JP2005235374A - メモリ装置及びメモリシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1周波数成分を有する第1信号を受信する第1ピンに連結される第1ターミネーション装置を含み、前記第1周波数成分より高い第2周波数成分を有する第2信号を受信する第2ピンに連結される第2ターミネーション装置を含むメモリ装置が開示される。前記第1ターミネーション装置は、前記第1ターミネーション装置より少ない信号の歪みを提供する前記第2ターミネーション装置と異なるタイプである。例えば、前記第1ターミネーション装置は、電力消耗が更に少ないオープンドレインタイプのターミネーション装置であり、前記第2ターミネーション装置は、信号の歪みが更に少ないプッシュプルタイプのターミネーション装置である。
【選択図】図5
Description
301 第1ピン
302 第2ピン
311 第1パッド
312 第1信号ライン
313 第1入力バッファ
314 第1ターミネーション装置
320 内部回路
331 第2パッド
332 第2信号ライン
333 第2入力バッファ
334 出力バッファ
335 第2ターミネーション装置
SIG1 第1信号
SIG2 第2信号
CTL 制御信号
VDD 内部電圧
Claims (27)
- メモリ装置であって、
第1周波数成分を有する第1信号を受信する第1ピンに連結される第1ターミネーション装置と、
前記第1周波数成分より高い第2周波数成分を有する第2信号を受信する第2ピンに連結される第2ターミネーション装置と、を備え、
前記第1ターミネーション装置は、前記第2ターミネーション装置と異なるタイプであり、前記第2ターミネーション装置は、前記第1ターミネーション装置よりも少ない信号の歪みを提供することを特徴とするメモリ装置。 - 前記第1ターミネーション装置を有する第1信号ラインを介して第1入出力バッファに連結される第1入出力パッドと、
前記第2ターミネーション装置を有する第2信号ラインを介して第2入出力バッファに連結される第2入出力パッドと、を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記第1ターミネーション装置は、オープンドレインタイプのターミネーション装置であることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記第1ターミネーション装置は、NMOSトランジスタとPMOSトランジスタとのうち1つを含むことを特徴とする請求項3に記載のメモリ装置。
- 前記第2ターミネーション装置は、プッシュプルタイプのターミネーション装置であることを特徴とする請求項3に記載のメモリ装置。
- 前記第2ターミネーション装置は、プッシュプルタイプのターミネーション装置であることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 外部制御信号に応答して、読み出しコマンド信号と書き込みコマンド信号のうち1つを出力するコマンドデコーダを更に備え、
前記コマンドデコーダによって出力される前記読み出しコマンド信号と前記書き込みコマンド信号のうち1つに依存して、前記第2ターミネーション装置がイネーブルまたはディセーブルされることを特徴とする請求項6に記載のメモリ装置。 - 前記第2ターミネーション装置は、前記コマンドデコーダによって前記書き込みコマンド信号が出力される時にターンオンされ、前記コマンドデコーダによって前記読み出しコマンド信号が出力される時にターンオフされるNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項7に記載のメモリ装置。
- 前記第2周波数成分よりも低い第3周波数成分を有する第3信号を受信する第3ピンに連結される第3ターミネーション装置を更に備え、
前記第3ターミネーション装置は、前記第1ターミネーション装置と同じタイプのターミネーション装置であることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 第3信号ラインに連結される前記第3ターミネーション装置を有する前記第3信号ラインを介して第3入出力バッファに連結される第3入出力パッドを更に備えることを特徴とする請求項9に記載のメモリ装置。
- 前記第1信号は外部制御信号であり、前記第2信号はデータ信号であり、前記第3信号はアドレス信号であることを特徴とする請求項9に記載のメモリ装置。
- 前記第1及び第3ターミネーション装置は、オープンドレインタイプのターミネーション装置であることを特徴とする請求項9に記載のメモリ装置。
- 前記第1及び第3ターミネーション装置のそれぞれは、NMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項12に記載のメモリ装置。
- 前記第1及び第3ターミネーション装置のそれぞれは、PMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項12に記載のメモリ装置。
- 前記第1ターミネーション装置はNMOSトランジスタを含み、前記第3ターミネーション装置はPMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項12に記載のメモリ装置。
- 前記第1ターミネーション装置はPMOSトランジスタを含み、前記第3ターミネーション装置はNMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項12に記載のメモリ装置。
- 外部制御信号に応答して、読み出しコマンド信号と書き込みコマンド信号のうち1つを出力するコマンドデコーダを更に備え、
前記第2ターミネーション装置は、前記コマンドデコーダによって出力される前記読み出しコマンド信号と前記書き込みコマンド信号のうち1つに依存してイネーブルまたはディセーブルされることを特徴とする請求項9に記載のメモリ装置。 - 前記第2ターミネーション装置は、プッシュプルタイプのターミネーション装置であることを特徴とする請求項17に記載のメモリ装置。
- 前記第2ターミネーション装置は、前記コマンドデコーダによって前記書き込みコマンド信号が出力される時にターンオンされ、前記コマンドデコーダによって前記読み出しコマンド信号が出力される時にターンオフされるNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項18に記載のメモリ装置。
- 前記メモリ装置は、半導体基板に形成される集積回路であることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- メモリコントローラと、メモリ装置とを備えるメモリシステムであって、
前記メモリ装置は、
前記メモリコントローラから第1周波数成分を有する第1信号を受信するために、前記メモリ装置の第1ピンに連結される第1ターミネーション装置と、
前記メモリコントローラから前記第1周波数成分より高い第2周波数成分を有する第2信号を受信するために、前記メモリ装置の第2ピンに連結される第2ターミネーション装置と、を備え、
前記第1ターミネーション装置は、前記第2ターミネーション装置と異なるタイプであり、前記第2ターミネーション装置は、前記第1ターミネーション装置よりも少ない信号の歪みを提供することを特徴とするメモリシステム。 - 前記メモリ装置は、
第1信号ラインに連結される前記第1ターミネーション装置を有する前記第1信号ラインを介して第1入出力バッファに連結される第1入出力パッドと、
第2信号ラインに連結される前記第2ターミネーション装置を有する前記第2信号ラインを介して第2入出力バッファに連結される第2入出力パッドと、を更に備えることを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。 - 前記メモリ装置は、前記メモリコントローラから前記第1及び第2信号を受信するために、前記第1及び第2信号ラインに連結される内部回路を更に備えることを特徴とする請求項22に記載のメモリシステム。
- 前記第1ターミネーション装置は、オープンドレインタイプのターミネーション装置であることを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。
- 前記第2ターミネーション装置は、プッシュプルタイプのターミネーション装置であることを特徴とする請求項24に記載のメモリシステム。
- 前記第2ターミネーション装置は、プッシュプルタイプのターミネーション装置であることを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。
- 前記第1ターミネーション装置についての前記第1信号は、制御信号とアドレス信号のうち1つであり、前記第2ターミネーション装置についての前記第2信号は、データ信号であることを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。
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