JP2005302134A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 書込み、消去時に実行状態を格納するnビットのステータスレジスタをnビット毎に繰り返し、前記メモリアレイからデータを読み出すセンスアンプからのデータと切り替えて前記出力データバスに出力する切り替え回路を具備することでホストシステムは特別なアドレスの変換をすることなくステータスデータの確認が可能になる。
【選択図】 図5
Description
JEDEC Standard,No.21−C,p.3.5.3
説明を簡略化するため、入力データバスが8ビット、出力データバスが64ビットであり、書込みは8ビット毎、読み出しは64ビット毎で行われる不揮発性半導体記憶装置を例に挙げ説明する。
説明を簡略化するため、入力データバスが8ビット、出力データバスが64ビットであり、書込みは8ビット毎、読み出しは64ビットで行われる不揮発性半導体記憶装置を例に挙げ説明する。
102 ホストシステム
103 キャッシュメモリ
201 コマンドインターフェース
202 制御回路
203 ステータスレジスタ
204 電圧発生回路
205 デコーダ
206 メモリアレイ
207 センスアンプ
208 データ切り替え回路
301 コマンドインターフェース
302 制御回路
303 ステータスレジスタ
304 電圧発生回路
305 デコーダ
306 メモリアレイ
307 センスアンプ
308 データ切り替え回路
401 センスアンプ
402 ステータスレジスタ
403 トライステートゲート
404 トライステートゲート
501 センスアンプ
502 ステータスレジスタ
503 トライステートゲート
504 トライステートゲート
505 データバス制御回路
506 出力モードデコーダ
Claims (5)
- 不揮発性メモリセルを有するメモリアレイと、前記メモリアレイへの書込み消去を制御する書き換え制御回路と、前記メモリアレイの書込みデータを入力するnビットの入力データバス(nは正の整数)と、前記メモリアレイの読み出しデータを出力するn*(m+1)ビットの出力データバス(mは正の整数)と、前記書き換え制御回路には書込み消去のシーケンス状態を格納するnビットのステータスレジスタを備え、前記出力データバスには前記ステータスレジスタの出力と前記メモリアレイの読み出しデータを選択的に出力する切り替え回路を備え、前記ステータスレジスタの出力は、前記メモリアレイからデータを読み出すセンスアンプからの読み出しデータと切り替えて前記出力データバスにnビット毎に繰り返して出力することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 前記出力データバスのビット幅は配線層より形成された第一の制御信号により、選択的に切り替え可能な請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記データバスのビット幅は第二の制御信号により、第一の制御信号により設定された前記データバスの幅を特定値に強制的に固定することが可能な請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記出力データバスのビット幅は内部に設けられたレジスタにより形成される第三の制御信号により、前記第一の制御信号、前記第二の制御信号により設定された前記データバスの幅にかかわらず、選択的に変更可能な請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記データバス幅は2のベキ乗の幅に変更でき、未使用のデータバスの出力は所望の固定値に固定されることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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