JP2005506666A - 電子発光装置 - Google Patents

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Abstract

有機電子発光装置(1)は、透過性基板(6)上に支持されたEL要素(2)を有している。セラミック又はガラス−セラミック材料のカバープレート(7)が設けられ、このプレートは、金属性シーリング手段(10)により透過性基板へとシールされ、これにより上記EL要素に対するガス気密封入が形成される。このカバープレートは、ドライバーIC(15)を支持する。このカバープレートは、内部コンダクター(12a、12b、12c)を設けられ、第1接触パッド(13a、13b、13c)を、EL要素(2)及びドライバーIC(15)に接続された第2接触パッド(14a、14b、14c)へと接続し、接続される少なくとも一つの第1接触パッドと第2接触パッドは配列されていない。

Description

【0001】
本発明は、有機電子発光装置に関し、透過性基板、この透過性基板に面した第1側面とこの第1側面の反対側の第2側面とを設けられたカバープレート、透過性基板とカバープレートとの間に配置された有機電子発光層を有する少なくとも一つの電子発光要素、及び、透過性基板とカバープレートに結合した中間シーリング手段を備えている。有機電子発光装置は、新しいフラットな発光ディスプレイであって、携帯電話、システム手帳、コンピューターや現在バックライト付若しくはバックライトを有していないLCDにより機能されているその他すべての適用例又はその他のフラットディスプレイ装置など、種々の異なる応用例に使用可能である。
【0002】
この装置は、ガラスプレートからなり、一つの側面においていくつかの光学的フォイルにて覆われ、他の側面では、透過性ITOや、例えばアルミニウム、バリウム、リチウムやその他の種々の金属などの複数の構造薄層電極にて覆われている。これらの電極間には、発光ポリマーが位置している。全体の厚みが数ミクロンの範囲であるこのスタックは、装置の活性部分を形成している。このスタック中のいくつかの層は、酸素や水分に対して感受性を有するので、装置の活性部分は、金属やガラスリッド又は厚みを有する膜層のいずれかによりガス及び水分を通さないようにシールされなければならない。薄いあるいは厚い膜層の場合、第一に、金属層により発生する可能性のある短絡を阻止すべく、電極の上部に絶縁層を設けることを確実にすべきである。リッドは、(電気絶縁的な)接着剤により装置に接着され、乾燥剤及び/又は酸素除去剤にて充填されるキャビティーを供する。
【0003】
作動ディスプレイを得るべく、電気コンダクターは、外界からシールされた領域における内部電極を接続すべきである。これらのコンダクターは、通常、ガラス表面上を走っており、絶縁性接着剤又は薄膜層からなるシーリングラインを通過する。このシーリング技術は、二つの主要な欠点を有している。
【0004】
エポキシ樹脂、熱融解ポリマー又はその他の有機性部材などの接着剤は、装置へと水分の若干の拡散を常に許容してしまい、装置内部に「ゲッター材料」(乾燥剤)の使用を必要とする。
【0005】
装置に由来する大多数の電極は、他に対して横たわっており、ドライバーに対する内部連絡は、追加の電気的接続装置を要求する。これは、また、薄及び厚みを有する膜シール装置に適用する。
【0006】
従って、本発明の目的は、導入部で述べて種類の、密閉されたハウジングを設けられた有機電子発光装置を供することである。この目的は:
カバープレートが、ガラス−セラミック及びセラミック材料からなるグループから選択された材料により形成され;
カバープレートの第1側面上に形成された第1導電パターン及び第1接触パッドを有し;
カバープレートの別の側面上に形成された第2導電パターン及び第2接触パッドを有し;且つ
この第1及び第2導電パターンは、内部コンダクターからカバープレートの内部へと延びて電気的に内部連絡されている;
ことにより達成される。
【0007】
カバープレートを介してコンダクターを設けることに起因して、シーリング手段は、非常に薄く、且つ光学的に閉鎖されたハウジングにより選択されてもよい。カバープレートは、特に高温コファーアーセラミック(HTCC)又は低温コファーアーセラミック(LTCC)基板である。LTCCは、このセラミック体の内部にて高度に導電性を有するコンダクターを伴った多重層コファイアーガラスセラミック材料である。このLTCC材料は、金属やガラスに比べて、完全にガスを密閉する。このコンダクターは、例えばCu又はAgを有している。基板の厚みは、層の数に依存し、典型的には、単位層当たり100から150μmである。このファイアー基板は、標準的に100μmであり現在は30μm以下の電極ピッチにて平坦である。この材料の膨張係数は、透過性基板にフィットすべく適合されていてもよい。カバープレートは、多重層構造であるため、所望の数の内部コンダクターを含んでいてもよく、従って、電子発光要素に対して必要なすべての接続を設けるべく十分大きな数であってもよい。
【0008】
