KR19980701858A - 유리 기판 제조 방법 및 전자 디스플레이용 유리 기판 - Google Patents

Abstract

특별한 마그네슘-산화층에서 높은 δ_MAX를 갖는 금속-산화층이 스프레이-열 분해 프로세스에 의해 전자 디스플레이 장치의 선택판 또는 채널판과 같은 유리기판 위에 제공된다. 이 목적을 위해, 에탄올 또는 다른 (유기) 용매 및/또는 물에서 Mg 아세트염과 같은 용액이 350-550℃의 온도로 유지되는 기판에 스프레이된다. 채널판의 채널의 바닥과 벽위에 층을 구비하는 디스플레이 장치에서, 50-100V/cm의 최소 전송 전압이 필요하다.

Description

유리 기판 제조 방법 및 전자 디스플레이용 유리 기판

금속-산화층, 특히 마그네슘-산화층은 특히 전자 멀티플라이어에서 제2전자 방출층으로서 사용된다. 그러한 층은 적어도 1의 제2전자-방출 계수 δ_MAX를 가져야만 한다. 제조 프로세스에 의존해서, 마그네슘 산화물은 3 내지 25의 범위에서 δ_MAX값을 가진다. 마그네슘-산화층은 또한 미국 특허 ..... (시리얼 번호 08/415220)에 서술된 바와 같이 유리 선택 판과 편평한 전자 디스플레이 위에서 사용되며, 상기 미국 특허는 출원인의 이름(소위 제우스 디스플레이)으로 EP-A-0,464,937호에 대응한다. 마그네슘-산화층은 제2전자를 발생하는데 필요하며 또한 전자 붕괴에 대항하여 유리판을 보호하는데도 필요하다. 마그네슘 산화물은 또한 플라즈마 디스플레이(PDPs) 및 플라즈마 어드레스된 LCDs(PALCs)에서 전자 보호 물질로서 사용된다.

마그네슘-산화층은 특히, RF 스퍼터링 수법, e-빔 증발 수법 및 화학 증기 증착 수법에 의해 제조될 수 있다. 증기-증착 마그네슘-산화층은 7-12의 δ값을 갖는다. 그렇지만, 이들 방법은 비용이 많이 들며 편평한 전자 디스플레이와 같은 치수가 큰 유리 기판의 대량생산에는 적합하지 못하다. 다른 공지된 방법에서는 MgO 입자와 유기 바인더를 포함하는 반죽을 사용한다. 약 500℃의 대기 중에서 스크린 인쇄 및 석회화(calcining)에 의해 층이 만들어 진다. 그렇지만 상기 만들어진 층은 비교적 낮은 제2전자-방출 계수(δ_MAX5)를 가지며 다공성이다.

마그네슘-산화층을 적용하는 습식-화학적 방법은 산호를 포함하는 대기에서 마그네슘 아세틸아세톤염의 열 분해에 기초한다. 그렇지만, 제조된 마그네슘-산화층은 유리에 충분하게 접착되지 않는 것으로 밝혀졌다.

(마그네슘) 산화층을 적용하는 다른 습식-화학적 방법은 솔-겔 방법(sol-gel method)이며 이것은 현재의 출원인 이름으로, EP-A-0,533,256(PHN 13.841)에 대응하는 미국 특허 ..... (시리얼 번호 08/170694)에 서술되어 있다. 솔-겔 방법은 가수분해(hydrolysis) 및 다액화(polycondensation)의한 액체 용액에서 금속-알콕시 화합물의 변환에 기초한다. 이 방법에서, 예를 들어 시작 물질로서 테트라에틸오소실리카염(tetraethyl orthosilicate)(테트라에톡시 실란)(tetraethoxy silane)의 액체 용액을 사용해서 실리콘-이산화층이 제조된다.

그렇지만, 마그네슘 디에톡사이드와 같은 마그네슘-디알콕사이드 화합물의 단점은 가수분해 반응으로 Mg(OH)₂의 침전을 야기한다는 것이다. 게다가, 마그네슘-디알콕사이드 화합물은 물과 알콜에서 잘 분해되지도 않는다.

