JP2005277221A - Euvリソグラフィー用マスク基板の構造及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ガラス基板上に40層の反射層を形成する場合、20層までは、平坦化効果が大きい条件で成膜し、21層以上は、平坦化効果がない条件で成膜する。これにより、下層部の欠陥の空間像への影響をなくすことができるとともに、最上層の反射層の可視光検査結果と空間像良否の結果とを一致させることができる。
【選択図】 図6
Description
近年、EUVリソグラフィー用マスク基板100の製造工程において、欠陥上に反射層を積層させる際に、成膜条件を設定することにより、欠陥上の層を薄層化し、層表面を平坦化する技術が検討されている。
図1(d)に示すように、EUVリソグラフィー用マスク基板100は、基板102と、その上に形成された所定数の複数の第一の反射層104と、さらにその上に形成された複数の第二の反射層106とを含む。本実施の形態において、第一の反射層104は、基板102上等にある欠陥(突起)の影響をなくすような平坦化効果を有する条件で形成される。一方、第二の反射層106は、このような平坦化効果を有しない条件で形成される。
(1)平坦化効果なし(全層にわたって膜厚が6.95nm)、
(2)平坦化効果弱(下から40層目で欠陥が平坦化される条件)、
(3)平坦化効果中(下から20層目で欠陥が平坦化される条件)、
(4)平坦化効果強(下から10層目で欠陥が平坦化される条件)、
とした。
(1)ガラス基板直上、
(2)Mo/Si層下から10層目上、
(3)Mo/Si層下から20層目上、
(4)Mo/Si層下から30層目上、
に形成されている場合について調べた。
(i)平坦化効果弱(40層目で欠陥が平坦化される条件)、
(ii)平坦化効果中(20層目で欠陥が平坦化される条件)、
(iii)平坦化効果強(10層目で欠陥が平坦化される条件)、
とした。
図7(a)は、本実施の形態におけるEUVリソグラフィー用マスク基板200の構成を示す図である。EUVリソグラフィー用マスク基板200は、基板202と、その上に形成された複数の反射層204とを含む。EUVリソグラフィー用マスク基板200は、所定のピーク露光波長のEUV光を露光するEUV露光装置に用いられる。
図10は、基板202上に高さh1=10nmの欠陥が存在する場合に、反射層204の膜厚d1を6.95nmとして、領域Bにおける反射層204の膜厚d2を6.95nmから0.03nmずつ縮小させた際の光強度シミュレーションの結果を示す図である。ここでは、露光波長を13.5nmとして計算した。
102 基板
104 第一の反射層
106 第二の反射層
110 異物
200 EUVリソグラフィー用マスク基板
202 基板
204 反射層
210 異物
Claims (12)
- 基板上に、EUV光を反射する反射層を複数積層してEUVリソグラフィー用マスク基板を製造する方法であって、
前記基板上に、所定のエッチング作用を有する第一の条件で反射層を所定数形成する第一の工程と、
前記所定数の反射層上に、エッチング作用が前記第一の条件より弱い第二の条件により、反射層をさらに複数形成する第二の工程と、
を含むことを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法。 - 請求項1に記載のEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法において、
前記第一の工程は、成膜ガスを用いて反射層を形成する工程と、前記反射層をエッチングにより一部除去する工程と、
を含むことを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法。 - 請求項1または2に記載のEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法において、
前記第一の工程において、イオンビームアシストスパッタリング法により前記反射層を形成することを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法。 - 基板上にEUV光を反射する反射層を複数積層したEUVリソグラフィー用マスク基板であって、
基板と、
前記基板上に形成された所定数の第一の反射層と、
前記所定数の第一の反射層上に形成された複数の第二の反射層と、
を含み、
前記第一の反射層は、薄層領域を有し、当該薄層領域において、その積層方向の膜厚が、前記第二の反射層の膜厚よりも薄いことを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板。 - 請求項4に記載のEUVリソグラフィー用マスク基板において、
前記基板上または前記第一の反射層中に、積層方向に突起した部位を含み、
前記薄層領域は、前記部位上に設けられたことを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板。 - 所定の露光波長のEUV光を露光するEUV露光装置で用いられるEUVリソグラフィー用マスク基板であって、
基板と、
前記基板上に形成された複数の反射層と、
を含み、
前記反射層の膜厚は、当該膜厚に固有のEUV反射光が最大になるピーク波長が、前記EUV露光装置における露光波長よりも0.05nm以上の範囲で長くなるように形成されたことを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板。 - 請求項6に記載のEUVリソグラフィー用マスク基板において、
前記反射層の膜厚は、当該膜厚に固有のEUV反射光が最大になるピーク波長が、前記EUV露光装置おける露光波長よりも0.15nm以下の範囲で長くなるように形成されたことを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板。 - 請求項6または7に記載のEUVリソグラフィー用マスク基板において、
前記基板上または前記反射層中に異物を含み、
前記複数の反射層は、前記異物の上または上下の領域において、積層方向の膜厚が、他の領域よりも薄く形成された薄層領域を含み、
前記薄層領域の前記反射膜の膜厚は、当該膜厚に固有のEUV反射光が最大になるピーク波長が、前記EUV露光装置における露光波長よりも短くなるように形成されたことを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板。 - 請求項8に記載のEUVリソグラフィー用マスク基板において、
前記反射層が、高融点金属層とシリコン層とからなり、
前記薄層領域において、前記反射層の高融点金属層とシリコン層との境界部分がシリサイド化していることを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板。 - 所定の露光波長のEUV光を露光するEUV露光装置で用いられ、基板上に前記EUV光を反射する反射層を複数積層したEUVリソグラフィー用マスク基板を製造する方法であって、
反射層の積層方向における膜厚が、当該膜厚に固有のEUV反射光が最大になるピーク波長が、前記EUV露光装置おける露光波長よりも0.05nm以上の範囲で長くなるように前記反射層の膜厚を決定する工程と、
基板上に、前記膜厚を決定する工程で決定された膜厚の反射層を複数形成する工程と、
を含むことを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法。 - 請求項10に記載のEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法において、
前記膜厚を決定する工程において、当該膜厚に固有のEUV反射光が最大になるピーク波長が、前記EUV露光装置おける露光波長よりも0.15nm以下の範囲で長くなるように前記反射層の膜厚を決定することを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法。 - 請求項9乃至11いずれかに記載のEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法において、
前記反射層を形成する工程の後に、前記反射層の上部から、部分的に電子ビームを照射して、当該電子ビームの照射領域下方における前記反射層の膜厚を他の領域の膜厚よりも薄くする工程をさらに含むことを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法。
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