JP2005502188A - ケミカルメカニカル研磨組成物およびそれに関する方法 - Google Patents
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Abstract
CMPにより金属を除去するための研磨組成物は、金属酸化剤と、酸化物抑制剤と、錯化剤と、金属と結合を形成する親水性官能基を有する第一部分の分子およびCMP中に研磨パッドと係合して、パッドが金属の表面からエンジニアドコポリマーを除去するための疎水性官能基を有する第二部分の分子を含み、CMPによる金属除去を可能にする一方、埋め込み回路相互接続からのエンジニアリングコポリマーの除去を最小化してディッシングを最小化するエンジニアドコポリマーとを含む。
Description
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体基板のケミカルメカニカル研磨(CMP)に関する。CMPは、集積回路、マルチチップモジュール、コンデンサなどを形成する半導体基板上の薄い膜または層を除去し、平坦化することに関する。膜または層は、3種の異なる材料に応じて次のように分類される:(i)導電性金属層;(ii)導電性金属層とその下にある絶縁層との間のバリヤー膜またはライナー膜;および(iii)金属回路相互接続を形成する埋め込み金属線を有するその下にある絶縁層。CMP工程の間、研磨パッドが流体研磨組成物と協同して金属層を除去し、半導体基板を研磨して、その上に層が順次に製造されてゆく平滑で平坦な被研磨表面を設ける。順次に製造される層自体もCMPにより研磨される。
【0002】
研磨組成物は、砥粒を含有するスラリー、または実質的に無粒子の研磨組成物を含む、反応性液剤と呼ばれるスラリーを含む。CMPの間、研磨パッドが半導体基板に対して動かされ、その基板に摩擦を加える。この摩擦が研磨組成物と基板表面との化学反応と組み合わさって、半導体基板から材料を除去する。ディッシングとは、CMP工程中に、回路相互接続から金属が除去されることによって引き起こされる、望まざる空所をいう。エロージョンとは、CMP工程中に、回路相互接続の周囲の絶縁材料が過剰に除去されることをいう。
【0003】
US6,117,775は、CMP中に、エッチングおよび酸化によって回路相互接続が除去されるのを抑制する抑制剤および界面活性剤であって、CMPにより除去される金属に付着する抑制剤および界面活性剤を開示している。抑制剤および界面活性剤は、研磨パッドが加える摩擦によって除去される。抑制剤はBTAを含み、界面活性剤は、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム、ポリメタクリル酸およびポリアクリル酸アンモニウムのうちの1種を含む。
【0004】
本発明は、半導体基板のCMP中にディッシングを抑制するためのエンジニアドコポリマーであって、基板表面上の金属と結合を形成する1個以上の親水性官能基を有する第一部分の分子と、CMP中に研磨パッドと係合して、パッドが研磨される金属の表面からエンジニアドコポリマーを除去するための1個以上の疎水性官能基を有する第二部分の分子とを含み、CMPによる金属除去を可能にする一方、埋め込み回路相互接続からのエンジニアリングコポリマーの除去を最小化してディッシングを最小化するエンジニアドコポリマーに関する。
【0005】
以下、本発明の実施態様を一例として詳細な説明を参照しながら記載する。
【0006】
エンジニアドコポリマーは、基板表面上の金属と結合を形成する1個以上の親水性官能基を有する第一部分の分子を形成し、CMP中に研磨パッドと係合して、パッドが研磨される金属の表面からエンジニアドコポリマーを除去するための1個以上の疎水性官能基を有する第二部分の分子を形成する1種以上のモノマーから誘導され、CMP中の金属除去を可能にする一方、埋め込み回路相互接続からのエンジニアリングコポリマーの除去を最小化してディッシングを最小化する。親水性官能基は、イオン化可能な官能基である。疎水性官能基は、非イオン性の官能基である。エンジニアドコポリマーは、基板からの金属除去を促進する一方、基板表面および研磨パッド表面との接触を介して起こる反応を抑制することによって、埋め込み金属回路相互接続のディッシングを最小化する。
【0007】
一実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、CMP中に基板表面と強力な結合、たとえば配位共有結合を容易に形成する親水性官能基が得られるように1種以上のモノマーから誘導される。さらに、エンジニアドコポリマーは、ファンデルワールス力または他の相互作用によってそのコポリマー分子に構造的剛性を与える疎水性官能基が得られるように1種以上のモノマーから誘導される。エンジニアドコポリマーの剛性は、それらの官能基を形成するモノマーのモル比を変化させることにより調節される。エンジニアリングコポリマーを誘導または合成するために2種のモノマーを使用する場合、それぞれのモノマーのモル比は、約1:20〜約20:1で変化させることができる。コポリマーを生成するために2種を超えるモノマーを使用する場合、モル比の総計は1である。本発明のエンジニアドコポリマーが少なくとも2種のモノマーから誘導される実施態様においては、1種のモノマーがポリエチレン性不飽和であって、コポリマー中で増量剤または架橋剤として作用する。
【0008】
一実施態様によると、第一部分の分子は、CMPによって除去される金属と結合を形成するための、カルボキシル、ヒドロキシル、ハロゲン、ホスホネート、ホスフェート、スルフェート、スルホネート、ニトロなどの親水性官能基1個以上を含む。
【0009】
一実施態様によると、少なくとも1種以上のエンジニアドコポリマーが、反応性液剤中に約1重量%まで存在する。この反応性液剤は、(i)酸化剤を約15重量%まで、(ii)腐食抑制剤を約2重量%まで、(iii)反応性液剤中で金属イオン錯体を形成する錯化剤を約3重量%まで含む無粒子の研磨組成物である。さらに、この反応性液剤は、約5.0未満のpH値、あるいはまた、約2.8〜約4.2の範囲内のpH値、あるいはまた、約2.8〜約3.8の範囲内のpH値を含む。
【0010】
別の実施態様によると、少なくとも1種以上のエンジニアドコポリマーが、砥粒を含有する研磨組成物中に約1重量%まで存在する。この組成物は、(i)酸化剤を約15重量%まで、(ii)腐食抑制剤を約2重量%まで、(iii)錯化剤を約3重量%まで、そして(iv)砥粒を約3重量%まで含む。さらに、この組成物は、約5.0未満のpH値、あるいはまた、約2.8〜約4.2の範囲内のpH値、あるいはまた、約2.8〜約3.8の範囲内のpH値を含む。
【0011】
一実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、モノマーの混合物、たとえばアクリル酸モノマーとメタクリル酸モノマーとをモル比約1:20〜約20:1の範囲内、あるいはまた約1:1の範囲内で組み合わせたものから誘導される。
【0012】
別の実施態様において、エンジニアドコポリマーは、モノマーの混合物、たとえば2種以上のエチレン性不飽和モノマーの混合物であって、分岐鎖状および/または非分岐鎖状コポリマー分子を形成するための不飽和カルボン酸モノマーを少なくとも約50重量%含有する混合物から誘導される。
【0013】
不飽和カルボン酸モノマーは、不飽和モノカルボン酸モノマーまたは不飽和ジカルボン酸モノマーのいずれかを含む。不飽和モノカルボン酸モノマーとは、1分子当たり炭素原子3〜6個とカルボン酸基1個を有する不飽和カルボン酸モノマーおよびそれらの水溶性塩のうちの1種をいう。適したエチレン性不飽和モノカルボン酸モノマーは、たとえばアクリル酸、オリゴマー性アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ビニル酢酸、およびこれらの誘導体、たとえば対応する無水物、アミド、エステルおよびそれらの水溶性塩である。
【0014】
不飽和ジカルボン酸モノマーとは、1分子当たり炭素原子4〜8個を含有する不飽和ジカルボン酸モノマー、シス−およびトランス−ジカルボン酸の無水物、ならびにそれらの水溶性塩のうちの1種をいう。適した不飽和ジカルボン酸モノマーは、たとえばマレイン酸、フマル酸、α−メチレングルタル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、シクロヘキセンジカルボン酸、および誘導体、たとえばこれらの対応する無水物、アミド、エステルおよび水溶性塩を含む。
【0015】
別の実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、モノエチレン性不飽和モノマー、たとえば、たとえばスチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、o−、m−およびp−メチルスチレン、エチルビニルベンゼン、ビニルナフタレンならびにビニルキシエレンを含むビニル芳香族モノマーの1種以上から誘導される。ビニル芳香族モノマーは、対応する置換された相対物、たとえば1個以上のハロゲン基(たとえばフッ素、塩素または臭素)およびニトロを含有するハロゲン化誘導体、または、たとえばシアノ、アルコキシ、ハロアルキル、カルボアルコキシ、カルボキシ、アミノおよびアルキルアミノの誘導体のうちの1種を包含する。
