JP2005508009A - 半導体回路要素の欠陥検出方法および回路と、電子式制動力コントローラとドライビングダイナミクスコントローラにおける回路の使用 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、半導体回路要素、特に電界効果半導体回路要素の欠陥を検出するための方法と、請求項3の前提部分に記載した回路と、請求項9に記載した回路の使用に関する。
【背景技術】
【0002】
自動車ブレーキ装置のための電子制御装置は、ドライビングセイフティに寄与するかあるいは最近はブレーキング機能自体のような基本的な車両機能を含む機能を益々多く実施している。ドライビングセイフティを改善するための機能の例はアンチロックコントロール(ABS)またはドイラビングダイナミクスコントロール(ESP:電位スタビリティプログラム)である。ブレーキ機能自体は、電気油圧式ブレーキ(EHB)または電気機械式ブレーキ(EMB)のような新しい電子式ブレーキシステムでは、ブレーキの電子制御装置によって行われる。従って、電子制御装置の信頼性、エラー許容誤差およびエラー処理に対して多大の要求がなされる。
【0003】
自動車ブレーキシステム用の電子制御装置において安全装置を設けることが知られている。この安全装置は電子制御装置に含まれる電子要素の欠陥を検出することができる。このような欠陥を検出する際に、例えば制御装置の停止または制御装置の緊急時モードへの切換えのような適当な対策を設けることができる。欠陥を検出するために、安全に関する回路部分を二重または多重に(冗長的に)形成することができる。複数倍設けられる回路部分の機能の比較によって、多くの場合、発生するエラーを検出することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、請求項1記載の電子要素の欠陥を検出する方法と、請求項3記載の回路を提案する。
【0005】
電子コントローラにおいて、パワー電界効果トランジスタ(パワーMOSFET、FET)のような半導体要素は、特にブレーキ圧力を制御する電気機械式液圧弁を制御すために使用される。
【0006】
特にブレーキコントローラまたはドライビングダイナミクスコントローラのための電子制御装置において実施される本発明による方法により、例えば少なくとも1つのパワードライバステージや少なくとも1つの再循環ドライバステージに付設されたFETのような電子要素の欠陥を検出することができる。パワードライバステージと再循環ドライバステージは好ましくは、特に1個または複数の半導体回路要素および/または1個または複数の電流測定装置のような電子的な要素を含んでいる。
【0007】
好ましくは各々1つのパワードライバステージが負荷に接続されている。この場合、負荷は特に誘導負荷、例えば弁コイルである。
【0008】
電流を測定するために、半導体回路要素として、好ましくはセンス半導体回路要素が使用される。このセンス半導体回路要素は好ましくはセンスFETである。
【0009】
冗長的な電流測定とは、少なくとも2個の電流測定装置を備えた冗長的な回路構造体内で電流をチャックすることであると理解される。この場合、電流測定装置は並列に配置してもよいし、直列に配置してもよい。
【0010】
半導体回路要素の出力部の電流の測定、例えばFETの場合のドレン−ソース−電流の測定のほかに、この半導体の規定の機能を監視するために、半導体回路要素の制御ラインと出力部の一つとの間の電流、例えばゲート−ソース−電流を測定することが合目的である。
【0011】
冗長的な電流測定のために、個々の要素を多重形成する以外に、運転信頼性を高めるために、同じ出力部を接続する(駆動する、切換える)少なくとも2つの半導体回路要素を使用すると更に合目的である。その際、特にこの各要素において、固有の電流測定を行うことができる。同じ出力部を接続するこの半導体回路要素の場合好ましくは、半導体回路要素の制御ラインは信号入力によって一緒に駆動される。複数の半導体回路要素による出力部の駆動とは、この1つまたは複数の半導体回路要素によって、出力部に接続された誘導負荷の誘導電流が切換えられることを意味する。
【0012】
要素の欠陥が本発明の方法によって検出されると、1個または複数の手段が、故障した半導体要素のための代替要素の活動化、ブレーキ制御システムの停止、部分運転の活動化またはインストルメントパネルにおけるエラー信号の表示のグループの1つまたは複数の手段が実施される。
