JP2005539368A - プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード - Google Patents
プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005539368A JP2005539368A JP2003564912A JP2003564912A JP2005539368A JP 2005539368 A JP2005539368 A JP 2005539368A JP 2003564912 A JP2003564912 A JP 2003564912A JP 2003564912 A JP2003564912 A JP 2003564912A JP 2005539368 A JP2005539368 A JP 2005539368A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type semiconductor
- layer
- avalanche photodiode
- type
- planar avalanche
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 124
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- DYZHZLQEGSYGDH-UHFFFAOYSA-N 7-bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-trienyl-[[7,8-bis(ethenyl)-7-bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-trienyl]oxy]silane Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C1[SiH2]OC1(C=C)C2=CC=CC=C2C1C=C DYZHZLQEGSYGDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層とｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。本発明の構造のさらなる特徴は、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層とを備える。さらなる実施形態は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層と、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層に電気的に結合されたｐ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。
Description
本発明は、アバランシェ・フォトダイオードに関し、特に、プレーナｐｎ接合を有するメサ構造アバランシェ・フォトダイオードに関する。
光子と電子との間の知られている相互作用おかげで、近年光検出器、特に、半導体材料を利用する光検出器の分野は大きく進歩した。あるタイプの半導体ベースの光検出器はアバランシェ・フォトダイオードと呼ばれる。このタイプの構造は一般に、吸収及び多重といった種々の目的に役立つ多数の固体半導体材料から成っている。
アバランシェ・フォトダイオード構造は、多重層において多数の電子−正孔対を産み出す電荷担体の作用の間の利得が大きいという主要な利点を提供する。しかし、アバランシェ・フォトダイオードは多数の電荷担体を産み出す効率が非常に高いために飽和してしまうリスクがあるので、この装置の帯域に悪影響を及ぼす。電荷担体の崩壊を防ぐには、アバランシェ・フォトダイオード自身内の電界を調節する必要があり、特に、吸収層の電界よりも多重層の電界を著しく高くすることが好ましい。
メサ型アバランシェ・フォトダイオードは、絶縁材料の層を用いて不動態化することが難しい高電界ｐｎ接合を露出している。このため、標準的な市販のＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓアバランシェ・フォトダイオードは、ｐｎ接合を埋めるプレーナ拡散構造を使用し、これによりロバスト(robust)で長寿命の装置が得られる。しかし、これらＩｎＰアバランシェ・フォトダイオードは、ｐ型半導体領域の深さ及びドーピング密度の両方の極めて正確な拡散制御を要する。この拡散は多重領域の電界の大きさ、アバランシェ領域の長さのほか電荷制御を制御するため、この重要な制御が不可欠となる。
提唱されてきたプレーナＩｎＡｌＡｓアバランシェ・フォトダイオードは実際には存在しない。既存のアバランシェ・フォトダイオードは、エッチ・ダウンされて高電界アバランシェ領域の頂部が露出され、続いて深いチタン・インプラントが行われてさらにその高電界領域を絶縁される、エッチングされた絶縁リングを備えている。続いて、ｐ型半導体領域と接触させるために、この絶縁リングは亜鉛拡散が行われる。これは重要なエッチング及びインプラント工程を必要とする非常に複雑な構造である。このような努力にも関わらず、このアバランシェ・フォトダイオードの寿命は標準的なプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードの寿命の１／１０の長さであるため、通信用途には十分ではない。
したがって、当該技術においては、安価で、効果的で重要な制御で製造することのできる単純かつ効果的なアバランシェ・フォトダイオードの必要がある。したがって、本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層及びｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層を有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。本発明の構造のさらなる特徴は、ｎ型半導体多重層、ｎ型半導体吸収層、及びｐ型接触層を含む。ｐ型拡散領域はｐ型接触層に直接近接して配置されているため、構造の速度、寿命及び費用対効果を高めるとともに、プレーナ・アバランシェ・フォトダイオードの静電容量が低減される。本発明のさらなる実施形態及び利点について、以下図面を参照して記載する。
本発明の好適な実施形態によれば、光導電性のためにエピタキシャル構造が提供される。この光導電構造は、ｐｎ接合の拡散ｐ型ドーピングを通して高められる性能のために最適化されたアバランシェ・フォトダイオードである。本発明の構造及び製造方法の詳細については、本願明細書において以下で考察する。
図１を参照すると、本発明の第１の実施形態によるプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１０の断面が示されている。このプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１０は、ｐ型接触層１２及びプレーナ接触領域を提供する第１のｎ型半導体層２８を含んでいる。ｐ型接触層１２は第２のｎ型半導体層１６上に配置され、この層１６はｐ型接触層１２及び第２のｎ型半導体層１６によって形成されたｐｎ接合部の電界を調節するｐ型拡散領域１４を備えている。
プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１０は、段階層１８ａによって第２のｎ型半導体層から分離されたｎ型半導体吸収層２０をさらに含んでいる。このｎ型吸収層２０はｎ型半導体多重層２４上に配置されている。好適な実施形態では、ｎ型半導体吸収層２０は、ｐ型半導体電荷制御層２２によってｎ型多重層２４から、好適には第２の段階層１８ｂから分離されている。電子を集める１対のｎ型接触層２６が、第１のｎ型半導体層２８上に配置されているのが示されている。
第１のｎ型半導体層２８は、第三の半導体からなるグループあるいはグループＩＩＩ〜Ｖの半導体から選択される。したがって、第１のｎ型半導体層２８は、グループＶからの１つの元素と組み合わされたグループＩＩＩからの２つの元素、あるいはこれとは反対に、グループＩＩＩからの１つの元素と組み合わされたグループＶからの２つの元素のいずれか一方から選択される。周期表の代表的なグループの表を以下に示す。
上記の好適な実施形態では、第１のｎ型半導体層２８はＩｎＡｌＡｓである。しかし、第１のｎ型半導体層２８は、プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１０の動作の最適化に必要なバンドギャップを提供する任意の第三の半導体であってよいことが理解される。
