JP2010147321A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
Claims (14)
- 第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第2クラッド層と、
を含み、
前記活性層は、第1側面と、前記第1側面に平行な第2側面と、を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、利得領域を構成し、
前記利得領域は、前記第1側面に構成された第1端面、ならびに、前記第1クラッド層、前記活性層及び前記第2クラッド層の積層方向からの平面視において、前記第2側面よりも内側の位置に前記第1側面に対して傾いて構成される第2端面、を有し、前記積層方向からの平面視において、前記第2端面の法線方向に沿って前記第1端面と前記第2端面とを接続して構成され、
前記第2端面には、前記利得領域で生じる光を反射する反射部が設けられ、
前記第1端面は、前記利得領域で生じる光、及び、前記利得領域で生じる光が前記反射部で反射された光、を出射する、発光装置。 - 請求項1において、
前記反射部は、分布ブラッグ反射型ミラーである、発光装置。 - 請求項1において、
前記反射部は、所定の間隔で配置された複数の溝部で構成されている、発光装置。 - 請求項3において、
前記溝部は、前記積層方向からの平面視において、矩形であり、
前記溝部の対向する1組の辺は、前記第2端面に対して平行である、発光装置。 - 請求項3または4において、
前記溝部の底面の位置は、前記活性層の下面の位置より下に設けられている、発光装置。 - 請求項3または4において、
前記溝部の底面の位置は、前記活性層の上面の位置より上に設けられている、発光装置。 - 請求項1において、
前記反射部は、前記第2端面の法線方向に、第1の屈折率を有する層と前記第1の屈折率よりも低い屈折率を有する層とが交互に積層されて構成されている、発光装置。 - 請求項1において、
前記反射部は、金属ミラーである、発光装置。 - 請求項1乃至8のいずれかにおいて、
前記第1端面には、前記利得領域で生じる光に対する反射率を低減する層が設けられている、発光装置。 - 請求項1乃至9のいずれかにおいて、
前記利得領域は、前記第1側面の法線方向から見て、前記第1端面と前記第2端面とは、重なっていない、発光装置。 - 請求項1乃至10のいずれかにおいて、
前記第1クラッド層と前記第2クラッド層のうち、一方は第1導電型の半導体であり、他方は第2導電型の半導体である、発光装置。 - 請求項1乃至11のいずれかにおいて、
前記利得領域は、前記積層方向からの平面視にて、所定の幅を有する帯状の形状である、発光装置。 - 請求項1乃至12のいずれかにおいて、
前記利得領域は、複数設けられている、発光装置。 - 請求項1乃至13のいずれかにおいて、
前記第1クラッド層に電気的に接続された第1電極と、
前記第2クラッド層に電気的に接続された第2電極と、
を含む、発光装置。
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