【0013】
本発明は更に、1個または複数の半導体回路要素が備えられ、この半導体回路要素がそれぞれ、制御ラインを接続するための制御接点と、好ましくは誘導負荷(例えば弁コイル)接続するための電流接点と、半導体回路要素を通る電流(ILSまたはILS)を測定するための電流測定装置を備えている、特に上記の本発明による方法を実施するための回路に関する。この回路の場合、冗長的な電流測定のための少なくとも2個の別個の電流測定装置が設けられ、この電流測定装置は場合によっては一部が1個または複数の共通の要素(RS *)特に抵抗要素を備えている。
【0014】
電流測定が抵抗要素の電圧降下の測定によって行われると有利である。抵抗要素は基板に一体化する場合、オンチップ抵抗または好ましくは個別型抵抗要素である。この場合、後者はオンチップ抵抗と比べて小さな許容誤差で製作可能である。
【0015】
本発明は更に、自動車用の電子式制動力コントローラまたはドライビングダイナミクスコントローラにおける前述の回路の使用に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
本発明の有利な実施形は、従属請求項と、図面に基づく次の説明から明らかになる。図面に基づく説明は、本発明の若干の実施の形態を含んでいる。
【0017】
図1の回路には、センス(Sense )FET1は負荷3(例えば弁コイル)に通じる端子15に接続されている。ゲートGにおけるゲート電圧に応じて、電流IL が負荷3を流れる。負荷(端子26)の第2の接続部は基準電位VREF に対して電圧を有する正の電位VREF に接続されている。負荷電流を測定するために、センスFET1の付加的なセンス出力部を利用することができる。このセンス出力部では、非常に小さなセンス電流IS が流れる。電流を電圧信号US に変換するために、センス出力部は抵抗RS を介して基準電位に案内されている。
【0018】
センスFETの作用は例えば米国特許第5,079,456号明細書またはドイツ連邦共和国特許出願公開第19520735号公報から明らかである。それによれば、パワーFET18の負荷電流は、小さな面積の類似のFET8が半導体材料上でパワーFET18のすぐ近くで平行に接続配置されていることによって検出可能である。小さなFETを流れる電流IS はパワーFETの負荷電流に対して充分に比例するがしかし、電流IS は構造的に定められる数値の比だけ負荷電流よりも小さい。この数値の比はパワーFETとセンスFETの間の使用されるチップ面積の比に一致している。
【0019】
図2はセンスFETを示している。このセンスFETは図1のセンスFETと異なり、冗長的な2つのセンスFET領域8を備えている。両センスFET領域はそれぞれ、固有の測定抵抗4(RS )を介して基準電位まで案内されている。従って、冗長的な電流測定を行うことができる。負荷電流に比例する電圧US は端子5,6の間および端子27,6の間で読み取ることができる。
【0020】
図示した回路は図5の回路と異なり、測定抵抗4のエラーの検出またはセンスFETのエラーの検出に制限される。このセンスFETのエラーは、例えば構成要素が完全に溶けたときに、半導体のセンスFET分野でも広がる。
【0021】
重要な構成要素を半導体基板9上にまとめた図3の回路は、負荷3を制御するために並列に接続された2個のセンスFET1,1′を備えている。センスFET1,1′が共通の1つのドライバステージとして解釈可能であることは、破線の枠17によって明らかである。
【0022】
基板9は回路要素1,1′のほかに、基準抵抗4と信号増幅器7とからなる2個の電流測定装置を備えている。この信号増幅器によって、抵抗4で低下するその都度の電圧を測定することができる。測定された電圧は出力部ADC1,ADC2を経て1個または複数のA/D変換器38に供給される。回路の端子15はローサイドアクチュエータとして負荷3に接続されている。端子15は基板上でセンスFET1,1′のドレン領域Dに通じている。センスFETのゲートGは一緒に制御線16を経て端子19に案内されている。この端子を経て、図示していないロジックから、制御信号を供給することができる。回路要素1,1′のセンスFETの範囲にはそれぞれ、電流に比例する電圧を発生するために、個別的な抵抗要素RS ,RS が接続されている。抵抗RS で低下する電圧は最後に増幅ステージ7によって読み取ることできる。