MgO 층을 준비한 다른 습식-화학적 방법에서 마그네슘 에톡사이드는 시작물질로서 사용된다. 아세테이트와 아세틸아세톤염 군으로의 변형은 적절한 코팅용액을 준비하게 하며, 이 용액은 딥-코팅 프로세스에 의해 MgO 층을 증착하는데 사용될 수 있다. UV 광으로 연속적인 경화 프로세스에 의해 최종의 MgO 층을 얻을 수 있다.

UV 경화 단계화는 별개로 위에서 언급한 시스템은 몇 가지 단점을 갖는다. 예를 들어, 딥-코팅에 의한 MgO 층을 적용하면 용액은 오랜 시간동안 안정화되어 있어야만 한다. 사용된 용액은 이 요구에 부합하지 못한 것으로 밝혀졌다.

본 발명은 편평한 전자 디스플레이 장치에서 특히 사용되는 금속-산화층으로 코팅된 유리 기판의 제조방법에 관한다.

도 1은 스프레이-열 분해 프로세스를 실행하는 장치를 도시한 개략도이다.

도 2a, 2b는 채널 판과 선택-판 시스템을 포함하는 편평한 전자 디스플레이 장치에 대한 각각의 입면도, 단면도이다.

도 3은 도 2 디스플레이 장치의 선택 판을 갖는 채널 판의 일부에 대한 입면도이다.

도 4는 도 2 디스플레이 장치의 선택-판 시스템의 판에 대한 단면도이다.

본 발명의 목적은 금속-산화층으로 코팅된 유리 기판을 제조하는 간단한 방법을 제공하는 것이며, 이 방법은 특히 비교적 낮은 온도(특히 500℃이하)에서 실용적이며 또한 코팅은 유리에 잘 부착되며 게다가 충분히 높은 제2전자 방출(δ_MAX≤ 5 특히 ≤ 7)을 나타낸다.

이들 목적은,

- 유기 기판을 가열하는 단계;

- 상기 가열된 기판의 표면 위에 분해될 수 있는 금속 염 용액을 스프레이하여 상기 기판의 표면 위에 또는 표면에 인접하여 금속 염의 열 분해를 일으키는 단계;를 특징으로 하는 방법에 의해 달성된다.

특히 MgO와 같은 금속 산화물의 스프레이-열 분해 기술은 분해된 금속 염을 포함하는 용액을 뜨거운 기판 위에 스프레이 하는 단계를 포함한다. 기판의 온도는 사용된 마그네슘 화합물이 분해될 수 있을 정도가 되도록 선택되는데 통상적으로 350℃ 내지 550℃의 범위에서 분해가 일어난다. 용매에 있어서는 이 방법에서 물이 적절하게 사용될 수도 있지만 급격하게 증발하는 유기 용매가 사용될 수 있다. 기판이 뜨거움에 따라, 용매는 증발하게 될 것이고 가능한 부분적으로 타게 될 것이다. 금속 염 자체는 일반적으로 충분한 0를 포함하여 분해수법에 의해 금속 산화물과 반응하게 되며 필요하다면 대기중의 O₂가 이 프로세스에서 사용된다.

이 기술의 큰 장점은 층이 뜨거운 기판의 바깥쪽으로 형성된다는 점이다. 대조적으로 딥-코팅 프로세스에 있어서는 먼저 그 전체에 젖은 층이 증착되고 그런 다음 건조된다. 석회화 프로세스(calcining process)에서는 상승된 온도(400-500℃)에서 염이 산화물로 변환되며, 이것을 일반적으로 매우 조밀한 층을 유도해내지 못한다. 본 발명에서의 인식은 스프레이 열 분해에 의해 매우 조밀한 층이 증착될 수 있다는 점에 근거를 두고 있다. 스프레이 열 분해 프로세스에서는 안정한 액체가 필수적인 게 아니다. 액체를 기판에 스프레이하기 위해서는 체재 시간(residence time)이 몇 시간 내지 하루정도면 충분하다. MgO의 스프레이 열 분해인 경우 분당 2 내지 100nm 범위에서 통상적인 증착비가 얻어졌다. 2nm/분의 증착 비는 δ_MAX9가 되고 반면에 100nm/분의 증착 비는 약 7의 δ_MAX가 생긴다. 필요하다면, 금속-염 입자들도 기판에 스프레이 되어 열 분해될 수 있다.

