JP2005277052A - パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005277052A JP2005277052A JP2004087419A JP2004087419A JP2005277052A JP 2005277052 A JP2005277052 A JP 2005277052A JP 2004087419 A JP2004087419 A JP 2004087419A JP 2004087419 A JP2004087419 A JP 2004087419A JP 2005277052 A JP2005277052 A JP 2005277052A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- pattern
- substrate
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】現像液供給後、現像液をリンス液に置換する。リンス液を水溶性シリコーン溶液16に置換する。水溶性シリコーン溶液16中の溶剤を除去し、水溶性シリコーン膜17を形成する。水溶性シリコーン膜17の上面を後退させ、レジストパターン13の上面を露出させる。レジストパターン13を選択除去し、マスクパターン17を形成する。
【選択図】 図2
Description
σ=6γcosθ/D×(H/W)2 …(1)
と表される。この問題の解決方法として、最も有効であるのはレジストの薄膜化であるが、基板加工の観点からもはや限界に達しつつある。近年では、この限界からさらに薄くすべく、三層レジストプロセスやハードマスクプロセスなどが使用されているが、やはり薄膜化に限界があることに変わりはなく、本質的な解決は出来ていない。
σ=6γcosθ/(P−W)×(H/W)2 …(2)
となる。ここで、垂直応力σのライン幅W依存性は、
∂σ/∂W=−6γcosθ×(2PW2−3W2)/(PW2−W3)2 …(3)
となるので、W=2P/3の時、つまりライン幅対スペース幅が2:1の時に、垂直応力が極小値をとることが分かる。つまり、同じピッチの場合、2:1よりも細くラインを仕上げる時ほどリンス液乾燥時のパターン倒れが起きやすいのである。この問題は、パターンピッチが微細になるほど、また、シュリンクプロセスによるシュリンク量が大きくなるほど顕著な問題となる。
H.Namatsu et al.,Appl.Phys.Lett.66,2655(1955)
図1及び図2は、本発明の第2の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す断面図である。
以下、本発明の一実施形態を図3及び図4を用いて説明する。図3及び図4は、本発明の第2の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す断面図である。
Claims (7)
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に潜像を形成するために、前記レジスト膜にエネルギー線を選択照射する工程と、
前記潜像が形成された前記レジスト膜からレジストパターンを形成するために、前記レジスト膜上に現像液を供給する工程と、
前記基板上の現像液をリンス液に置換するために、前記基板上に前記リンス液を供給する工程と、
前記基板上のリンス液の少なくとも一部を溶媒と前記レジスト膜と異なる溶質とを含む塗布膜用材料に置換するために、前記基板上に前記塗布膜用材料を供給する工程と、
前記基板上にレジスト膜を覆う塗布膜を形成するために、前記塗布膜用材料中の溶媒を揮発させる工程と、
前記レジストパターン上面の少なくとも一部分を露出させる及び前記塗布膜で構成されたマスクパターンを形成するために、前記塗布膜の表面の少なくとも一部分を後退させる工程と、
前記マスクパターンを用いて前記基板を加工する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に潜像を形成するために、前記レジスト膜にエネルギー線を選択照射する工程と、
前記潜像が形成された前記レジスト膜からレジストパターンを形成するために、前記レジスト膜上に現像液を供給する工程と、
前記レジスト膜上の現像液の少なくとも一部を、溶媒と前記レジスト膜と異なる溶質とを含む塗布膜用材料に置換するために、前記レジスト膜上に前記塗布膜用材料を供給する工程と、
前記基板上に前記レジストパターンを覆う塗布膜を形成するために、前記塗布膜用材料中の溶媒を揮発させる膜を形成する工程と、
前記レジストパターン上面の少なくとも一部分を露出させて前記塗布膜で構成されたマスクパターンを形成するために、前記塗布膜の表面の少なくとも一部分を後退させる工程と、
前記マスクパターンを用いて前記基板を加工する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記塗布膜の酸素プラズマによるエッチングレートは、前記レジスト膜の酸素プラズマによるエッチングレートより低いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記塗布膜用材料は、水溶性シリコーンであることを特徴とする請求項1または請求項2記載のパターン形成方法。
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に潜像を形成するために、レジスト膜にエネルギー線を選択照射する工程と、
前記潜像が形成された前記レジスト膜からレジストパターンを形成するために、前記レジスト膜上に現像液を供給する工程と、
前記基板上の現像液をリンス液に置換するために、前記基板上に前記リンス液を供給する工程と、
前記基板上のリンス液の少なくとも一部を溶媒と前記レジスト膜と異なる溶質とを含む塗布膜形成用材料に置換するために、前記基板上に前記塗布膜形成用材料を供給する工程と、
前記基板上にレジスト膜を覆う塗布膜を形成するために、前記塗布膜形成用材料中の溶媒を揮発させる膜を形成する工程と、
前記レジスト膜と前記塗布膜との界面に反応層を形成する工程と、
前記基板上に前記レジストパターンと反応層とが積層されたマスクパターンを形成するために、前記塗布膜を選択除去する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に潜像を形成するために、レジスト膜にエネルギー線を選択照射する工程と、
前記潜像が形成された前記レジスト膜からレジストパターンを形成するために、前記レジスト膜上に現像液を供給する工程と、
前記基板上の現像液の少なくとも一部を、溶媒と前記レジスト膜と異なる溶質とを含む塗布膜用材料に置換するために、前記基板上に前記塗布膜用材料を供給する工程と、
前記基板上にレジスト膜を覆う塗布膜を形成するために、前記塗布膜用材料中の溶媒を揮発させる膜を形成する工程と、
前記レジスト膜と前記塗布膜との界面に反応層を形成する工程と、
前記基板上に前記レジストパターンと反応層とが積層されたマスクパターンを形成するために、前記塗布膜を選択除去する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1〜請求項6の何れかに記載のパターン形成方法を用いて、半導体装置の製造過程の途中の半導体ウエハ上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクに前記半導体ウエハを加工する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004087419A JP4016009B2 (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US11/081,579 US20050214695A1 (en) | 2004-03-24 | 2005-03-17 | Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device |
TW094108797A TWI266357B (en) | 2004-03-24 | 2005-03-22 | Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device |
CNA2005100569757A CN1673873A (zh) | 2004-03-24 | 2005-03-24 | 图形形成方法和半导体器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004087419A JP4016009B2 (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005277052A true JP2005277052A (ja) | 2005-10-06 |