【0023】
図3のセンスFET1,1′は好ましくは直接並ばないように半導体基板上に配置されている。それによって、半導体要素の欠陥と、欠陥に基づいて発生する熱が、他の半導体要素の欠陥を生じない。
【0024】
図4の回路はドライバに付設された各々の負荷3,3′を駆動するための複数のドライバ24を備えた実施の形態である。ここでも、図3のように、負荷がセンスFETによって駆動されるがしかし、後述するように、図示上の理由から、図3と異なるセンスFET1,1″の図示方法が使用される。図4では、センスFET1のセンス電流部分8が独立したFET記号として示してある。パワーFET1の負荷電流部分18は別個のFET記号として示してある。
【0025】
図3と異なり、電流測定は外部の個別的な測定抵抗4を使用して行われる。この測定抵抗には、n倍(n>1)設けられたセンスFET1,1′のセンス部分8が端子10の信号(Select)を介して選択できるように接続可能である。センス−FET−範囲を選択するために、パワーFET18のゲート20は付加的なFET12(パストランジスタ)を介してセンFET1のセンス電流部分8のゲート21に接続されている。更に、ゲート20と駆動端子22(ドライブ1)が接続されている。FET12のゲートは選択端子10(選択1)に案内され、インバータ11はFET13のゲートに案内されている。FET13のソース端子は基準電位に接続されている。FET13のドレン端子はセンス電流部分8のゲートに接続されている。負荷電流部分18とセンス電流部分8のドレン端子は一緒に端子15まで案内されている。ソース端子23は端子28を介して基準抵抗4に接続されている。端子28は増幅器7まで案内されている。この増幅器は回路の出力部ADCに、更に処理可能な信号を準備する。出力部ADCの信号は、回路の規定通りの機能の場合、その都度選択されたコイル電流に比例する。端子ADCはデジタル信号をデジタル開始回路39に供給するA/Dコンバータに接続されている。このデジタル監視回路は選択出力部を備え、この選択出力部によって、センスFETがドライバステージで選択可能である。
【0026】
図4の回路の運転の際、出力部ADCを経て案内される信号は、端子10のハイレベルによって選択されたコイルを通る電流を示す。この場合、ローレベルはこの時点で、残りのアセンブリ24のその他の端子10に信号を供給しなければならない。端子10のハイレベルによるドライバステージ40の選択は、FET13を開放し、FET12を閉じる。これによって、FET1のセンス電流部分が活動化するので、センス電流IS は抵抗4を通って流れる。端子10の“ロー”レベルの場合、センス電流部分8が非活動化するので、端子10の“ハイ”レベルによる電流測定が残りのアンセンブリ22の一つで行うことが可能である。
【0027】
個々のドライバステージのセンスFET1は図3に示すように、冗長性を高めるために、図3の実施の形態に対応して並列接続あるいは図5に示すように“直列接続”の2個のセンスFET1,1′によって置き換え可能である。抵抗要素4も、基板の外に配置された個別的な複数の要素の形に冗長的に形成することが可能である。
【0028】
本発明の方法に従って、図3に示すように同じでない電流分布が監視装置39内で、センスFET1,1′で測定された電流の比較によって検出されると、欠陥信号は端子F(図4)に出力される。
【0029】
図5には、誘導負荷3を駆動するための回路が概略的に記載されている。この回路には、負荷3を駆動するためのドライバステージ25のほかに、再循環ドライバステージ29が付加的に設けられている。
【0030】
図示した回路は、図3の回路と比べて、センスFETのパワー部分の欠陥を付加的に検出することできるという利点がある。この欠陥は例えば回路抵抗RDSonを徐々にまたは急に変更することになる。更に、再循環ステージのセンスFETの欠陥を検出することができる。
【0031】
図6に基づいて回路の機能を説明する。端子19の矩形の信号33によってドライバステージ25を駆動することによって、コイル誘導に基づいてパルスポーズ内に存在する誘導電流LL (フリーホイーリング電流)は再循環ステージ29を経てコイルに戻し供給することが可能である。そのために、再循環ステージ29は端子30の信号33に対して相補的な信号34によって駆動される。
