JP2005209925A - 積層半導体基板 - Google Patents

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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007048346A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Semiconductor light-emitting device with metal support substrate
JP2007273590A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
JP2011035066A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体素子、及び窒化物半導体素子を作製する方法
KR101042417B1 (ko) 2007-07-04 2011-06-16 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Ⅲ족 질화물 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법, 및 램프
WO2011155010A1 (ja) * 2010-06-07 2011-12-15 創光科学株式会社 エピタキシャル成長用テンプレートの作製方法及び窒化物半導体装置
US8093082B2 (en) 2008-03-05 2012-01-10 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Method of fabricating photoelectric device of group III nitride semiconductor and structure thereof
JP2012248656A (ja) * 2011-05-27 2012-12-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
KR20150087294A (ko) 2013-01-23 2015-07-29 우시오덴키 가부시키가이샤 Led 소자
JP5820089B1 (ja) * 2014-08-29 2015-11-24 創光科学株式会社 エピタキシャル成長用テンプレート及びその作製方法、並びに、窒化物半導体装置
WO2017017891A1 (ja) * 2015-07-30 2017-02-02 Dowaエレクトロニクス株式会社 Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2017050439A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 豊田合成株式会社 紫外発光素子およびその製造方法
US20170330995A1 (en) * 2014-12-19 2017-11-16 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting element
US9954138B2 (en) 2014-07-02 2018-04-24 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light emitting element
JP2018074015A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 交和電気産業株式会社 照明装置モジュール
JP2020061473A (ja) * 2018-10-10 2020-04-16 国立大学法人三重大学 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体、及び発光素子

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222771A (ja) * 2000-11-21 2002-08-09 Ngk Insulators Ltd Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
JP2003023220A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Toshiba Corp 窒化物半導体素子
JP2003069159A (ja) * 2001-06-13 2003-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体、その製造方法及び窒化物半導体素子
JP2003303743A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体装置の製造方法及び窒化物半導体基板の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222771A (ja) * 2000-11-21 2002-08-09 Ngk Insulators Ltd Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
JP2003069159A (ja) * 2001-06-13 2003-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体、その製造方法及び窒化物半導体素子
JP2003023220A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Toshiba Corp 窒化物半導体素子
JP2003303743A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体装置の製造方法及び窒化物半導体基板の製造方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007048346A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Semiconductor light-emitting device with metal support substrate
JP2007273590A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
US8674398B2 (en) 2007-07-04 2014-03-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride semiconductor light emitting device and production method thereof, and lamp
KR101042417B1 (ko) 2007-07-04 2011-06-16 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Ⅲ족 질화물 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법, 및 램프
US8093082B2 (en) 2008-03-05 2012-01-10 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Method of fabricating photoelectric device of group III nitride semiconductor and structure thereof
JP2011035066A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体素子、及び窒化物半導体素子を作製する方法
WO2011155010A1 (ja) * 2010-06-07 2011-12-15 創光科学株式会社 エピタキシャル成長用テンプレートの作製方法及び窒化物半導体装置
JP5406985B2 (ja) * 2010-06-07 2014-02-05 創光科学株式会社 エピタキシャル成長用テンプレートの作製方法及び窒化物半導体装置
US8659031B2 (en) 2010-06-07 2014-02-25 Soko Kagaku Co., Ltd. Method of producing template for epitaxial growth and nitride semiconductor device
JP2012248656A (ja) * 2011-05-27 2012-12-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
KR20150087294A (ko) 2013-01-23 2015-07-29 우시오덴키 가부시키가이샤 Led 소자
US9818907B2 (en) 2013-01-23 2017-11-14 Ushio Denki Kabushiki Kaisha LED element
US9954138B2 (en) 2014-07-02 2018-04-24 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light emitting element
JP5820089B1 (ja) * 2014-08-29 2015-11-24 創光科学株式会社 エピタキシャル成長用テンプレート及びその作製方法、並びに、窒化物半導体装置
US20170330995A1 (en) * 2014-12-19 2017-11-16 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting element
TWI680587B (zh) * 2014-12-19 2019-12-21 日商斯坦雷電氣股份有限公司 發光元件
WO2017017891A1 (ja) * 2015-07-30 2017-02-02 Dowaエレクトロニクス株式会社 Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2017034036A (ja) * 2015-07-30 2017-02-09 Dowaエレクトロニクス株式会社 Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US10573783B2 (en) 2015-07-30 2020-02-25 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Group III nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing same
US11024769B2 (en) 2015-07-30 2021-06-01 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Group III nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing same
JP2017050439A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 豊田合成株式会社 紫外発光素子およびその製造方法
JP2018074015A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 交和電気産業株式会社 照明装置モジュール
JP2020061473A (ja) * 2018-10-10 2020-04-16 国立大学法人三重大学 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体、及び発光素子
JP7296614B2 (ja) 2018-10-10 2023-06-23 国立大学法人三重大学 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体、及び発光素子

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