【0016】
別の実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、たとえば含窒素環式化合物、たとえばビニルピリジン、2−メチル−5−ビニルピリジン、2−エチル−5−ビニルピリジン、3−メチル−5−ビニルピリジン、2,3−ジメチル−5−ビニルピリジン、2−メチル−3−エチル−5−ビニルピリジン、メチル置換キノリン類およびイソキノリン類、1−ビニルイミダゾール、2−メチル−1−ビニルイミダゾール、N−ビニルカプロラクタム、N−ビニルブチロラクタムおよびN−ビニルピロリドンを含むモノエチレン性不飽和モノマーの1種以上から誘導される。モノエチレン性不飽和モノマーはさらに、エチレンおよび置換エチレンモノマー、たとえばα−オレフィン類、たとえばプロピレン、イソブチレンおよび長鎖アルキルα−オレフィン類(たとえば(C10〜C20)アルキルα−オレフィン類);ビニルアルコールエステル類、たとえば酢酸ビニルおよびステアリン酸ビニル;ハロゲン化ビニル類、たとえば塩化ビニル、フッ化ビニル、臭化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニリデンおよび臭化ビニリデン;ビニルニトリル類、たとえばアクリロニトリルおよびメタクリルニトリルを含む。
【0017】
別の実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、アクリルモノマーの1種とメタクリル酸アルキルモノマーの1種との重合から誘導される。アルキル基が炭素原子1〜6個を有するメタクリル酸アルキルモノマー(「低カット」メタクリル酸アルキル類とも呼ばれる)の例は、メタクリル酸メチル(MMA)、アクリル酸メチルおよびエチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル(BMA)およびアクリル酸ブチル(BA)、メタクリル酸イソブチル(IBMA)、メタクリル酸ヘキシルおよびシクロヘキシル、アクリル酸シクロヘキシル、ならびにこれらの組み合わせである。アルキル基が炭素原子7〜15個を有するメタクリル酸アルキルモノマー(「中カット」メタクリル酸アルキル類とも呼ばれる)の例は、アクリル酸2−エチルヘキシル(EHA)、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸デシル、メタクリル酸イソデシル(IDMA、分岐鎖状(C10)アルキルの異性体混合物に基づく)、メタクリル酸ウンデシル、メタクリル酸ドデシル(メタクリル酸ラウリルとしても知られる)、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸テトラデシル(メタクリル酸ミリスチルとしても知られる)、メタクリル酸ペンタデシル、ならびにこれらの組み合わせである。同じく実施態様に包含されるものは:メタクリル酸ドデシル−ペンタデシル(DPMA)、メタクリル酸ドデシル、トリデシル、テトラデシルおよびペンタデシルの直鎖状および分岐鎖状異性体の混合物;ならびにメタクリル酸ラウリル−ミリスチル(LMA)、メタクリル酸ドデシルおよびテトラデシルの混合物である。アルキル基が炭素原子16〜24個を有するメタクリル酸アルキルモノマー(「高カット」メタクリル酸アルキル類とも呼ばれる)の例は、メタクリル酸ヘキサデシル(メタクリル酸セチルとしても知られる)、メタクリル酸ヘプタデシル、メタクリル酸オクタデシル(メタクリル酸ステアリルとしても知られる)、メタクリル酸ノナデシル、メタクリル酸エイコシル、メタクリル酸ベヘニル、ならびにこれらの組み合わせである。同じく有用なものは:メタクリル酸セチル−エイコシル(CEMA)、メタクリル酸ヘキサデシル、オクタデシルおよびエイコシルの混合物、ならびにメタクリル酸セチル−ステアリル(SMA)、メタクリル酸ヘキサデシルおよびオクタデシルの混合物である。
【0018】
別の実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、アルキル基の中にジアルキルアミノ基を有するメタクリル酸アルキルモノマーおよびアクリル酸アルキルモノマー、たとえばメタクリル酸ジメチルアミノエチル、アクリル酸ジメチルアミノエチル;ジアルキルアミノアルキルメタクリルアミドおよびアクリルアミドモノマー、たとえばN,N−ジメチルアミノエチルメタクリルアミド、N,N−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、N,N−ジメチルアミノブチルメタクリルアミド、N,N−ジエチルアミノエチルメタクリルアミド、N,N−ジエチルアミノプロピルメタクリルアミドおよびN,N−ジメチルアミノブチルメタクリルアミドの1種以上から誘導される。アルキル基の中に1個以上のヒドロキシ基を有するメタクリル酸アルキルおよびアクリル酸アルキルモノマー、特にヒドロキシ基がアルキル基中でβ−位置(2−位置)に見られるもの。メタクリル酸ヒドロキシアルキルおよびアクリル酸ヒドロキシアルキルモノマーは、置換されたアルキル基(C2〜C6)アルキルを有し、分岐鎖状または非分岐鎖状のメタクリル酸およびアクリル酸ヒドロキシアルキルモノマーは、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル(HEMA)、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸1−メチル−2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、アクリル酸1−メチル−2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシブチルおよびアクリル酸2−ヒドロキシブチルを含む。メタクリル酸1−メチル−2−ヒドロキシエチルとメタクリル酸2−ヒドロキシプロピルとの混合物は、「メタクリル酸ヒドロキシプロピル」またはHPMAとして知られる。
【0019】
別の実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、たとえばアミドモノマー、たとえばジアルキルアミノアルキルアクリルアミドまたはメタクリルアミド(たとえばジメチルアミノプロピルメタクリルアミド)、N,N−ビス−(ジメチルアミノアルキル)アクリルアミドまたはメタクリルアミド、N−β−アミノエチルアクリルアミドまたはメタクリルアミド、N−(メチルアミノ−エチル)アクリルアミドまたはメタクリルアミド、アミノアルキルピラジンアクリルアミドまたはメタクリルアミド;アクリル酸エステルモノマー、たとえばジアルキルアミノアルキルのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル(たとえばジメチルアミノエチルのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル)、β−アミノエチルのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル、N−(n−ブチル)−4−アミノブチルのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル、メタクリロキシエトキシエチルアミン、およびアクリロキシプロポキシプロポキシプロピルアミン
;ビニルモノマー、たとえばビニルピリジン;アミノアルキルビニルエーテル類またはスルフィド類、たとえばβ−アミノエチルビニルエーテル、β−アミノエチルビニルスルフィド、N−メチル−β−アミノエチルビニルエーテルまたはスルフィド、N−エチル−β−アミノエチルビニルエーテルまたはスルフィド、N−ブチル−β−アミノエチルビニルエーテルまたはスルフィド、およびN−メチル−3−アミノプロピルビニルエーテルまたはスルフィド;N−アクリロキシアルキルオキサゾリジン類およびN−アクリロキシアルキルテトラヒドロ−1,3−オキサジン類、たとえばメタクリル酸オキサゾリジニルエチル、アクリル酸オキサゾリジニルエチル、3−(γ−メタクリロキシプロピル)テトラヒドロ−1,3−オキサジン、3−(β−メタクリロキシエチル)−2,2−ペンタメチレンオキサゾリジン、3−(β−メタクリロキシエチル)−2−メチル−2−プロピルオキサゾリジン、N−2−(2−アクリロキシエトキシ)エチルオキサゾリジン、N−2−(2−メタクリロキシエトキシ)エチル−5−メチルオキサゾリジン、3−[2−(2−メタクリロキシエトキシ)エチル]−2,2−ジメチルオキサゾリジン、N−2−(2−アクリロキシエトキシ)エチル−5−メチルオキサゾリジン、3−[2−(メタクリロキシエトキシ)エチル]−2−フェニルオキサゾリジン、N−2−(2−メタクリロキシエトキシ)エチルオキサゾリジン、および3−[2−(2−メタクリロキシエトキシ)エチル]−2,2−ペンタメチレンオキサゾリジンを含む含アミンモノマーの1種以上から誘導される。
【0020】
