JP2005310948A - エッチング装置及びエッチング液管理方法 - Google Patents
エッチング装置及びエッチング液管理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005310948A JP2005310948A JP2004124070A JP2004124070A JP2005310948A JP 2005310948 A JP2005310948 A JP 2005310948A JP 2004124070 A JP2004124070 A JP 2004124070A JP 2004124070 A JP2004124070 A JP 2004124070A JP 2005310948 A JP2005310948 A JP 2005310948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration
- component
- etching
- solution
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 220
- 238000007726 management method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 88
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 59
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical group S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical group F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 4
- 239000013589 supplement Substances 0.000 abstract description 4
- 101150114468 TUB1 gene Proteins 0.000 abstract 2
- 238000012369 In process control Methods 0.000 abstract 1
- 238000010965 in-process control Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 169
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 241000876443 Varanus salvator Species 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrochloride Chemical compound Cl.OO CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012421 spiking Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
【解決手段】第1成分、第2成分及び水を含み、水の濃度が規定濃度以下のエッチング液を収容する処理槽1と、エッチング液を循環する循環経路C1と、循環経路C1からエッチング液を抽出し、第1成分、第2成分及び水の濃度をそれぞれ制御する濃度制御装置6と、第1成分の濃度より高濃度の第1成分を含む補充薬液を処理槽1に供給する補充薬液供給部7とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態に係るエッチング装置は、図1に示すように、第1成分、第2成分及び水を含み、水の濃度が規定濃度以下のエッチング液Lを収容する処理槽1と、エッチング液Lを循環する循環経路C1と、循環経路C1からエッチング液Lを抽出し、第1成分、第2成分及び水の濃度をそれぞれ制御する濃度制御装置6と、第1成分の濃度より高濃度の第1成分を含む補充薬液を処理槽1に供給する補充薬液供給部7とを備える。以下において「補充薬液」とは、エッチング液Lを補充するために用いる液体を指す。
実施の形態に係る第1のエッチング液管理方法について、図9に示すフローチャートを用いて説明する。なお、以下に示す例は一例であり、各操作の順番が適宜変更可能であることは勿論である。
次に、実施の形態に係るエッチング装置を用いた第2のエッチング液管理方法について、図10に示すフローチャートを用いて説明する。なお、図10に示すステップS101〜S108及びステップS120〜S121までは、図9に示すエッチング液管理方法と同様であるので、説明を省略する。
図11を参照しながら,本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。なお,以下に述べる半導体装置の製造方法は、活性素子としてnMOSトランジスタを例に説明するが,この他にも多くの半導体装置、電子装置の製造方法に適用できることは勿論である。
本発明の実施の形態の第1の変形例に係るエッチング装置は、図12に示すように、管路10dと管路10eと間から分岐した管路10fの下流側に、濃度制御装置6のモニタ部16が接続されている。実施の形態の第1の変形例によれば、循環経路C1の管路10d及び管路10eを流れるエッチング液Lの一部をサンプリングできる。
−エッチング装置−
本発明の実施の形態の第2の変形例に係るエッチング装置は、図13に示すように、CPU60にロット判定部64を更に備える点が、図1に示すエッチング装置と異なる。ロット判定部64は、CPU60に接続されたロット導入部8の中に、処理すべきロットが存在するか否かを判定する。エッチング液検出部61は、ロット判定部64の判定結果に基づいて、ロット導入部8にロットが存在する場合はモニタ部16が監視するエッチング液Lの濃度を検出する。濃度判定部62は、エッチング液検出部61の検出結果に基づいて、検出結果が濃度許容値を満たすか否かを判定する。一方、ロット導入部8にロットが存在しない場合は、エッチング液検出部61は、エッチング液Lの濃度を検出しない。
次に、実施の形態の第2の変形例に係るエッチング装置を用いたエッチング液管理方法について、図14に示すフローチャートを用いて説明する。なお、ステップS101〜S104及びステップS105〜S121に示す手順は、図10に示すエッチング液管理方法と同様であるので、説明を省略する。また、図12においては、ステップS110でロットを処理槽1に浸漬させる間も濃度制御を行う例を示す。しかし、補充薬液の補充により処理槽1の濃度が不均一になる場合があるため、図9に示すように、ロットを浸漬させる間は、薬液補充を行わないようにすることもできる。
本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2…外槽
6…濃度制御装置
7…補充薬液供給部
8…ロット導入部
16…モニタ部
60…CPU
61…エッチング液検出部
62…濃度判定部
63…補充薬液情報出力部
64…ロット判定部
65…データ記憶装置
Claims (5)
- 第1成分、第2成分及び水を含み、前記水の濃度が規定濃度以下のエッチング液を収容する処理槽と、
前記エッチング液を循環する循環経路と、
前記循環経路から前記エッチング液を抽出し、前記第1成分、前記第2成分及び前記水の濃度をそれぞれ制御する濃度制御装置と、
前記第1成分の濃度より高濃度の前記第1成分を含む補充薬液を前記処理槽に供給する補充薬液供給部
とを備えることを特徴とするエッチング装置。 - 前記第1成分は硫酸であり、前記第2成分はフッ化水素であり、前記水の濃度が4wt%以下であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング装置。
- 前記濃度制御装置は、前記第2成分の濃度を0.5〜2.0wt%に制御することを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング装置。
- 第1成分、第2成分及び水を含み、前記水の濃度が規定濃度以下のエッチング液を処理槽に収容する工程と、
前記エッチング液を循環する工程と、
前記エッチング液に含まれる前記第1成分、前記第2成分及び前記水の濃度をそれぞれ制御する工程と、
前記第1成分の濃度より高濃度の前記第1成分を含む補充薬液を前記処理槽に供給する工程
とを備えることを特徴とするエッチング液管理方法。 - 前記第1成分は硫酸であり、前記第2成分はフッ化水素であり、前記水の濃度が4wt%以下であることを特徴とする請求項4に記載のエッチング液管理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004124070A JP4393260B2 (ja) | 2004-04-20 | 2004-04-20 | エッチング液管理方法 |
US10/922,905 US7267742B2 (en) | 2004-04-20 | 2004-08-23 | Etching apparatus, a method of controlling an etching solution, and a method of manufacturing a semiconductor device |
US11/878,965 US7776756B1 (en) | 2004-04-20 | 2007-07-30 | Etching apparatus, a method of controlling an etching solution, and a method of manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004124070A JP4393260B2 (ja) | 2004-04-20 | 2004-04-20 | エッチング液管理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005310948A true JP2005310948A (ja) | 2005-11-04 |
JP4393260B2 JP4393260B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=35095055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004124070A Expired - Lifetime JP4393260B2 (ja) | 2004-04-20 | 2004-04-20 | エッチング液管理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7267742B2 (ja) |
JP (1) | JP4393260B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156270A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 |
JP2017050378A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 株式会社東芝 | エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置 |
JP2018050001A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2018530676A (ja) * | 2015-09-30 | 2018-10-18 | マクダーミッド アキューメン インコーポレーテッド | エッチング浴の処理 |
CN109698142A (zh) * | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4608543B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-01-12 | パナソニック株式会社 | ウェット処理装置及び表示パネルの製造方法 |
JP4728826B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-07-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法およびエッチング液 |
JP2008058591A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 基板処理方法および電子デバイスの製造方法 |
US8409997B2 (en) * | 2007-01-25 | 2013-04-02 | Taiwan Semiconductor Maufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for controlling silicon nitride etching tank |
US20080236639A1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Masahiro Kimura | Substrate treating apparatus |
US8460478B2 (en) | 2007-05-29 | 2013-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wet processing apparatuses |
US8211810B2 (en) * | 2007-09-21 | 2012-07-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing etching process with phosphoric acid solution |
CN102339728A (zh) * | 2010-07-14 | 2012-02-01 | 旺宏电子股份有限公司 | 制作工艺系统与清洗方法 |
US20120048303A1 (en) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Macronix International Co., Ltd. | Process system and cleaning process |
US9926225B2 (en) * | 2011-12-30 | 2018-03-27 | Corning Incorporated | Media and methods for etching glass |
CN103456622B (zh) * | 2012-05-28 | 2016-03-30 | 华邦电子股份有限公司 | 磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法 |
US8877084B2 (en) * | 2012-06-22 | 2014-11-04 | General Electric Company | Method for refreshing an acid bath solution |
CN104903996B (zh) * | 2012-12-31 | 2017-05-10 | 纳尔科公司 | 对氧化物蚀刻剂中氟化氢水平的改良的控制 |
KR102246213B1 (ko) | 2013-03-15 | 2021-04-28 | 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. | 고온 에칭액을 제공하는 처리 시스템 및 방법 |
JP2015070080A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
CN103526205A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-01-22 | 上海和辉光电有限公司 | 一种湿蚀刻设备 |
US9418865B2 (en) * | 2013-12-26 | 2016-08-16 | Intermolecular, Inc. | Wet etching of silicon containing antireflective coatings |
JP6163434B2 (ja) * | 2014-01-16 | 2017-07-12 | 株式会社東芝 | 薬液処理装置及び薬液処理方法 |
JP6433730B2 (ja) * | 2014-09-08 | 2018-12-05 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP6383254B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-08-29 | 株式会社東芝 | 処理装置および処理方法 |
CN104538335B (zh) * | 2014-12-18 | 2017-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 改善铜导线制程中刻蚀药液寿命与良率的方法及铜导线刻蚀装置 |
JP6468916B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-02-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW201713751A (zh) * | 2015-10-06 | 2017-04-16 | 聯華電子股份有限公司 | 酸槽補酸系統與方法 |
CN105390391B (zh) * | 2015-10-29 | 2018-04-03 | 上海华力微电子有限公司 | 一种h3po4槽小换酸的控制方法 |
JP6947346B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2021-10-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US10832924B2 (en) * | 2016-09-23 | 2020-11-10 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating device and substrate treating method |
JP6909620B2 (ja) * | 2017-04-20 | 2021-07-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
WO2019033253A1 (zh) * | 2017-08-15 | 2019-02-21 | 侯景忠 | 自动循环补充清洗溶液之清洗设备 |
CN107553764B (zh) * | 2017-09-26 | 2019-05-03 | 无锡琨圣科技有限公司 | 一种金刚线切割硅片用扩孔槽的槽体 |
JP7004144B2 (ja) * | 2017-10-25 | 2022-01-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06333898A (ja) | 1993-03-23 | 1994-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の洗浄方法及びその装置 |
JPH09275091A (ja) * | 1996-04-03 | 1997-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体窒化膜エッチング装置 |
JPH11154666A (ja) | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
TW380284B (en) * | 1998-09-09 | 2000-01-21 | Promos Technologies Inc | Method for improving etching uniformity during a wet etching process |
US6623579B1 (en) * | 1999-11-02 | 2003-09-23 | Alien Technology Corporation | Methods and apparatus for fluidic self assembly |
JP3889271B2 (ja) | 2000-12-15 | 2007-03-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
DE10109218A1 (de) * | 2001-02-26 | 2002-06-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Speicherkondensators |
JP3747174B2 (ja) | 2001-11-19 | 2006-02-22 | 株式会社カイジョー | 半導体処理装置の薬液濃度制御装置 |
KR100406578B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2003-11-20 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
KR100704246B1 (ko) * | 2003-01-09 | 2007-04-06 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판 처리시스템, 기판 처리장치, 프로그램 및 기록매체 |
JP3972015B2 (ja) | 2003-04-11 | 2007-09-05 | シャープ株式会社 | 薬液装置 |
-
2004
- 2004-04-20 JP JP2004124070A patent/JP4393260B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-08-23 US US10/922,905 patent/US7267742B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-30 US US11/878,965 patent/US7776756B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156270A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 |
KR101523351B1 (ko) * | 2011-01-25 | 2015-05-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 방법, 액처리 장치 및 기억 매체 |
JP2017050378A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 株式会社東芝 | エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置 |
US10224209B2 (en) | 2015-09-01 | 2019-03-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching method, article manufacturing method, and etching apparatus |
JP2018530676A (ja) * | 2015-09-30 | 2018-10-18 | マクダーミッド アキューメン インコーポレーテッド | エッチング浴の処理 |
JP2018050001A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US10685855B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-06-16 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating device and substrate treating method |
CN109698142A (zh) * | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 |
CN109698142B (zh) * | 2017-10-20 | 2021-09-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7267742B2 (en) | 2007-09-11 |
JP4393260B2 (ja) | 2010-01-06 |
US20050230045A1 (en) | 2005-10-20 |
US7776756B1 (en) | 2010-08-17 |
US20100210110A1 (en) | 2010-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4393260B2 (ja) | エッチング液管理方法 | |
US7538047B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
KR100249143B1 (ko) | 반도체 질화막 에칭장치 | |
US5279705A (en) | Gaseous process for selectively removing silicon nitride film | |
JP4695494B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
US20060177988A1 (en) | Semiconductor fabrication processes | |
KR20000077428A (ko) | 반도체 웨이퍼의 메가소닉 클리닝을 위한 탈이온수의 온도제어된 탈기화 | |
JP2001077118A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2012074601A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US20060216933A1 (en) | Methods of forming materials | |
JP2007258405A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2019510379A (ja) | シリカ堆積なしに窒化物構造体を処理するためのプロセス及び装置窒化物構造体を処理するためのプロセス及び装置 | |
US6837944B2 (en) | Cleaning and drying method and apparatus | |
JP2009016515A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
JP4950800B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6398904B1 (en) | Wet etching system for manufacturing semiconductor devices | |
US20070093068A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
US20060065286A1 (en) | Method to address carbon incorporation in an interpoly oxide | |
US8206605B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing system | |
JPH06349808A (ja) | 窒化シリコン膜除去液およびそれを用いた半導体製造装置 | |
US7018482B1 (en) | Method of manufacturing electronic devices, and apparatus for carrying out such a method | |
US20010037860A1 (en) | Etching method and apparatus | |
JP2006093242A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4237762B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20030119331A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070717 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071009 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071102 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20071214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090818 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091013 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4393260 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |