JP2000285842A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置Info
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- JP2000285842A JP2000285842A JP11087801A JP8780199A JP2000285842A JP 2000285842 A JP2000285842 A JP 2000285842A JP 11087801 A JP11087801 A JP 11087801A JP 8780199 A JP8780199 A JP 8780199A JP 2000285842 A JP2000285842 A JP 2000285842A
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- particle beam
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- deflection electrode
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101001094026 Synechocystis sp. (strain PCC 6803 / Kazusa) Phasin PhaP Proteins 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】荷電粒子線のドリフトをなくし、安定で高精度
な画像を取得できる荷電粒子線装置を提供する。 【解決手段】荷電粒子源と、荷電粒子源から放出された
荷電粒子線を試料に集束する集束レンズと、荷電粒子線
を試料に走査する走査手段と、荷電粒子線による試料の
照射を避けて荷電粒子線を偏向する偏向電極と、試料か
ら発生する二次信号を検出する検出器とからなる構成で
あって、前記偏向電極は、荷電粒子線が偏向される方向
と大きさを変更するものである。
な画像を取得できる荷電粒子線装置を提供する。 【解決手段】荷電粒子源と、荷電粒子源から放出された
荷電粒子線を試料に集束する集束レンズと、荷電粒子線
を試料に走査する走査手段と、荷電粒子線による試料の
照射を避けて荷電粒子線を偏向する偏向電極と、試料か
ら発生する二次信号を検出する検出器とからなる構成で
あって、前記偏向電極は、荷電粒子線が偏向される方向
と大きさを変更するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は荷電粒子線で試料を
照射して得られる試料特有の情報信号に基づいて試料の
走査像を得る荷電粒子線装置に関する。
照射して得られる試料特有の情報信号に基づいて試料の
走査像を得る荷電粒子線装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子線で試料を照射して試料を観察
したり、測定したり、試料の欠陥を検出したりする荷電
粒子線装置として、走査電子顕微鏡や測長用走査電子顕
微鏡が知られている。
したり、測定したり、試料の欠陥を検出したりする荷電
粒子線装置として、走査電子顕微鏡や測長用走査電子顕
微鏡が知られている。
【０００３】このような荷電粒子線装置を用いる場合、
試料に対してある一方向だけの荷電粒子線の走査を繰り
返し、試料の次の走査開始点に移るまでは荷電粒子線を
遮光する方法が採用されている。これをブランキングと
呼ぶ。ブランキングは、ブランキング用偏向電極に電圧
が印加されて電界が形成され、荷電粒子線が試料に照射
されないように遮へい板や絞りによって遮へいされる位
置まで荷電粒子線を偏向することによってなされる。
試料に対してある一方向だけの荷電粒子線の走査を繰り
返し、試料の次の走査開始点に移るまでは荷電粒子線を
遮光する方法が採用されている。これをブランキングと
呼ぶ。ブランキングは、ブランキング用偏向電極に電圧
が印加されて電界が形成され、荷電粒子線が試料に照射
されないように遮へい板や絞りによって遮へいされる位
置まで荷電粒子線を偏向することによってなされる。
【０００４】荷電粒子線が試料を照射する時間が長い
と、試料に蓄積されるエネルギーが増加し、試料へのコ
ンタミネーションの付着や試料がダメージを受けるとい
う問題が発生する。ブランキングを行うと、荷電粒子線
による試料の照射量が少なくなるため、上記の試料への
コンタミネーションの付着や試料ダメージを軽減するこ
とができる。
と、試料に蓄積されるエネルギーが増加し、試料へのコ
ンタミネーションの付着や試料がダメージを受けるとい
う問題が発生する。ブランキングを行うと、荷電粒子線
による試料の照射量が少なくなるため、上記の試料への