【0032】
ドライバステージ25と再循環ステージ29はそれぞれ好ましくは1個または複数のFETを含むことができる。
【0033】
ドライバ25の駆動は図3に示した上記回路に相応して、ロジックを介して端子19によって行われる。この端子は半導体回路要素の駆動ラインに接続されている。端子19に供給される信号に対して相補的な信号が、端子30を経て供給される。
【0034】
ドライバステージ25と再循環ステージがそれぞれ前述の電流測定装置を備えていることが重要である(例えば各々のステージに1個のセンスFET)。これによって、パルス幅変調(PWM)の原理に従ってコイルが駆動されるときに、コイルを流れる電流を冗長的に決定することができる。この回路は、図3に示したセンスFETを並列に配置した回路と比べて、半導体欠陥を付加的に検出することができるという利点がある。この半導体欠陥の場合、回路抵抗RDSonの変化が発生する。このよな欠陥が既存の半導体回路要素においてのみ発生する(単一の欠陥)と仮定すると、欠陥はドライブ相でのドライバステージを通る電流と、ドライブ相での再循環ステージを通るフリーホイーリング電流とを比較することによって検出することが可能である。
【0035】
電流測定は図3に相応して測定抵抗4の電圧を読み取ることによって行うことができる。この場合、読み取られた電圧信号はここでも増幅ステージ7によって増幅され、出力部ADC1,ADC2を経て1個または複数のアナログデジタル変換器38に案内される。
【0036】
前述の回路は、ドライバ電流とフリーホイーリング電流の間の偏差の検出を可能にする。この偏差は、ドライバステージまたは再循環ステージで測定された電流が実際のコイル電流と一致していないときに発生する。この場合、1つのセンスFETの欠陥が考えられる。これは例えばアンチロックコントロールシステムを停止する。図5の回路によって、半導体欠陥のほかに、抵抗31(Rp2),32(Rp1)によって示したシャントを検出することができる。このシャントは欠陥に基づいて、ドライバステージに対して平行にあるいは再循環ステージに対して平行に発生する。
【0037】
抵抗32に対応するシャントの場合、センスFET25によって電流ISense1≒ILS=IL +ILeak1 が測定される。この場合、IL はコイルを通る電流であり、ILeak1 は抵抗32からの漏洩電流である。並列回路RDSon,Rp1に基づいて、ISense1は電流ILeak1 も一緒に含んでいる。ドライバ25を介して例えば1Vの電圧が最も大きく低下することができるという仮定によって、ILeak1 <1V<Rp1が生じる。再循環ステージを介して同様の最大で約1Vの電圧が低下し得ると仮定すると、FET25を停止した後で、再循環電流ISense2≒IRecirc=IL −ILeak1 が生じる。ここでILeak1 <(VREFx+1V)/Rp1である。これにより、ドライバ25のシャントの際の抵抗32を経ての正の漏洩電流ILeak1 の場合にセンスFETによって決定されたドライバ電流が高められ、測定された再循環電流IRecircがセンスFET29内で低下するので、回路によって検出可能な、ISense1とISense2の間の電流差が生じる。
【0038】
抵抗31(Rp2)によって示した、再循環ステージに対して平行なシャントの場合、駆動相の間、シャントなしの場合よりも大きな電流ILS=IL +ILeak2 が必要となる。この場合にも、関係ILeak2 >(VREF −1V)/Rp2はドライバステージの1Vの最大電圧降下に当てはまる。コイル電流がステージ29から流出するフリーホイーリング相の間、このステージのセンスFETで電流ISense2≒IL =IRecirc−ILeak2 が測定される。ここで、IRecirc>−1V/Rp2である。再循環ドライバのトランジスタ内の投入抵抗RDSonと抵抗Rp2の並列回路によって、小さな電流ISense2が測定される。従って、回路によって検出可能な、ISense1とISense2の間の電流差が生じる。
【0039】