ｎ型半導体多重層２４もまた、第三の半導体を含むグループ又はグループＩＩＩ〜Ｖの半導体から選択される。この好適な実施形態では、ｎ型半導体多重層２４はＩｎＡｌＡｓである。好適には、ｎ型半導体吸収層２０もまた第三の半導体を含むグループ又はグループＩＩＩ〜Ｖの半導体から選択される。この好適な実施形態では、ｎ型半導体吸収層２０はＩｎＧａＡｓである。しかし、ｎ型半導体吸収層２０及びｎ型半導体多重層２４の両方は、プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１０の動作の最適化に必要なバンドギャップを提供する任意の第三の半導体であってよいことが理解される。
第２のｎ型半導体層１６もまた、第三の半導体を含むグループ又はグループＩＩＩ〜Ｖの半導体から選択される。前述したように、第２のｎ型半導体層１６は、グループＶからの１つの元素と組み合わされたグループＩＩＩからの２つの元素、あるいはこれとは反対に、グループＩＩＩからの１つの元素と組み合わされたグループＶからの２つの元素のいずれか一方である。この好適な実施形態では、第２のｎ型半導体層１６はＩｎＡｌＡｓである。しかし、第２のｎ型半導体層１８は、プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１０の動作の最適化に必要なバンドギャップを提供する任意の第三の半導体であってよいことが理解される。
上記のように、第２のｎ型半導体層１６は部分的には、第２のｎ型半導体層１６とｐ型接触領域１２との間の接合部近傍のｐ型拡散領域１４を定めている。ｐ型拡散領域１４は、前記ｐｎ接合部のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１０の静電容量を低下させるので、この構造の全体的速度は上昇する。
プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１０の一実施形態は、重要な層の厚さ及びドーピング濃度の全体が最初の結晶成長において調節され、このために優れた制御下にあり、再生可能に成長させることができ、ウエハ全体にわたって均一である。したがって、製造中の工程の制御に関する問題、特に拡散工程に関連する問題は、本発明ではみられない。
図２に示した別の実施形態では、プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１１０は、ｎ型インプラント又はディープ・ドナーなどの界磁制御構造３０を備えている。この界磁制御構造３０をプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１１０への１対の貫入部として図に示している。しかし、本願明細書において以降で考察するように、実際に適用する場合、界磁制御構造３０はインプラント工程を受けたプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１１０のある領域から構成されてよい。
本発明の第１の実施形態のように、プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１１０はｐ型接触層１２及びプレーナ接触領域を提供する第１のｎ型半導体層２８を含んでいる。ｐ型接触領域１２は第２のｎ型半導体層１６上に配置されており、第２のｎ型半導体層１６はｐ型接触層１２及び第２のｎ型半導体層１６により形成されたｐｎ接合部の電界を調節するｐ型拡散領域１４を含んでいる。界磁制御構造３０は、前記ｐｎ接合部周囲で電界を付加的に低減する。
界磁制御構造３０は、インプラントされたｎ型半導体又はイオンの形態を取ることが好ましい。例えば、界磁制御構造３０はプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１１０に注入されたＳｉを有する領域の形態を取ってよい。択一的には、水素又はヘリウムなどのディープ・ドナーが、界磁制御構造３０によって示された領域内にインプラントされてよい。界磁制御構造３０の効果は、ドナーの注入領域における水素の不活化を通して実現されてもよい。この領域で高電界を維持することが好ましいため、種々の形態の界磁制御構造３０はｎ型半導体多重層２４を貫通しないであろう。
図３に示した代替的実施形態では、プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード２１０は小さなメサ型構造を含んでいる。このように、上記の第２のｎ型半導体層は、エピタキシャル的に成長するｐ型半導体層３２に置き換えられる。好適には、ｐ型半導体層３２はＩｎＡｌＡｓであるが、ｐ型半導体層３２は動作の最適化に必要なバンドギャップを提供する任意のＩＩＩ〜Ｖのタイプの半導体であってよいことが理解される。
上記の実施形態のように、プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード２１０もｐ型接触層１２及びプレーナ接触領域を提供する第１のｎ型半導体層２８を含んでいる。ｐ型接触層１２はｐ型半導体層３２上に設けられている。不動態化された領域３４は、ｐ型半導体層３２及びプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードの残りの構造の周囲に対称的に配置されている。
図３に示した実施形態では、全体の構造は最初にｐ型半導体層３２を含んで成長し、次いで第１のｎ型半導体吸収層２０までエッチ・ダウンされる。この工程は関連する静電容量領域を制御する局在化されたｐ型接触領域を定めるため、結果として静電容量は小さくなりアバランシェ・フォトダイオードの速度は速くなる。さらに、プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード３２全体がエピタキシャル的に成長し、任意のｐ型拡散を必要としない。
不動態化された領域３４を形成するための特定の有利な方法は、ウェット酸化を用いる方法である。ｐ型半導体層３２は、ｎ型半導体吸収層２０又は第１の段階層１８ａの１つまで酸化されてよい。同様に、図３に示したように、ｎ型半導体多重層２４、ｐ型半導体電荷制御層２２及び第２の段階層１８ｂを含む外部メサの側面が酸化されてよい。最終的に、非酸化層と酸化層との間に段階的な接合部分ができるように、第１ｎ型半導体層２８を酸化することが可能である。これにより、第１のｎ型半導体層２８とｎ型半導体多重層２４との間の接合部分の電解が低減されて、よりよい不動態化が得られる。
この不動態化の取組は、ｐ型半導体電荷制御層２２を付加的に制御し、かつ不動態化をさらに高めるために外部のメサの端部の電界を低減し、光子又は酸素のインプラントと組み合わされてよい。適切な不動態化技術には、ＢＣＢ（ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテン）などの表面不動態化材料を使用することを含む。択一的には、プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード２１０の外部を不動態化するために、二酸化ケイ素、窒化珪素又はポリイミドなどのその他の表面不動態化材料を用いてよい。
上記のように、本発明は既存のアバランシェ・フォトダイオードに対して多数の利点を提供する。本発明の構造が実際にプレーナであることは明白である。さらに、従来のアバランシェ・フォトダイオードに見られるように、ＩｎＰ多重領域に孔をアバランシェするのとは対照的に、ｎ型半導体多重層２４において電子がアバランシェされているため、図１に示したプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード１０の構造は、典型的なＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓアバランシェ・フォトダイオードの幾何学的形状を反転したものである。この構造の反転によって、ＩｎＧａＡｓ吸収層においては低電界解領域になるが、標準的なＩｎＰアバランシェ・フォトダイオードにおいては高電界アバランシェ領域となる。
本発明の上記の実施形態は、本発明の多数の可能性のある実施形態のほんの数例を説明したに過ぎないことが当業者には明らかである。多数の及び種々の他の構成が、添付の特許請求の範囲に定められた本発明の精神及び範囲から逸脱しない範囲で、当業者によって容易に考案される。
Claims (29)
- プレーナ・アバランシェ・フォトダイオードにおいて、
接触領域を定める第１のｎ型半導体層と、
ｐ型拡散領域を有する第２の半導体層と、
ｎ型半導体多重層と、
ｎ型半導体吸収層と、