LTCCカバープレートとポリLED装置とを組み合わせることにより、LTCCとガラスプレートとの間をハンダ付けして密閉金属シールを形成してもよく、装置の活性部分の周囲をシールし且つ包み込む。装置内の乾燥剤は、多くの場合必要ない。電極は、このスルーシーリングを通過すべきでない。LTCCの(電気的スルーコネクターの)バイアスに対する装置の活性部分の電極からの内部連絡は、ハンダ付け、又は例えばACF(異方導電性フォイル)や導電性エポキシにより代替的に製造されてもよい。このLTCC内部では、種々の方向に高度に導電性を有するラインが配置されてもよく、内部連絡が形成されていてもよく、且つ、キャパシター、インダクター、レジスターなどの受動的な部材の機能が一体化されていてもよい。このICに対するボンドパターンは、所望に応じて、種々の位置に位置されていてもよい。
【0009】
この組み合わせは、非常に薄く、圧倒的に信頼性を有するフラットモジュールをもたらす。LTCCの追加的なコストは、膨張性内部連絡フォイルを取り除き、小さくパッケージングし、且つより一体的な機能により補完される。
【0010】
適切な実施例において、少なくとも二つの内部コンダクターは、カバープレートに延び、それぞれ、第1接触パッドを第2接触パッドへと内部連絡し、第1接触パッドに配列されていない。この実施例において、内部コンダクターは、カバープレートの第1側面に実質的に垂直に延びているばかりでなく、側方的に延びている。このことは、接触パッドの位置が所望に応じて選択可能であるという利点を有する。これらの更なる実施例において、前記の少なくとも二つの内部コンダクターは、カバープレートの側面の一つに実質的に平行に延びる部分をそれぞれ有している。実質的に平行に延びるこの部分は、カバープレートの内部の複数の異なるレベルにて配置されていてもよい。このことは、柔軟性をもたらし、第1接触パッド、特に電子発光要素が接続されるシーケンスが、第2接続パッドが外部回路に接続されるシーケンスと異なる実施例においてさらに増加される。
【0011】
この電子発光要素は、透過性基板とカバープレートの両方に存在していてもよい。第1の実施例において、この電子発光要素は、透過性基板上に存在しており、カバープレートの第1側面上の第1導電性パターン中の第1接触パッドに内部連絡されているアノード及びカソードの電極パターンを供されている。これは、第1にITOであり最終的に種々の金属にて、通常の工程に従って、この電子発光要素がガラス基板上に適用されてもよいという利点を有している。しかしながら、このことは、カバープレート上に電子発光要素を設けることを完全に排除するものではない。このことは、第1接触パッドを電子発光要素に内部連絡する必要がないという利点を有し、つまり、この接触パッドは電極パターンの一部を形成することになるということである。
【0012】
アノード及びカソードの電極パターンは、ハンダ付け接触により第1接触パッドに内部連絡されている。接触パッドを有していることは適切である。かかるハンダ付け接触は、この内部連絡がカバープレートと透過性基板により形成されたキャビティーの側面に対して限定されないことを可能としている。さらに、この様式において、シーリング手段に影響を及ぼさない。
【0013】
内部シーリング手段がハンダ付け可能な金属を有しており、且つ、このシーリング手段及びハンダ付け接続が一つの工程にてハンダ付けされることは非常に適切である。このことは、製造の簡便性のみならず、シーリング手段を供し、且つ接触パッドがこの工程によって自動的に配列されるようになる。代替的にこの中間シーリング手段は、他の材料を有していてもよい。例えば、透過性基板がガラスを有している場合、シーリング手段は、シロキサン材料やこれに類似する材料であってもよく、カバープレートのガラス−セラミック材料及び透過性基板のガラス材料は、一体的な構造にて結合されていてもよい。
【0014】
さらなる実施例において、電極パターンの接触パッドのピッチは、第2の接触パッドの少なくともいくつかのピッチよりも大きくてもよく、短いピッチを有する、外部回路、特にドライバーIC、キャパシターやこれらと同様の部材が第2接触パッドに直接結合されていてもよい。
【0015】
内部コンダクターを有するカバープレートを使用することは、空間的な要件に対して大いなる柔軟性をさらに供する。このカバープレートは、例えば、印刷回路基板上の第2側面に設けられてもよいが、第1側面に設けられていてもよい。これは、第2接触パッドの位置に依存する。
【0016】
有利な実施例において、ドライバー回路は、カバープレートの側面の一つに存在しており、第2導電性パターンの第2接触パッドに接続されている。ドライバー回路とともに内部コンダクターを有する基板を使用する利点は、ドライバー回路の位置が、第1側面上または第2側面上など、自由に選択可能となる点である。ドライバー回路が組み立てられてもよいキャビティーを有する多重層基板を設けることもさらに可能である。かかるキャビティーは、ドライバー回路に対して良好な機械的防御性を供する。さらに、このキャビティーは、ドライバー回路上に適用されたカプセル封入(encapsulation)の境界として機能してもよい。非常に適切な実施例において、カバープレートは、少なくとも二つのキャビティーを設けられており、一つはドライバー回路に対してであり、もう一つは、電子発光要素に対してである。透過性基板は、平坦なプレートとして設けられてもよい。さらに、この透過性基板は、ドライバー回路を有するキャビティーへのカバーとして機能してもよく、ブロックごとのモジュールをもたらす。このことは、組立の後にだけ、個々の装置を分離することを許容する。
【0017】
本発明のこれら及びその他の面は、以下に述べる実施例に対する参照文により明らかになりより明瞭に説明されるであろう。