표면이 코팅된 유리 기판이 특정한 형태의 전자 디스플레이 장치에 사용된다면, (예를 들어 다수의 평행한 채널 형태의) 벽과 바닥이 있는 다수의 오목부를 포함하여야 한다. 상기 디스플레이 장치의 적절한 동작에서(예를 들어 전자 전송을 보장하기 위해), 벽위의 코팅은 충분히 두꺼워야 하는데 특별히 말한다면 적어도 5nm가 되어야 하고 양호하게는 10nm이 되어야 하는 것이 중요하다. 본 발명에 따른 스프레이-열 분해 방법은 바닥 위에 매우 두꺼운 층을 형성하지 않고서도 상기 요구에 부합하는 것이 가능하다. 특히 증발-코팅 프로세스는 벽과 바닥 위의 층 두께에서의 차이를 크게 할 수 있기 때문에 벽이 충분하지 못한 물질로 된 영역을 갖는 것이 가능하다.

상기 금속-염 용액을 위한 용매에서처럼, 예를 들어 (100%)알콜, (100%)케톤, (100%)물, 또는 이들 물질의 적어도 두 가지의 혼합물이 사용될 수 있다. 적절한 알콜로는 예를 들어 메탄올, 에탄올, 및 이소프로판올이 된다. 케톤의 예로는 아세톤이 적절하다. 용매로서 100% 물을 사용하면 9나 10의 δ_MAX가 얻어진다.

필요하다면, 본 발명에 따라 코팅 용액에 마그네슘-산화물 입자가 첨가된다. 최대의 제2전자-방출 계수 δ_MAX가 요구될 수 있도록 상기 마그네슘-산화물 입자가 준비될 수 있다. 이들 입자들은 예를 들어 Mg(OH)₂를 800℃로 가열함으로써 준비될 수 있다. 입자의 크기는 예를 들어 1 내지 50 또는 100nm가 된다. 입자가 준비되면 본 발명에 따라 코팅 용액에 떠 있게 된다. 입자의 농도는 예를 들어 1-10 wt.%가 된다.

위에서 언급한 방식대로 액체는 유리 기판에 스프레이 된다. 형성된 마그네슘-산화층은 유리 기판에서 마그네슘-산화물 입자의 매트릭스를 포함한다. 이것은 중요한데 특히 예를 들어 플라즈마 디스플레이의 경우에 있어서 요구된 바와 같이 층을 더 두껍게 하는 것이 중요하다(두께 ≥ 1㎛).

본 발명의 상기 및 다른 관점은 이후로 설명되는 실시예를 참조해서 설명되는 바로부터 분명하게 될 것이다.

[실시예 1]

유기 기판에 MgO를 증착하기 위해 도 1에 도시된 스프레이-열 분해 리액터를 이용할 수 있다.

디스플레이에서 사용되는 기판(17)은 예를 들어 대각선의 길이가 10인치 이상인 직사각형의 유기 기판으로 이루어져 있다.

Mg 염을 함유한 용액(18)이 예를 들어 초음파 노즐(19)에 의해 안개 모양으로 스프레이 된다. 대안적으로 상기 용액이 압축 공기가 든 스프레이어, 예를 들어 페인트 스프레이어에 의해 스프레이 된다. 질산염(nitrate), 탄산염(carbonate), 또는 염화물(chloride)은 제외하고, Mg 염이 휘발성 유기-금속 화합물 군으로부터 이롭게 선택될 수 있다. 이 군의 유용한 대표적인 것으로는 β-디케톤염(β-diketonates), 알콕사이드염(alkoxides), 카르복실염(carboxylates)이 있다.

기판(17)은 가열장치(20)(뜨거운 판)에 의해 소정의 온도에서 유지되며 이 경우 상기 가열장치는 수평으로 배치되며 또한 온도 센서(21)와 온도 제어기(22)를 포함한다. 한편, 이 온도는 사용된 유리의 콤팩팅 온도(compacting temperature) 이하이며 한편으로는 가열된 기판에 사용된 Mg 염이 접촉하자마자 분해되도록 충분히 높다. 예를 들어, Mg 초산염은 약 350℃에서 분해되며 Mg 질산염은 약 500℃에서 분해되고 Mg 아세틸아세톤염은 500℃ 또는 그 이상에서 분해된다. 뜨거운 판(20)은 스프레잉 프로세스동안 왕복 운동을 한다. 상기 노즐은 뜨거운 판(20)으로부터 수 데시미터의 거리로 배치되며 상기 스프레잉 프로세스동안 상기 뜨거운 판을 예각(예를 들어 45℃)으로 만든다. 스프레잉 프로세스동안 노즐은 상기 뜨거운 판의 방향과 직각으로 움직이며 노즐의 움직임은 뜨거운 판의 움직임만큼이나 빠른 5-10x가 되어 균일한 코팅이 얻어진다.

[실시예 2]

스프레잉 실험에 있어서는 100g 에탄올에 용해된 10g Mg(O₂C₂H₃)₂4H₂O을 포함하는 코팅 용액이 사용된다. 스프레잉 프로세스는 뜨거운 판에서 수직으로 배치되거나 또는 상기 수직 방향에 0°내지 45°의 각도 하에서 배치된 유기 기판 위에서 실행되며 또한 상기 유리 기판은 상기 스프레잉 프로세스동안 왕복 운동한다. 노즐은 이 운동에 수직인 방향으로 움직인다. 5초의 스프레이 사이클동안 온도는 450℃ 내지 400℃로 감소된다. 스프레잉 프로세스는 20 내지 30번 반복된다. 각각의 사이클 후, 상기 프로세스는 온도가 다시 450℃로 도달하게 될 때까지 인터럽트 된다. 얻어진 MgO의 제2방출 계수는 감소된다. 그 결과가 표 I에 목록되어 있다.

[표 I]

스프레이 열 분해에 의해 제공된 MgO의 δ_m결과

T-1

위에서 언급한 방법은 미국 5,552,253(PHN 12.927)에 기술된 바와 같이 인 스크린에 평행한 전자-전파 채널을 포함하는 박막 전자 디스플레이의 채널 판위에 MgO 층을 증착하는데 사용되었다. 특정한 디스플레이에서 스프레이 열 분해에 의해 제공된 50nm 두께의 MgO 층(10-100nm 의 두께를 갖는 층은 본 응용에서는 매우 적절한 것으로 판명되었다)은 시스템을 생성하는데 이 시스템에서는 63V/cm의 채널 길이에 따른 전압이 전자를 전송하기에 이미 충분하였다. 50V/cm만큼 낮은 최소의 전송 전압은 어떤 경우에서든지 실현되었다.

사용된 스프레이-열 분해 기술의 다른 이점은 증착 프로세스를 실행하기 위해 기판을 상승된 온도에 놓아두어야만 하기 때문에 표면에서 흡수된 유기 불순물은 타게 되고 그래서 그렇게 하지 않으면 양호한 접착을 보장하는데 필요하게 될 클리닝 프로세스가 배제될 수 있다는 점이다.

MgO로 코팅되어 있는 유리판은 특히 도 2a, 2b에 도시된 형태의 편평한 패널 디스플레이 장치에서 사용된다.

