JP2005249547A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. 第１および第２のレーザ光を出射する半導体レーザと光検出器とを備える半導体レーザジャイロであって、
   前記光検出器は、前記第１および第２のレーザ光によって干渉縞が形成される位置に配置されており、
   前記半導体レーザは、活性層と前記活性層にキャリアを注入するための第１および第２の電極とを備え、
   前記第１のレーザ光は、前記活性層内において多角形の経路上を周回するレーザ光（Ｌ１）の一部が出射されたレーザ光であり、
   前記第２のレーザ光は、前記経路上を前記レーザ光（Ｌ１）とは逆の方向に周回するレーザ光（Ｌ２）の一部が出射されたレーザ光である半導体レーザジャイロ。
2. 前記活性層の平面形状が環状ではない請求項１に記載の半導体レーザジャイロ。
3. 前記多角形の経路は菱形の経路であり、
   前記活性層は、前記菱形の経路の第１から第４の角部に対応する位置に形成された第１から第４の端面を有する請求項１または２に記載の半導体レーザジャイロ。
4. 前記第１および第２の電極から選ばれる少なくとも１つの電極と前記半導体レーザを構成する半導体層とが、前記菱形の経路に沿って接触する請求項３に記載の半導体レーザジャイロ。
5. 前記菱形の経路の対向する前記第１および第２の角部の内角は、前記第３および第４の角部の内角よりも角度が小さく、
   前記第１および第２のレーザ光はともに前記第１の角部に対応する位置に形成された前記第１の端面から出射される請求項３に記載の半導体レーザジャイロ。
6. 前記第１の角部と前記第２の角部とを結ぶ対角線と、前記第１および第２のレーザ光とが非平行である請求項５に記載の半導体レーザジャイロ。
7. 前記活性層は、前記レーザ光（Ｌ１）および前記レーザ光（Ｌ２）が前記第３および第４の端面において全反射する条件を満たす請求項５に記載の半導体レーザジャイロ。
8. 前記第１および第２の端面は、それぞれ、外側に凸の曲面である請求項５に記載の半導体レーザジャイロ。
9. 前記活性層は、前記菱形の経路を含む第１の領域と、前記第１の領域に隣接する第２の領域とを含み、
   前記第１の領域の平面形状は長方形の短辺を外側に凸の曲面とした形状である請求項８に記載の半導体レーザジャイロ。
10. 前記第１の領域と前記第２の領域とによって構成される前記活性層の平面形状が略Ｈ字状である請求項９に記載の半導体レーザジャイロ。
11. 前記第１の角部と前記第２の角部とを結ぶ対角線に平行な方向における前記第２の領域の長さＬｓ（μｍ）と、前記第１の角部と前記第２の角部との距離Ｌ（μｍ）とが、Ｌ／４＜Ｌｓを満たす請求項１０に記載の半導体レーザジャイロ。
12. 前記光検出器が複数の受光素子を備える請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体レーザジャイロ。
13. 前記半導体レーザと前記光検出器とが、モノリシックに形成されている請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体レーザジャイロ。
14. 前記半導体レーザと前記光検出器とが同じ積層構造を有する請求項１３に記載の半導体レーザジャイロ。
15. レンズをさらに備え、
    前記光検出器は、前記レンズを透過した前記第１および第２のレーザ光によって干渉縞が形成される位置に配置されている請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体レーザジャイロ。
16. 前記半導体レーザと前記レンズとがモノリシックに形成されている請求項１５に記載の半導体レーザジャイロ。
17. 前記半導体レーザの半導体層と前記レンズとが同じ積層構造を有する請求項１６に記載の半導体レーザジャイロ。
18. プリズムをさらに備え、
    前記光検出器は、前記プリズムを透過した前記第１および第２のレーザ光によって干渉縞が形成される位置に配置されている請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体レーザジャイロ。
19. 前記半導体レーザと前記プリズムとがモノリシックに形成されている請求項１８に記載の半導体レーザジャイロ。
20. 前記半導体レーザの半導体層と前記プリズムとが同じ積層構造を有する請求項１９に記載の半導体レーザジャイロ。
21. 前記半導体レーザと前記プリズムと前記光検出器とがモノリシックに形成されている請求項１８に記載の半導体レーザジャイロ。
22. 前記半導体レーザの半導体層と前記プリズムと前記光検出器の半導体層とが同じ積層構造を有する請求項２１に記載の半導体レーザジャイロ。
23. 前記半導体レーザが、前記活性層を挟むように配置された２つのクラッド層を含み、
    前記２つのクラッド層のそれぞれが、前記活性層の平面形状と同じ平面形状を有する請求項１に記載の半導体レーザジャイロ。