上記の方法は、抵抗32が零よりも大きいという前提で、シャントの検出を可能にする。ドライバステージ25またはセンスFETに対して平行な短絡の場合、電流差ISense1,ISense2だけでは欠陥検出が不可能である。従って、図5の回路装置では好ましくはコンパレータ35を備えた監視装置が付加的に設けられている。このコンパレータは端子15′(コイル出力部)で設定された電圧を下回ることを監視する。上記の短絡の発生時に“ハイ”から“ロー”に変わる端子36の信号の付加的な監視により、従来検出できなかった欠陥も、回路によって検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】電流測定装置を備えた、負荷を駆動するためのセンスFETを有する回路を示す図である。
【図2】冗長的な電流測定装置を備えた、負荷を駆動するための回路を示す図である。
【図3】それぞれ1個の電流測定装置を備えた、並列接続のセンスFETを有する回路を示す図である。
【図4】電流測定装置と外部の基準抵抗を備えた、複数の負荷を駆動するための回路を示す図である。
【図5】再循環ドライバを備えた回路を示す図である。
【図6】図5の回路を説明するための回路装置の電流と信号の変化を示すグラフである。
Claims (9)
- 負荷(3,3′)を駆動するための1つまたは複数の出力部(15,15′)を有する電子制御装置内の電子的な構成要素の欠陥を検出するための方法において、1個または複数の半導体回路要素の接点(G,S,D)、特に切換えられる接点(S,D)で、半導体回路要素を流れる電流(IL )が冗長的に測定され、この場合負荷(3,3′)を流れる電流に関する2つの電流値(IS ,ISense1,ISense2)の比較が同一でない電流分布を示すときに、半導体回路要素のエラー機能が検出されることを特徴とする方法。
- 半導体回路要素のゲート電位および/またはドレン電位(27)が、目標電位との比較によって決定され、偏差が認められるときに、回路欠陥が検出されることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 1個または複数の半導体回路要素(1,1′,1″,25,29)が備えられ、この半導体回路要素がそれぞれ、制御ライン(2,16)を接続するための制御接点(G)と、1つまたは複数の負荷(3,3′)を接続するための電流接点(S,D)と、半導体回路要素を通る電流(IS )を測定するための少なくとも1個の電流測定装置(4,5,6,7,8)を備えている、特に請求項1または2記載の方法を実施するために回路において、負荷(3,3′)に供給される電流(LL )と、この負荷から回路に戻される電流(IRecirc)が、同じ負荷に付設された少なくとも2個の電流測定装置によって測定され、比較装置(38,39)が設けられ、この比較装置が電流測定装置によって測定された電流を互いに比較することを特徴とする回路。
- 電流測定装置がセンス半導体回路要素(1,1′,25,29)を備えていることを特徴とする、請求項3記載の方法。
- センス半導体回路要素が共通の半導体材料(9)に一体的に連結され、電流測定のために、選択可能な共通の基準要素(RS *)、特に基準抵抗が設けられ、この基準要素が半導体材料に一体的に連結されていないことを特徴とする、請求項3または4記載の回路。
- 電流測定のために、基準要素(RS *)の電圧降下が測定され、各々の半導体回路要素が接続回路(10・・・13)によって基準要素に導電可能に接続可能であることを特徴とする、請求項5記載の回路。
- 少なくとも2個の負荷(3,3′)がそれぞれ負荷に付設されたドライバによって駆動され、各ドライバが少なくとも1個のセンス半導体回路要素を備え、このセンス半導体回路要素のセンス電流部分(8)が選択端子(10)を介して接続可能であることを特徴とする、請求項3〜6の少なくとも一つに記載の回路。
- 半導体回路要素の故障時に、正常に機能する半導体回路要素(1′)が故障した半導体回路要素の切換え機能を受け持つように、半導体回路要素(1,1′)が共通の出力部(15)に導電可能に接続されていることを特徴とする、請求項3〜7の少なくとも一つに記載の回路。
- 自動車用電子式制動力コントローラまたはドライビングダイナミクスコントローラにおける、請求項3〜8記載の回路の使用。
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