ｐ型接触層とを備え、該ｐ型拡散領域が該ｐ型接触層に直接近接して配置されたプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。 - 前記ｎ型半導体吸収層に近接して配置された少なくとも１つの段階層をさらに含んだ請求項１に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記ｎ型半導体多重層に近接して配置されたｐ型半導体電荷制御層をさらに含んだ請求項１に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 少なくとも１つのｎ型接触層をさらに含んだ請求項１に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記第１のｎ型半導体層はＩｎＡｌＡｓである請求項１に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記第２のｎ型半導体層はＩｎＡｌＡｓである請求項１に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記ｎ型半導体多重層はＩｎＡｌＡｓである請求項１に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記ｎ型半導体吸収層はＩｎＧａＡｓである請求項１に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- プレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを製造する方法において、
接触領域を定める第１のｎ型半導体層を提供する工程と、
第２のｎ型半導体層をデポジットする工程と、
ｎ型半導体多重層をデポジットする工程と、
ｎ型半導体吸収層をデポジットする工程と、
ｐ型接触層をデポジットする工程と、
該ｐ型接触層に直接近接するｐ型拡散領域を拡散する工程とを含み、これによって前記プレーナ・アバランシェ・フォトダイオードの静電容量を低減する方法。 - 前記ｎ型半導体吸収層に近接する少なくとも１つの段階層をデポジットする工程をさらに含んだ請求項９に記載の方法。
- 前記ｎ型半導体多重層に近接するｐ型半導体電荷制御層をデポジットする工程をさらに含んだ請求項９に記載の方法。
- 少なくとも１つのｎ型接触層をデポジットする工程をさらに含んだ請求項９に記載の方法。
- 前記第１のｎ型半導体層はＩｎＡｌＡｓである請求項９に記載の方法。
- 前記第２のｎ型半導体層はＩｎＡｌＡｓである請求項９に記載の方法。
- 前記ｎ型半導体多重層はＩｎＡｌＡｓである請求項９に記載の方法。
- 前記ｎ型半導体吸収層はＩｎＧａＡｓである請求項９に記載の方法。
- ｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層と、
ｎ型半導体多重層と、
ｎ型半導体吸収層とを備えた、接触領域及びｐ型接触領域を定める第１のｎ型半導体層を含んだプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードにおいて、
該ｐ型拡散領域は該ｐ型接触領域に直接近接して配置されたプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。 - 前記第１のｎ型半導体層はＩｎＡｌＡｓであり、前記第２のｎ型半導体層はＩｎＡｌＡｓであり、前記ｎ型半導体多重層はＩｎＡｌＡｓであり、前記ｎ型半導体吸収層はＩｎＧａＡｓである請求項１７に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- プレーナ・アバランシェ・フォトダイオードにおいて、
接触領域を定める第１のｎ型半導体層と、
ｐ型半導体層と、
ｎ型半導体多重層と、
ｎ型半導体吸収層と、
ｐ型接触層とを備え、該ｐ型半導体層が該ｐ型接触領域に直接近接して配置されたプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。 - 前記ｎ型半導体吸収層に近接して配置された少なくとも１つの段階層をさらに含んだ請求項１９に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記ｎ型半導体多重層に近接して配置されたｐ型半導体電荷制御層をさらに含んだ請求項１９に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 少なくとも１つのｎ型接触層をさらに含んだ請求項１９に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記第１のｎ型半導体層はＩｎＡｌＡｓである請求項１９に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記第２のｎ型半導体層はＩｎＡｌＡｓである請求項１９に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記ｎ型半導体多重層はＩｎＡｌＡｓである請求項１９に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記ｎ型半導体吸収層はＩｎＧａＡｓである請求項１９に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記ｐ型半導体層はＩｎＡｌＡｓである請求項１９に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記ｐ型半導体層の一部分とｎ型半導体吸収層の一部分とを含んだ不動態化された領域をさらに備えた請求項１９に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
- 前記不動態化された領域が、前記第１の段階層１８ａの一部分と前記ｎ型半導体多重層２４の一部分とをさらに含んだ請求項２８に記載のプレーナ・アバランシェ・フォトダイオード。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US35376502P | 2002-02-01 | 2002-02-01 | |
| US35353002P | 2002-02-01 | 2002-02-01 | |
| US60/353,530 | 2002-02-01 | ||
| US60/353,765 | 2002-02-01 | ||
| PCT/US2003/003323 WO2003065418A2 (en) | 2002-02-01 | 2003-02-03 | Planar avalanche photodiode |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010229902A Division JP2011009788A (ja) | 2002-02-01 | 2010-10-12 | プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005539368A true JP2005539368A (ja) | 2005-12-22 |
| JP4938221B2 JP4938221B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=29739417
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003564912A Expired - Lifetime JP4938221B2 (ja) | 2002-02-01 | 2003-02-03 | プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード |
| JP2010229902A Pending JP2011009788A (ja) | 2002-02-01 | 2010-10-12 | プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010229902A Pending JP2011009788A (ja) | 2002-02-01 | 2010-10-12 | プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7348607B2 (ja) |
| EP (1) | EP1470575B1 (ja) |
| JP (2) | JP4938221B2 (ja) |
| CN (1) | CN1625813A (ja) |
| AU (1) | AU2003214995A1 (ja) |
| CA (1) | CA2474560C (ja) |
| WO (1) | WO2003065418A2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8039918B2 (en) | 2007-01-22 | 2011-10-18 | Nec Corporation | Semiconductor photo detector |
| JP2015520950A (ja) * | 2012-05-17 | 2015-07-23 | ピコメトリクス、エルエルシー | 平面のアバランシェ・フォトダイオード |
