JP2006015332A - 成膜方法、及びそれを用いたスペーサと薄型フラットパネルディスプレイの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 凸部頂の最小間隔Sが1〜60μm、高さHと間隔Sの比(H/S)が0.2以上の凹凸表面を有する基体表面に、酸化物の前駆体溶液を、直径dが上記凹凸表面の最小間隔S×0.8より小さい液滴が体積割合で80%以上を占める霧状態にして、加熱した上記基体表面に対して噴霧する。
【選択図】 図1
Description
凸部頂の最小間隔Sが1〜60μm、高さHと間隔Sの比(H/S)が0.2以上の凹凸表面を有する基体表面に、噴霧熱分解法で酸化物被膜を形成する成膜方法であって、上記酸化物の前駆体溶液を、直径dが上記凹凸表面の最小間隔S×0.8より小さい液滴が体積割合で80%以上を占める霧状態にして、加熱した上記基体表面に対して噴霧することを特徴とする。
外囲器を有する薄型フラットパネルディスプレイの該外囲器内に配置される、スペーサの製造方法であって、
前記外囲器は、複数の電子放出素子と該電子放出素子の配線とを備えた電子源を有する第1の基板と、側壁と、前記側壁を介して前記第一の基板と対向配置し、前記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する発光部材を備えた第2の基板とを有し、
前記スペーサは、前記第1の基板と第2の基板との間に位置し、凸部頂の最小間隔Sが1〜60μm、高さHと間隔Sの比が0.2以上の凹凸表面を有する基体と、該基体表面を被覆する抵抗膜とを有し、
前記抵抗膜を上記第1の発明の成膜方法により前記基体表面に成膜することを特徴とする。
複数の電子放出素子と該電子放出素子の配線とを備えた電子源を有する第1の基板と、側壁と、前記側壁を介して前記第一の基板と対向配置し、前記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する発光部材を備えた第2の基板と、前記第1の基板と第2の基板との間に位置するスペーサとを有する外囲器を有する薄型フラットパネルディスプレイの製造方法であって、
前記スペーサは、凸部頂の最小間隔Sが1〜60μm、高さHと間隔Sの比が0.2以上の凹凸表面を有する基体と、該基体表面を被覆する抵抗膜とを有し、該スペーサを上記第2の発明のスペーサの製造方法により製造することを特徴とする。
外囲器を有する薄型フラットパネルディスプレイの該外囲器内に配置される、表面に凹凸形状を有するスペーサの製造方法であって、
表面に凹凸を有するスペーサ基体を加熱する工程と、
該加熱された基体に被膜材料を含む液体を塗布して被膜を形成する工程とを有し、
該被膜材料を含む液体の塗布は、超音波噴霧器によって行われることを特徴とする。
基体としてソーダライムガラスを用い、ガラスモールド法により凹凸を形成した。図4(a)は、本実施例で用いた基体を模式的に示す斜視図であり、図4(b)は、図4(a)におけるA−A’断面の部分模式図である。本例では、凹凸形状は正弦波形状であり、2mm×10mm×200μmの長方形の形をした基体の、短辺に平行になるように凹凸が刻まれている。凹凸の凸部頂の最小間隔Sは60μmであり、深さHは30μmである。
実施例1と同様の基体、材料で、二流体スプレー法を用いて同様の条件で噴霧熱分解法による成膜を行った。但し、それぞれの前駆体溶液は、予め質量比1:1で混合した。即ち、SnCl4/EtOHの1質量%溶液と、Al(acac)3/EtOHの2質量%溶液を質量比1:1で混合したので、SnCl4が0.5質量%、Al(acac)3が1質量%のエタノール溶液となる。この溶液を430℃に加熱した基体1(実施例1と同様の形状)に噴霧し、成膜を行った。
図9の構成の画像表示装置を製造した。スペーサ94の基体は加熱延伸法を用いて形成した。その形成方法を図6を参照しながら説明する。図中、61は母材、62はヒーター、63は延伸ローラー、64はカッター、65、67、68は延伸した部材、66はノズルである。
青板ガラスを基板95として用い、洗剤と純水により洗浄した後、スクリーン印刷法により、素子電極81,82の形状のMODペースト(DU−2110;ノリタケ(株)製)のパターンを形成した。このMODペーストは金属成分として、金を含むものである。
次いで、金属成分として銀を含むペースト材料(NP−4028A;ノリタケ(株)製)を用い、スクリーン印刷法により列方向配線86のパターンを形成、工程1と同様の条件で焼成して列方向配線86を形成した。
工程2の列方向配線86と同様の方法で、行方向配線85を形成した。
次いで、導電性薄膜83を形成した。具体的には、有機パラジウム含有溶液を、バブルジェット(登録商標)方式のインクジェット噴射装置を用いて、幅が200μmとなるように付与し、その後350℃で10分間の加熱処理を行って、酸化パラジウム微粒子から成る微粒子膜を得た。その後、上記基板95を弱アルカリ洗浄液で超音波洗浄した。洗浄液は0.4質量%TMAH(トリメチルアンモニウムハイドライド)を用い、超音波洗浄は2分間行った。洗浄後は純水で流水置換すすぎを5分間行い、付着水をエアーナイフで除去した後、オーブンにて120℃、2分間の乾燥を行った。
図6の噴霧熱分解法での成膜を行う際に、前駆体の霧化を行うネブライザの振動子を取り替え、噴霧液滴径分布が異なるものでスペーサを製造した以外は、実施例2と同様にして画像表示装置を製造した。本例で用いたネブライザは、液滴の中心径約25μm、24μm以上の液滴径の占める体積割合が約65%を占めた。
スペーサの基体表面に設ける凹凸の凸部頂の最小間隔Sが15μm、深さHが10μmとした。これは、図6の63で示される、延伸ローラーに設けられている溝作成ブレードの形状を変えることにより対応した。
スペーサ94の製造工程において、ネブライザで生成される噴霧液滴を、メッシュによって分級せず、そのまま(中心径が約8μm、液滴径分布は1〜15μmが80体積%、12μm以上が40体積%以上)噴霧する以外は、全て実施例3と同様に行い、画像表示装置を製造した。
2 液滴
3 ノズル
4 ヒーター
11 酸化物前駆体を含む溶液
12 固体成分
13 ガス状成分
14 酸化物微粒子
51a,51b 霧化ユニット
52 バルブ
53 キャリアガス
61 母材
62 ヒーター
63 延伸ローラー
64 カッター
65,67,68 部材
66 ノズル
81,82 素子電極
83 導電性薄膜
84 電子放出部
91 フェースプレート
92 リアプレート
93 側壁
94 スペーサ
95 電子源基板
96 ガラス基板
97 蛍光膜
98 メタルバック
99 電子放出素子
Claims (10)
- 凸部頂の最小間隔Sが1〜60μm、高さHと間隔Sの比(H/S)が0.2以上の凹凸表面を有する基体表面に、噴霧熱分解法で酸化物被膜を形成する成膜方法であって、上記酸化物の前駆体溶液を、直径dが上記凹凸表面の最小間隔S×0.8より小さい液滴が体積割合で80%以上を占める霧状態にして、加熱した上記基体表面に対して噴霧することを特徴とする成膜方法。
- 前記液滴の形成手段が超音波噴霧器である請求項1に記載の成膜方法。
- 前記液滴が液滴形成手段により発生した液滴をさらに分級した後、基体表面に付与する請求項1または2に記載の成膜方法。
- 前記凹凸表面の形状が、直線状に延びた凹状ストライプ部と凸状ストライプ部とが互いに繰り返される形状であり、該ストライプに直交する方向における前記基体の断面形状は、正弦波形状或いは矩形波形状である請求項1〜3のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記成膜方法に用いられる酸化物の前駆体溶液の溶媒が、水、メタノール、エタノール、アセトン、イソプロピルアルコール、メチルエチルケトンのいずれか、または2種以上の混合溶媒である請求項1〜4のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記成膜方法に用いられる酸化物の前駆体が、金属またはSiを含む化合物のいずれか、または2種以上を含む請求項1〜5のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記酸化物の前駆体が、アンモニウム塩、塩化物、硝酸塩、アセチルアセトネート錯体、DMP錯体、カルボン酸塩のいずれかである請求項6に記載の成膜方法。
- 外囲器を有する薄型フラットパネルディスプレイの該外囲器内に配置される、スペーサの製造方法であって、
前記外囲器は、複数の電子放出素子と該電子放出素子の配線とを備えた電子源を有する第1の基板と、側壁と、前記側壁を介して前記第一の基板と対向配置し、前記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する発光部材を備えた第2の基板とを有し、
前記スペーサは、前記第1の基板と第2の基板との間に位置し、凸部頂の最小間隔Sが1〜60μm、高さHと間隔Sの比が0.2以上の凹凸表面を有する基体と、該基体表面を被覆する抵抗膜とを有し、
前記抵抗膜を請求項1に記載の成膜方法により前記基体表面に成膜することを特徴とするスペーサの製造方法。 - 複数の電子放出素子と該電子放出素子の配線とを備えた電子源を有する第1の基板と、側壁と、前記側壁を介して前記第一の基板と対向配置し、前記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する発光部材を備えた第2の基板と、前記第1の基板と第2の基板との間に位置するスペーサとを有する外囲器を有する薄型フラットパネルディスプレイの製造方法であって、
前記スペーサは、凸部頂の最小間隔Sが1〜60μm、高さHと間隔Sの比が0.2以上の凹凸表面を有する基体と、該基体表面を被覆する抵抗膜とを有し、該スペーサを請求項8に記載のスペーサの製造方法により製造することを特徴とする薄型フラットパネルディスプレイの製造方法。 - 外囲器を有する薄型フラットパネルディスプレイの該外囲器内に配置される、表面に凹凸形状を有するスペーサの製造方法であって、
表面に凹凸を有するスペーサ基体を加熱する工程と、
該加熱された基体に被膜材料を含む液体を塗布して被膜を形成する工程とを有し、
該被膜材料を含む液体の塗布は、超音波噴霧器によって行われることを特徴とするスペーサの製造方法。
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KR1020050047010A KR100787258B1 (ko) | 2004-06-03 | 2005-06-02 | 성막방법, 이 성막방법을 이용한 스페이서 및 박형의 플랫패널 디스플레이의 제조방법 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008078113A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-04-03 | Fujikura Ltd | 透明導電性基板の製造装置 |
JP2010082561A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体の製造方法 |
WO2013022032A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 日本曹達株式会社 | 積層体およびそれの製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1862578B1 (en) | 2006-06-01 | 2012-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Drum Type Washing Machine |
