JP2011061393A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、複数の信号線を介してパラレルに送信データを送信するSoC回路100と、送信データを受信するSDRAM回路101と、を備える。SoC回路100は、各信号線に対して設けられ、送信データを出力するためのデータ送信モードと、出力をハイインピーダンスにするためのハイインピーダンスモードと、が切り替わる複数のデータ出力回路203と、データ出力回路203に対して、送信データと予め設定された固定データとのいずれかを選択して出力するデータ選択回路256と、各データ出力回路203において、ハイインピーダンスモードからデータ送信モードへモードが切り替わってから実際に送信データの出力を開始するまでの間、固定データを出力するように制御する制御回路205と、を備える。
【選択図】図2
Description
本発明の実施の形態1について図面を参照して説明する。なお本発明は、複数の信号線を介してパラレルに送信データを送信するデータ送信回路と、送信データを受信するデータ受信回路と、を備え、制御信号によってデータ送信回路からのデータ送信が制御される回路に対して適用可能である。本実施の形態では、SoC(System On Chip)回路とSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)回路とを備え、両回路間で双方向にデータ転送が行われる信号線(以下、単に双方向用信号線と称す)を介してデータ転送が行われる場合を例に説明する。
100 SoC回路
101 SDRAM回路
200 制御信号
201 外部端子
202 バッファ
203 データ出力回路
204 ターミネーション回路
205 制御回路
206 インバータ
207 抵抗
208 抵抗
209 スイッチ
210 スイッチ
230 制御信号
231 制御信号
251 NAND回路
252 AND回路
253 トランジスタ
254 トランジスタ
255 インバータ
256 データ選択回路
257 レジスタ
258 セレクタ
Claims (6)
- 複数の信号線を介してパラレルに送信データを送信するデータ送信回路と、
前記送信データを受信するデータ受信回路と、を備え、
前記データ送信回路は、
前記各信号線に対して設けられ、前記送信データを出力するためのデータ送信モードと、出力をハイインピーダンスにするためのハイインピーダンスモードと、が切り替わる複数のデータ出力回路と、
前記データ出力回路に対して、前記送信データと予め設定された固定データとのいずれかを選択して出力するデータ選択回路と、
前記各データ出力回路において、前記ハイインピーダンスモードから前記データ送信モードへモードが切り替わってから前記送信データの出力を開始するまでの間、前記固定データを出力するように制御する制御回路と、を備えた半導体集積回路。 - 前記データ選択回路は、
前記固定データを出力するレジスタと、
前記制御回路から出力される第1の制御信号に基づいて、前記固定データ及び前記送信データのいずれかを選択し出力するセレクタと、を備えた請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記データ出力回路は、
前記制御回路から出力される第2の制御信号に基づいて、前記データ送信モードと前記ハイインピーダンスモードとが切り替わることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路。 - 前記データ出力回路は、
前記データ送信回路において、前記送信データの送信を行う場合にはデータ送信モードに、前記送信データの送信を行わない場合にはハイインピーダンスモードに、モードが切り替わることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - 前記データ送信回路は、
前記各信号線上に設けられた外部端子のうち、互いに近傍配置された外部端子に供給される前記固定データが互いに異なる電位であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - 前記データ出力回路は、
Pチャネル及びNチャネルMOSトランジスタからなるインバータを有し、
前記ハイインピーダンスモードの場合には、Pチャネル及びNチャネルMOSトランジスタがオフし、前記データ送信モードの場合には、前記送信データ及び前記固定データのいずれかに応じてPチャネル及びNチャネルMOSトランジスタのいずれか一方がオンし他方がオフするように制御されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体集積回路。
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