JP4016009B2 JP4016009B2 (ja) | 2007-12-05 |
Family
ID=34990362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004087419A Expired - Fee Related JP4016009B2 (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050214695A1 (ja) |
JP (1) | JP4016009B2 (ja) |
CN (1) | CN1673873A (ja) |
TW (1) | TWI266357B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007019161A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン形成方法及び被膜形成装置 |
US7638267B2 (en) | 2005-09-06 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device |
JP2010520639A (ja) * | 2007-03-05 | 2010-06-10 | マイクロン テクノロジー, インク. | 半導体構造、複数のラインを形成する方法、および高密度構造と低密度構造を単一フォトマスクで形成する方法 |
WO2012128251A1 (ja) | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 日産化学工業株式会社 | ポリマー含有現像液 |
JP2015023172A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理用記録媒体 |
WO2015025665A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | 日産化学工業株式会社 | レジストパターンに塗布される塗布液及び反転パターンの形成方法 |
KR20160125966A (ko) | 2014-02-26 | 2016-11-01 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 레지스트 패턴에 도포되는 폴리머 함유 도포액 |
KR20180011048A (ko) | 2015-05-25 | 2018-01-31 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 레지스트 패턴 도포용 조성물 |
KR20190059893A (ko) | 2016-10-04 | 2019-05-31 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 용제치환법을 이용한 레지스트패턴 도포용 조성물의 제조방법 |
KR20210150407A (ko) | 2019-03-29 | 2021-12-10 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트패턴 메탈화 프로세스용 조성물 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7417469B2 (en) * | 2006-11-13 | 2008-08-26 | International Business Machines Corporation | Compensation for leakage current from dynamic storage node variation by the utilization of an automatic self-adaptive keeper |
JP2013172082A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Toshiba Corp | パターン形成方法、半導体装置の製造方法および塗布装置 |
CN109074002A (zh) * | 2016-03-30 | 2018-12-21 | 日产化学株式会社 | 抗蚀剂图案被覆用水溶液以及使用了该水溶液的图案形成方法 |
KR102628534B1 (ko) * | 2016-09-13 | 2024-01-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 기판의 처리 방법 |
US20220344156A1 (en) * | 2021-04-23 | 2022-10-27 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Method for fabricating semiconductor structure |
CN115241047A (zh) * | 2021-04-23 | 2022-10-25 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6221562B1 (en) * | 1998-11-13 | 2001-04-24 | International Business Machines Corporation | Resist image reversal by means of spun-on-glass |
US6329124B1 (en) * | 1999-05-26 | 2001-12-11 | Advanced Micro Devices | Method to produce high density memory cells and small spaces by using nitride spacer |
JP3343341B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2002-11-11 | ティーディーケイ株式会社 | 微細パターン形成方法及びそれに用いる現像/洗浄装置、及びそれを用いためっき方法、及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JP3848070B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2006-11-22 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2004103926A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Renesas Technology Corp | レジストパターン形成方法とそれを用いた半導体装置の製造方法およびレジスト表層処理剤 |
KR100493029B1 (ko) * | 2002-10-26 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
TWI281690B (en) * | 2003-05-09 | 2007-05-21 | Toshiba Corp | Pattern forming method, and manufacturing method for semiconductor using the same |
US7119025B2 (en) * | 2004-04-08 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of eliminating pattern collapse on photoresist patterns |
-
2004
- 2004-03-24 JP JP2004087419A patent/JP4016009B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-17 US US11/081,579 patent/US20050214695A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-22 TW TW094108797A patent/TWI266357B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-24 CN CNA2005100569757A patent/CN1673873A/zh active Pending
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007019161A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン形成方法及び被膜形成装置 |
US7638267B2 (en) | 2005-09-06 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device |