EP2354292B1 (en) | 2006-06-01 | 2018-04-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Washing machine having balancer |
US8449970B2 (en) * | 2007-07-23 | 2013-05-28 | 3M Innovative Properties Company | Antistatic article, method of making the same, and display device having the same |
CN113971342A (zh) * | 2021-10-20 | 2022-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种墨水干燥成膜的仿真方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61244025A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 薄膜製造方法 |
JPH087806A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-12 | Canon Inc | 電子線発生装置および該電子線発生装置を用いた画像形成装置 |
JPH1187747A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Matsushita Denchi Kogyo Kk | 化合物半導体膜の製造方法および太陽電池 |
US5939822A (en) * | 1994-12-05 | 1999-08-17 | Semix, Inc. | Support structure for flat panel displays |
JPH11347477A (ja) * | 1998-06-02 | 1999-12-21 | Asahi Chem Ind Co Ltd | コーティング方法 |
JP2000311608A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-11-07 | Canon Inc | 電子線装置用スペーサの製造方法と電子線装置の製造方法 |
JP2001143620A (ja) * | 1999-02-25 | 2001-05-25 | Canon Inc | 電子線装置用スペーサの製造方法と電子線装置の製造方法 |
JP2001259494A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-25 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 薄膜形成方法 |
JP2003138376A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-14 | Geomatec Co Ltd | エアロゾル熱分解法による薄膜形成方法 |
JP2003238205A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-08-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 薄膜形成方法およびその方法で形成した薄膜を備える基体 |
JP2003303561A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Canon Inc | スペーサ、スペーサの製造方法および電子線装置 |
JP2004039269A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電膜付基体の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR910795A (fr) * | 1939-05-20 | 1946-06-18 | Union Des Verreries Mecaniques | Procédé et dispositif de fabrication de verres spéciaux sur les machines à étirer |
US4397671A (en) * | 1981-11-30 | 1983-08-09 | Ford Motor Company | Method of placing a metal oxide film on a surface of a heated glass substrate |
US5540959A (en) * | 1995-02-21 | 1996-07-30 | Howard J. Greenwald | Process for preparing a coated substrate |
US6116184A (en) * | 1996-05-21 | 2000-09-12 | Symetrix Corporation | Method and apparatus for misted liquid source deposition of thin film with reduced mist particle size |
JPH11176324A (ja) | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Suzuki Sogyo Co Ltd | 微細隔壁の形成方法 |
JP2000123724A (ja) | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス放電型表示装置の製造方法 |
