JP5406985B2 - エピタキシャル成長用テンプレートの作製方法及び窒化物半導体装置 - Google Patents
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Description
前記凹凸加工した前記サファイア(0001)基板面に、前記凸部頂部のエッジ部を除く平坦面上にC+軸配向したAlN層が成長するようにC軸配向制御を行って、前記凹凸加工で形成された凹部に堆積するAlN層によって前記凹部に新たな凹部が形成されるように初期AlN層をエピタキシャル成長させ、
前記初期AlN層上に、横方向成長法を用いてAlN(0001)層からなる第1ELO層をエピタキシャル成長させ、
前記新たな凹部の上方に位置する凹部上方領域が、前記初期AlN層の凸部上面から横方向成長した前記第1ELO層によって完全に覆われる前に、前記第1ELO層の成長を停止し、引き続いて、前記第1ELO層上に、横方向成長法を用いてAlxGa1−xN(0001)層(1>x>0)からなる第2ELO層をエピタキシャル成長させ、
前記第1ELO層の上面から横方向成長した前記第2ELO層によって前記凹部上方領域を完全に覆うことを特徴とするエピタキシャル成長用テンプレートの作製方法を提供する。
前記初期AlN層は、前記凸部頂部のエッジ部を除く平坦面上に成長したAlN層がC+軸配向しており、前記凹凸加工で形成された凹部に堆積したAlN層によって前記凹部に新たな凹部が形成され、
前記新たな凹部の上方に位置する凹部上方領域の、前記初期AlN層の凸部頂部から横方向成長した前記第1ELO層に挟まれた下層領域の上面の少なくとも一部が、前記第1ELO層によって覆われず開口しており、前記第1ELO層の上面から横方向成長した前記第2ELO層によって完全に覆われていることを特徴とする窒化物半導体装置を提供する。
図2及び図3に、実施例1及び比較例1のSEM写真を示す。図2は、実施例1の第2ELO層5を成膜した後(a)とKOHアルカリ液でエッチング処理した後(b)の俯瞰図であり、図3は、比較例1の第2ELO層5を成膜した後(a)とKOHアルカリ液でエッチング処理した後(b)の俯瞰図である。実施例1と比較例1は、初期AlN層3の有無が相違するだけで、第1ELO層4及び第2ELO層5の成長条件は同じである。実施例1と比較例1のサファイア基板2の凹凸構造も同じで、サファイア基板2の表面に形成された溝6の幅、間隔(凸部頂部8の幅)、深さが、夫々、2μm、10μm、0.3μmである。また、実施例1の初期AlN層3の膜厚は1.8μmで、実施例1と比較例1の第1ELO層4、第2ELO層5の各膜厚は、1.8μm、2.3μmである。また、実施例1と比較例1の第2ELO層5のAlモル分率xは、夫々、0.9である。実施例1では、図2のSEM写真の断面において、楔形の空洞の形成が認められ、サファイア基板2の凸部頂部8から楔形の空洞の頂点までの高さ(以下、便宜的に「空洞高」と称す)は、当該SEM写真に見られる空洞では4.0μmであり、初期AlN層3と第1ELO層4の膜厚の合計(3.6μm)より大きい。尚、空洞高はSEM写真に基づいて目測した値である。
図4及び図5に、部分実施例及び部分比較例のSEM写真(断面図(a)と俯瞰図(b))を示す。部分実施例及び部分比較例は、何れも、サファイア基板2の表面に形成された溝6の幅及び間隔が夫々3μm、深さが0.5μmである。部分実施例の初期AlN層3の膜厚は0.7μmであり、部分比較例のC−軸配向した初期AlN層の膜厚は0.5μmである。部分比較例のC−軸配向した初期AlN層の成長条件は、成長温度及び圧力は部分実施例と同じであり、流量比(NH3/TMA)が部分実施例と異なる。流量比(NH3/TMA)は、部分実施例では、148であるのに対して、部分比較例では、1154と高めに設定している。
図6〜図8に、実施例2〜実施例4のSEM写真(断面図(a)と俯瞰図(b))を順番に示す。実施例2は、サファイア基板2の表面に形成された溝6の幅、間隔、深さが、夫々、2μm、5μm、0.3μmであり、実施例3は、夫々、2μm、10μm、0.3μmであり、実施例4は、夫々、3μm、5μm、0.3μmであり、サファイア基板2上の凹凸構造が相違する。実施例2〜実施例4において、初期AlN層3、第1ELO層4及び第2ELO層5の成長条件(成長温度、流量比)は夫々同じに設定している。初期AlN層3、第1ELO層4及び第2ELO層5の各膜厚は、実施例2では、1.5μm、1.8μm、1.8μmであり、実施例3では、1.5μm、1.8μm、2.3μmであり、実施例4では、2.0μm、2,1μm、6.3μmである。また、第2ELO層5のAlモル分率xは、夫々、実施例2が0.87、実施例3が0.9、実施例4が0.75である。実施例2〜4においても、図6〜図8の各SEM写真の断面で、楔形の空洞の形成が認められ、夫々の空洞高は、実施例2で2.8μmであり、実施例3で3.0μmであり、実施例4で4.2μmである。但し、実施例2と実施例3では、当該断面における空洞高(2.8μm、3.0μm)は、初期AlN層3と第1ELO層4の膜厚の合計(何れも3.3μm)より僅かに(0.5μm、0.3μm)短いが、第1ELO層4の横方向性成長の停止時点では、凹部上方領域の全体でみれば、開口部11は存在し、凹部上方領域は第1ELO層4により完全に覆われていない。
図9に、比較例2のSEM写真(断面図(a)と俯瞰図(b))を示す。比較例2のサファイア基板2上の凹凸構造、初期AlN層3の成長条件(成長温度、流量比)及び膜厚は実施例3と同じである。比較例2の第1ELO層4の成長温度は1250℃で、流量比(NH3/TMA)は実施例3と同じで、膜厚は7.5μmである。上述のように、第1ELO層4は、実施例1〜4と比べて膜厚が大きいため、凹部上方領域が完全に覆われるまで成長している。比較例2のAlGaN層の成長条件は、実施例1〜4の第2ELO層5の成長条件と略同じ条件であり、膜厚は1.3μmである。また、比較例2のAlGaN層のAlモル分率xは0.82である。
図11に、実施例5のSEM写真(俯瞰図)を示す。図12に、実施例6の第1ELO層4を成膜後の凹部上方領域が完全に覆われていない状態を示す微分干渉顕微鏡写真を示す。実施例5及び実施例6は、サファイア基板2の表面に形成された溝6の幅、間隔、深さが、夫々、2μm、10μm、0.3μmであり、初期AlN層3、第1ELO層4及び第2ELO層5の成長条件(成長温度、流量比)は夫々同じに設定している。初期AlN層3、第1ELO層4及び第2ELO層5の各膜厚は、夫々、実施例5では、1.6μmと2.1μmと4.5μmであり、実施例6では、1.3μmと1.8μmと1.5μmである。実施例5の空洞高は3.7μmである。また、実施例5と実施例6の第2ELO層5のAlモル分率xは、夫々、0.9である。
2: サファイア(0001)基板
3: 初期AlN層
4: 第1ELO層(AlN(0001)層)
5: 第2ELO層(AlxGa1−xN(0001)層)
6: サファイア基板表面に加工された溝
7: Niマスク
8: 凸部頂部
9: 第2凹部(初期AlN層の凹部)
10: 初期AlN層の凸部表面
11: 開口部
12: 凹部上方領域の下層領域
Claims (11)
- サファイア(0001)基板の表面を、凸部頂部が平坦で所定の平面視パターンとなるように凹凸加工し、
前記凹凸加工した前記サファイア(0001)基板面に、前記凸部頂部のエッジ部を除く平坦面上にC+軸配向したAlN層が成長するようにC軸配向制御を行って、前記凹凸加工で形成された凹部に堆積するAlN層によって前記凹部に新たな凹部が形成されるように初期AlN層をエピタキシャル成長させ、
前記初期AlN層上に、横方向成長法を用いてAlN(0001)層からなる第1ELO層をエピタキシャル成長させ、
前記新たな凹部の上方に位置する凹部上方領域が、前記初期AlN層の凸部上面から横方向成長した前記第1ELO層によって完全に覆われる前に、前記第1ELO層の成長を停止し、引き続いて、前記第1ELO層上に、横方向成長法を用いてAlxGa1−xN(0001)層(1>x>0)からなる第2ELO層をエピタキシャル成長させ、
前記第1ELO層の上面から横方向成長した前記第2ELO層によって前記凹部上方領域を完全に覆うことを特徴とするエピタキシャル成長用テンプレートの作製方法。 - 前記第1ELO層の成長を停止した時の前記凹部上方領域の上面の、前記凹部上方領域を挟んで隣接する2つの前記凸部頂部の離間方向に沿った平均開口長が、1.5μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長用テンプレートの作製方法。
- 前記初期AlN層の凸部上面上に前記第1ELO層を少なくとも1.8μm成長させることを特徴とする請求項1または2に記載のエピタキシャル成長用テンプレートの作製方法。
- 前記初期AlN層、前記第1ELO層、及び、前記第2ELO層の各エピタキシャル成長を1300℃未満で行うことを特徴とする請求項1または2に記載のエピタキシャル成長用テンプレートの作製方法。
- 前記サファイア(0001)基板の表面に形成する前記凹部の深さが1.0μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のエピタキシャル成長用テンプレートの作製方法。
- 前記初期AlN層の成長時において、前記凹凸加工で形成された段差部近傍では、C+軸配向していないAlN層が成長することを特徴とする請求項1または2に記載のエピタキシャル成長用テンプレートの作製方法。
- 凸部頂部が平坦で所定の平面視パターンとなるように表面を凹凸加工したサファイア(0001)基板と、
前記凹凸加工した前記サファイア(0001)基板面にエピタキシャル成長した初期AlN層と、
前記初期AlN層上に、横方向成長法を用いてエピタキシャル成長したAlN(0001)層からなる第1ELO層と、
前記第1ELO層上に、横方向成長法を用いてエピタキシャル成長したAlxGa1−xN(0001)層(1>x>0)からなる第2ELO層と、を備え、
前記初期AlN層は、前記凸部頂部のエッジ部を除く平坦面上に成長したAlN層がC+軸配向しており、前記凹凸加工で形成された凹部に堆積したAlN層によって前記凹部に新たな凹部が形成され、
前記新たな凹部の上方に位置する凹部上方領域の、前記初期AlN層の凸部頂部から横方向成長した前記第1ELO層に挟まれた下層領域の上面の少なくとも一部が、前記第1ELO層によって覆われず開口しており、前記第1ELO層の上面から横方向成長した前記第2ELO層によって完全に覆われていることを特徴とする窒化物半導体装置。 - 前記凹部上方領域を挟んで隣接する2つの前記凸部頂部の離間方向に沿った、前記凹部上方領域の前記下層領域の上面の平均開口長が、1.5μm以下であることを特徴とする請求項7に記載の窒化物半導体装置。
- 前記初期AlN層の凸部上面上の前記第1ELO層の膜厚が1.8μm以上であることを特徴とする請求項7または8に記載の窒化物半導体装置。
- 前記サファイア(0001)基板の表面に形成された前記凹部の深さが1.0μm以下であることを特徴とする請求項7または8に記載の窒化物半導体装置。
- 前記初期AlN層は、前記凹凸加工で形成された段差部近傍では、C+軸配向していないAlN層を含むことを特徴とする請求項7または8に記載の窒化物半導体装置。
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JP6693618B2 (ja) * | 2016-02-01 | 2020-05-13 | 国立研究開発法人理化学研究所 | エピタキシャル基板の製造方法 |
WO2017200845A1 (en) | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Lumileds Llc | Method of forming a p-type layer for a light emitting device |
KR102506441B1 (ko) * | 2017-12-04 | 2023-03-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 어레이의 제조 방법 및 반도체 발광 어레이 |
CN110676308B (zh) * | 2019-10-12 | 2022-12-20 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 肖特基二极管的制备方法 |
CN112366263B (zh) * | 2020-07-21 | 2022-07-08 | 安徽三安光电有限公司 | 发光二极管及其制备方法 |
US20220367753A1 (en) * | 2021-05-17 | 2022-11-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Uv light emitting diode |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289538A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Univ Meijo | 半導体素子の製造方法及び半導体素子 |
JP2003218395A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体レーザ素子及びこれを用いた発光装置 |
JP3455512B2 (ja) * | 1999-11-17 | 2003-10-14 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
JP2005209925A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 積層半導体基板 |
JP2006128527A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Osaka Gas Co Ltd | GaN系化合物半導体の製造方法 |
JP2006278477A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | 半導体成長用基板、エピタキシャル基板とそれを用いた半導体装置、および、エピタキシャル基板の製造方法 |
WO2008112097A2 (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Cree, Inc. | Nitride semiconductor structures with interlayer structures and methods of fabricating nitride semiconductor structures with interlayer structures |
WO2009090821A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-23 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | Al系III族窒化物単結晶層を有する積層体の製造方法、該製法で製造される積層体、該積層体を用いたAl系III族窒化物単結晶基板の製造方法、および、窒化アルミニウム単結晶基板 |
WO2009098979A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Showa Denko K.K. | Iii族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267242A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
AU2001241108A1 (en) * | 2000-03-14 | 2001-09-24 | Toyoda Gosei Co. Ltd. | Production method of iii nitride compound semiconductor and iii nitride compoundsemiconductor element |
US6599362B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-07-29 | Sandia Corporation | Cantilever epitaxial process |
WO2005041269A2 (en) * | 2003-10-24 | 2005-05-06 | The Regents Of The University Of California | Maskless lateral epitaxial overgrowth of aluminum nitride and high aluminum composition aluminum gallium nitride |
US7598105B2 (en) * | 2007-12-21 | 2009-10-06 | Tekcore Co., Ltd. | Light emitting diode structure and method for fabricating the same |
US8680581B2 (en) * | 2008-12-26 | 2014-03-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor and template substrate |
KR101570625B1 (ko) * | 2009-12-25 | 2015-11-19 | 소코 가가쿠 가부시키가이샤 | 애피택셜성장용 탬플릿 및 제작방법 |
-
2010
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- 2010-06-07 EP EP10852850.6A patent/EP2579297B1/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3455512B2 (ja) * | 1999-11-17 | 2003-10-14 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
JP2002289538A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Univ Meijo | 半導体素子の製造方法及び半導体素子 |
JP2003218395A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体レーザ素子及びこれを用いた発光装置 |
JP2005209925A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 積層半導体基板 |
JP2006128527A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Osaka Gas Co Ltd | GaN系化合物半導体の製造方法 |
JP2006278477A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | 半導体成長用基板、エピタキシャル基板とそれを用いた半導体装置、および、エピタキシャル基板の製造方法 |
WO2008112097A2 (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Cree, Inc. | Nitride semiconductor structures with interlayer structures and methods of fabricating nitride semiconductor structures with interlayer structures |
WO2009090821A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-23 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | Al系III族窒化物単結晶層を有する積層体の製造方法、該製法で製造される積層体、該積層体を用いたAl系III族窒化物単結晶基板の製造方法、および、窒化アルミニウム単結晶基板 |
WO2009098979A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Showa Denko K.K. | Iii族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2009184899A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 |
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