JPH06349808A - 窒化シリコン膜除去液およびそれを用いた半導体製造装置 - Google Patents
窒化シリコン膜除去液およびそれを用いた半導体製造装置Info
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- JPH06349808A JPH06349808A JP14103693A JP14103693A JPH06349808A JP H06349808 A JPH06349808 A JP H06349808A JP 14103693 A JP14103693 A JP 14103693A JP 14103693 A JP14103693 A JP 14103693A JP H06349808 A JPH06349808 A JP H06349808A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 窒化シリコン膜除去時における酸化シリコン
膜のエッチングレートを抑制できる窒化シリコン膜除去
液を提供する。 【構成】 リン酸溶液中に少なくとも５０ｐｐｍ以上の
シリコンが含有された窒化シリコン膜除去液とする。
膜のエッチングレートを抑制できる窒化シリコン膜除去
液を提供する。 【構成】 リン酸溶液中に少なくとも５０ｐｐｍ以上の
シリコンが含有された窒化シリコン膜除去液とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化シリコン膜除去液
およびそれを用いた半導体製造装置に関し、特に、半導
体ウエハ上に形成された窒化シリコン膜を除去する場合
における、窒化シリコン膜除去液による酸化シリコン膜
のエッチングレートの抑制について有効な技術に関す
る。
およびそれを用いた半導体製造装置に関し、特に、半導
体ウエハ上に形成された窒化シリコン膜を除去する場合
における、窒化シリコン膜除去液による酸化シリコン膜
のエッチングレートの抑制について有効な技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ上に素子分離領域を形成す
る場合には、一部が選択性エッチングで取り外された窒
化シリコン膜と半導体ウエハとの間に、約１０００℃の
熱処理時における窒化シリコン膜の膜ストレスを緩和さ
せるために酸化シリコン膜を形成し、窒化シリコン膜の
非形成領域にある半導体ウエハを熱酸化させることによ
って酸化シリコン膜を形成、成長させ、その後この窒化
シリコン膜を除去する方法により行っている。
る場合には、一部が選択性エッチングで取り外された窒
化シリコン膜と半導体ウエハとの間に、約１０００℃の
熱処理時における窒化シリコン膜の膜ストレスを緩和さ
せるために酸化シリコン膜を形成し、窒化シリコン膜の
非形成領域にある半導体ウエハを熱酸化させることによ
って酸化シリコン膜を形成、成長させ、その後この窒化
シリコン膜を除去する方法により行っている。
【０００３】ここで、半導体ウエハ上に形成された窒化
シリコン膜の除去は、ＶＬＳＩ製造技術（日経ＢＰ社発
行）第２４１項に記載されているように、１６０℃〜１
８０℃に加熱されたリン酸溶液中に半導体ウエハを浸漬
させることによって行っている。
シリコン膜の除去は、ＶＬＳＩ製造技術（日経ＢＰ社発
行）第２４１項に記載されているように、１６０℃〜１
８０℃に加熱されたリン酸溶液中に半導体ウエハを浸漬
させることによって行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、リン酸溶液中
に半導体ウエハを浸漬させる方法では、窒化シリコン膜
が除去されるにとどまらず、リン酸溶液によるエッチン
グで酸化シリコン膜の一部までもが除去されてしまう。
に半導体ウエハを浸漬させる方法では、窒化シリコン膜
が除去されるにとどまらず、リン酸溶液によるエッチン
グで酸化シリコン膜の一部までもが除去されてしまう。
【０００５】したがって、窒化シリコン膜と半導体ウエ
ハとの間の酸化シリコン膜が薄く形成されている場合に
は、リン酸溶液によってこの酸化シリコン膜が除去さ
れ、半導体ウエハの表面が露出され、エッチングされて
しまうこととなる。
ハとの間の酸化シリコン膜が薄く形成されている場合に
は、リン酸溶液によってこの酸化シリコン膜が除去さ
れ、半導体ウエハの表面が露出され、エッチングされて
しまうこととなる。
【０００６】そして、半導体ウエハの表面がリン酸溶液
によってエッチングされると、その後の工程において再
び熱酸化によって形成されたゲート用酸化シリコン膜
の、絶縁膜としての耐圧性が劣化してしまう原因とな
る。
によってエッチングされると、その後の工程において再
び熱酸化によって形成されたゲート用酸化シリコン膜
の、絶縁膜としての耐圧性が劣化してしまう原因とな
る。
【０００７】そこで、本発明の目的は、半導体ウエハ上
に形成された窒化シリコン膜除去時における酸化シリコ
ン膜のエッチングレートを抑制できる窒化シリコン膜除
去液およびそれを用いた半導体製造装置に関する技術を
提供することにある。
に形成された窒化シリコン膜除去時における酸化シリコ
ン膜のエッチングレートを抑制できる窒化シリコン膜除
去液およびそれを用いた半導体製造装置に関する技術を
提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【００１０】すなわち、本発明の窒化シリコン膜除去液
は、リン酸溶液中にシリコンが含有されたものである。
は、リン酸溶液中にシリコンが含有されたものである。
【００１１】この窒化シリコン膜除去液は、リン酸溶液
中のシリコンの含有率が少なくとも５０ｐｐｍとするこ
とができる。
中のシリコンの含有率が少なくとも５０ｐｐｍとするこ
とができる。
【００１２】また、本発明の半導体製造装置は、前記窒
化シリコン膜除去液を用いて半導体ウエハ上に形成され
た窒化シリコン膜の除去を行うものである。
化シリコン膜除去液を用いて半導体ウエハ上に形成され
た窒化シリコン膜の除去を行うものである。
【００１３】
【作用】上記のような構成の窒化シリコン膜除去液、お
よびこの窒化シリコン膜除去液を用いた半導体製造装置
によれば、半導体ウエハ上に形成された窒化シリコン膜
の除去時における窒化シリコン膜除去液による酸化シリ
コン膜のエッチングレートを抑制することができる。
よびこの窒化シリコン膜除去液を用いた半導体製造装置
によれば、半導体ウエハ上に形成された窒化シリコン膜
の除去時における窒化シリコン膜除去液による酸化シリ
コン膜のエッチングレートを抑制することができる。
【００１４】したがって、窒化シリコン膜の除去時に酸
化シリコン膜までが除去されてしまい、この酸化シリコ
ン膜に被われた半導体ウエハの表面が露出され、エッチ
ングされるということがなくなる。
化シリコン膜までが除去されてしまい、この酸化シリコ
ン膜に被われた半導体ウエハの表面が露出され、エッチ
ングされるということがなくなる。
【００１５】
【実施例１】図１は本発明の一実施例である半導体製造
装置を示す断面図、図２は窒化シリコン膜および酸化シ
リコン膜が形成された半導体ウエハの断面図、図３はリ
ン酸溶液中のシリコン含有率に対する酸化シリコン膜の
エッチングレートの変化を示すグラフ図である。
装置を示す断面図、図２は窒化シリコン膜および酸化シ
リコン膜が形成された半導体ウエハの断面図、図３はリ
ン酸溶液中のシリコン含有率に対する酸化シリコン膜の
エッチングレートの変化を示すグラフ図である。
【００１６】まず、本実施例の半導体製造装置の構成に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１７】本実施例の半導体製造装置１は、処理層２
と、この処理槽２内に充填された窒化シリコン膜除去液
３と、この窒化シリコン膜除去液３内に半導体ウエハ４
を浸漬させるための半導体ウエハ吊下げ治具５と、処理
層２の下方に設けられ、窒化シリコン膜除去液３を加熱
するためのヒータ６と、処理層２に補給するリン酸溶液
７が収容されたリン酸溶液貯蔵槽８と、処理槽２の下部
に設けられ、処理槽２外に窒化シリコン膜除去液３を排
出するための排出管９と、窒化シリコン膜除去液３内の
異物を除去するための異物除去機構１０とからなる。