Families Citing this family (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7348607B2 (en) | 2002-02-01 | 2008-03-25 | Picometrix, Llc | Planar avalanche photodiode |
| EP1470574B9 (en) | 2002-02-01 | 2017-04-12 | Picometrix, LLC | High speed pin photodiode with increased responsivity |
| US7161170B1 (en) * | 2002-12-12 | 2007-01-09 | Triquint Technology Holding Co. | Doped-absorber graded transition enhanced multiplication avalanche photodetector |
| US7392436B2 (en) * | 2003-05-08 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Program failure recovery |
| US7148528B2 (en) * | 2003-07-02 | 2006-12-12 | Micron Technology, Inc. | Pinned photodiode structure and method of formation |
| CN100541721C (zh) * | 2004-04-30 | 2009-09-16 | 派克米瑞斯有限责任公司 | 平面型雪崩光电二极管 |
| US9640703B2 (en) | 2004-10-25 | 2017-05-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Avalanche photodiode |
| WO2006080153A1 (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Nec Corporation | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| JP2006253548A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| US7209623B2 (en) * | 2005-05-03 | 2007-04-24 | Intel Corporation | Semiconductor waveguide-based avalanche photodetector with separate absorption and multiplication regions |
| US7233051B2 (en) | 2005-06-28 | 2007-06-19 | Intel Corporation | Germanium/silicon avalanche photodetector with separate absorption and multiplication regions |
| US7592651B2 (en) * | 2005-12-08 | 2009-09-22 | The Boeing Company | Low dark current photodiode for imaging |
| US7741657B2 (en) * | 2006-07-17 | 2010-06-22 | Intel Corporation | Inverted planar avalanche photodiode |
| US7683397B2 (en) * | 2006-07-20 | 2010-03-23 | Intel Corporation | Semi-planar avalanche photodiode |
| US7843030B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-11-30 | Ranbir Singh | Method, apparatus, material, and system of using a high gain avalanche photodetector transistor |
| US7719029B2 (en) * | 2007-05-17 | 2010-05-18 | Princeton Lightwave, Inc. | Negative feedback avalanche diode |
| US8030684B2 (en) * | 2007-07-18 | 2011-10-04 | Jds Uniphase Corporation | Mesa-type photodetectors with lateral diffusion junctions |
| EP2073277A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-24 | Alcatel Lucent | Avalanche photodiode |
| US8022351B2 (en) * | 2008-02-14 | 2011-09-20 | California Institute Of Technology | Single photon detection with self-quenching multiplication |
| US7893464B2 (en) * | 2008-03-28 | 2011-02-22 | Jds Uniphase Corporation | Semiconductor photodiode and method of manufacture thereof |
| US8008688B2 (en) * | 2008-04-01 | 2011-08-30 | Jds Uniphase Corporation | Photodiode and method of fabrication |
| US12074240B2 (en) * | 2008-06-12 | 2024-08-27 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Backside contact solar cells with separated polysilicon doped regions |
| US7851698B2 (en) * | 2008-06-12 | 2010-12-14 | Sunpower Corporation | Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions |
| US8026471B2 (en) * | 2008-07-23 | 2011-09-27 | Princeton Lightwave, Inc. | Single-photon avalanche detector-based focal plane array |
| EP2166579B1 (en) * | 2008-09-18 | 2016-05-04 | Alcatel Lucent | Photonic power switch and method of controlling current flow in the photonic power switch and use of such photonic power switch |
| JP2010135360A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | アバランシェフォトダイオード |
| US8242354B2 (en) * | 2008-12-04 | 2012-08-14 | Sunpower Corporation | Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions |
| JP5631668B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2014-11-26 | Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社 | アバランシ・フォトダイオード |
| US20120321240A1 (en) * | 2011-04-29 | 2012-12-20 | Luca Alloatti | Electro-optical device and method for processing an optical signal |