US6617772B1 (en) * | 1998-12-11 | 2003-09-09 | Candescent Technologies Corporation | Flat-panel display having spacer with rough face for inhibiting secondary electron escape |
JP2002184313A (ja) | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Toshiba Corp | 画像表示装置の製造方法および封着材充填装置 |
JP2003206158A (ja) | 2002-01-11 | 2003-07-22 | Fujikura Ltd | スプレー熱分解法による透明導電膜作製方法 |
KR100462073B1 (ko) * | 2002-07-10 | 2004-12-17 | 한국화학연구원 | 미분체 합성을 위한 초음파 분무열분해 장치 |
-
2005
- 2005-05-16 JP JP2005142137A patent/JP4745720B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61244025A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 薄膜製造方法 |
JPH087806A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-12 | Canon Inc | 電子線発生装置および該電子線発生装置を用いた画像形成装置 |
US5939822A (en) * | 1994-12-05 | 1999-08-17 | Semix, Inc. | Support structure for flat panel displays |
JPH1187747A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Matsushita Denchi Kogyo Kk | 化合物半導体膜の製造方法および太陽電池 |
JPH11347477A (ja) * | 1998-06-02 | 1999-12-21 | Asahi Chem Ind Co Ltd | コーティング方法 |
JP2000311608A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-11-07 | Canon Inc | 電子線装置用スペーサの製造方法と電子線装置の製造方法 |
JP2001143620A (ja) * | 1999-02-25 | 2001-05-25 | Canon Inc | 電子線装置用スペーサの製造方法と電子線装置の製造方法 |
JP2001259494A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-25 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 薄膜形成方法 |
JP2003138376A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-14 | Geomatec Co Ltd | エアロゾル熱分解法による薄膜形成方法 |
JP2003238205A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-08-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 薄膜形成方法およびその方法で形成した薄膜を備える基体 |
JP2003303561A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Canon Inc | スペーサ、スペーサの製造方法および電子線装置 |
JP2004039269A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電膜付基体の製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008078113A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-04-03 | Fujikura Ltd | 透明導電性基板の製造装置 |
JP2010082561A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体の製造方法 |
WO2013022032A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 日本曹達株式会社 | 積層体およびそれの製造方法 |
JPWO2013022032A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2015-03-05 | 日本曹達株式会社 | 積層体およびそれの製造方法 |
KR20150103292A (ko) * | 2011-08-10 | 2015-09-09 | 닛뽕소다 가부시키가이샤 | 적층체 및 그것의 제조 방법 |
US9338884B2 (en) | 2011-08-10 | 2016-05-10 | Nippon Soda Co., Ltd. | Laminated body and manufacturing process therefor |
KR101672153B1 (ko) | 2011-08-10 | 2016-11-02 | 닛뽕소다 가부시키가이샤 | 적층체 및 그것의 제조 방법 |
JP2017022118A (ja) * | 2011-08-10 | 2017-01-26 | 日本曹達株式会社 | 積層体およびそれの製造方法 |
Also Published As
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