コンタミネーションの付着や試料ダメージを軽減するこ
とができる。
【０００５】一方、ブランキングされた荷電粒子線を遮
へいする遮へい板あるいは絞りの荷電粒子線が照射され
る箇所にはコンタミネーションが付着してしまう。特
に、いつも一方向にブランキングされる場合には、荷電
粒子線が照射される箇所の汚れは最も多くなる。コンタ
ミネーションが付着した箇所は、ブランキングによる荷
電粒子線の照射により帯電し、電界が発生する。また、
帯電箇所は荷電粒子線が照射されていないときには放電
し、元の帯電しない状態に戻る。ブランキングされた荷
電粒子線は、帯電・放電を繰り返す上記コンタミネーシ
ョン部分を走査しながら、試料を走査することになる。
したがって、荷電粒子線はコンタミネーション部分の帯
電により発生した電界の影響を受けて、試料上での走査
位置がずれてしまうという現象が生じてしまう。つま
り、荷電粒子線の位置移動(ドリフト)が発生するといっ
た問題が生じ、像の観察時において、高精度な像を得る
ことができない。
へいする遮へい板あるいは絞りの荷電粒子線が照射され
る箇所にはコンタミネーションが付着してしまう。特
に、いつも一方向にブランキングされる場合には、荷電
粒子線が照射される箇所の汚れは最も多くなる。コンタ
ミネーションが付着した箇所は、ブランキングによる荷
電粒子線の照射により帯電し、電界が発生する。また、
帯電箇所は荷電粒子線が照射されていないときには放電
し、元の帯電しない状態に戻る。ブランキングされた荷
電粒子線は、帯電・放電を繰り返す上記コンタミネーシ
ョン部分を走査しながら、試料を走査することになる。
したがって、荷電粒子線はコンタミネーション部分の帯
電により発生した電界の影響を受けて、試料上での走査
位置がずれてしまうという現象が生じてしまう。つま
り、荷電粒子線の位置移動(ドリフト)が発生するといっ
た問題が生じ、像の観察時において、高精度な像を得る
ことができない。
【０００６】この対策として、特開平3−50715号公報に
記載のものは、荷電粒子線を一方向でなく、他方向にも
偏向しようというものである。しかしながら、偏向の方
向と偏向の量が予め決まっているので、荷電粒子線が照
射される遮へい箇所は常に同じであり、ドリフトの問題
を軽減はできても、完全に解消できるものではない。
記載のものは、荷電粒子線を一方向でなく、他方向にも
偏向しようというものである。しかしながら、偏向の方
向と偏向の量が予め決まっているので、荷電粒子線が照
射される遮へい箇所は常に同じであり、ドリフトの問題
を軽減はできても、完全に解消できるものではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、荷電
粒子線を遮へいした時の局部的なコンタミネーションの
付着による電界の発生をなくすことにより、荷電粒子線
のドリフトをなくし、安定で高精度な画像を取得できる
荷電粒子線装置を提供することにある。
粒子線を遮へいした時の局部的なコンタミネーションの
付着による電界の発生をなくすことにより、荷電粒子線
のドリフトをなくし、安定で高精度な画像を取得できる
荷電粒子線装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、本発明は、荷電粒子源と、荷電粒子源から放出され
た荷電粒子線を試料に集束する集束レンズと、前記試料
を荷電粒子線で走査する走査手段と、荷電粒子線による
試料の照射を避けるよう荷電粒子線を偏向する偏向電極
と、試料から発生する二次信号を検出する検出器とをそ
なえるとともに、前記偏向電極は、荷電粒子線が偏向さ
れる方向と大きさを変更することを特徴とする。
に、本発明は、荷電粒子源と、荷電粒子源から放出され
た荷電粒子線を試料に集束する集束レンズと、前記試料
を荷電粒子線で走査する走査手段と、荷電粒子線による
試料の照射を避けるよう荷電粒子線を偏向する偏向電極
と、試料から発生する二次信号を検出する検出器とをそ
なえるとともに、前記偏向電極は、荷電粒子線が偏向さ
れる方向と大きさを変更することを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施例で
あり、荷電粒子線を用いた荷電粒子線装置の構成の概略
を示す縦断面図である。
あり、荷電粒子線を用いた荷電粒子線装置の構成の概略
を示す縦断面図である。
【００１０】図１において、電子銃１に含まれる電子源
２と引出電極３との間に、引出電源４によって印加され
る電圧Ｖ１により、荷電粒子線３６が電子源２から放出
され、加速電圧Ｖacc によって加速される。
２と引出電極３との間に、引出電源４によって印加され
る電圧Ｖ１により、荷電粒子線３６が電子源２から放出