도 2a는 디스플레이 패널(윈도우)(3) 및 마주하여 위치한 후부의 벽(4)(rear wall)을 포함하는 편평한 패널 디스플레이 장치를 도시한다. 윈도우(3)의 내부 표면 위에는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)으로 각각 발광하는 인광체의 3원소의 반복적인 패턴(라인 또는 도트)을 포함하는 발광 스크린(7)이 제공되어 있다. 실제적인 실시예에 따라, (도트형) 인광체 3원소는 삼각형의 꼭지점에 위치하지만 그러나 다른 구성도 가능하다.

전자들에 의해 다수의 전자 에미터, 예를 들어 600, 또는 대응하는 수의 개별적인 에미터를 제공하는 전자-소스 배열(5), 예를 들어 라인 캐소드는 패널(3)과 후부의 벽(4)이 상호접속된 벽(2)의 근처에 배열되어 있다. 이들 에미터 각각은 많은 형태의 캐소드(콜드 또는 핫 캐소드)가 에미터로서 적절하게 되도록 비교적 작은 전류를 제공하도록 되어 있다. 상기 에미터들은 비디오 구동 회로에 의해 구동된다. 전자-소스 배열(5)은 스크린에 대해 실질적으로 평행하게 연장하는 전자-전파 채널의 열(row)의 입구 구멍(entrance apertures)에 마주하여 배열되어 있으며, 상기 채널들은 칸막이(6,6',6''...등)에 의해 구성되며; 이 경우에 각각의 칸막이는 각각의 전자 소스를 위한 것이다. 이들 칸막이는 후부 벽(4)과 파티션(12,12', ...)으로 한정되는 공동(cavity)(11,11',11'', ...)을 갖는다. 상기 공동은 대안적으로 후부 벽(4)에 자체로 제공될 수도 있다. 각각의 칸막이의 적어도 하나의 벽(양호하게는 후부 벽)은 적어도 전파(propagation)의 방향으로 높은 전기적 저항을 가져야만 하며 이것은 본 발명의 목적에 적절하며(적절한 물질로는 예를 들어 세라믹 물지, 유리, 코팅된 또는 코팅되지 않은 합성 수지가 있다), 제1전자 에너지의 주어진 범위에 있어서 제2방출 계수 δ_MAX1를 갖는다. 칸막이(6,6',6'', ...)의 폭 양단에 전위 V_t를 인가하면 칸막이에 축 전파 필드(axial propagation field)가 발생된다.

벽 물질의 전기적 저항은 최소한의 전체 전류량(양호하게는 예를 들어 10mA 이하)이 전자 전파에 충분한 칸막이의 축 방향의 필드 세기로 벽에 흐르게 되도록 하는 값을 갖는다. 전자 소스의 열(5)과 칸막이(6,6',6'', ...) 사이에 수십 내지 수백 볼트의 전압을 인가하면(전압의 값은 환경에 따라 다르다), 전자들은 전자 소스에서 칸막이 쪽으로 가속을 받게 되며, 이후 전자들은 칸막이의 벽 위에서 충돌하게 되어 제2전자를 발생하게 된다.

상기 칸막이들과 패널(3)의 내부 벽위에 배열된 스크린 사이의 공간은 액티브 칼러 선택 시스템(100)을 수용하게 되며 이 경우에 상기 시스템은(액티브) 선선택 판(preselection plate)(10a), (패시브) 차단판(obstruction plate)(10b), (액티브) (정밀한)선택 판(10c)(도 2b 참조)으로 이루어져 있다. 구조(100)는 소위 플루 스페이서 구조(101), 예를 들어 전기적으로 절연된 물질의 구멍난 판에 의해 발광 스크린(7)로부터 분리되어 있다.

도 2b는 도 2a의 디스플레이 장치의 일부, 특히 구멍(8,8',8'', ...)을 구비한 선선택 판(10a)과 구멍 R,G,B의 군을 구비한 파인-선택판(10b)을 포함하는 액티브 칼러 시스템(100)을 도시한 단면도이다. 예를 들어, 한배 또는 두배의 3개의 파인-선택 구멍 R,G,B는 각각의 선선택 구멍(8,8' 등)과 관련되어 있다. 다른 수도 가능하다. (도 2에서, 구멍 R,G,B는 동일 평면상에 있다.) 그렇지만, 실제로는 상기 구멍들은 일반적으로 예를 들어 도 3에서 알 수 있는 것과 같이 삼각형 구조로 되어 있다. 구멍(108)이 있으면 또한 시케인(chicanes)을 형성하는 구멍난 차단판(10b)은 선선택판(10a)과 파인-선택판(10c) 사이에 배치되어 있다.

