つの電極から切断していることを特徴とする請求項1に記載の偏向器。
- 複数の偏向器を配列してなる偏向器アレイであって、請求項2に記載の偏向器と請求項3に記載の偏向器とが混在していることを特徴とする偏向器アレイ。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の偏向器を複数個配置したことを特徴とするブランキングアパーチャアレイ。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の偏向器を製造する方法であって、
前記第1および第2の電極対を構成する4つの電極を形成する工程と、
該4つの電極に荷電粒子ビーム偏向用電圧を印加するための配線を形成する工程と、
不良電極または電極と配線の不良接続部分を選別する工程と、
不良電極または不良接続部分が存在した場合に、不良電極または不良接続部分へ接続された配線を切断する工程と、
該不良電極または不良接続部分から切断された配線を接地する工程と、
を有することを特徴とする偏向器の製造方法。 - 前記第1および第2の電極対を構成する4つの電極が形成された電極基板と、該4つの電極に荷電粒子ビーム偏向用電圧を印加するための配線が形成された配線基板と、を張り合わせる工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の偏向器の製造方法。
- 複数個の偏向器を配列してなるブランキングアパーチャアレイの製造方法であって、
各偏向器を請求項6または7に記載の方法で製造することを特徴とするブランキングアパーチャアレイの製造方法。 - 荷電粒子線を用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第1の電子光学系と、
前記第1の電子光学系によって形成される複数の中間像を被露光基板上に投影する第2の電子光学系と、
前記被露光基板を保持し所定の位置に駆動して位置決めする位置決め装置とを有し、
前記第1の電子光学系が、請求項1〜3のいずれかに記載の偏向器、請求項4に記載の
偏向器アレイまたは請求項5に記載のブランキングアパーチャアレイを含むことを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 請求項9に記載の荷電粒子線露光装置を用いて被露光基板を露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
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