され、加速電圧Ｖacc によって加速される。
【００１１】荷電粒子線３６は、レンズ電源５によって
制御された集束レンズ６によって、クロスオーバ８が生
じるように集束され、レンズ電源５によって制御された
対物レンズ７によって、ステージ駆動装置（図示せず）
及びステージ位置制御装置９により水平移動可能な試料
ステージ１０上の試料１１に集束されるように試料１１
を照射する。走査信号発生装置２４からの信号によって
偏向器１６は電界を生成し、荷電粒子線３６を偏向し、
これによって試料１１は荷電粒子線３６で走査される。
制御された集束レンズ６によって、クロスオーバ８が生
じるように集束され、レンズ電源５によって制御された
対物レンズ７によって、ステージ駆動装置（図示せず）
及びステージ位置制御装置９により水平移動可能な試料
ステージ１０上の試料１１に集束されるように試料１１
を照射する。走査信号発生装置２４からの信号によって
偏向器１６は電界を生成し、荷電粒子線３６を偏向し、
これによって試料１１は荷電粒子線３６で走査される。
【００１２】荷電粒子線３６の照射によって試料１１か
ら発生する二次信号３３は二次信号検出器２１によって
検出され、これにより画像表示装置３１に試料１１の像
が画像として表示される。画像記憶装置３２は画像表示
装置３１からの画像を記憶する。荷電粒子線位置測定装
置３４は画像記憶装置３２からの画像を用いて、試料上
の荷電粒子線の照射位置を測定する。
ら発生する二次信号３３は二次信号検出器２１によって
検出され、これにより画像表示装置３１に試料１１の像
が画像として表示される。画像記憶装置３２は画像表示
装置３１からの画像を記憶する。荷電粒子線位置測定装
置３４は画像記憶装置３２からの画像を用いて、試料上
の荷電粒子線の照射位置を測定する。
【００１３】荷電粒子線による試料の照射は真空中で行
わなければならないので、図示していないが、上記の構
成の主要部分は真空を保った容器中に収納されている。
わなければならないので、図示していないが、上記の構
成の主要部分は真空を保った容器中に収納されている。
【００１４】集束レンズ６とクロスオーバ８との間には
絞り１４が配置されている。この絞り１４は余分な荷電
粒子を遮断し、更に荷電粒子線３６の開口角を決める。
絞り１４が配置されている。この絞り１４は余分な荷電
粒子を遮断し、更に荷電粒子線３６の開口角を決める。
【００１５】絞り１４と偏向器１６との間には、荷電粒
子線３６をクロスオーバ８が形成される位置付近で偏向
（ブランキング）する、ブランキング用偏向電極１７が
配置されている。このブランキング用偏向電極１７はブ
ランキング用偏向制御装置２３により制御される。ブラ
ンキング用偏向制御装置２３は荷電粒子線位置測定装置
３４で測定された荷電粒子線の位置に基づいてブランキ
ングの制御を行う。ブランキングした荷電粒子線３６を
遮へいするためにブランキング用偏向電極１７の下に絞
り１５を配置する。ブランキングは荷電粒子線３６が試
料１１を走査する際、走査線の終了点から次の走査線の
開始点に移る間に行われる。このように、走査とブラン
キングを繰り返し行い、不必要な荷電粒子線３６を試料
１１に照射しないようにするので、試料１１のコンタミ
ネーション付着やダメージを軽減することができる。
子線３６をクロスオーバ８が形成される位置付近で偏向
（ブランキング）する、ブランキング用偏向電極１７が
配置されている。このブランキング用偏向電極１７はブ
ランキング用偏向制御装置２３により制御される。ブラ
ンキング用偏向制御装置２３は荷電粒子線位置測定装置
３４で測定された荷電粒子線の位置に基づいてブランキ
ングの制御を行う。ブランキングした荷電粒子線３６を
遮へいするためにブランキング用偏向電極１７の下に絞
り１５を配置する。ブランキングは荷電粒子線３６が試
料１１を走査する際、走査線の終了点から次の走査線の
開始点に移る間に行われる。このように、走査とブラン
キングを繰り返し行い、不必要な荷電粒子線３６を試料
１１に照射しないようにするので、試料１１のコンタミ
ネーション付着やダメージを軽減することができる。
【００１６】図２にブランキング用偏向電極１７の構成
の平面図を示す。ブランキング用偏向電極１７は、図２
に示すように、荷電粒子線３６の光軸３５を中心として
対称な偏向電極１８および偏向電極１９とから構成され
ている。
の平面図を示す。ブランキング用偏向電極１７は、図２
に示すように、荷電粒子線３６の光軸３５を中心として
対称な偏向電極１８および偏向電極１９とから構成され
ている。
【００１７】図３にブランキング用偏向電極１７とブラ
ンキング用偏向制御装置２３の構成の縦断面図を示す。
ブランキングするためには、図３に示すように、偏向電
極１８および偏向電極１９に、それぞれ異なる電圧が印