전송 덕트(11,11', ...)를 구비한 전자 전파관(6)은 선택 시스템(100)과 후부 벽(8,8', ...) 사이에 형성되어 있다. 구멍(8,8', ...)을 통해 전파관(5)으로부터 전자를 추출되도록 하기 위해, 어드레스 가능하고 금속의 선선택 전극(9,9' 등)은 판(10a) 위에서 구멍(8,8', ...) 근처에서 배치된다.

판(10a)과 유사하게, 파인-선택 판(10c)은 파인 선택을 실현하기 위해 (파인-)선택 전극의 어드레스 가능한 열을 구비한다. 이 관점에서는 파인-선택 전극의 대응하는 열을(예를 들어 결합 캐피시터를 통해) 용량적으로 상호접속시키는 가능성이 중요하다. 사실, 선선택이 이미 발생했고 또한 원리적으로 전자는 잘못된 위치에 착지될 수 없다. 이것은 3개의 개별적으로 형성된 파인-선택 전극중 단지 하나의 군, 또는 적은 수의 군이 이 파인 선택을 형성하는데 필요하다는 것을 의미한다.

콘트라스트와 칼러 순도에 악영향을 끼칠 수 있는 잘못된 위치의 전자, 또는 무시될만한 적은 수의 랜드가 없도록 하기 위해 전기적 절연체로 된 구멍이 있는 보조 또는 차단판(10b)을 선선택 판(10a)과 (파인-)선택 판(10c) 사이에 배치한다. 차단판(10b)에 있는 각각의 구멍(108)은 선선택 판(10a)(도 2)의 구멍에 대응한다.

도 2b에 도시된 바와 같은 차단판(10b)을 포함하는 다른 여러 가지 구성이 가능하다는 것을 유념해야 한다. 에를 들어, 판(10b)은 하나의 유니트를 형성하기 위해 양측면위에서 하나 또는 두 개의 스페이서(102, 103)와 결합할 수 있다.

디스플레이 장치의 만족스런 동작을 위해서는 전파 채널(11)의 바닥과 벽이 전자 전자를 보장할 수 있을 정도로 충분히 높은 제2방출 계수 δ_MAX를 갖는 물질로 코팅되는 것이 중요하며, 상기 물질은 전자 충격에 대해 우수한 저항을 양호하게 갖는다. MgO는 그러한 물질이며, 본 명세서의 위에서는 스프레이 열 분해는 새로운 것이며 (유리) 채널의 바닥과 벽위에 이 물질로 코팅하는 것을 제공하는 매우 이로운 방법이다 라고 기재한 바 있다. 도 3에서 알 수 있는 것과 같이, 깊고 좁은 채널의 일련의 특징적인 치수는 예를 들어 도시되어 있다. 특히 균일한 두께와 우수한 접착이 얻어지는 것과 연관하여 δ_MAX(δ_MAX≥ 5, 특히 ≥ 7)의 높은 값이 가능하기 때문이다. 상기 디스플레이 장치는 50 및 80V/m 사이의 축 채널 방향으로 전파 전압에 의해 동작될 수 있다는 것이 밝혀졌다.

상기 디스플레이 장치의 만족스런 동작을 위해서는 위에서 언급한 것과 유사한 코팅이 전파 채널과 인 스크린 사이에 배치된 선택 시스템의 적어도 하나의 (유리) 판의 전자-입구 표면상에 제공되는 것도 또한 중요하다. 도 3은 구멍(8,8',8'', ...)을 구비한 선선택 판(10a)을 도시하며, 채널(11)과 마주하는 그 표면은 상기 코팅을 양호하게 구비한다.