別の実施態様において、エンジニアドコポリマーは、2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸、2−メタクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸、3−メタクリルアミド−2−ヒドロキシ−1−プロパンスルホン酸、アリルスルホン酸、アリルオキシベンゼンスルホン酸、2−ヒドロキシ−3−(2−プロペニルオキシ)プロパンスルホン酸、2−メチル−2−プロペン−1−スルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸、アクリル酸3−スルホプロピル、メタクリル酸3−スルホプロピル、およびこれらの水溶性塩のうちの1種以上から選ばれる不飽和スルホン酸モノマーを含むモノマーの1種以上から誘導される。一実施態様によると、エンジニアドコポリマーは、アクリル酸モノマーとメタクリル酸モノマーとをモル比約1:20〜約20:1の範囲内で、あるいはまた、約1:1(±25%)で組み合わせたものから誘導される。
【0021】
したがって、エンジニアドコポリマーは、前述した種類のモノマーから選ばれるモノマーの1種以上の重合によって誘導され、ランダムコポリマー、分岐鎖状コポリマー、ブロックコポリマーおよび交互コポリマーを含む。
【0022】
エンジニアドコポリマーは、市販の研磨パッド、たとえばUS5,489,233、US5,932,486およびUS5,932,486記載の研磨パッドとともにCMP用の研磨組成物に使用される。
【0023】
CMP中に材料、たとえば銅を基板表面から除去するには、金属酸化剤、腐食抑制剤、たとえばベンゾトリアゾール、BTAならびに親水性官能基および疎水性官能基を有するモノマーから誘導されるエンジニアドコポリマーの分子を含有する研磨組成物を使用する。CMP中、腐食抑制剤分子およびエンジニアドコポリマー分子は再分配を受け、競合して基板上の金属表面との結合を形成する。金属表面は、水和金属原子および水和金属原子−腐食抑制剤分子錯体を含む。たとえば、基板上の例示的な銅層表面は、水和銅原子および水和銅原子−BTA錯体を有する。親水性官能基は、強力な結合、たとえば配位共有結合を形成する。疎水性官能基は、研磨パッド表面上の既知の微小凹凸(nanoasperities)と強いファンデルワールス結合を形成する。
【0024】
エンジニアドコポリマーは、ここに記載した方法で、従来の研磨組成物に添加される。CMP用研磨組成物に使用される酸化剤は、非限定的に、過酸化物、たとえば過酸化水素、ヨウ素酸塩、たとえばヨウ素酸カリウム、硝酸塩、たとえば硝酸セシウム、硝酸バリウム、硝酸アンモニウム、および/または硝酸アンモニウムと硝酸セシウムとの混合物、炭酸塩、たとえば炭酸アンモニウムならびに過硫酸塩、たとえば過硫酸アンモニウムおよび/または過硫酸ナトリウムならびに過塩素酸塩を含む。
【0025】
US5,391,258に開示されている錯化剤は、ヒドロキシ基とともに2個以上のカルボキシレート基を含有するカルボン酸を含む。さらに、錯化剤は、非限定的に、直鎖状モノ−およびジカルボン酸ならびにそれらの対応する塩、たとえばリンゴ酸およびリンゴ酸塩;酒石酸および酒石酸塩;グルコン酸およびグルコン酸塩;クエン酸およびクエン酸塩;マロン酸およびマロン酸塩;ギ酸およびギ酸塩;乳酸および乳酸塩;フタル酸およびフタル酸塩;ならびにポリヒドロキシ安息香酸およびそれらの塩を含む。同様に研磨組成物中に使用することができる。
【0026】
CMP用の研磨組成物に使用される腐食抑制剤は、BTA(ベンゾトリアゾール)およびTTA(トリルトリアゾール)またはそれらの混合物を含む。使用に適した他の抑制剤は、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、N−(1H−ベンゾトリアゾール−1−イルメチル)ホルムアミド;3,5−ジメチルピラゾール;インダゾール;4−ブロモピラゾール;3−アミノ−5−フェニルピラゾール;3−アミノ−4−ピラゾールカルボニトリル;1−メチルイミダゾール;インドリンQTSなどを含む。
【0027】
CMP用の研磨組成物は、実質的に粒子を含まないか、あるいはまた、非限定的に、アルミナ、シリカ、セリア、ゲルマニア、ダイヤモンド、炭化ケイ素、チタニア、ジルコニアおよびこれらの種々の混合物を含む材料の砥粒を含有する。一実施態様においては、本発明の研磨組成物はいかなる砥粒をも含有しない。別の実施態様において、研磨組成物は、平均粒径50nm未満の砥粒を約0〜約3%の範囲の低濃度で含有する。他の実施態様においては、砥粒の重量%は約50%まで可能である。
【0028】
場合によって、CMP用研磨組成物は、アミンのようなpH緩衝剤を含有してもよく、界面活性剤、脱凝集剤、粘度調整剤、湿潤剤、清浄剤などを含有してもよい。
【0029】
以下の例が本発明の種々の態様を例示する。すべての部および%値は重量基準であり(すなわち、研磨組成物の重量に対する)、すべての分子量はゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により決定され、断りない限り重量平均分子量である。
【0030】
例1
下記のようにしてエンジニアドコポリマーIおよびIIを誘導または合成した。すべての分子量は、GPC分析法を用い、以下の手順にしたがって決定した。分子量測定法:試料をpH7の0.02Mリン酸二水素ナトリウム中に約0.1%w/vの濃度で溶解し、10分間振とうしたのち、0.45μmPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)膜フィルタに通してろ過した。分析は、この溶液100μLを、40℃で保持したTosoHaas TSKgel GMPWxlおよびTosoHaas TSKgel G2500PWxlおよびTosoHaas TSKgel G2500Wxlの30cm×8mmカラムからなる2本カラムセットに注入することにより、実施した。使用した移動相は、流量1mL/分のこの溶液であった。検出は、示差屈折率測定法によって実施した。狭分子量ポリアクリル酸標準試料を用いて系を較正した。
【0031】
エンジニアドコポリマーI
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた1リットルの四ツ口フラスコに、脱イオン水575.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 5.00gを加えた。この溶液を60℃で撹拌しながら、これに氷メタクリル酸109.00gおよび氷アクリル酸91.00gを含有するモノマー混合物20.00gを加えた。65℃で、脱イオン水10.00g中の過硫酸ナトリウム0.50gおよび脱イオン水30.00g中のメタ重亜硫酸ナトリウム4.00gを、定速で別々に130分かけて加えた。10分後、残りのモノマー混合物を72℃で定速で120分かけて加えた。添加後、溶液を熱いまま10分間保持し、その後、62℃まで冷ました。次に、脱イオン水5.00g中の過硫酸ナトリウム0.12gを加えた。この溶液を10分間保持し、この手順を繰り返した。撹拌した溶液を50%水酸化ナトリウム20.20gおよび30%過酸化水素2.70gで調節した。次に、脱イオン水5.00g中のイソアスコルビン酸0.25gを加えた。溶液を5分間保持し、この手順を繰り返した。このコポリマー水溶液は、pH3.8で、固形分24.3%、アクリル酸548ppm、検出不能量のメタクリル酸および相当するモル比の分子量(MW)178,700を有していた。
【0032】
エンジニアドコポリマーII
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた1リットルの四ツ口フラスコに、脱イオン水575.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 5.00gを加えた。この溶液を72℃で撹拌しながら、これに脱イオン水10.00g中の過硫酸ナトリウム1.00g、脱イオン水60.00g中のメタ重亜硫酸ナトリウム12.00gおよび氷メタクリル酸109.00gと氷アクリル酸91.00gとを含有するモノマー混合物を定速で別々に120分かけて加えた。添加後、溶液を熱いまま10分間保持し、62℃まで冷まし、その後、脱イオン水5.00g中の過硫酸ナトリウム0.12gを加えた。この溶液を熱いまま10分間保持し、さらに脱イオン水5.00g中の過硫酸ナトリウム0.12gを加えた。攪拌した溶液を50%水酸化ナトリウム20.20gおよび30%過酸化水素6.00gで調節した。次に、脱イオン水5.00g中のイソアスコルビン酸0.25gを加えた。この溶液を5分間保持し、この手順を繰り返した。このコポリマー水溶液は、pH3.6で、固形分24.3%、アクリル酸426ppm、検出不能量のメタクリル酸および相当するモル比の分子量(MW)28,800を有していた。
【0033】
エンジニアドコポリマーIIA
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた1リットルの四ツ口フラスコに、脱イオン水を500.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 5.00gを加えた。この溶液を90℃で撹拌しながら、これに脱イオン水10.00g中の過硫酸ナトリウム0.80gを加えた。90℃で5分間保ったのち、氷メタクリル酸67.70gおよび氷アクリル酸132.30gを含有するモノマー混合物12.00gを加えた。5分後、92℃で、脱イオン水40.00g中の過硫酸ナトリウム7.20g、脱イオン水20.00g中の次亜リン酸ナトリウム2.00gおよび残りのモノマー混合物を別々に定速で120分かけて加えた。添加後、溶液を熱いまま30分間保持し、その後70℃まで冷ました。次に、50%水酸化ナトリウム20.20gを滴下して加えた。このコポリマー水溶液は、pH3.6で、固形分26.8%、検出不能量のメタクリル酸またはアクリル酸および相当するモル比の分子量(MW)29,600を有していた。
【0034】
エンジニアドコポリマーIIB
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた1リットルの四ツ口フラスコに、脱イオン水410.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 5.00gを加えた。この溶液を92℃で撹拌しながら、これに脱イオン水60.00g中の過硫酸ナトリウム10.00gを定速で122分かけて加えた。2分後、92℃で、脱イオン水20.00g中の次亜リン酸ナトリウム1.50gおよび氷メタクリル酸147.20gと氷アクリル酸52.80gとを含有するモノマー混合物を別々に定速で120分かけて加えた。添加後、溶液を熱いまま30分間保持し、その後70℃まで冷ました。次に、50%水酸化ナトリウム20.20gを滴下して加えた。このコポリマー水溶液は、pH3.8で、固形分29.8%、検出不能量のメタクリル酸またはアクリル酸および相当するモル比の分子量(MW)19,500を有していた。
【0035】
エンジニアドコポリマーI、II、IIAおよびIIBそれぞれを研磨組成物と組み合わせ、それをCMPに使用してAMAT Mirra研磨機上でそれぞれの銅パターン付きウェーハを研磨した。CMPによる研磨は、以下の条件で、第一工程は、ダウンフォース5psi、プラテン速度93rpm、キャリヤ速度87rpmで60秒間;第二工程は、ダウンフォース3psi、プラテン速度93rpm、キャリヤ速度87rpmで60秒間、実施した。第一の研磨工程は、AMAT Mirra上で、Mirra終点検出系によって決定される終点に到達するまで実施した。第二研磨工程は、終点曲線の傾斜が0になった時点で終了させた。Rodel社(米デラウェア州Newark)から市販されているIC1000(X−Y溝付)研磨パッドを各研磨試験に使用した。各研磨試験中、スラリー流量を250mL/分で一定に保持した。Tencor P1プロフィルメータを使用して、各試験ウェーハの中心部、中間部および端部における100μm線のディシングを測定した。種々の研磨試験中に得られたデータを以下の表1にまとめた。
【0036】
【表1】
【0037】
すべての研磨組成物は、過酸化水素を9%、BTAを0.3%およびリンゴ酸を0.22%含有していた。
【0038】
対照は、数平均分子量250,000および30,000をそれぞれ有するポリアクリル酸の1:1混合物を0.18%含有するものであった。
【0039】
研磨組成物A1およびA2は、活性なエンジニアドコポリマーIを0.36%含有するものであった。
【0040】
研磨組成物B1およびB2は、活性なエンジニアドコポリマーIIを0.36%含有するものであった。
【0041】
研磨組成物C1は、活性なエンジニアドコポリマーIIBを0.18%含有するものであり、研磨組成物D1は、活性なエンジニアドコポリマーIIAを0.18%含有するものであった。
【0042】
各研磨組成物の残りの重量%は水からなっていた。
【0043】
表1のデータは、ポリメタクリル酸とポリアクリル酸とのモル比7:3の組成物を含有するコポリマーはウェーハからすべての銅残分を除去するが、ポリメタクリル酸とポリアクリル酸とのモル比3:7の組成物を含有するコポリマーはすべての銅残分を除去することができないことを示す。したがって、銅残分の除去は、少なくとも等モル比1:1以上の比のポリメタクリル酸をそのコポリマー中に要する。
【0044】
例2
以下に記載するようにしてエンジニアドコポリマーIII、IVおよびVを合成した。
【0045】
エンジニアドコポリマーIII
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた2リットルの四ツ口丸底フラスコに、脱イオン水を700.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 6.00gを加えた。この溶液を80℃で撹拌しながら、これに脱イオン水100.00g中の過硫酸ナトリウム13.50g、50%水酸化ナトリウム75.00gならびに氷メタクリル酸106.00gおよびメタクリル酸ヒドロキシエチル160.00gを含有する混合物を定速で別々に125分かけて加え、その際、反応釜温度を92℃まで上昇させた。添加後、溶液を30分間保持し、その後、脱イオン水1.00g中の過硫酸ナトリウム0.20gを加えた。溶液を熱いまま10分間保持し、脱イオン水4.00g中の過硫酸ナトリウム0.50gで手順を繰り返した。このコポリマー水溶液は、pH6.2で、固形分25.9%、メタクリル酸1450ppmおよび相当するモル比のMW20,100を有していた。
【0046】
エンジニアドコポリマーIV
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた2リットルの四ツ口丸底フラスコに、脱イオン水577.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 3.00gを加えた。この溶液を88℃で撹拌しながら、これに脱イオン水50.00g中の過硫酸ナトリウム10.20g、50%水酸化ナトリウム99.00gならびに氷メタクリル酸206.50gおよびメタクリル酸ヒドロキシエチル132.60gを含有する混合物を定速で別々に125分かけて加えた。添加後、溶液を88〜90℃で55分間保持し、その後、脱イオン水7.20g中の過硫酸ナトリウム1.10gを加え、溶液を熱いまま60分間保持し、65℃まで冷まし、脱イオン水40.00gで希釈した。このコポリマー水溶液は、pH5.9で、固形分34.0%、メタクリル酸397ppmおよび相当するモル比のMW14,100を有していた。
【0047】
エンジニアドコポリマーV
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備え、脱イオン水800.00gを入れた2リットルの四ツ口丸底フラスコに、86℃で、抑制剤0.25g、1.75重量%界面活性剤溶液70.80gと、脱イオン水300.00g、30%界面活性剤溶液2.20g、メタクリル酸メチル325.00gおよび氷メタクリル酸4.20gを含有するモノマーエマルション68.30gを加えたのち、脱イオン水16.7g中の過硫酸ナトリウム2.30gを加えた。添加後、反応釜材料を86℃で15分間保持した。残りのモノマーエマルションに、30%界面活性剤溶液23.00g、氷メタクリル酸248.50g、およびn−ドデシルメルカプタン5.70gを加えたのち、すすぎ水30.00gを加えた。このモノマーエマルションを85℃の反応釜に定速で120分かけて加えた。添加後、反応物を熱いまま15分間保持し、冷まし、その後100/325メッシュのふるいに通してろ過した。このエマルションポリマーは、pH2.8で、固形分31.4%、メタクリル酸331ppm、メタクリル酸メチル171ppm、相当するモル比のMW56,400、および粒径105nmを有していた。
【0048】
表2は、本発明の方法にしたがってエンジニアドコポリマーIII、IVおよびVを含有する研磨組成物を用いて得られた除去速度データをまとめたものである。すべての研磨組成物は、各エンジニアドコポリマーを0.36%、過酸化水素を9%、BTAを0.3%、およびリンゴ酸を0.22%含有するものであった。各研磨組成物の残りの重量%は水からなっていた。
【0049】
【表2】
【0050】
表2のデータは、本発明を使用した場合、1分当たり1,000オングストロームを超える除去速度が得られることを示す。例示した研磨組成物は、それぞれ、酸含有モノマー50モル%超を有するモノマー混合物から製造されたエンジニアドコポリマーを含むものであった。
【0051】
CMP用の研磨組成物は、基板表面上の金属と結合を形成する1個以上の親水性官能基を有する第一部分の分子を含み、そしてさらにCMP中に研磨パッドと係合して、パッドが研磨される金属の表面からエンジニアドコポリマーを除去する1個以上の疎水性官能基を有する第二部分の分子をさらに含み、CMPによる金属除去を可能にする一方、埋め込み回路相互接続からのエンジニアリングコポリマーの除去を最小化してディッシングを最小化するエンジニアドコポリマーを備える。
【0001】
本発明は、半導体基板のケミカルメカニカル研磨(CMP)に関する。CMPは、集積回路、マルチチップモジュール、コンデンサなどを形成する半導体基板上の薄い膜または層を除去し、平坦化することに関する。膜または層は、3種の異なる材料に応じて次のように分類される:(i)導電性金属層;(ii)導電性金属層とその下にある絶縁層との間のバリヤー膜またはライナー膜;および(iii)金属回路相互接続を形成する埋め込み金属線を有するその下にある絶縁層。CMP工程の間、研磨パッドが流体研磨組成物と協同して金属層を除去し、半導体基板を研磨して、その上に層が順次に製造されてゆく平滑で平坦な被研磨表面を設ける。順次に製造される層自体もCMPにより研磨される。
【0002】
研磨組成物は、砥粒を含有するスラリー、または実質的に無粒子の研磨組成物を含む、反応性液剤と呼ばれるスラリーを含む。CMPの間、研磨パッドが半導体基板に対して動かされ、その基板に摩擦を加える。この摩擦が研磨組成物と基板表面との化学反応と組み合わさって、半導体基板から材料を除去する。ディッシングとは、CMP工程中に、回路相互接続から金属が除去されることによって引き起こされる、望まざる空所をいう。エロージョンとは、CMP工程中に、回路相互接続の周囲の絶縁材料が過剰に除去されることをいう。
【0003】
US6,117,775は、CMP中に、エッチングおよび酸化によって回路相互接続が除去されるのを抑制する抑制剤および界面活性剤であって、CMPにより除去される金属に付着する抑制剤および界面活性剤を開示している。抑制剤および界面活性剤は、研磨パッドが加える摩擦によって除去される。抑制剤はBTAを含み、界面活性剤は、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム、ポリメタクリル酸およびポリアクリル酸アンモニウムのうちの1種を含む。
【0004】
本発明は、半導体基板のCMP中にディッシングを抑制するためのエンジニアドコポリマーであって、基板表面上の金属と結合を形成する1個以上の親水性官能基を有する第一部分の分子と、CMP中に研磨パッドと係合して、パッドが研磨される金属の表面からエンジニアドコポリマーを除去するための1個以上の疎水性官能基を有する第二部分の分子とを含み、CMPによる金属除去を可能にする一方、埋め込み回路相互接続からのエンジニアリングコポリマーの除去を最小化してディッシングを最小化するエンジニアドコポリマーに関する。
【0005】
以下、本発明の実施態様を一例として詳細な説明を参照しながら記載する。
【0006】
エンジニアドコポリマーは、基板表面上の金属と結合を形成する1個以上の親水性官能基を有する第一部分の分子を形成し、CMP中に研磨パッドと係合して、パッドが研磨される金属の表面からエンジニアドコポリマーを除去するための1個以上の疎水性官能基を有する第二部分の分子を形成する1種以上のモノマーから誘導され、CMP中の金属除去を可能にする一方、埋め込み回路相互接続からのエンジニアリングコポリマーの除去を最小化してディッシングを最小化する。親水性官能基は、イオン化可能な官能基である。疎水性官能基は、非イオン性の官能基である。エンジニアドコポリマーは、基板からの金属除去を促進する一方、基板表面および研磨パッド表面との接触を介して起こる反応を抑制することによって、埋め込み金属回路相互接続のディッシングを最小化する。
【0007】
一実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、CMP中に基板表面と強力な結合、たとえば配位共有結合を容易に形成する親水性官能基が得られるように1種以上のモノマーから誘導される。さらに、エンジニアドコポリマーは、ファンデルワールス力または他の相互作用によってそのコポリマー分子に構造的剛性を与える疎水性官能基が得られるように1種以上のモノマーから誘導される。エンジニアドコポリマーの剛性は、それらの官能基を形成するモノマーのモル比を変化させることにより調節される。エンジニアリングコポリマーを誘導または合成するために2種のモノマーを使用する場合、それぞれのモノマーのモル比は、約1:20〜約20:1で変化させることができる。コポリマーを生成するために2種を超えるモノマーを使用する場合、モル比の総計は1である。本発明のエンジニアドコポリマーが少なくとも2種のモノマーから誘導される実施態様においては、1種のモノマーがポリエチレン性不飽和であって、コポリマー中で増量剤または架橋剤として作用する。
【0008】
一実施態様によると、第一部分の分子は、CMPによって除去される金属と結合を形成するための、カルボキシル、ヒドロキシル、ハロゲン、ホスホネート、ホスフェート、スルフェート、スルホネート、ニトロなどの親水性官能基1個以上を含む。
【0009】
一実施態様によると、少なくとも1種以上のエンジニアドコポリマーが、反応性液剤中に約1重量%まで存在する。この反応性液剤は、(i)酸化剤を約15重量%まで、(ii)腐食抑制剤を約2重量%まで、(iii)反応性液剤中で金属イオン錯体を形成する錯化剤を約3重量%まで含む無粒子の研磨組成物である。さらに、この反応性液剤は、約5.0未満のpH値、あるいはまた、約2.8〜約4.2の範囲内のpH値、あるいはまた、約2.8〜約3.8の範囲内のpH値を含む。
【0010】
別の実施態様によると、少なくとも1種以上のエンジニアドコポリマーが、砥粒を含有する研磨組成物中に約1重量%まで存在する。この組成物は、(i)酸化剤を約15重量%まで、(ii)腐食抑制剤を約2重量%まで、(iii)錯化剤を約3重量%まで、そして(iv)砥粒を約3重量%まで含む。さらに、この組成物は、約5.0未満のpH値、あるいはまた、約2.8〜約4.2の範囲内のpH値、あるいはまた、約2.8〜約3.8の範囲内のpH値を含む。
【0011】
一実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、モノマーの混合物、たとえばアクリル酸モノマーとメタクリル酸モノマーとをモル比約1:20〜約20:1の範囲内、あるいはまた約1:1の範囲内で組み合わせたものから誘導される。
【0012】
別の実施態様において、エンジニアドコポリマーは、モノマーの混合物、たとえば2種以上のエチレン性不飽和モノマーの混合物であって、分岐鎖状および/または非分岐鎖状コポリマー分子を形成するための不飽和カルボン酸モノマーを少なくとも約50重量%含有する混合物から誘導される。
【0013】
不飽和カルボン酸モノマーは、不飽和モノカルボン酸モノマーまたは不飽和ジカルボン酸モノマーのいずれかを含む。不飽和モノカルボン酸モノマーとは、1分子当たり炭素原子3〜6個とカルボン酸基1個を有する不飽和カルボン酸モノマーおよびそれらの水溶性塩のうちの1種をいう。適したエチレン性不飽和モノカルボン酸モノマーは、たとえばアクリル酸、オリゴマー性アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ビニル酢酸、およびこれらの誘導体、たとえば対応する無水物、アミド、エステルおよびそれらの水溶性塩である。
【0014】
不飽和ジカルボン酸モノマーとは、1分子当たり炭素原子4〜8個を含有する不飽和ジカルボン酸モノマー、シス−およびトランス−ジカルボン酸の無水物、ならびにそれらの水溶性塩のうちの1種をいう。適した不飽和ジカルボン酸モノマーは、たとえばマレイン酸、フマル酸、α−メチレングルタル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、シクロヘキセンジカルボン酸、および誘導体、たとえばこれらの対応する無水物、アミド、エステルおよび水溶性塩を含む。
【0015】
別の実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、モノエチレン性不飽和モノマー、たとえば、たとえばスチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、o−、m−およびp−メチルスチレン、エチルビニルベンゼン、ビニルナフタレンならびにビニルキシエレンを含むビニル芳香族モノマーの1種以上から誘導される。ビニル芳香族モノマーは、対応する置換された相対物、たとえば1個以上のハロゲン基(たとえばフッ素、塩素または臭素)およびニトロを含有するハロゲン化誘導体、または、たとえばシアノ、アルコキシ、ハロアルキル、カルボアルコキシ、カルボキシ、アミノおよびアルキルアミノの誘導体のうちの1種を包含する。
【0016】
別の実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、たとえば含窒素環式化合物、たとえばビニルピリジン、2−メチル−5−ビニルピリジン、2−エチル−5−ビニルピリジン、3−メチル−5−ビニルピリジン、2,3−ジメチル−5−ビニルピリジン、2−メチル−3−エチル−5−ビニルピリジン、メチル置換キノリン類およびイソキノリン類、1−ビニルイミダゾール、2−メチル−1−ビニルイミダゾール、N−ビニルカプロラクタム、N−ビニルブチロラクタムおよびN−ビニルピロリドンを含むモノエチレン性不飽和モノマーの1種以上から誘導される。モノエチレン性不飽和モノマーはさらに、エチレンおよび置換エチレンモノマー、たとえばα−オレフィン類、たとえばプロピレン、イソブチレンおよび長鎖アルキルα−オレフィン類(たとえば(C10〜C20)アルキルα−オレフィン類);ビニルアルコールエステル類、たとえば酢酸ビニルおよびステアリン酸ビニル;ハロゲン化ビニル類、たとえば塩化ビニル、フッ化ビニル、臭化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニリデンおよび臭化ビニリデン;ビニルニトリル類、たとえばアクリロニトリルおよびメタクリルニトリルを含む。
【0017】
別の実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、アクリルモノマーの1種とメタクリル酸アルキルモノマーの1種との重合から誘導される。アルキル基が炭素原子1〜6個を有するメタクリル酸アルキルモノマー(「低カット」メタクリル酸アルキル類とも呼ばれる)の例は、メタクリル酸メチル(MMA)、アクリル酸メチルおよびエチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル(BMA)およびアクリル酸ブチル(BA)、メタクリル酸イソブチル(IBMA)、メタクリル酸ヘキシルおよびシクロヘキシル、アクリル酸シクロヘキシル、ならびにこれらの組み合わせである。アルキル基が炭素原子7〜15個を有するメタクリル酸アルキルモノマー(「中カット」メタクリル酸アルキル類とも呼ばれる)の例は、アクリル酸2−エチルヘキシル(EHA)、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸デシル、メタクリル酸イソデシル(IDMA、分岐鎖状(C10)アルキルの異性体混合物に基づく)、メタクリル酸ウンデシル、メタクリル酸ドデシル(メタクリル酸ラウリルとしても知られる)、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸テトラデシル(メタクリル酸ミリスチルとしても知られる)、メタクリル酸ペンタデシル、ならびにこれらの組み合わせである。同じく実施態様に包含されるものは:メタクリル酸ドデシル−ペンタデシル(DPMA)、メタクリル酸ドデシル、トリデシル、テトラデシルおよびペンタデシルの直鎖状および分岐鎖状異性体の混合物;ならびにメタクリル酸ラウリル−ミリスチル(LMA)、メタクリル酸ドデシルおよびテトラデシルの混合物である。アルキル基が炭素原子16〜24個を有するメタクリル酸アルキルモノマー(「高カット」メタクリル酸アルキル類とも呼ばれる)の例は、メタクリル酸ヘキサデシル(メタクリル酸セチルとしても知られる)、メタクリル酸ヘプタデシル、メタクリル酸オクタデシル(メタクリル酸ステアリルとしても知られる)、メタクリル酸ノナデシル、メタクリル酸エイコシル、メタクリル酸ベヘニル、ならびにこれらの組み合わせである。同じく有用なものは:メタクリル酸セチル−エイコシル(CEMA)、メタクリル酸ヘキサデシル、オクタデシルおよびエイコシルの混合物、ならびにメタクリル酸セチル−ステアリル(SMA)、メタクリル酸ヘキサデシルおよびオクタデシルの混合物である。
【0018】
別の実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、アルキル基の中にジアルキルアミノ基を有するメタクリル酸アルキルモノマーおよびアクリル酸アルキルモノマー、たとえばメタクリル酸ジメチルアミノエチル、アクリル酸ジメチルアミノエチル;ジアルキルアミノアルキルメタクリルアミドおよびアクリルアミドモノマー、たとえばN,N−ジメチルアミノエチルメタクリルアミド、N,N−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、N,N−ジメチルアミノブチルメタクリルアミド、N,N−ジエチルアミノエチルメタクリルアミド、N,N−ジエチルアミノプロピルメタクリルアミドおよびN,N−ジメチルアミノブチルメタクリルアミドの1種以上から誘導される。アルキル基の中に1個以上のヒドロキシ基を有するメタクリル酸アルキルおよびアクリル酸アルキルモノマー、特にヒドロキシ基がアルキル基中でβ−位置(2−位置)に見られるもの。メタクリル酸ヒドロキシアルキルおよびアクリル酸ヒドロキシアルキルモノマーは、置換されたアルキル基(C2〜C6)アルキルを有し、分岐鎖状または非分岐鎖状のメタクリル酸およびアクリル酸ヒドロキシアルキルモノマーは、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル(HEMA)、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸1−メチル−2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、アクリル酸1−メチル−2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシブチルおよびアクリル酸2−ヒドロキシブチルを含む。メタクリル酸1−メチル−2−ヒドロキシエチルとメタクリル酸2−ヒドロキシプロピルとの混合物は、「メタクリル酸ヒドロキシプロピル」またはHPMAとして知られる。
【0019】
別の実施態様においては、エンジニアドコポリマーは、たとえばアミドモノマー、たとえばジアルキルアミノアルキルアクリルアミドまたはメタクリルアミド(たとえばジメチルアミノプロピルメタクリルアミド)、N,N−ビス−(ジメチルアミノアルキル)アクリルアミドまたはメタクリルアミド、N−β−アミノエチルアクリルアミドまたはメタクリルアミド、N−(メチルアミノ−エチル)アクリルアミドまたはメタクリルアミド、アミノアルキルピラジンアクリルアミドまたはメタクリルアミド;アクリル酸エステルモノマー、たとえばジアルキルアミノアルキルのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル(たとえばジメチルアミノエチルのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル)、β−アミノエチルのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル、N−(n−ブチル)−4−アミノブチルのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル、メタクリロキシエトキシエチルアミン、およびアクリロキシプロポキシプロポキシプロピルアミン
;ビニルモノマー、たとえばビニルピリジン;アミノアルキルビニルエーテル類またはスルフィド類、たとえばβ−アミノエチルビニルエーテル、β−アミノエチルビニルスルフィド、N−メチル−β−アミノエチルビニルエーテルまたはスルフィド、N−エチル−β−アミノエチルビニルエーテルまたはスルフィド、N−ブチル−β−アミノエチルビニルエーテルまたはスルフィド、およびN−メチル−3−アミノプロピルビニルエーテルまたはスルフィド;N−アクリロキシアルキルオキサゾリジン類およびN−アクリロキシアルキルテトラヒドロ−1,3−オキサジン類、たとえばメタクリル酸オキサゾリジニルエチル、アクリル酸オキサゾリジニルエチル、3−(γ−メタクリロキシプロピル)テトラヒドロ−1,3−オキサジン、3−(β−メタクリロキシエチル)−2,2−ペンタメチレンオキサゾリジン、3−(β−メタクリロキシエチル)−2−メチル−2−プロピルオキサゾリジン、N−2−(2−アクリロキシエトキシ)エチルオキサゾリジン、N−2−(2−メタクリロキシエトキシ)エチル−5−メチルオキサゾリジン、3−[2−(2−メタクリロキシエトキシ)エチル]−2,2−ジメチルオキサゾリジン、N−2−(2−アクリロキシエトキシ)エチル−5−メチルオキサゾリジン、3−[2−(メタクリロキシエトキシ)エチル]−2−フェニルオキサゾリジン、N−2−(2−メタクリロキシエトキシ)エチルオキサゾリジン、および3−[2−(2−メタクリロキシエトキシ)エチル]−2,2−ペンタメチレンオキサゾリジンを含む含アミンモノマーの1種以上から誘導される。
【0020】
別の実施態様において、エンジニアドコポリマーは、2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸、2−メタクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸、3−メタクリルアミド−2−ヒドロキシ−1−プロパンスルホン酸、アリルスルホン酸、アリルオキシベンゼンスルホン酸、2−ヒドロキシ−3−(2−プロペニルオキシ)プロパンスルホン酸、2−メチル−2−プロペン−1−スルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸、アクリル酸3−スルホプロピル、メタクリル酸3−スルホプロピル、およびこれらの水溶性塩のうちの1種以上から選ばれる不飽和スルホン酸モノマーを含むモノマーの1種以上から誘導される。一実施態様によると、エンジニアドコポリマーは、アクリル酸モノマーとメタクリル酸モノマーとをモル比約1:20〜約20:1の範囲内で、あるいはまた、約1:1(±25%)で組み合わせたものから誘導される。
【0021】
したがって、エンジニアドコポリマーは、前述した種類のモノマーから選ばれるモノマーの1種以上の重合によって誘導され、ランダムコポリマー、分岐鎖状コポリマー、ブロックコポリマーおよび交互コポリマーを含む。
【0022】
エンジニアドコポリマーは、市販の研磨パッド、たとえばUS5,489,233、US5,932,486およびUS5,932,486記載の研磨パッドとともにCMP用の研磨組成物に使用される。
【0023】
CMP中に材料、たとえば銅を基板表面から除去するには、金属酸化剤、腐食抑制剤、たとえばベンゾトリアゾール、BTAならびに親水性官能基および疎水性官能基を有するモノマーから誘導されるエンジニアドコポリマーの分子を含有する研磨組成物を使用する。CMP中、腐食抑制剤分子およびエンジニアドコポリマー分子は再分配を受け、競合して基板上の金属表面との結合を形成する。金属表面は、水和金属原子および水和金属原子−腐食抑制剤分子錯体を含む。たとえば、基板上の例示的な銅層表面は、水和銅原子および水和銅原子−BTA錯体を有する。親水性官能基は、強力な結合、たとえば配位共有結合を形成する。疎水性官能基は、研磨パッド表面上の既知の微小凹凸(nanoasperities)と強いファンデルワールス結合を形成する。
【0024】
エンジニアドコポリマーは、ここに記載した方法で、従来の研磨組成物に添加される。CMP用研磨組成物に使用される酸化剤は、非限定的に、過酸化物、たとえば過酸化水素、ヨウ素酸塩、たとえばヨウ素酸カリウム、硝酸塩、たとえば硝酸セシウム、硝酸バリウム、硝酸アンモニウム、および/または硝酸アンモニウムと硝酸セシウムとの混合物、炭酸塩、たとえば炭酸アンモニウムならびに過硫酸塩、たとえば過硫酸アンモニウムおよび/または過硫酸ナトリウムならびに過塩素酸塩を含む。
【0025】
US5,391,258に開示されている錯化剤は、ヒドロキシ基とともに2個以上のカルボキシレート基を含有するカルボン酸を含む。さらに、錯化剤は、非限定的に、直鎖状モノ−およびジカルボン酸ならびにそれらの対応する塩、たとえばリンゴ酸およびリンゴ酸塩;酒石酸および酒石酸塩;グルコン酸およびグルコン酸塩;クエン酸およびクエン酸塩;マロン酸およびマロン酸塩;ギ酸およびギ酸塩;乳酸および乳酸塩;フタル酸およびフタル酸塩;ならびにポリヒドロキシ安息香酸およびそれらの塩を含む。同様に研磨組成物中に使用することができる。
【0026】
CMP用の研磨組成物に使用される腐食抑制剤は、BTA(ベンゾトリアゾール)およびTTA(トリルトリアゾール)またはそれらの混合物を含む。使用に適した他の抑制剤は、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、N−(1H−ベンゾトリアゾール−1−イルメチル)ホルムアミド;3,5−ジメチルピラゾール;インダゾール;4−ブロモピラゾール;3−アミノ−5−フェニルピラゾール;3−アミノ−4−ピラゾールカルボニトリル;1−メチルイミダゾール;インドリンQTSなどを含む。
【0027】
CMP用の研磨組成物は、実質的に粒子を含まないか、あるいはまた、非限定的に、アルミナ、シリカ、セリア、ゲルマニア、ダイヤモンド、炭化ケイ素、チタニア、ジルコニアおよびこれらの種々の混合物を含む材料の砥粒を含有する。一実施態様においては、本発明の研磨組成物はいかなる砥粒をも含有しない。別の実施態様において、研磨組成物は、平均粒径50nm未満の砥粒を約0〜約3%の範囲の低濃度で含有する。他の実施態様においては、砥粒の重量%は約50%まで可能である。
【0028】
場合によって、CMP用研磨組成物は、アミンのようなpH緩衝剤を含有してもよく、界面活性剤、脱凝集剤、粘度調整剤、湿潤剤、清浄剤などを含有してもよい。
【0029】
以下の例が本発明の種々の態様を例示する。すべての部および%値は重量基準であり(すなわち、研磨組成物の重量に対する)、すべての分子量はゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により決定され、断りない限り重量平均分子量である。
【0030】
例1
下記のようにしてエンジニアドコポリマーIおよびIIを誘導または合成した。すべての分子量は、GPC分析法を用い、以下の手順にしたがって決定した。分子量測定法:試料をpH7の0.02Mリン酸二水素ナトリウム中に約0.1%w/vの濃度で溶解し、10分間振とうしたのち、0.45μmPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)膜フィルタに通してろ過した。分析は、この溶液100μLを、40℃で保持したTosoHaas TSKgel GMPWxlおよびTosoHaas TSKgel G2500PWxlおよびTosoHaas TSKgel G2500Wxlの30cm×8mmカラムからなる2本カラムセットに注入することにより、実施した。使用した移動相は、流量1mL/分のこの溶液であった。検出は、示差屈折率測定法によって実施した。狭分子量ポリアクリル酸標準試料を用いて系を較正した。
【0031】
エンジニアドコポリマーI
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた1リットルの四ツ口フラスコに、脱イオン水575.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 5.00gを加えた。この溶液を60℃で撹拌しながら、これに氷メタクリル酸109.00gおよび氷アクリル酸91.00gを含有するモノマー混合物20.00gを加えた。65℃で、脱イオン水10.00g中の過硫酸ナトリウム0.50gおよび脱イオン水30.00g中のメタ重亜硫酸ナトリウム4.00gを、定速で別々に130分かけて加えた。10分後、残りのモノマー混合物を72℃で定速で120分かけて加えた。添加後、溶液を熱いまま10分間保持し、その後、62℃まで冷ました。次に、脱イオン水5.00g中の過硫酸ナトリウム0.12gを加えた。この溶液を10分間保持し、この手順を繰り返した。撹拌した溶液を50%水酸化ナトリウム20.20gおよび30%過酸化水素2.70gで調節した。次に、脱イオン水5.00g中のイソアスコルビン酸0.25gを加えた。溶液を5分間保持し、この手順を繰り返した。このコポリマー水溶液は、pH3.8で、固形分24.3%、アクリル酸548ppm、検出不能量のメタクリル酸および相当するモル比の分子量(MW)178,700を有していた。
【0032】
エンジニアドコポリマーII
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた1リットルの四ツ口フラスコに、脱イオン水575.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 5.00gを加えた。この溶液を72℃で撹拌しながら、これに脱イオン水10.00g中の過硫酸ナトリウム1.00g、脱イオン水60.00g中のメタ重亜硫酸ナトリウム12.00gおよび氷メタクリル酸109.00gと氷アクリル酸91.00gとを含有するモノマー混合物を定速で別々に120分かけて加えた。添加後、溶液を熱いまま10分間保持し、62℃まで冷まし、その後、脱イオン水5.00g中の過硫酸ナトリウム0.12gを加えた。この溶液を熱いまま10分間保持し、さらに脱イオン水5.00g中の過硫酸ナトリウム0.12gを加えた。攪拌した溶液を50%水酸化ナトリウム20.20gおよび30%過酸化水素6.00gで調節した。次に、脱イオン水5.00g中のイソアスコルビン酸0.25gを加えた。この溶液を5分間保持し、この手順を繰り返した。このコポリマー水溶液は、pH3.6で、固形分24.3%、アクリル酸426ppm、検出不能量のメタクリル酸および相当するモル比の分子量(MW)28,800を有していた。
【0033】
エンジニアドコポリマーIIA
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた1リットルの四ツ口フラスコに、脱イオン水を500.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 5.00gを加えた。この溶液を90℃で撹拌しながら、これに脱イオン水10.00g中の過硫酸ナトリウム0.80gを加えた。90℃で5分間保ったのち、氷メタクリル酸67.70gおよび氷アクリル酸132.30gを含有するモノマー混合物12.00gを加えた。5分後、92℃で、脱イオン水40.00g中の過硫酸ナトリウム7.20g、脱イオン水20.00g中の次亜リン酸ナトリウム2.00gおよび残りのモノマー混合物を別々に定速で120分かけて加えた。添加後、溶液を熱いまま30分間保持し、その後70℃まで冷ました。次に、50%水酸化ナトリウム20.20gを滴下して加えた。このコポリマー水溶液は、pH3.6で、固形分26.8%、検出不能量のメタクリル酸またはアクリル酸および相当するモル比の分子量(MW)29,600を有していた。
【0034】
エンジニアドコポリマーIIB
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた1リットルの四ツ口フラスコに、脱イオン水410.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 5.00gを加えた。この溶液を92℃で撹拌しながら、これに脱イオン水60.00g中の過硫酸ナトリウム10.00gを定速で122分かけて加えた。2分後、92℃で、脱イオン水20.00g中の次亜リン酸ナトリウム1.50gおよび氷メタクリル酸147.20gと氷アクリル酸52.80gとを含有するモノマー混合物を別々に定速で120分かけて加えた。添加後、溶液を熱いまま30分間保持し、その後70℃まで冷ました。次に、50%水酸化ナトリウム20.20gを滴下して加えた。このコポリマー水溶液は、pH3.8で、固形分29.8%、検出不能量のメタクリル酸またはアクリル酸および相当するモル比の分子量(MW)19,500を有していた。
【0035】
エンジニアドコポリマーI、II、IIAおよびIIBそれぞれを研磨組成物と組み合わせ、それをCMPに使用してAMAT Mirra研磨機上でそれぞれの銅パターン付きウェーハを研磨した。CMPによる研磨は、以下の条件で、第一工程は、ダウンフォース5psi、プラテン速度93rpm、キャリヤ速度87rpmで60秒間;第二工程は、ダウンフォース3psi、プラテン速度93rpm、キャリヤ速度87rpmで60秒間、実施した。第一の研磨工程は、AMAT Mirra上で、Mirra終点検出系によって決定される終点に到達するまで実施した。第二研磨工程は、終点曲線の傾斜が0になった時点で終了させた。Rodel社(米デラウェア州Newark)から市販されているIC1000(X−Y溝付)研磨パッドを各研磨試験に使用した。各研磨試験中、スラリー流量を250mL/分で一定に保持した。Tencor P1プロフィルメータを使用して、各試験ウェーハの中心部、中間部および端部における100μm線のディシングを測定した。種々の研磨試験中に得られたデータを以下の表1にまとめた。
【0036】
【表1】
【0037】
すべての研磨組成物は、過酸化水素を9%、BTAを0.3%およびリンゴ酸を0.22%含有していた。
【0038】
対照は、数平均分子量250,000および30,000をそれぞれ有するポリアクリル酸の1:1混合物を0.18%含有するものであった。
【0039】
研磨組成物A1およびA2は、活性なエンジニアドコポリマーIを0.36%含有するものであった。
【0040】
研磨組成物B1およびB2は、活性なエンジニアドコポリマーIIを0.36%含有するものであった。
【0041】
研磨組成物C1は、活性なエンジニアドコポリマーIIBを0.18%含有するものであり、研磨組成物D1は、活性なエンジニアドコポリマーIIAを0.18%含有するものであった。
【0042】
各研磨組成物の残りの重量%は水からなっていた。
【0043】
表1のデータは、ポリメタクリル酸とポリアクリル酸とのモル比7:3の組成物を含有するコポリマーはウェーハからすべての銅残分を除去するが、ポリメタクリル酸とポリアクリル酸とのモル比3:7の組成物を含有するコポリマーはすべての銅残分を除去することができないことを示す。したがって、銅残分の除去は、少なくとも等モル比1:1以上の比のポリメタクリル酸をそのコポリマー中に要する。
【0044】
例2
以下に記載するようにしてエンジニアドコポリマーIII、IVおよびVを合成した。
【0045】
エンジニアドコポリマーIII
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた2リットルの四ツ口丸底フラスコに、脱イオン水を700.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 6.00gを加えた。この溶液を80℃で撹拌しながら、これに脱イオン水100.00g中の過硫酸ナトリウム13.50g、50%水酸化ナトリウム75.00gならびに氷メタクリル酸106.00gおよびメタクリル酸ヒドロキシエチル160.00gを含有する混合物を定速で別々に125分かけて加え、その際、反応釜温度を92℃まで上昇させた。添加後、溶液を30分間保持し、その後、脱イオン水1.00g中の過硫酸ナトリウム0.20gを加えた。溶液を熱いまま10分間保持し、脱イオン水4.00g中の過硫酸ナトリウム0.50gで手順を繰り返した。このコポリマー水溶液は、pH6.2で、固形分25.9%、メタクリル酸1450ppmおよび相当するモル比のMW20,100を有していた。
【0046】
エンジニアドコポリマーIV
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備えた2リットルの四ツ口丸底フラスコに、脱イオン水577.00gおよび0.15重量%FeSO4・7H2O 3.00gを加えた。この溶液を88℃で撹拌しながら、これに脱イオン水50.00g中の過硫酸ナトリウム10.20g、50%水酸化ナトリウム99.00gならびに氷メタクリル酸206.50gおよびメタクリル酸ヒドロキシエチル132.60gを含有する混合物を定速で別々に125分かけて加えた。添加後、溶液を88〜90℃で55分間保持し、その後、脱イオン水7.20g中の過硫酸ナトリウム1.10gを加え、溶液を熱いまま60分間保持し、65℃まで冷まし、脱イオン水40.00gで希釈した。このコポリマー水溶液は、pH5.9で、固形分34.0%、メタクリル酸397ppmおよび相当するモル比のMW14,100を有していた。
【0047】
エンジニアドコポリマーV
撹拌機、還流冷却器、熱電対、および隔膜注入口を備え、脱イオン水800.00gを入れた2リットルの四ツ口丸底フラスコに、86℃で、抑制剤0.25g、1.75重量%界面活性剤溶液70.80gと、脱イオン水300.00g、30%界面活性剤溶液2.20g、メタクリル酸メチル325.00gおよび氷メタクリル酸4.20gを含有するモノマーエマルション68.30gを加えたのち、脱イオン水16.7g中の過硫酸ナトリウム2.30gを加えた。添加後、反応釜材料を86℃で15分間保持した。残りのモノマーエマルションに、30%界面活性剤溶液23.00g、氷メタクリル酸248.50g、およびn−ドデシルメルカプタン5.70gを加えたのち、すすぎ水30.00gを加えた。このモノマーエマルションを85℃の反応釜に定速で120分かけて加えた。添加後、反応物を熱いまま15分間保持し、冷まし、その後100/325メッシュのふるいに通してろ過した。このエマルションポリマーは、pH2.8で、固形分31.4%、メタクリル酸331ppm、メタクリル酸メチル171ppm、相当するモル比のMW56,400、および粒径105nmを有していた。
【0048】
表2は、本発明の方法にしたがってエンジニアドコポリマーIII、IVおよびVを含有する研磨組成物を用いて得られた除去速度データをまとめたものである。すべての研磨組成物は、各エンジニアドコポリマーを0.36%、過酸化水素を9%、BTAを0.3%、およびリンゴ酸を0.22%含有するものであった。各研磨組成物の残りの重量%は水からなっていた。
【0049】
【表2】
【0050】
表2のデータは、本発明を使用した場合、1分当たり1,000オングストロームを超える除去速度が得られることを示す。例示した研磨組成物は、それぞれ、酸含有モノマー50モル%超を有するモノマー混合物から製造されたエンジニアドコポリマーを含むものであった。
【0051】
CMP用の研磨組成物は、基板表面上の金属と結合を形成する1個以上の親水性官能基を有する第一部分の分子を含み、そしてさらにCMP中に研磨パッドと係合して、パッドが研磨される金属の表面からエンジニアドコポリマーを除去する1個以上の疎水性官能基を有する第二部分の分子をさらに含み、CMPによる金属除去を可能にする一方、埋め込み回路相互接続からのエンジニアリングコポリマーの除去を最小化してディッシングを最小化するエンジニアドコポリマーを備える。
Claims (9)
- 金属酸化剤、酸化物抑制剤および錯化剤を含む、CMPにより金属を除去するための研磨組成物であって、
金属と結合を形成する親水性官能基を有する第一部分の分子を含み、そしてさらにCMP中に研磨パッドと係合して、パッドが金属の表面からエンジニアドコポリマーを除去するための疎水性官能基を有する第二部分の分子を含み、CMPによる金属除去を可能にする一方、埋め込み回路相互接続からのエンジニアリングコポリマーの除去を最小化してディッシングを最小化するエンジニアドコポリマーにより、さらに特徴付けられる組成物。 - 前記エンジニアドコポリマーが、ランダムコポリマー、ブロックコポリマー、分岐鎖状コポリマーおよび交互コポリマーからなる群より選ばれる、請求項1記載の研磨組成物。
- 前記エンジニアドコポリマーが約1重量%までの濃度で存在する、請求項1記載の研磨組成物。
- 約3重量%までの砥粒をさらに特徴とする、請求項1記載の研磨組成物。
- 前記エンジニアドコポリマーがアクリル酸モノマーおよびメタクリル酸モノマーから誘導され、そのアクリル酸モノマー対メタクリル酸モノマーのモル比が約1:20〜約20:1の範囲である、請求項1記載の研磨組成物。
- 前記エンジニアドコポリマーがエチレン性不飽和モノマーの混合物から誘導される、請求項1記載の研磨組成物。
- 前記エンジニアドコポリマーが約1重量%までの濃度を有し、前記酸化剤が約15重量%までの濃度を有し、前記錯化剤が約3重量%までの濃度を有し、前記抑制剤が約2重量%までの濃度を有する、請求項7記載の研磨組成物。
- CMPにより金属を除去するための、研磨パッドおよび研磨組成物を用いて金属を研磨することを含む方法であって、前記研磨組成物が、金属酸化剤と、酸化物抑制剤と、錯化剤と、金属と結合を形成する親水性官能基を有する第一部分の分子を含み、CMP中に研磨パッドと係合して、パッドが金属の表面からエンジニアドコポリマーを除去するようにして、CMPによる金属除去を可能にする一方、埋め込み回路相互接続からのエンジニアリングコポリマーの除去を最小化してディッシングを最小化する疎水性官能基を有する第二部分の分子をさらに含むエンジニアドコポリマーとを含むものである方法。
- 前記研磨組成物が約3重量%までの濃度の砥粒をさらに含む、請求項8記載の方法。
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Legal Events
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