JP2005236003A5 - - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 7
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 229910001029 Hf alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RVYOQIHOUTVEKU-UHFFFAOYSA-N aluminum hafnium Chemical compound [Al].[Hf] RVYOQIHOUTVEKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004042849A JP2005236003A (ja) | 2004-02-19 | 2004-02-19 | 抵抗変化型不揮発性メモリ、抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法、記録方法、再生方法、消去方法、抵抗変化材料微細構造体および抵抗変化材料微細構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004042849A JP2005236003A (ja) | 2004-02-19 | 2004-02-19 | 抵抗変化型不揮発性メモリ、抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法、記録方法、再生方法、消去方法、抵抗変化材料微細構造体および抵抗変化材料微細構造体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005236003A JP2005236003A (ja) | 2005-09-02 |
| JP2005236003A5 true JP2005236003A5 (https=) | 2006-10-05 |
Family
ID=35018642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004042849A Pending JP2005236003A (ja) | 2004-02-19 | 2004-02-19 | 抵抗変化型不揮発性メモリ、抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法、記録方法、再生方法、消去方法、抵抗変化材料微細構造体および抵抗変化材料微細構造体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005236003A (https=) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4231502B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | クロスポイント構造の半導体記憶装置 |
| KR100846502B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2008-07-17 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리소자 및 그 제조방법 |
| WO2008132899A1 (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Nec Corporation | 抵抗変化素子及び該抵抗変化素子を含む半導体装置 |
| JP5215741B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-06-19 | シャープ株式会社 | 可変抵抗素子 |
| US8008213B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-08-30 | Sandisk 3D Llc | Self-assembly process for memory array |
| WO2010095296A1 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | 株式会社村田製作所 | 抵抗記憶素子およびその使用方法 |
| WO2010095295A1 (ja) | 2009-02-20 | 2010-08-26 | 株式会社村田製作所 | 抵抗記憶素子およびその使用方法 |
| CN101593810B (zh) * | 2009-07-02 | 2011-04-06 | 黑龙江大学 | 纳米结构开关忆阻器及其制造方法 |
| US8946672B2 (en) | 2009-11-11 | 2015-02-03 | Nec Corporation | Resistance changing element capable of operating at low voltage, semiconductor device, and method for forming resistance change element |
| JP5724529B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法、強誘電体素子の製造方法および電子機器の製造方法 |
| CN102522418B (zh) * | 2011-12-29 | 2013-09-11 | 北京大学 | 具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器及制备方法 |
| JP2015015425A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
| JP6169023B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2017-07-26 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリ |
| US9305974B1 (en) * | 2015-04-16 | 2016-04-05 | Stmicroelectronics, Inc. | High density resistive random access memory (RRAM) |
| US10319907B1 (en) | 2018-03-16 | 2019-06-11 | 4D-S, Ltd. | Resistive memory device having a template layer |
| CN108389964B (zh) * | 2018-04-03 | 2021-05-25 | 集美大学 | 以纳米遮蔽层进行离子定位注入的阻变存储器制备方法 |
| CN111701588A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-09-25 | 昆明理工大学 | 一种贵金属纳米多孔材料及其制备方法和应用 |
| CN119751125B (zh) * | 2024-12-27 | 2025-09-19 | 广东新巨微电子有限公司 | 一种高介电常数陶瓷基片及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1153434A1 (en) * | 1999-02-17 | 2001-11-14 | International Business Machines Corporation | Microelectronic device for storing information and method thereof |
| JP2004502554A (ja) * | 2000-03-22 | 2004-01-29 | ユニバーシティー オブ マサチューセッツ | ナノシリンダー・アレイ |
| JP2001278700A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Canon Inc | ナノ構造体、その製造方法および磁気デバイス |
-
2004
- 2004-02-19 JP JP2004042849A patent/JP2005236003A/ja active Pending
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