도 4는 선택 시스템의 판의 단면도를 도시한다. 이 판은 예를 들어 판(102, 120b)의 기능을 결합한다. 그러한 (선택)판은 전자가 들어오는 측면에서 오목부(15, 15', 15'', ...)(입구 구멍)를 구비하며, 여기에서 전자가 통과될 수 있는 관통 구멍(16, 16', 16'')이 끝난다. 전가가 들어오는 측면 위의 표면(17)과 오목부(15, 15', 15'', ...)의 벽과 바닥은 위에서 언급한 바와 같은 코팅을 구비한다.

요약하면, 본 발명은 스프레이-열 분해 프로세스를 이용해서 전자 디스플레이의 선택판이나 또는 채널판과 같은 유리 기판 위에 마그네슘-산화층과 같은 높은 δ_MAX를 갖는 형태의 금속-산화층을 제공하는 것이다. 이 목적을 위해, 에탄올 또는 다른 (유기)용매 및/또는 물에서 Mg와 아세트염과 같은 금속 염의 용액을 온도가 350-550℃를 유지하는 기판 위에 스프레이 한다. 채널판의 채널의 바닥과 벽위에 그러한 층을 갖는 제우스(Zeus) 디스플레이 장치에서, 50V/cm 정도로 낮은 최소의 전송 전압이 나타나기에 충분하다.

도 5는 LC 물질을 사용하는 PALC 형 디스플레이 패널을 도시한다. 단자 3개의 행 전극(18)이 도시되어 있다. 열 전극(20)은 LC 물질의 층(42) 아래의 (도 2에서) 다수의 평행하게 길게 봉합된 채널에 의해 구성된다. 각각의 채널(20)은 이온화가능한 가스(44)로 채워져 있으며 통상적으로 유리로 만들어진 얇은 절연시트(45)로 폐쇄되어 있고 또한 내부 채널 표면위에는 제1 및 제2 길이가 긴 전극(30, 31)이 있으며 상기 전극들은 각각의 채널의 전체길이까지 연장되어 있다. 제1전극(30)은 접지되어 있으며 공통적으로 캐소드라 칭한다. 제2전극(31)은 애노드라 칭하는데 왜냐하면 캐소드 전극에 비해 캐소드(30)에서 방출되는 전자들은 가스로 이온화시키기에 충분한 포지티브 스트로브 펄스를 제공하기 때문이다. 위에서 언급한 바와 같이, 각각의 채널(20)은 차례로 스트로브 펄스로 이온화된 가스를 가져서 플라즈마를 형성하고 위의 LC 층(42)에서 픽셀의 열에 대한 접지된 라인 접속을 형성한다. 스트로브 펄스가 종료될 때, 그리고 디이온화가 발생한 후, 다음의 채널이 스트로브 되어 턴온된다. 행 전극(18) 각각은 전체 픽셀의 행에 교차하기 때문에 단지 하나의 플라즈마 행 접속이 혼선(cross-talk)을 피하기 위해 한 번에 허용된다.

행 전극(30, 31)의 적어도 하나는 유리와 같은 절연체의 얇은(예를 들어 1.0mil)층(65)으로 덮여 있다. (층(65)은 도면에서 전극(31)으로만 덮여있다.) 채널(20)에 포함된 가스의 이온화를 증신시키기 위해 마그네슘 산화제와 같은 높은 방출성 제2전자-방출 물질의 선택적인 층들(65a)이 층(65)을 덮는다. 대안적으로, 각각의 채널(20)의 전체 표면이 절연체의 연속적인 얇은 층으로 코팅될 수 있으며 이에 의해 열 전극(30, 31) 모두를 덮게 된다.

교류(ac)나 또는 직류(dc) 구동 회동중 어느 하나와 함께 PDPs가 유용하다. dc PDPs에서는 전극이 가스 혼합물과 접촉한 상태이며 반면에 ac 장치에서는 전극이 절연층으로 덮여있는 상태이다. 우리는 ac PDPs를 중점적으로 알아본다.

절연층은 마그네슘 산화(MgO)층으로 덮여 있다. MgO의 역할은 네온 이온에 의한 충격하에서 MgO의 제2전자 방출 계수가 크기 때문에 절연층을 보호하는 것이며 또한 방전 전압을 감소시키는 것이다. 몇몇 PDPs에서는 셀 구조는 인접하는 셀들이 물리적으로 분리되고 혼선을 피하기 위해 하나의 판위에서 전극과 평행한 절연 장벽 리브(dielectric barrier ribs)를 포함한다.

PDP 패널의 내부 구조의 개략적인 단면도가 도 6에 도시되어 있다. 후부판(46)은 다수의 채널로 이루어져 있는데 이 채널들의 바닥위에는 금속 트랙(47)이 있다. 전극을 포함하는 채널은 R,G,B의 시퀀스에서 하나의 칼러 인(48)으로 각각 덮여져 있다. 정면 판(49)위에는 투명한 전극(50)이 트랙의 저항을 낮게 하기 위해 작은 금속 전극(51)으로 형성되어 있다. 전극(50)은 절연체의 층(52)으로 덮여져 있다. MgO와 같은 방출성이 높은 제2전자 방출 물질의 선택적인 층(53)은 절연층(52)에 의해 덮여져 있다. 하나의 채널(행)과 두 개의 투명한 전극의 교차에서 하나의 셀이 형성된다. 각각의 셀의 하나의 투명한 전극은 내부적으로 다른 모든 셀들의 전극중 하나에 접속되어 있다. 그러므로, 패널을 구동시키는데 있어서, 접속의 수는 행의 수 + 열의 수 +1이 된다.

단면도는 두 개의 장벽 리브(54)를 도시하며 리브들은 다단계 스크린 프린팅 프로세스에 의해 증착되어 약 130㎛의 폭을 갖는다. 그라인딩에 의해 장벽 리브의 균일한 폭이 얻어진다. 인접하는 리브의 거리는 220㎛이다. 리브 사이에서, 주로 은으로 이루어진 어드레싱 전극(47)이 제공된다. 어드레싱 전극의 표면과 장벽 리브의 벽의 표면은 느슨하게 패키지화된 인 입자로 덮이게 된다.

내용 없음.

Claims (10)

1. 금속-산화층으로 코팅된 유리 기판을 제조하는 방법에 있어서,

   상기 유리 기판의 표면 위에 또는 표면에 인접해서 금속 염의 열 분해를 일으키기 위해.,

   - 유리 기판을 가열하는 단계;

   - 상기 가열된 기판의 표면 위에 분해 가능한 금속 염의 용액을 스프레잉 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 용액은 또한 금속의 산화물 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 기판의 표면은 벽과 바닥을 구비한 일련의 오목부를 구비하며, 상기 용액은 상기 표면에 스프레이 되며 또한 상기 오목부의 바닥과 벽에 스프레이 되는 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 방법.
4. 제1항에 있어서, 350 내지 550℃ 사이의 온도에서 분해되는 금속 염이 사용되는 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 금속 염은 휘발성 유기-금속 화합물의 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 금속 염은 유기 용매 및/또는 물에서 용해되는 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 방법.
7. 전자 디스플레이용 유리 기판에 있어서,

   스프레이 열 분해에 의해 인가된 금속-산화제 코팅을 구비하는 것을 특징으로 하는 유리 기판.
8. 제7항에 있어서, 일련의 평행한 채널을 포함하며 이 채널의 벽과 바닥은 상기 금속 산화 코팅으로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 유리 기판.
9. 제7항에 있어서, 끝이 관통되어 있는 일련의 오목부를 포함하며, 상기 오목부의 바닥과 벽은 상기 금속-산화 코팅으로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 유리 기판.
10. 제8항에 청구된 바와 같은 유리 기판을 갖는 전자 디스플레이에 있어서,

    채널판에서 처럼, 50 내지 80V/cm의 범위의 전파 온도를 채널의 축방향으로 인가하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디스플레이.