【0018】
(実施例1)
図1は、本発明による、EL装置1に関する第1実施例の概略的な断面図である。明瞭であることとする目的のため、この図面及び次の図面は、スケールに関して描いたものではなく、多くの部分は、他の部分よりも拡大したスケールにて描いた。EL装置1は、EL要素2を備えている。EL要素2は、発光される光に対して透過性を有する正孔注入電極3と、電子注入電極5との間に配置された電子発光有機層4を有している。EL要素2は、6乃至10の部品により形成された気密性及び防水性ハウジングにより密閉されている。このハウジングは、発光される光に透過性を有するガラスプレート6の形態にて第1形状部品を有している。EL要素2は、プレート6上に取り付けられ、従って、EL要素2のための基板として機能する。上記のハウジングは、カバープレート7の形状の第2形状部品を有している。プレート6及び7は、密閉的に気密性及び防水性にてシールすべく、低融点の金属合金10の閉口リング(closed ring)により互いに接続されている。ソルダー10の閉口リングは、閉口リングの形状にて結合層9を介してプレート7に結合されており、その形状は、閉口リング10と同一である。
【0019】
金属(例えば銅や銀)ストリップの形状の内部コンダクター12aは、カバープレート7を介して延び、第1接触パッド13aを配列していない第2接触パッド14aへと接続している。類似の様式において、内部コンダクター12bは、第1接触パッド13bを配列していない第2接触パッド14bへと接続し、内部コンダクター12cは、第1接触パッド13cを配列していない第2接触パッド14cへと接続している。この実施例において、第1接触パッド13a、13b、13c及び第2接触パッド14a、14b、14cは、カバープレート7の同一側面上に配置されており、これは、透過性基板6に面した側面である。ドライバーIC15は、第2接触パッド14a、14b、14cに直接結合されている。このドライバーICは、透過性基板6を超えて延びるカバープレートの部分及びカバープレートの「低い」側面上に取り付けられているので、図1に示した装置1は非常に平坦である。
【0020】
第1接触パッド13a、13b、13cは、EL要素2の電極パターンの内部接触16a、16b、16cに電気的に接続されており(例えば、ソルダーバンプの形状であってもよい)。
【0021】
内部コンダクター12a、12b、12cは、個々の部分a、b、cを有しており、カバープレート7の(主要な側面)に実質的に平行に延びている。ガス充填クリアランス17は、EL要素2とカバープレート7との間に存在している。
【0022】
図2は、本発明による、電子発光装置21に関する第2の実施例の概略的な断面図である。EL装置21は、第1実施例と同様であり、同じ部分は同じ参照番号で特定されているが、ドライバーIC15がカバープレート7の「上部」側面に(直接)結合されており、これは、透過性基板6から離れた側面である、という点で異なっている。この配置では、ドライバーIC15が中間シーリング手段8、9、10により結合されている領域の外側に存在している。この場合、内部コンダクター12a、12b、12cは、カバープレート7の底部側面上の第1接触パッド13a、13b、13cを、カバープレート7の上部側面上の配列されていない第2接触パッド14a、14b、14cに接続している。
【0023】
図3は、本発明によりEL装置31の第3実施例に関する概略的な断面図である。EL装置31は、第1実施例と同様であり、同じ部分は同じ参照番号で特定されているが、電子注入電極5から離れた側面の、カバープレート7の「上部」側面において、ドライバーIC15が設けられている点で異なっている。この配置では、ドライバーIC15が中間シーリング手段8、9、10により結合されている領域の内部に存在している。この場合、内部コンダクター12a、12b、12cは、カバープレート7の底部側面上の第1接触パッド13a、13b、13cを、その上部側面上の配列されていない第2接触パッド14a、14b、14cに接続している。
【0024】
実施例の手段によりEL装置1は、以下の通り製造される。
(1.透過性プレート部品の処理):
64×64×1mmの寸法のガラスプレート6は正孔注入電極3を形成すべく、150nmの酸化インジウム錫層を設け、セクション11(Balzer社製)は、石鹸水及びイソプロパノールの順で洗浄された。約150nmの厚みの有機EL層4は、Braunら著のSynth.Met.,66(1994)75頁に述べられた方法に従ってトルエン中で合成されたポリ(2−メトキシ−5−(2,7−ジメチルオクチルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン)の0.6重量%溶液のスピンコーティーングにより設けられた。このEL材料は、綿棒及び/又はレザーブレードによりその端部に沿って除去される。大量生産において、レーザー削磨は、余分なEL材料を除去するのに特に好適な方法である。イットリビウム(Yb)は、マスクを介して真空堆積され、これにより、200nmの電子注入電極5を形成する。EL要素2は、ここで完全に第1ガラスプレート6に取り付けられる。マスクを用いて、それぞれマグネトロンスパッタリング(magnetronsputtering)及び蒸着により、約200nmの厚みのニッケル層及び200nmの厚みの銀層を連続して設けられ、これにより、第1閉口リングの形状にてパターン化された結合層8を形成する。数百nm足らずの厚みの結合層8は、スピンコーティーング工程に逆行的に影響することなく、このEL層に先立って代替的に設けられる。