JP2010520639A (ja) * | 2007-03-05 | 2010-06-10 | マイクロン テクノロジー, インク. | 半導体構造、複数のラインを形成する方法、および高密度構造と低密度構造を単一フォトマスクで形成する方法 |
WO2012128251A1 (ja) | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 日産化学工業株式会社 | ポリマー含有現像液 |
US9753369B2 (en) | 2011-03-24 | 2017-09-05 | Nissan Chemical Idustries, Ltd. | Polymer-containing developer |
JP2015023172A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理用記録媒体 |
US9632414B2 (en) | 2013-08-23 | 2017-04-25 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Coating liquid to be applied to resist pattern and method for forming reverse pattern |
JPWO2015025665A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2017-03-02 | 日産化学工業株式会社 | レジストパターンに塗布される塗布液及び反転パターンの形成方法 |
WO2015025665A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | 日産化学工業株式会社 | レジストパターンに塗布される塗布液及び反転パターンの形成方法 |
KR20190089226A (ko) | 2013-08-23 | 2019-07-30 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트 패턴에 도포되는 도포액 및 반전패턴의 형성방법 |
KR20160125966A (ko) | 2014-02-26 | 2016-11-01 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 레지스트 패턴에 도포되는 폴리머 함유 도포액 |
US10025191B2 (en) | 2014-02-26 | 2018-07-17 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Polymer-containing coating liquid applied to resist pattern |
KR20180011048A (ko) | 2015-05-25 | 2018-01-31 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 레지스트 패턴 도포용 조성물 |
US10558119B2 (en) | 2015-05-25 | 2020-02-11 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for coating resist pattern |
KR20190059893A (ko) | 2016-10-04 | 2019-05-31 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 용제치환법을 이용한 레지스트패턴 도포용 조성물의 제조방법 |
US11531269B2 (en) | 2016-10-04 | 2022-12-20 | Nissan Chemical Corporation | Method for producing resist pattern coating composition with use of solvent replacement method |
KR20210150407A (ko) | 2019-03-29 | 2021-12-10 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트패턴 메탈화 프로세스용 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4016009B2 (ja) | 2007-12-05 |
US20050214695A1 (en) | 2005-09-29 |
TWI266357B (en) | 2006-11-11 |
CN1673873A (zh) | 2005-09-28 |
TW200540972A (en) | 2005-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20050214695A1 (en) | Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device | |
US6566280B1 (en) | Forming polymer features on a substrate | |
JP4890524B2 (ja) | リソグラフィパターンの形成方法 | |
US6416933B1 (en) | Method to produce small space pattern using plasma polymerization layer | |
US20070202697A1 (en) | Method for forming fine pattern of semiconductor device | |
WO2009096371A1 (ja) | 微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法 | |
KR20140002739A (ko) | 개선된 측벽 이미지 전사 프로세스 | |
US8268535B2 (en) | Pattern formation method | |
JP2008306144A (ja) | パターン形成方法 | |
JP4302065B2 (ja) | パターン形成方法 | |
US20090298291A1 (en) | Method for forming a pattern of a semiconductor device | |
JP2009302143A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008066467A (ja) | パターン形成方法 | |
JP2010156819A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI515768B (zh) | 微影圖案化方法及雙重圖案化方法 | |
JP2009139695A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5164446B2 (ja) | 半導体素子の微細パターン形成方法 | |
JP4512979B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5007084B2 (ja) | レジストフロー工程及びコーティング処理工程を含む半導体素子の製造方法 | |
KR100902100B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 | |
US8389402B2 (en) | Method for via formation in a semiconductor device | |
JP2006186020A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010010270A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100673099B1 (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성 방법 | |
JP2009094146A (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070416 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070911 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070914 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |