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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4754848B2 (ja) * 2004-03-03 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2007129007A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Hitachi Ltd 有機半導体膜を有する半導体装置の製造方法
JP5230597B2 (ja) * 2006-03-29 2013-07-10 プラスティック ロジック リミテッド 自己整合電極を有する電子デバイス
KR101246718B1 (ko) * 2006-05-12 2013-03-25 엘지디스플레이 주식회사 감광성의 금속 패이스트를 이용한 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법
TWI858965B (zh) 2006-05-16 2024-10-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
CN100444009C (zh) * 2006-07-25 2008-12-17 友达光电股份有限公司 阵列基板的形成方法
JP2008177253A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Sharp Corp 電子デバイスの製造方法、レジストパターン形成システム、電子デバイス、及び薄膜トランジスタ
CN100464404C (zh) * 2007-01-30 2009-02-25 友达光电股份有限公司 像素结构的制作方法
JP6258569B2 (ja) * 2008-08-04 2018-01-10 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 薄膜トランジスタ用のハイブリッド誘電体材料
US7977151B2 (en) * 2009-04-21 2011-07-12 Cbrite Inc. Double self-aligned metal oxide TFT
JP2012023285A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Seiko Instruments Inc 感光性塗布型電極材料を用いたｔｆｔの製造方法
CN102185575A (zh) * 2010-12-31 2011-09-14 苏州普锐晶科技有限公司 频率片保护玻璃的去除方法
JP5960430B2 (ja) * 2011-12-23 2016-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9276121B2 (en) * 2012-04-12 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN103395307B (zh) * 2013-07-29 2015-09-09 电子科技大学 一种片式电子元器件内电极的制备方法
JP6073825B2 (ja) * 2014-02-24 2017-02-01 日本電信電話株式会社 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661257A (ja) * 1992-08-05 1994-03-04 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2000258921A (ja) * 1999-03-10 2000-09-22 Canon Inc パターン形成方法およびその形成パターン
JP4250345B2 (ja) * 2000-02-08 2009-04-08 キヤノン株式会社 導電性膜形成用組成物、導電性膜の形成方法および画像形成装置の製造方法
JP2002118118A (ja) * 2000-07-10 2002-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2003058077A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Fuji Photo Film Co Ltd ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法
KR100878236B1 (ko) * 2002-06-12 2009-01-13 삼성전자주식회사 금속 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조 방법

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