【0025】
(2.カバープレート部品の加工):
カバープレート7は、セラミック又はガラス−セラミック材料から形成される。特定のLTCCタイプは、例えば、ガラス相中に埋め込まれるセラミック粒子を有している。その他のタイプは、結晶化ガラスを有している。特定のHTCCタイプ(高温コファイアーセラミック)は、例えば、純粋なセラミック材料を有している。
【0026】
LTCCテープシステム(LTCC tape system)は、凝縮適合された金属化ペーストを設けられたガラス−セラミック誘電テープから構成されている。各層の連続的な印刷、乾燥、及び焼成(firing)を必要とする厚膜技術とは異なり、PW B技術のようなLTCC技術は、異なる層を平行に処理する(つまり、すべての層は、平行して、パンチされ、印刷され、乾燥される)。一度すべての層が加工されると、高密度で完全に一体的な基板を形成すべく、スタックされ、ラミネートされ、且つ800〜900℃の温度にてコファイアーされる。
【0027】
結合層8の適用と同じ方法及び材料を用いて、内部コンダクター構造を有するカバープレート7は、閉口リングの形状にてパターン化された結合層9を設けられ、プレート6上に存在する第1閉口リングにメートされている(mated)。得られるプレートは、融点145℃で、155℃にて液体状態にて保持されている、Sn(50重量%)Pb(32重量%)Cd(18重量%)の低融点金属合金を含有するバスに浸漬される。このプレートをバスから取り除き、結合層9にのみソルダーを施され、これにより、プレート6上に存在する第1閉口リングにメートされた第2閉口リングを形成する。
【0028】
ソルダーは、同様に、第1接触パッド13a、13b、13c上に堆積されてもよい。
【0029】
(3.プレートの接続):
処理されたプレート6及び7は、155℃に保持されたホットプラットフォーム上に配置され、融解すべく低融点金属合金を生じる。プレート6及び7は、その後、第1及び第2閉口リングをメートすることにより結合される。これは、第1プレートを第2閉口リングの上部に据え付けるには十分である。融解された低融点金属合金の自己配列特性は、その後、この二つの閉口リングをこれらの最大重なりの最終的な位置へと引き入れる一方、同時に、EL要素とカバープレートとの間の電気的な内部接続は、互いに接触するようにされる。冷却した後、閉口リング10は、EL要素2を包みこむ気密性及び防水性のハウジングを形成すべく、固化する。閉口リング10は、200μmの厚みであるので、クリアランス17は、EL要素2とプレート7との間に存在し、このクリアランスは、乾燥窒素ガスにて充填される。なぜなら、プレート6及び7の結合は、乾燥窒素雰囲気にて実行されるからである。
【0030】
代替的に、ソルダーペーストは、カバープレート7の底部表面上に直接(スクリーン)印刷されてもよい。基板6とカバープレート7とを結合した後、この組立品は、ソルダーペーストの軟化温度以上(好ましくは120度未満)にまで上昇され、冷却される。基板6及びカバープレート7上のパターン、軟化されたソルダーに起因して、それら自体で自動的に配列する。
【0031】
総括すると、本発明は、透過性基板上に支持されたEL要素を有する有機電子発光装置に関する。セラミック又はガラス−セラミック製のカバープレートが設けられ、金属シーリング手段により上記透過性基板にシールされ、これにより、EL要素のためのガス気密密封が形成される。カバープレートは、ドライバーICを支持する。このカバープレートは、EL要素に接続される第1接触パッドと、ドライバーICに接続される第2接触パッドとを接続する内部コンダクターを設けられ、接続される少なくとも一つの第1接触パッドと第2接触パッドとは、相互に配列されない。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】本発明による、EL装置に関する第1実施例の概略的な断面図である。
【図2】本発明による、EL装置に関する第2実施例の概略的な断面図である。
【図3】図2の線I−Iに沿った、本発明による、EL装置に関する第3実施例の概略的な断面図である。

Claims (10)

  1. 透過性基板、
    前記透過性基板に向かい合う第1側面と該第1側面の反対の第2側面を設けられたカバープレート、
    前記透過性基板と前記カバープレートとの間に配置され、有機電子発光層を有する少なくとも一つの電子発光要素、及び
    前記透過性基板と前記カバープレートに結合する中間シーリング手段、
    を有し、
    前記カバープレートは、ガラス−セラミック及びセラミック材料の群から選択された材料により形成され;
    前記ガラスプレートの前記第1側面上に形成された第1導電性パターンが第1接触パッドを有し;
    前記ガラスプレートの側面の一つの上に形成された第2導電性パターンが第2接触パッドを有し;且つ
    前記第1導電性パターン及び前記第2導電性パターンは、前記カバープレートの内部に延びる内部コンダクターを介して電気的に内部連絡されている;
    ことを特徴とする有機電子発光装置。
  2. 少なくとも2つの内部コンダクターが前記カバープレートに延び、そのそれぞれが、前記第1接触パッドに配列されず、第1接触パッドを第2接触パッドへと内部連絡していることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 前記の少なくとも2つの内部コンダクターは、前記カバープレートの側面の一つの実質的に平行に延びる部分を有することを特徴とする請求項2に記載の装置。
  4. 電子発光要素は、前記透過性基板上に存在し、前記カバープレートの第1側面上の第1導電性パターンの第1接触パッドに内部連絡されているアノード及びカソードの電極パターンを設けられていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  5. 前記のアノード及びカソードの電極パターンは、ソルダー接続により、前記第1接触パッドに内部連絡されている接触パッドを有していることを特徴とする請求項4に記載の装置。
  6. 前記中間シーリング手段は、ハンダ付け可能な金属を有しており、前記シーリング手段及び前記ソルダー接続は、一つの工程ステップにてハンダ付けされることを特徴とする請求項5に記載の装置。
  7. 前記第1接触パッドの少なくともいくつかは、前記第2接触パッドの少なくともいくつかのピッチよりも大きいピッチを有することを特徴とする請求項4に記載の装置。
  8. ドライバー回路が前記カバープレートの側面の一つに存在し、前記第2導電性パターンの第2接触パッドに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  9. 前記ドライバー回路は、前記カバープレートの前記第1側面に配置されていることを特徴とする請求項8に記載の装置。
  10. 前記カバープレートは、コファイアー技術により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008116956A (ja) * 2006-10-31 2008-05-22 Samsung Sdi Co Ltd プラズマディスプレイ装置
JP2008257249A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Tsinghua Univ 有機エレクトロルミネセンス装置
JP2011108651A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Fraunhofer Ges Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev 有機光電デバイス
WO2013051230A1 (ja) * 2011-10-04 2013-04-11 パナソニック株式会社 有機el素子及びその製造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6365453B1 (en) * 1999-06-16 2002-04-02 Micron Technology, Inc. Method and structure for reducing contact aspect ratios
JP4152665B2 (ja) * 2001-07-11 2008-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US7112113B2 (en) * 2002-12-25 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device
US7079005B2 (en) * 2003-12-01 2006-07-18 Cochran Gary D Mechanically buffered contact wiper
CA2897475C (en) 2004-04-30 2018-07-10 Dow Agrosciences Llc Novel herbicide resistance genes
KR100652397B1 (ko) * 2005-01-17 2006-12-01 삼성전자주식회사 매개 인쇄회로기판을 사용하는 적층형 반도체 패키지
JP2009503777A (ja) 2005-07-27 2009-01-29 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 駆動回路が一体化された封止部を有する照明装置
JP5881926B2 (ja) 2006-10-25 2016-03-09 オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH オプトエレクトロニクスデバイス及び該オプトエレクトロニクスデバイスを製造するための方法
DE102006059168B4 (de) * 2006-10-25 2022-03-17 Pictiva Displays International Limited Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung
CH704738B1 (fr) * 2007-11-02 2012-10-15 Bernard Jouvenot Pièce d'horlogerie comportant un mécanisme de chronographe et un mécanisme de remontage automatique.
KR100868531B1 (ko) * 2007-12-17 2008-11-13 한국전자통신연구원 미세 로컬 디밍이 가능한 전계 방출 장치
JP6045153B2 (ja) * 2009-02-05 2016-12-14 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. エレクトロルミネッセンス装置
CN101582488B (zh) * 2009-06-25 2011-02-16 彩虹集团公司 一种有机电致发光器件的封装盖板
US20120155044A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 General Electric Company Electronic circuit board and a related method thereof
DE102014116740A1 (de) * 2014-11-17 2016-05-19 Emdedesign Gmbh Leuchte umfassend wenigstens zwei OLED-Leuchtmittel
US10084135B2 (en) * 2014-11-27 2018-09-25 Industrial Technology Research Institute Illumination device and method of fabricating an illumination device
DE102016103991A1 (de) * 2016-03-04 2017-09-07 Emdedesign Gmbh OLED-Leuchtenmodul

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09219288A (ja) * 1996-02-07 1997-08-19 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネセンス素子
JPH09260544A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Toshiba Corp セラミック回路基板およびその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5237434A (en) * 1991-11-05 1993-08-17 Mcnc Microelectronic module having optical and electrical interconnects
US5563470A (en) * 1994-08-31 1996-10-08 Cornell Research Foundation, Inc. Tiled panel display assembly
US5585695A (en) 1995-06-02 1996-12-17 Adrian Kitai Thin film electroluminescent display module
US5644327A (en) * 1995-06-07 1997-07-01 David Sarnoff Research Center, Inc. Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate
US6195142B1 (en) * 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
US5703394A (en) * 1996-06-10 1997-12-30 Motorola Integrated electro-optical package
US5708280A (en) * 1996-06-21 1998-01-13 Motorola Integrated electro-optical package and method of fabrication
JPH11233255A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Tdk Corp 有機elディスプレイ
JP2001092381A (ja) * 1999-09-27 2001-04-06 Nec Corp 有機elディスプレイおよびその製造方法
DE10005296A1 (de) 2000-02-07 2001-08-16 Infineon Technologies Ag Vorrichtung für die Emission elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zu deren Herstellung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09219288A (ja) * 1996-02-07 1997-08-19 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネセンス素子
JPH09260544A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Toshiba Corp セラミック回路基板およびその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008116956A (ja) * 2006-10-31 2008-05-22 Samsung Sdi Co Ltd プラズマディスプレイ装置
JP4564039B2 (ja) * 2006-10-31 2010-10-20 三星エスディアイ株式会社 プラズマディスプレイ装置
JP2010277108A (ja) * 2006-10-31 2010-12-09 Samsung Sdi Co Ltd プラズマディスプレイ装置
US8174822B2 (en) 2006-10-31 2012-05-08 Samsung Sdi Co., Ltd. Plasma display device
JP2008257249A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Tsinghua Univ 有機エレクトロルミネセンス装置
JP2011108651A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Fraunhofer Ges Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev 有機光電デバイス
US8530924B2 (en) 2009-11-17 2013-09-10 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Organic photoelectric device
WO2013051230A1 (ja) * 2011-10-04 2013-04-11 パナソニック株式会社 有機el素子及びその製造方法
JP5662586B2 (ja) * 2011-10-04 2015-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機el素子及びその製造方法

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