| US8368159B2 (en) * | 2011-07-08 | 2013-02-05 | Excelitas Canada, Inc. | Photon counting UV-APD |
| US8778725B1 (en) * | 2011-10-25 | 2014-07-15 | SiFotonics Technologies Co, Ltd. | Avalanche photodiode with special lateral doping concentration |
| JP2013236012A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | アバランシェフォトダイオード及びその製造方法 |
| FR2993999B1 (fr) * | 2012-07-27 | 2014-09-12 | Nanomade Concept | Procede pour la fabrication d'une surface tactile transparente et surface tactile obtenue par un tel procede |
| FR3000608B1 (fr) | 2012-12-31 | 2015-03-06 | Commissariat Energie Atomique | Structure semiconductrice du type photodiode a avalanche et procede de fabrication d'une telle structure |
| KR101691851B1 (ko) * | 2013-03-11 | 2017-01-02 | 인텔 코포레이션 | 실리콘 기반 광 집적 회로를 위한 오목 미러를 갖는 저전압 아발란치 광 다이오드 |
| US9893227B2 (en) * | 2013-05-24 | 2018-02-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Enhanced deep ultraviolet photodetector and method thereof |
| US9379271B2 (en) * | 2013-05-24 | 2016-06-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Variable range photodetector and method thereof |
| US9748429B1 (en) | 2013-06-11 | 2017-08-29 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Avalanche diode having reduced dark current and method for its manufacture |
| US9391225B1 (en) * | 2013-06-11 | 2016-07-12 | Sandia Corporation | Two-dimensional APDs and SPADs and related methods |
| US9209216B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-12-08 | Globalfoundries Inc | Passivation of back-illuminated image sensor |
| US9799689B2 (en) | 2014-11-13 | 2017-10-24 | Artilux Inc. | Light absorption apparatus |
| WO2016077791A1 (en) | 2014-11-13 | 2016-05-19 | Artilux Inc. | Light absorption apparatus |
| US10917625B1 (en) | 2016-10-20 | 2021-02-09 | Facebook Technologies, Llc | Time multiplexed dual-band sensor |
| WO2018140924A1 (en) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Systems and methods for genome mapping |
| US11195962B2 (en) | 2017-02-21 | 2021-12-07 | Newport Corporation | High responsivity high bandwidth photodiode and method of manufacture |
| US10419701B2 (en) | 2017-06-26 | 2019-09-17 | Facebook Technologies, Llc | Digital pixel image sensor |
| US10686996B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-06-16 | Facebook Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
| US10598546B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-03-24 | Facebook Technologies, Llc | Detecting high intensity light in photo sensor |
| CN107768462A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-03-06 | 天津大学 | 两级台面铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管及其制备方法 |
| US11393867B2 (en) * | 2017-12-06 | 2022-07-19 | Facebook Technologies, Llc | Multi-photodiode pixel cell |
| US10797193B2 (en) * | 2018-01-23 | 2020-10-06 | Lumentum Operations Llc | Bias control structure for avalanche photodiodes |
| US10969273B2 (en) | 2018-03-19 | 2021-04-06 | Facebook Technologies, Llc | Analog-to-digital converter having programmable quantization resolution |
| US11004881B2 (en) | 2018-04-03 | 2021-05-11 | Facebook Technologies, Llc | Global shutter image sensor |
| US10923523B2 (en) | 2018-04-16 | 2021-02-16 | Facebook Technologies, Llc | Multi-photodiode pixel cell |
| US11233085B2 (en) | 2018-05-09 | 2022-01-25 | Facebook Technologies, Llc | Multi-photo pixel cell having vertical gate structure |
| US11089210B2 (en) | 2018-06-11 | 2021-08-10 | Facebook Technologies, Llc | Configurable image sensor |
| US11906353B2 (en) | 2018-06-11 | 2024-02-20 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
| US10903260B2 (en) | 2018-06-11 | 2021-01-26 | Facebook Technologies, Llc | Multi-photodiode pixel cell |
| US11089241B2 (en) | 2018-06-11 | 2021-08-10 | Facebook Technologies, Llc | Pixel cell with multiple photodiodes |
| US11463636B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-10-04 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having multiple photodiodes |