加されるように、ブランキング用偏向制御装置２３によ
り制御する。
ンキング用偏向制御装置２３の構成の縦断面図を示す。
ブランキングするためには、図３に示すように、偏向電
極１８および偏向電極１９に、それぞれ異なる電圧が印
加されるように、ブランキング用偏向制御装置２３によ
り制御する。
【００１８】図３の例では、ブランキング用偏向電極１
７は偏向電極１８および偏向電極１９の２個の電極から
構成され、各電極に電圧を印加することができるので、
荷電粒子線３６のブランキングの方向は、図３に示すよ
うに２方向が可能である。つまり、荷電粒子線３６の一
方向のみの照射による絞り１５上の局部的なコンタミネ
ーションの付着を避けることができ、非軸対称な電界の
発生を防ぐことで、荷電粒子線３６のドリフトを抑制す
ることができる。その結果、荷電粒子線装置は安定で高
精度な画像が得られる。
７は偏向電極１８および偏向電極１９の２個の電極から
構成され、各電極に電圧を印加することができるので、
荷電粒子線３６のブランキングの方向は、図３に示すよ
うに２方向が可能である。つまり、荷電粒子線３６の一
方向のみの照射による絞り１５上の局部的なコンタミネ
ーションの付着を避けることができ、非軸対称な電界の
発生を防ぐことで、荷電粒子線３６のドリフトを抑制す
ることができる。その結果、荷電粒子線装置は安定で高
精度な画像が得られる。
【００１９】なお、両方の偏向電極の間に電位差が生じ
ることで荷電粒子線３６を偏向するため、片方はアース
電位としても同様の効果が得られる。
ることで荷電粒子線３６を偏向するため、片方はアース
電位としても同様の効果が得られる。
【００２０】図４および図５にブランキング用偏向電極
１７の他の構成例の平面図を示す。図４に示されるブラ
ンキング用偏向電極１７は、荷電粒子線３６の光軸３５
を中心として対称に４個の電極から構成される。図５に
示されるブランキング用偏向電極１７は、荷電粒子線３
６の光軸３５を中心として対称に８個の電極から構成さ
れる。ブランキング用偏向電極１７の各電極にはそれぞ
れ異なる電圧が印加され、また、接地の場合もある。各
電極に印加される電圧は、ブランキング用偏向制御装置
２３で制御される。これによって、荷電粒子線３６を、
紙面の平面内の任意の方向に偏向することができる。し
たがって、荷電粒子線３６のドリフトを抑制することが
でき、安定で高精度な画像が得られる。
１７の他の構成例の平面図を示す。図４に示されるブラ
ンキング用偏向電極１７は、荷電粒子線３６の光軸３５
を中心として対称に４個の電極から構成される。図５に
示されるブランキング用偏向電極１７は、荷電粒子線３
６の光軸３５を中心として対称に８個の電極から構成さ
れる。ブランキング用偏向電極１７の各電極にはそれぞ
れ異なる電圧が印加され、また、接地の場合もある。各
電極に印加される電圧は、ブランキング用偏向制御装置
２３で制御される。これによって、荷電粒子線３６を、
紙面の平面内の任意の方向に偏向することができる。し
たがって、荷電粒子線３６のドリフトを抑制することが
でき、安定で高精度な画像が得られる。
【００２１】図１に戻って、ブランキング用偏向電極１
７に印加される電圧は、荷電粒子線位置測定装置３４で
検出された荷電粒子線３６の移動量および移動方向に連
動して、ブランキング用偏向制御装置２３で制御するこ
ともできる。ここで、荷電粒子線３６の位置の移動量お
よび移動方向を検出するには、画像表示装置３１から伝
送され画像記憶装置３２で記憶された試料１１の画像
と、一定時間経過後に再度、記憶装置３２で記憶された
同一の場所の画像とを比較して、画像のずれ量から荷電
粒子線３６の移動量および移動方向、つまりドリフト量
を求めることができる。この結果をもとに、ブランキン
グ用偏向制御装置２３を介してブランキング用偏向電極
１７に電圧を印加して、ブランキング方向を制御するこ
とで、荷電粒子線３６のドリフトを抑制することができ
る。
７に印加される電圧は、荷電粒子線位置測定装置３４で
検出された荷電粒子線３６の移動量および移動方向に連
動して、ブランキング用偏向制御装置２３で制御するこ
ともできる。ここで、荷電粒子線３６の位置の移動量お
よび移動方向を検出するには、画像表示装置３１から伝
送され画像記憶装置３２で記憶された試料１１の画像
と、一定時間経過後に再度、記憶装置３２で記憶された
同一の場所の画像とを比較して、画像のずれ量から荷電
粒子線３６の移動量および移動方向、つまりドリフト量
を求めることができる。この結果をもとに、ブランキン
グ用偏向制御装置２３を介してブランキング用偏向電極
１７に電圧を印加して、ブランキング方向を制御するこ
とで、荷電粒子線３６のドリフトを抑制することができ
る。
【００２２】図６は、図１と同様の荷電粒子線装置の構
成を示す縦断面図であって、その構成の一部のみを示す
図である。図６が図１と異なるのは、画像記憶部３２
ａ，画像記憶部３２ｂ，欠陥判定部４０を備えた点であ
る。欠陥判定部４０はマスク，レチクルやウエハを試料
とし、これらの回路パターンの欠陥を検査する装置に備
えられる。
成を示す縦断面図であって、その構成の一部のみを示す
図である。図６が図１と異なるのは、画像記憶部３２
ａ，画像記憶部３２ｂ，欠陥判定部４０を備えた点であ
る。欠陥判定部４０はマスク，レチクルやウエハを試料
とし、これらの回路パターンの欠陥を検査する装置に備
えられる。
【００２３】二次信号検出器２１で検出された二次信号
３３は、画像記憶部３２ａおよび画像記憶部３２ｂに記
憶される。具体的には、例えばウエハ上の検査領域を分
割し、第一の検査領域の画像信号を画像記憶部３２ａに
記憶する。次に、同一パターンの第二の検査領域の画像
信号を画像記憶部３２ｂに記憶するとともに、同時に欠
陥判定部４０で、画像記憶部３２ａの第一の検査領域の
画像信号と比較する。次に、第三の検査領域の画像信号
を画像記憶部３２ａに上書き記憶し、同時に画像記憶部
３２ｂの第二の検査領域の画像信号と比較する。これを
繰り返し、すべての検査領域について画像信号の記憶お
よび比較を実行する。
３３は、画像記憶部３２ａおよび画像記憶部３２ｂに記
憶される。具体的には、例えばウエハ上の検査領域を分
割し、第一の検査領域の画像信号を画像記憶部３２ａに
記憶する。次に、同一パターンの第二の検査領域の画像
信号を画像記憶部３２ｂに記憶するとともに、同時に欠
陥判定部４０で、画像記憶部３２ａの第一の検査領域の
画像信号と比較する。次に、第三の検査領域の画像信号
を画像記憶部３２ａに上書き記憶し、同時に画像記憶部
３２ｂの第二の検査領域の画像信号と比較する。これを
繰り返し、すべての検査領域について画像信号の記憶お
よび比較を実行する。
【００２４】欠陥判定部４０で行われる画像信号の比較
によって、同一パターンであるべき２個の検査領域の片
方に欠陥があった場合は、その欠陥を抽出することがで
きる。
によって、同一パターンであるべき２個の検査領域の片
方に欠陥があった場合は、その欠陥を抽出することがで
きる。
【００２５】欠陥検査において、荷電粒子線のドリフト
は誤った欠陥判定を引き起こす原因になるため、避けな
ければならない。図２から図５に示したような構成を欠
陥検査の装置に採用することによて、荷電粒子線のドリ
フトを防止でき、安定した高精度な欠陥検査が可能にな
る。
は誤った欠陥判定を引き起こす原因になるため、避けな
ければならない。図２から図５に示したような構成を欠
陥検査の装置に採用することによて、荷電粒子線のドリ
フトを防止でき、安定した高精度な欠陥検査が可能にな
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、荷電粒子線を遮へいし
た時の局部的なコンタミネーションの付着による電界の
発生をなくすことにより、荷電粒子線のドリフトをなく
し、安定で高精度な画像を取得できるという効果が得ら
れる。
た時の局部的なコンタミネーションの付着による電界の
発生をなくすことにより、荷電粒子線のドリフトをなく
し、安定で高精度な画像を取得できるという効果が得ら
れる。
【図１】荷電粒子線装置の構成の概略を示す縦断面図。
【図２】ブランキング用偏向電極の構成を示す平面図。
【図３】ブランキング用偏向電極とブランキング用偏向
制御装置の構成を示す縦断面図。
制御装置の構成を示す縦断面図。
【図４】ブランキング用偏向電極の構成を示す平面図。
【図５】ブランキング用偏向電極の構成を示す平面図。
【図６】荷電粒子線装置の構成の概略を示す縦断面図。
１…電子銃、２…電子源、３…引出電極、４…引出電
源、５…レンズ電源、６…集束レンズ、７…対物レン
ズ、８…クロスオーバ、９…ステージ位置制御装置、１
０…試料ステージ、１１…試料、１４，１５…絞り、１
６…偏向器、１７…ブランキング用偏向電極、１８，１
９…偏向電極、２１…二次信号検出器、２３…ブランキ
ング用偏向制御装置、２４…走査信号発生装置、３１…
画像表示装置、３２…画像記憶装置、３２ａ，３２ｂ…
画像記憶部、３３…二次信号、３４…荷電粒子線位置測
定装置、３５…光軸、３６…荷電粒子線、４０…欠陥判
定部。
源、５…レンズ電源、６…集束レンズ、７…対物レン
ズ、８…クロスオーバ、９…ステージ位置制御装置、１
０…試料ステージ、１１…試料、１４，１５…絞り、１
６…偏向器、１７…ブランキング用偏向電極、１８，１
９…偏向電極、２１…二次信号検出器、２３…ブランキ
ング用偏向制御装置、２４…走査信号発生装置、３１…
画像表示装置、３２…画像記憶装置、３２ａ，３２ｂ…
画像記憶部、３３…二次信号、３４…荷電粒子線位置測
定装置、３５…光軸、３６…荷電粒子線、４０…欠陥判
定部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯塚 正美 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器事業部内 Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA07 CA03 FA06 GA01 GA06 GA09 GA13 HA01 HA13 JA02 JA03 JA13 KA03 LA11 5C033 FF01 FF03 FF09
Claims (6)
- 【請求項１】荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出さ
れた荷電粒子線を試料に集束する集束レンズと、前記試
料を前記荷電粒子線で走査する走査手段と、前記荷電粒
子線による前記試料への照射を避けるよう前記荷電粒子
線を偏向する偏向電極と、前記試料から発生する二次信
号を検出する検出器とをそなえた荷電粒子線装置におい
て、 前記偏向電極は、前記荷電粒子線が偏向される方向と大
きさを変更することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 【請求項２】請求項１の記載において、前記偏向電極
は、少なくとも２個以上の電極を含み、前記荷電粒子線
の光軸の周りに配置されていることを特徴とする荷電粒
子線装置。 - 【請求項３】請求項１または２のいずれかの記載におい
て、前記荷電粒子線の移動方向，移動量のいずれか一方
または両方を検出する移動検出手段を備えたことを特徴
とする荷電粒子線装置。 - 【請求項４】請求項３の記載において、前記偏向電極に
印加される電圧を、前記荷電粒子線の移動方向，移動量
のいずれか一方または両方と連動して制御する電圧制御
手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 【請求項５】請求項３または４のいずれかの記載におい
て、前記移動検出手段は前記試料上の前記荷電粒子線の
移動方向，移動量のいずれか一方または両方を検出する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 【請求項６】請求項１ないし５のいずれかの記載におい
て、前記二次信号に基づいて前記試料の画像情報を抽出
し該画像情報を記憶する記憶手段と、前記記憶された画
像情報を用いて画像比較を行って前記試料の欠陥を検出
する欠陥検出手段とを備えたことを特徴とする荷電粒子
線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08780199A JP3494068B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 荷電粒子線装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000285842A true JP2000285842A (ja) | 2000-10-13 |
| JP3494068B2 JP3494068B2 (ja) | 2004-02-03 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3494068B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7425702B2 (en) | 2003-05-09 | 2008-09-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus |
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1999
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| JP2023503486A (ja) * | 2019-11-27 | 2023-01-30 | カール ツァイス マルチセム ゲーエムベーハー | マルチビーム偏光装置及びビームストップを備えた粒子ビームシステム、粒子ビームシステムの動作方法、及び関連するコンピュータプログラム製品 |
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| JP3494068B2 (ja) | 2004-02-03 |
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