と、この処理槽２内に充填された窒化シリコン膜除去液
３と、この窒化シリコン膜除去液３内に半導体ウエハ４
を浸漬させるための半導体ウエハ吊下げ治具５と、処理
層２の下方に設けられ、窒化シリコン膜除去液３を加熱
するためのヒータ６と、処理層２に補給するリン酸溶液
７が収容されたリン酸溶液貯蔵槽８と、処理槽２の下部
に設けられ、処理槽２外に窒化シリコン膜除去液３を排
出するための排出管９と、窒化シリコン膜除去液３内の
異物を除去するための異物除去機構１０とからなる。
【００１８】ここで、窒化シリコン膜除去液３は、リン
酸溶液７中で半導体ウエハ４を十分に処理することによ
って、このリン酸溶液７中に少なくとも５０ｐｐｍのシ
リコンが含有されているものからなる。
酸溶液７中で半導体ウエハ４を十分に処理することによ
って、このリン酸溶液７中に少なくとも５０ｐｐｍのシ
リコンが含有されているものからなる。
【００１９】そして、リン酸溶液貯蔵槽８および排出管
９には、必要時に応じてリン酸溶液７を処理槽２内に補
給したり、処理槽２内の窒化シリコン膜除去液３を排出
するためのバルブ８ａ，９ａがそれぞれ設けられ、ま
た、処理槽２内には、窒化シリコン膜除去液３の液量を
検知して常に一定量以上が充填されるように液面センサ
１１が取り付けられている。
９には、必要時に応じてリン酸溶液７を処理槽２内に補
給したり、処理槽２内の窒化シリコン膜除去液３を排出
するためのバルブ８ａ，９ａがそれぞれ設けられ、ま
た、処理槽２内には、窒化シリコン膜除去液３の液量を
検知して常に一定量以上が充填されるように液面センサ
１１が取り付けられている。
【００２０】前記の異物除去機構１０は、窒化シリコン
膜除去液３を処理槽２外へ取り出して再び処理槽２内へ
戻すような循環ラインを構成するパイプ１２と、このパ
イプ１２の途中に設けられ、窒化シリコン膜除去液３を
循環させるためのポンプ１３と、同様にパイプ１２の途
中に設けられ、窒化シリコン膜除去液３内の異物を除去
するためのフィルタ１４とからなり、パイプ１２の両端
は処理槽２内に位置している。
膜除去液３を処理槽２外へ取り出して再び処理槽２内へ
戻すような循環ラインを構成するパイプ１２と、このパ
イプ１２の途中に設けられ、窒化シリコン膜除去液３を
循環させるためのポンプ１３と、同様にパイプ１２の途
中に設けられ、窒化シリコン膜除去液３内の異物を除去
するためのフィルタ１４とからなり、パイプ１２の両端
は処理槽２内に位置している。
【００２１】なお、図２に示すように、除去される窒化
シリコン膜１５は、半導体ウエハ４上に形成された酸化
シリコン膜１６の熱酸化による成長によって、その端部
が持ち上げられるように形成されている。
シリコン膜１５は、半導体ウエハ４上に形成された酸化
シリコン膜１６の熱酸化による成長によって、その端部
が持ち上げられるように形成されている。
【００２２】次に、本実施例の半導体製造装置１の作用
について説明する。
について説明する。
【００２３】本実施例の半導体製造装置１は、酸化シリ
コン膜１６が成長して素子分離領域が形成された半導体
ウエハ４を、半導体ウエハ吊下げ治具５によって、ヒー
タ６でたとえば１６０℃〜１８０℃に加熱された窒化シ
リコン膜除去液３（前記のように、この窒化シリコン膜
除去液３はリン酸溶液７中に少なくとも５０ｐｐｍのシ
リコンが含有されたものである。）に浸漬し、窒化シリ
コン膜１５を除去してゆく。
コン膜１６が成長して素子分離領域が形成された半導体
ウエハ４を、半導体ウエハ吊下げ治具５によって、ヒー
タ６でたとえば１６０℃〜１８０℃に加熱された窒化シ
リコン膜除去液３（前記のように、この窒化シリコン膜
除去液３はリン酸溶液７中に少なくとも５０ｐｐｍのシ
リコンが含有されたものである。）に浸漬し、窒化シリ
コン膜１５を除去してゆく。
【００２４】そして、窒化シリコン膜除去液３を交換す
る場合には、処理槽２内の窒化シリコン膜除去液３を一
部残して、他を排出管９に設けられたバルブ９ａを操作
することで装置外へ排出し、リン酸溶液貯蔵槽８に設け
られたバルブ８ａを操作してリン酸溶液７を処理槽２へ
補充する方法により行い、リン酸溶液７中のシリコンの
含有率が５０ｐｐｍを下回らないような窒化シリコン膜
除去液３とする。
る場合には、処理槽２内の窒化シリコン膜除去液３を一
部残して、他を排出管９に設けられたバルブ９ａを操作
することで装置外へ排出し、リン酸溶液貯蔵槽８に設け
られたバルブ８ａを操作してリン酸溶液７を処理槽２へ
補充する方法により行い、リン酸溶液７中のシリコンの
含有率が５０ｐｐｍを下回らないような窒化シリコン膜
除去液３とする。
【００２５】なお、その際には、半導体ウエハ４が窒化
シリコン膜除去液３に十分に浸漬されるように、液面セ
ンサ１１によって規定の液量を保つようにする。
シリコン膜除去液３に十分に浸漬されるように、液面セ
ンサ１１によって規定の液量を保つようにする。
【００２６】ここで、図３に示すように、酸化シリコン
膜１６のエッチングレートはリン酸溶液７の液中のシリ
コンの含有率によって変化することが、本発明者によっ
て明らかにされた。
膜１６のエッチングレートはリン酸溶液７の液中のシリ
コンの含有率によって変化することが、本発明者によっ
て明らかにされた。
【００２７】すなわち、図３から明らかなように、半導
体ウエハ４を１０分間浸漬した場合における酸化シリコ
ン膜１６のエッチングレートは、リン酸溶液７中のシリ
コンの含有率を増加させていくと次第に低下してゆき、
５０ｐｐｍとした場合に１nmとなって、このシリコン含
有率５０ｐｐｍを境としてこれ以上の領域においてほぼ
一定の数値となるものである。
体ウエハ４を１０分間浸漬した場合における酸化シリコ
ン膜１６のエッチングレートは、リン酸溶液７中のシリ
コンの含有率を増加させていくと次第に低下してゆき、
５０ｐｐｍとした場合に１nmとなって、このシリコン含
有率５０ｐｐｍを境としてこれ以上の領域においてほぼ
一定の数値となるものである。
【００２８】そして、この１nmという数値は、シリコン
が全く含有されていないリン酸溶液７のエッチングレー
ト５nmの約１／５の値である。
が全く含有されていないリン酸溶液７のエッチングレー
ト５nmの約１／５の値である。
【００２９】したがって、本実施例の半導体製造装置１
のように、窒化シリコン膜除去液３として、意図的に５
０ｐｐｍ以上のシリコンを含有させたリン酸溶液７によ
って窒化シリコン膜１５の除去を行えば、半導体ウエハ
４に形成された酸化シリコン膜１６は１nm程度エッチン
グされるにとどまることとなる。
のように、窒化シリコン膜除去液３として、意図的に５
０ｐｐｍ以上のシリコンを含有させたリン酸溶液７によ
って窒化シリコン膜１５の除去を行えば、半導体ウエハ
４に形成された酸化シリコン膜１６は１nm程度エッチン
グされるにとどまることとなる。
【００３０】よって、窒化シリコン膜１５の除去時に酸
化シリコン膜１６までが除去されてしまい、その結果、
この酸化シリコン膜１６に被われた半導体ウエハ４の表
面が露出されて、これまでもがエッチングされるという
ことがなくなる。
化シリコン膜１６までが除去されてしまい、その結果、
この酸化シリコン膜１６に被われた半導体ウエハ４の表
面が露出されて、これまでもがエッチングされるという
ことがなくなる。
【００３１】なお、窒化シリコン膜１５の除去工程にお
いては、何等かの原因によって液中に異物が混入するこ
とがあり、このような場合には異物除去機構１０によっ
てこれを除去する。
いては、何等かの原因によって液中に異物が混入するこ
とがあり、このような場合には異物除去機構１０によっ
てこれを除去する。
【００３２】すなわち、窒化シリコン膜除去液３は、ポ
ンプ１３が駆動されることによって強制的にパイプ１２
内に送り込まれ、このパイプ１２の途中に設けられたフ
ィルタ１４に通されることによって異物が除去され、再
び処理槽２内に戻されることとなる。
ンプ１３が駆動されることによって強制的にパイプ１２
内に送り込まれ、このパイプ１２の途中に設けられたフ
ィルタ１４に通されることによって異物が除去され、再
び処理槽２内に戻されることとなる。
【００３３】
【実施例２】図４は本発明の他の実施例である半導体製
造装置を示す断面図である。
造装置を示す断面図である。
【００３４】本実施例の半導体製造装置１は、前記実施
例１における半導体製造装置１と同様に、処理層２と、
この処理槽２内の窒化シリコン膜除去液３と、半導体ウ
エハ４を浸漬させるための半導体ウエハ吊下げ治具５
と、窒化シリコン膜除去液３を加熱するためのヒータ６
と、リン酸溶液７が貯蔵されたリン酸溶液貯蔵槽８と、
窒化シリコン膜除去液３を排出するための排出管９とか
らなる。
例１における半導体製造装置１と同様に、処理層２と、
この処理槽２内の窒化シリコン膜除去液３と、半導体ウ
エハ４を浸漬させるための半導体ウエハ吊下げ治具５
と、窒化シリコン膜除去液３を加熱するためのヒータ６
と、リン酸溶液７が貯蔵されたリン酸溶液貯蔵槽８と、
窒化シリコン膜除去液３を排出するための排出管９とか
らなる。
【００３５】そして、本実施例の半導体製造装置１にお
いては、予めリン酸溶液中７において半導体ウエハを十
分に処理することによってリン酸溶液７中に５０ｐｐｍ
以上のシリコンが含有された窒化シリコン膜除去液３を
製造し、これを処理槽２内から抜き取り貯蔵している窒
化シリコン膜除去液貯蔵槽１７と、この窒化シリコン膜
除去液貯蔵槽１７内の窒化シリコン膜除去液３を処理槽
２に供給するための液供給機構１８とが設けられてい
る。
いては、予めリン酸溶液中７において半導体ウエハを十
分に処理することによってリン酸溶液７中に５０ｐｐｍ
以上のシリコンが含有された窒化シリコン膜除去液３を
製造し、これを処理槽２内から抜き取り貯蔵している窒
化シリコン膜除去液貯蔵槽１７と、この窒化シリコン膜
除去液貯蔵槽１７内の窒化シリコン膜除去液３を処理槽
２に供給するための液供給機構１８とが設けられてい
る。
【００３６】この液供給機構１８は、一端が窒化シリコ
ン膜除去液貯蔵槽１７内の下部に、他端が処理槽２内の
上部に位置するパイプ１９と、このパイプ１９の途中に
設けられ、貯蔵された窒化シリコン膜除去液３を汲み上
げるためのポンプ２０と、同様にパイプ１９の途中に設
けられ、窒化シリコン膜除去液３内の異物を除去するた
めのフィルタ２１とからなる。
ン膜除去液貯蔵槽１７内の下部に、他端が処理槽２内の
上部に位置するパイプ１９と、このパイプ１９の途中に
設けられ、貯蔵された窒化シリコン膜除去液３を汲み上
げるためのポンプ２０と、同様にパイプ１９の途中に設
けられ、窒化シリコン膜除去液３内の異物を除去するた
めのフィルタ２１とからなる。
【００３７】本実施例の半導体製造装置１においても、
前記実施例１の半導体製造装置１と同様に、酸化シリコ
ン膜１６が成長して素子分離領域が形成された半導体ウ
エハ４を、半導体ウエハ吊下げ治具５によって、ヒータ
６で１６０℃〜１８０℃に加熱された窒化シリコン膜除
去液３に浸漬し、窒化シリコン膜１５を除去してゆくも
のである。
前記実施例１の半導体製造装置１と同様に、酸化シリコ
ン膜１６が成長して素子分離領域が形成された半導体ウ
エハ４を、半導体ウエハ吊下げ治具５によって、ヒータ
６で１６０℃〜１８０℃に加熱された窒化シリコン膜除
去液３に浸漬し、窒化シリコン膜１５を除去してゆくも
のである。
【００３８】したがって、５０ｐｐｍ以上のシリコンを
含有させたリン酸溶液７からなる窒化シリコン膜除去液
３を用いて窒化シリコン膜１５の除去を行うので、半導
体ウエハ４に形成された酸化シリコン膜１６は１nm程度
エッチングされるにとどまる。
含有させたリン酸溶液７からなる窒化シリコン膜除去液
３を用いて窒化シリコン膜１５の除去を行うので、半導
体ウエハ４に形成された酸化シリコン膜１６は１nm程度
エッチングされるにとどまる。
【００３９】よって、窒化シリコン膜１５の除去時に酸
化シリコン膜１６までが除去され、この酸化シリコン膜
１６に被われた半導体ウエハ４の表面が露出、エッチン
グされるということがなくなる。
化シリコン膜１６までが除去され、この酸化シリコン膜
１６に被われた半導体ウエハ４の表面が露出、エッチン
グされるということがなくなる。
【００４０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００４１】たとえば、本実施例において用いられる窒
化シリコン膜除去液は、リン酸溶液中にシリコンが５０
ｐｐｍ以上含有されたものからなるが、この５０ｐｐｍ
という数値は臨界的効果を奏することのできる値であ
り、それ以下であっても酸化シリコン膜のエッチングレ
ートを抑制できることは実施例１におけるグラフから明
らかである。したがって、本発明がリン酸溶液中のシリ
コンの含有率が５０ｐｐｍ以下の窒化シリコン膜除去液
を用いて酸化シリコン膜のエッチングレートを抑制する
ことを除外するものではない。
化シリコン膜除去液は、リン酸溶液中にシリコンが５０
ｐｐｍ以上含有されたものからなるが、この５０ｐｐｍ
という数値は臨界的効果を奏することのできる値であ
り、それ以下であっても酸化シリコン膜のエッチングレ
ートを抑制できることは実施例１におけるグラフから明
らかである。したがって、本発明がリン酸溶液中のシリ
コンの含有率が５０ｐｐｍ以下の窒化シリコン膜除去液
を用いて酸化シリコン膜のエッチングレートを抑制する
ことを除外するものではない。
【００４２】また、リン酸溶液中にシリコンが５０ｐｐ
ｍ以上含有された窒化シリコン膜除去液を処理槽中に充
填する方法には、本実施例のような混合方法によらず、
たとえば、予め所定の窒化シリコン膜除去液を製造して
おき、これを処理槽中に投入するような方法や、処理槽
あるいは半導体ウエハ吊下げ治具をシリコン製とする方
法など種々のものが考えられる。したがって、どの様な
方法によって本発明の窒化シリコン膜除去液が製造され
たかを問わず、結果的にリン酸溶液中にシリコンが含有
された窒化シリコン膜除去液であればよい。
ｍ以上含有された窒化シリコン膜除去液を処理槽中に充
填する方法には、本実施例のような混合方法によらず、
たとえば、予め所定の窒化シリコン膜除去液を製造して
おき、これを処理槽中に投入するような方法や、処理槽
あるいは半導体ウエハ吊下げ治具をシリコン製とする方
法など種々のものが考えられる。したがって、どの様な
方法によって本発明の窒化シリコン膜除去液が製造され
たかを問わず、結果的にリン酸溶液中にシリコンが含有
された窒化シリコン膜除去液であればよい。
【００４３】さらに、実施例１において設けられている
異物除去機構は、これを省略することが可能であること
はもちろんである。
異物除去機構は、これを省略することが可能であること
はもちろんである。
【００４４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【００４５】(1).リン酸溶液中にシリコンが含有された
窒化シリコン膜除去液、およびこの窒化シリコン膜除去
液を用いた半導体製造装置によれば、半導体ウエハ上に
形成された窒化シリコン膜の除去時における窒化シリコ
ン膜除去液による酸化シリコン膜のエッチングレートを
抑制することができる。
窒化シリコン膜除去液、およびこの窒化シリコン膜除去
液を用いた半導体製造装置によれば、半導体ウエハ上に
形成された窒化シリコン膜の除去時における窒化シリコ
ン膜除去液による酸化シリコン膜のエッチングレートを
抑制することができる。
【００４６】したがって、窒化シリコン膜の除去時に酸
化シリコン膜までが除去されてしまい、この酸化シリコ
ン膜に被われた半導体ウエハの表面が露出され、エッチ
ングされるということがなくなる。
化シリコン膜までが除去されてしまい、この酸化シリコ
ン膜に被われた半導体ウエハの表面が露出され、エッチ
ングされるということがなくなる。
【００４７】(2).特にリン酸溶液中のシリコンの含有率
が少なくとも５０ｐｐｍ以上とされた窒化シリコン膜除
去液によれば、そのエッチングレートは１nmと、シリコ
ンが一切含有されていないリン酸溶液に比べて１／５と
なるので、前記の効果がより顕著となる。
が少なくとも５０ｐｐｍ以上とされた窒化シリコン膜除
去液によれば、そのエッチングレートは１nmと、シリコ
ンが一切含有されていないリン酸溶液に比べて１／５と
なるので、前記の効果がより顕著となる。
【００４８】(3).そして、このような窒化シリコン膜除
去液を用いれば、酸化シリコン膜をより薄く形成するこ
とができるので、より集積度の高い半導体集積回路装置
の製造が可能となる。
去液を用いれば、酸化シリコン膜をより薄く形成するこ
とができるので、より集積度の高い半導体集積回路装置
の製造が可能となる。
【図１】本発明の実施例１における半導体製造装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】窒化シリコン膜および酸化シリコン膜が形成さ
れた半導体ウエハの断面図である。
れた半導体ウエハの断面図である。
【図３】リン酸溶液中のシリコン含有率に対する酸化シ
リコン膜のエッチングレートの変化を示すグラフ図であ
る。
リコン膜のエッチングレートの変化を示すグラフ図であ
る。
【図４】本発明の実施例２における半導体製造装置を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 半導体製造装置 ２ 処理槽 ３ 窒化シリコン膜除去液 ４ 半導体ウエハ ５ 半導体ウエハ吊下げ治具 ６ ヒータ ７ リン酸溶液 ８ リン酸溶液貯蔵槽 ８ａ バルブ ９ 排出管 ９ａ バルブ １０ 異物除去機構 １１ 液面センサ １２ パイプ １３ ポンプ １４ フィルタ １５ 窒化シリコン膜 １６ 酸化シリコン膜 １７ 窒化シリコン膜除去液貯蔵槽 １８ 液供給機構 １９ パイプ ２０ ポンプ ２１ フィルタ
Claims (5)
- 【請求項１】 リン酸溶液中にシリコンが含有されてい
ることを特徴とする窒化シリコン膜除去液。 - 【請求項２】 前記リン酸溶液中の前記シリコンの含有
率が少なくとも５０ｐｐｍであることを特徴とする請求
項１記載の窒化シリコン膜除去液。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の窒化シリコン膜
除去液を用いて半導体ウエハ上に形成された窒化シリコ
ン膜の除去を行うことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記窒化シリコン膜除去液の交換が、処
理槽内の前記窒化シリコン膜除去液を一部残し、該窒化
シリコン膜除去液に前記リン酸溶液を補充することで行
われることを特徴とする請求項３記載の半導体製造装
置。 - 【請求項５】 前記窒化シリコン膜除去液の交換が、窒
化シリコン膜除去液貯蔵槽に貯蔵された前記窒化シリコ
ン膜除去液と、リン酸溶液貯蔵槽に貯蔵された前記リン
酸溶液とを混合することによって行われることを特徴と
する請求項３記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14103693A JPH06349808A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 窒化シリコン膜除去液およびそれを用いた半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14103693A JPH06349808A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 窒化シリコン膜除去液およびそれを用いた半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349808A true JPH06349808A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15282744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14103693A Pending JPH06349808A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 窒化シリコン膜除去液およびそれを用いた半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349808A (ja) |
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