| US10897586B2 (en) | 2018-06-28 | 2021-01-19 | Facebook Technologies, Llc | Global shutter image sensor |
| US10931884B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-02-23 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having adaptive exposure time |
| US11956413B2 (en) | 2018-08-27 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having multiple photodiodes and shared comparator |
| US11595602B2 (en) | 2018-11-05 | 2023-02-28 | Meta Platforms Technologies, Llc | Image sensor post processing |
| US11102430B2 (en) | 2018-12-10 | 2021-08-24 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having multiple photodiodes |
| US11218660B1 (en) | 2019-03-26 | 2022-01-04 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having shared readout structure |
| US11943561B2 (en) | 2019-06-13 | 2024-03-26 | Meta Platforms Technologies, Llc | Non-linear quantization at pixel sensor |
| US12015384B2 (en) | 2019-08-22 | 2024-06-18 | Artilux, Inc. | Photo-current amplification apparatus |
| TW202429694A (zh) | 2019-08-28 | 2024-07-16 | 美商光程研創股份有限公司 | 具低暗電流之光偵測裝置 |
| US11936998B1 (en) | 2019-10-17 | 2024-03-19 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having extended dynamic range |
| US11641003B2 (en) | 2019-12-03 | 2023-05-02 | Northwestern University | Methods of fabricating planar infrared photodetectors |
| US11902685B1 (en) | 2020-04-28 | 2024-02-13 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having hierarchical memory |
| US11910114B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-02-20 | Meta Platforms Technologies, Llc | Multi-mode image sensor |
| US11956560B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having reduced quantization operation |
| US12022218B2 (en) | 2020-12-29 | 2024-06-25 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital image sensor using a single-input comparator based quantizer |
| US11721780B2 (en) * | 2021-11-17 | 2023-08-08 | Globalfoundries U.S. Inc. | Avalanche photodetectors with a multiple-thickness charge sheet |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210780A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPH03214781A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPH03268467A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-11-29 | Fujitsu Ltd | アバランシェ・フォト・ダイオード |
| JPH0445581A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-14 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子の製造方法 |
| JPH0661521A (ja) * | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Fujitsu Ltd | アバランシェホトダイオード |
| JPH06291359A (ja) * | 1993-04-07 | 1994-10-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPH07312442A (ja) * | 1994-03-22 | 1995-11-28 | Nec Corp | 超格子アバランシェフォトダイオード |
| JPH09199753A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Nec Corp | 超格子アバランシェフォトダイオード |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4236069A (en) * | 1978-10-16 | 1980-11-25 | Varo, Inc. | Avalanche photodiode gain control system |
| JPH0824199B2 (ja) * | 1984-05-31 | 1996-03-06 | 富士通株式会社 | 半導体受光素子の製造方法 |
| US4686550A (en) * | 1984-12-04 | 1987-08-11 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Heterojunction semiconductor devices having a doping interface dipole |
| US4597004A (en) * | 1985-03-04 | 1986-06-24 | Rca Corporation | Photodetector |
| US5146296A (en) * | 1987-12-03 | 1992-09-08 | Xsirius Photonics, Inc. | Devices for detecting and/or imaging single photoelectron |
| US5179430A (en) * | 1988-05-24 | 1993-01-12 | Nec Corporation | Planar type heterojunction avalanche photodiode |
| JPH03116791A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-17 | Nec Corp | 半導体受光素子の製造方法 |
| JPH03237765A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Nec Corp | アバランシェフォトダイオード |
| JP2937404B2 (ja) * | 1990-04-18 | 1999-08-23 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子 |
| US5126281A (en) * | 1990-09-11 | 1992-06-30 | Hewlett-Packard Company | Diffusion using a solid state source |
| US5365077A (en) * | 1993-01-22 | 1994-11-15 | Hughes Aircraft Company | Gain-stable NPN heterojunction bipolar transistor |
| JPH0730144A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-31 | Xerox Corp | イメージセンサ配列用低容量感光素子 |
| JP2601231B2 (ja) * | 1994-12-22 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 超格子アバランシェフォトダイオード |
| US6326650B1 (en) * | 1995-08-03 | 2001-12-04 | Jeremy Allam | Method of forming a semiconductor structure |
| GB9520324D0 (en) * | 1995-10-05 | 1995-12-06 | Secr Defence | Improved auger suppressed device |
| US5818096A (en) * | 1996-04-05 | 1998-10-06 | Nippon Telegraph And Telephone Corp. | Pin photodiode with improved frequency response and saturation output |
| FR2758657B1 (fr) * | 1997-01-17 | 1999-04-09 | France Telecom | Photodetecteur metal-semiconducteur-metal |
| US6548878B1 (en) * | 1998-02-05 | 2003-04-15 | Integration Associates, Inc. | Method for producing a thin distributed photodiode structure |
| JP3177962B2 (ja) * | 1998-05-08 | 2001-06-18 | 日本電気株式会社 | プレーナ型アバランシェフォトダイオード |
| US6229161B1 (en) * | 1998-06-05 | 2001-05-08 | Stanford University | Semiconductor capacitively-coupled NDR device and its applications in high-density high-speed memories and in power switches |
| JP3141847B2 (ja) * | 1998-07-03 | 2001-03-07 | 日本電気株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
| US6359322B1 (en) * | 1999-04-15 | 2002-03-19 | Georgia Tech Research Corporation | Avalanche photodiode having edge breakdown suppression |
| JP3675223B2 (ja) * | 1999-05-12 | 2005-07-27 | 日本電気株式会社 | アバランシェフォトダイオードとその製造方法 |
| DE10004398A1 (de) * | 2000-02-02 | 2001-08-16 | Infineon Technologies Ag | VCSEL mit monolithisch integriertem Photodetektor |
| US6756613B2 (en) | 2000-11-03 | 2004-06-29 | Multiplex, Inc. | Shallow-mesa structure for planar PIN and APD photodiodes |
| US6495380B2 (en) * | 2000-12-11 | 2002-12-17 | Nortel Networks Limited | Epitaxially grown avalanche photodiode |
| JP4220688B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2009-02-04 | 日本オプネクスト株式会社 | アバランシェホトダイオード |
| US7348607B2 (en) | 2002-02-01 | 2008-03-25 | Picometrix, Llc | Planar avalanche photodiode |
| EP1470574B9 (en) | 2002-02-01 | 2017-04-12 | Picometrix, LLC | High speed pin photodiode with increased responsivity |
| WO2003065417A2 (en) | 2002-02-01 | 2003-08-07 | Picometrix, Inc. | Charge controlled avalanche photodiode and method of making the same |
| US6794631B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-09-21 | Corning Lasertron, Inc. | Three-terminal avalanche photodiode |
-
2003
- 2003-02-03 US US10/502,110 patent/US7348607B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-03 CA CA2474560A patent/CA2474560C/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-03 AU AU2003214995A patent/AU2003214995A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-03 EP EP03710845.3A patent/EP1470575B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-03 WO PCT/US2003/003323 patent/WO2003065418A2/en active Application Filing
- 2003-02-03 CN CNA038030381A patent/CN1625813A/zh active Pending
- 2003-02-03 JP JP2003564912A patent/JP4938221B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-04-30 US US10/836,878 patent/US7348608B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-10-12 JP JP2010229902A patent/JP2011009788A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210780A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPH03214781A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPH03268467A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-11-29 | Fujitsu Ltd | アバランシェ・フォト・ダイオード |
| JPH0445581A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-14 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子の製造方法 |
| JPH0661521A (ja) * | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Fujitsu Ltd | アバランシェホトダイオード |
| JPH06291359A (ja) * | 1993-04-07 | 1994-10-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPH07312442A (ja) * | 1994-03-22 | 1995-11-28 | Nec Corp | 超格子アバランシェフォトダイオード |
| JPH09199753A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Nec Corp | 超格子アバランシェフォトダイオード |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8039918B2 (en) | 2007-01-22 | 2011-10-18 | Nec Corporation | Semiconductor photo detector |
| JP2015520950A (ja) * | 2012-05-17 | 2015-07-23 | ピコメトリクス、エルエルシー | 平面のアバランシェ・フォトダイオード |
| JP2017199935A (ja) * | 2012-05-17 | 2017-11-02 | ピコメトリクス、エルエルシー | 平面のアバランシェ・フォトダイオード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1470575A2 (en) | 2004-10-27 |
| EP1470575B1 (en) | 2018-07-25 |
| CN1625813A (zh) | 2005-06-08 |
| EP1470575A4 (en) | 2010-05-05 |
| WO2003065418A2 (en) | 2003-08-07 |
| CA2474560A1 (en) | 2003-08-07 |
| US7348607B2 (en) | 2008-03-25 |
| US20040251483A1 (en) | 2004-12-16 |
| US7348608B2 (en) | 2008-03-25 |
| AU2003214995A1 (en) | 2003-09-02 |
| CA2474560C (en) | 2012-03-20 |
| JP2011009788A (ja) | 2011-01-13 |
| JP4938221B2 (ja) | 2012-05-23 |
| US20050156192A1 (en) | 2005-07-21 |
| WO2003065418A3 (en) | 2003-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4938221B2 (ja) | プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード | |
| US6794631B2 (en) | Three-terminal avalanche photodiode | |
| US20210091246A1 (en) | Photodetector and method for forming the same | |
| JP2601231B2 (ja) | 超格子アバランシェフォトダイオード | |
| US7700975B2 (en) | Schottky barrier metal-germanium contact in metal-germanium-metal photodetectors | |
| US7936034B2 (en) | Mesa structure photon detection circuit | |
| US6482671B2 (en) | Integrated optoelectronic device with an avalanche photodetector and method of making the same using commercial CMOS processes | |
| JP2012502466A (ja) | ナノ構造のフォトダイオード | |
| JP2007250648A (ja) | 光検知器 | |
| JP2010135360A (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JP2020107901A (ja) | 平面のアバランシェ・フォトダイオード | |
| JP2006040919A (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JP2002314118A (ja) | 受光素子 | |
| JP2003347577A (ja) | 半導体受光装置およびその製造方法 | |
| US7205525B2 (en) | Light conversion apparatus with topside electrode | |
| KR100303471B1 (ko) | 애벌란치형 광검출기 및 제작 방법 | |
| CN100541721C (zh) | 平面型雪崩光电二极管 | |
| KR100509355B1 (ko) | 포토 다이오드의 구조 및 제조 방법 | |
| JP2012124404A (ja) | フォトダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2004521489A (ja) | 変性長波長高速フォトダイオード | |
| JPH10313131A (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JP2021150576A (ja) | 赤外線検出器 | |
| JP4191564B2 (ja) | アバランシ・フォトダイオード | |
| KR100811365B1 (ko) | 플레이너 애벌란시 포토다이오드 | |
| JPH06291352A (ja) | 受光素子および回路内蔵受光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091028 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091105 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091130 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091207 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091228 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100611 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101012 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20101112 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110401 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110712 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110715 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110812 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110818 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110822 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110916 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110922 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111227 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120223 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4938221 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |