JP2005196738A - 低電圧cmosバンドギャップ基準 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 バンドギャップ基準生成器を、第一の回路、第二の回路、及びハイインピーダンス制御回路から構成する。第一の回路は、第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含むようにする。第二の回路を、第一の形式の第二のMOSトランジスタ、第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタから構成する。第一及び第二の回路を、抵抗器を通る、第一及び第二のバイポーラ接合間の電位差を示す電流を提供するように配置する。第一の形式のMOSトランジスタをミラー配置する。第一の形式の第二のMOSトランジスタのゲートとドレインとの間に、ハイインピーダンス制御回路を結合する。
【選択図】 図5
Description
バンドギャップ基準生成器は、第一の回路、第二の回路、及びハイインピーダンス制御回路から構成される。第一の回路は、第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含む。第二の回路は、第一の形式の第二のMOSトランジスタ、第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタから構成される。第一及び第二の回路は、抵抗器を通る、第一及び第二のバイポーラ接合間の電位差を示す電流を提供するように、配置される。第一の形式のMOSトランジスタは、ミラー配置される。第一の形式の第二のMOSトランジスタのゲートとドレインとの間に、ハイインピーダンス制御回路が結合される。
ここで使用するとき、ネイティブなNMOSトランジスタは、ほぼ-0.1から0.3ボルトの範囲内のゲートスレッショルドを持つネイティブな低電圧トランジスタである。
Claims (47)
- 第一のMOSトランジスタ及び第一のバイポーラ接合トランジスタを通る第一の電流パスと、第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタを通る第二の電流パスとの2つの電流パスを有する電流ミラー回路を備え、前記抵抗器を通る電流が前記第一及び第二のバイポーラ接合トランジスタ間の電位差を示すようになっており、
前記第二のMOSトランジスタのドレインとゲートの間にハイインピーダンス制御回路が結合された、
ことを特徴とするバンドギャップ基準生成器。 - 前記抵抗器が可変である、請求項1記載のバンドギャップ。
- 第一のMOSトランジスタ及び第一のバイポーラ接合トランジスタを通る第一の電流パスと、第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタを通る第二の電流パスとの2つの電流パスを有する電流ミラー回路を備え、前記抵抗器を通る電流が、前記第一及び第二のバイポーラ接合トランジスタ間の電位差を示すようになっており、
前記第二のMOSトランジスタのドレインとゲートの間にハイインピーダンス電圧シフターが結合された、
ことを特徴とするバンドギャップ基準生成器。 - 前記抵抗器が可変である、請求項3記載のバンドギャップ。
- 第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含む第一の回路と、
前記第一の形式の第二のMOSトランジスタ、前記第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタを備える第二の回路と、
を備え、前記第一及び第二の回路は、前記抵抗器を通る、前記第一及び第二のバイポーラ接合トランジスタ間の電位差を示す電流を提供するように配置されており、前記第一の形式の前記MOSトランジスタがミラー配置されており、
前記第一の形式の前記第二のMOSトランジスタのドレインとゲートの間にハイインピーダンス制御回路が結合された、
ことを特徴とするバンドギャップ基準生成器。 - 第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含む第一の回路と、
第一の形式の第二のMOSトランジスタ、前記第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタを備える第二の回路と、
を備え、前記第一及び第二の回路は、前記抵抗器を通る、前記第一及び第二のバイポーラ接合トランジスタ間の電位差を示す電流を提供するように配置されており、前記第一の形式の前記MOSトランジスタがミラー配置されており、
前記第一の形式の前記第二のMOSトランジスタのドレインとゲートの間にハイインピーダンス制御回路が結合され、
前記第二の回路における正温度係数及び負温度係数の電流を周期的にサンプリングするサンプリングスイッチが設けられた、
ことを特徴とするバンドギャップ基準生成器。 - 前記電流が前記抵抗器を通して可変である、請求項6記載のバンドギャップ。
- 第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含む第一の回路と、
第一の形式の第二のMOSトランジスタ、前記第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタを備える第二の回路と、
を備え、前記第一及び第二の回路が、前記抵抗器を通る前記第一及び第二のバイポーラ接合トランジスタ間の電位差を示す電流を提供するように配置されており、前記第一の形式の前記MOSトランジスタがミラー配置されており、
前記第一の形式の前記第二のMOSトランジスタのドレインとゲートの間にハイインピーダンス電圧シフターが結合された、
ことを特徴とするバンドギャップ基準生成器。 - 前記電圧シフトが可変である、
請求項8記載のバンドギャップ。 - 第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含む第一の回路と、
第一の形式の第二のMOSトランジスタ、前記第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタを備える第二の回路と、
を備え、前記第一及び第二の回路は、前記抵抗器を通る前記第一及び第二のバイポーラ接合トランジスタ間の電位差を示す電流を提供するように配置されており、前記第一の形式の前記MOSトランジスタがミラー配置されており、
前記第二の形式の前記第一のMOSトランジスタのドレインとゲートの間にハイインピーダンス電圧シフターが結合された、
ことを特徴とするバンドギャップ基準生成器。 - 間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子が電圧波節に結合されている、第一の形式の第一のMOSトランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第一のMOSトランジスタの前記第二の端子、及び前記ゲートに結合されている、第二の形式の第一のMOSトランジスタと、
エミッタが前記第二の形式の前記第一のMOSトランジスタの前記第二の端子に結合され、コレクタがグラウンド接続点に結合され、ベースが前記コレクタに結合された、第一のバイポーラ接合トランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第一の形式の前記第一のMOSトランジスタの前記ゲートに結合されている、前記第一の形式の第二のMOSトランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第二のMOSトランジスタの前記第二の端子に結合されており、前記ゲートが前記第二の形式の前記第一のMOSトランジスタの前記ゲートに結合されている、前記第二の形式の第二のMOSトランジスタと、
第一及び第二の端子を含み、前記第一の端子は前記第二の形式の前記第二のMOSトランジスタの前記第二の端子に結合されている、第一の抵抗器と、
エミッタが前記第一の抵抗器の前記第二の端子に結合され、コレクタが前記グラウンド接続点に結合され、ベース前記コレクタに結合された、第二のバイポーラ接合トランジスタと、
入力が前記第一の形式の前記第二のMOSトランジスタの前記第二の端子に結合され、出力が前記第一の形式の前記第二のMOSトランジスタの前記ゲートに結合された制御回路と、
を備えることを特徴とするバンドギャップ基準生成器。 - 前記制御回路が、前記第一の形式の前記第一及び第二のトランジスタにバイアスをかける、
請求項11記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記制御回路が電圧レベルシフターを備える、
請求項11記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記制御回路は前記制御回路の前記入力に結合されるバッファを備え、かつ前記電圧レベルシフターは前記制御回路の前記出力に結合される、
請求項13記載のバンドギャップ基準生成器。 - さらに、前記コレクタへの前記エミッタを選択的に短絡するために、前記第二のバイポーラ接合トランジスタの前記エミッタと前記コレクタの間にスイッチが結合された、
請求項11記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記制御回路が、前記制御回路の前記入力に結合される入力を持ちかつ出力を持つバッファを備え、第一の端子が前記バッファの前記出力に結合され、第二の端子が前記制御回路の前記出力に結合された第二の抵抗器を備え、第一の端子が前記第二の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子がグラウンド接続点に結合された第三の抵抗器を備える、
請求項11記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記制御回路が、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子、及び前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第三のトランジスタを備え、前記第一の端子は他の電圧波節に結合され、前記ゲートは前記制御回路の前記入力に結合され、
前記制御回路が、第一の端子が前記第二の形式の前記第三のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記制御回路の前記出力に結合された第二の抵抗器をさらに備え、
第一の端子が前記第二の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子がグラウンド接続点に結合された第三の抵抗器を備える、
請求項11記載のバンドギャップ基準生成器。 - 間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子が電圧波節に結合されている、第一の形式の第一のMOSトランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子が前記第一の形式の前記第一のMOSトランジスタの前記第二の端子に結合されている、第二の形式の第一のMOSトランジスタと、
エミッタが前記第二の形式の前記第一のMOSトランジスタの前記第二の端子に結合され、コレクタがグラウンド接続点に結合され、ベースが前記コレクタに結合された、第一のバイポーラ接合トランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子が前記電圧波節に結合されており、前記ゲートが前記第一の形式の前記第一のMOSトランジスタの前記ゲートに結合されている、前記第一の形式の第二のMOSトランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子が前記第一の形式の前記第二のMOSトランジスタの前記第二の端子、及び前記第二の形式の前記第一のMOSトランジスタの前記ゲートに結合されている、前記第二の形式の第二のMOSトランジスタと、
第一及び第二の端子を含み、前記第一の端子は前記第二の形式の前記第二のMOSトランジスタの前記第二の端子に結合されている第一の抵抗器と、
エミッタが前記第一の抵抗器の前記第二の端子に結合され、コレクタが前記グラウンド接続点に結合され、ベースが前記コレクタに結合された、第二のバイポーラ接合トランジスタと、
入力が前記第二の形式の前記第一のMOSトランジスタの前記第一の端子に結合され、出力が前記第二の形式の前記第一のMOSトランジスタの前記ゲートに結合された第一の制御回路と、
入力が前記第一の形式の前記第二のMOSトランジスタの前記第二の端子に結合され、出力が前記第一の形式の前記第二のMOSトランジスタの前記ゲートに結合された第二の制御回路と、
を備えることを特徴とするバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一及び第二の制御回路は双方とも電圧レベルシフターを備える、
請求項18記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一及び第二の制御回路は双方ともバッファを備える、
請求項19記載のバンドギャップ基準生成器。 - さらに、前記コレクタへの前記エミッタを選択的に短絡するために、前記第二のバイポーラ接合トランジスタのエミッタとコレクタの間にスイッチが結合された、
請求項18記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一の制御回路は、前記第一の制御回路の前記入力に結合される入力を持ちかつ出力を有する第一のバッファと、第一の端子が前記第一のバッファの前記出力に結合され、第二の端子が前記第一の制御回路の前記出力に結合された第二の抵抗器と、第一の端子が前記第二の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が他の電圧波節に結合された第三の抵抗器とを備え、
前記第二の制御回路は、前記第二の制御回路の前記入力に結合される入力を持ちかつ出力を有する第二のバッファと、第一の端子が前記第二のバッファの前記出力に結合され、第二の端子が前記第二の制御回路の前記出力に結合された第四の抵抗器と、第一の端子が前記第四の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子がグラウンド接続点に結合された第五の抵抗器とを備える、
請求項18記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子及び前記チャネル内の電流を制御するためのゲートとを含み、前記第二の端子がグラウンド接続点に結合され、前記ゲートが前記第一の制御回路の前記入力に結合された前記第一の形式の第三のトランジスタと、第一の端子が前記第一の形式の前記第三のトランジスタの前記第一の端子に結合され、第二の端子が前記第一の制御回路の前記出力に結合された第二の抵抗器と、第一の端子が前記第二の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が他の電圧波節に結合された第三の抵抗器とを備え、
前記第二の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子及び前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子が他の電圧波節に結合され、前記ゲートが前記第二の制御回路の前記入力に結合された前記第二の形式の第三のトランジスタと、第一の端子が前記第二の形式の前記第三のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第二の制御回路の前記出力に結合された第四の抵抗器と、第一の端子が前記第四の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子がグラウンド接続点に結合された第五の抵抗器とを備える、
請求項18記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第三のトランジスタを備え、前記第一の端子は他の電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第一の制御回路の前記入力に結合され、第一の端子が前記第二の形式の前記第三のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第一の制御回路の前記出力に結合された第二の抵抗器を備え、第一の端子が前記第二の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記グラウンド接続点に結合された第三の抵抗器を備え、
前記第二の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第四のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記他の電圧波節に結合され、前記ゲートは前記第二の制御回路の前記入力に結合され、第一の端子が前記第二の形式の前記第四のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第二の制御回路の前記出力に結合された第四の抵抗器を備え、第一の端子が前記第四の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記グラウンド接続点に結合された第五の抵抗器を備える、
請求項18記載のバンドギャップ基準生成器。 - 間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は電圧波節に結合されている、第一の形式の第一のトランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第一のトランジスタの前記第二の端子に結合されている、前記第一の形式の第二のトランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第二のトランジスタの前記第二の端子に結合されている、第二の形式の第一のトランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、かつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は前記第二の形式の前記第一のトランジスタの前記第二の端子に結合されている、前記第二の形式の第二のトランジスタと、
エミッタが前記第二の形式の前記第二のトランジスタの前記第二の端子に結合され、コレクタがグラウンド接続点に結合され、ベースが前記コレクタに結合された、第一のバイポーラ接合トランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第一の形式の前記第一のトランジスタの前記ゲートに結合されている、前記第一の形式の第三のトランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第三のトランジスタの前記第二の端子に結合されており、前記ゲートは前記第一の形式の前記第二のトランジスタの前記ゲートに結合されている、前記第一の形式の第四のトランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第四のトランジスタの前記第二の端子に結合されており、前記ゲートは前記第二の形式の前記第一のトランジスタの前記ゲートに結合されている、前記第二の形式の第三のトランジスタと、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含み、前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含み、前記第一の端子は前記第二の形式の前記第三のトランジスタの前記第二の端子に結合されており、前記ゲートは前記第二の形式の前記第二のトランジスタの前記ゲートに結合されている、前記第二の形式の第四のトランジスタと、
第一及び第二の端子を含み、前記第一の端子は前記第二の形式の前記第四のトランジスタの前記第二の端子に結合されている、第一の抵抗器と、
エミッタが前記第一の抵抗器の前記第二の端子に結合され、コレクタが前記グラウンド接続点に結合され、ベースが前記コレクタに結合された、第二のバイポーラ接合トランジスタと、
第一の入力が前記第二の形式の前記第一のトランジスタの前記第一の端子に結合され、第一の出力が前記第二の形式の前記第一のトランジスタの前記ゲートに結合され、第二の出力が前記第二の形式の前記第二のトランジスタの前記ゲートに結合された、第一の制御回路と、
第一の入力が前記第一の形式の前記第四のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第一の出力が前記第一の形式の前記第三のトランジスタの前記ゲートに結合され、第二の出力が前記第一の形式の前記第四のトランジスタの前記ゲートに結合された、第二の制御回路と、
を備えることを特徴とするバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第五のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第一の制御回路の前記第一の入力に結合されており、第一の端子が前記第二の形式の前記第五のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第一の制御回路の前記第一の出力に結合された第二の抵抗器を備え、第一の端子が前記第二の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第一の制御回路の前記第二の出力に結合された第三の抵抗器を備え、第一の端子が前記第三の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記グラウンド接続点に結合された第四の抵抗器を備え、
前記第二の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第六のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第二の制御回路の前記第一の入力に結合されており、第一の端子が前記第二の形式の前記第六のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第二の制御回路の前記第一の出力に結合された第五の抵抗器を備え、第一の端子が前記第五の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第二の制御回路の前記第二の出力に結合された第六の抵抗器を備え、第一の端子が前記第六の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記グラウンド接続点に結合された第七の抵抗器を備える、
請求項25記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記コレクタへの前記エミッタを選択的に短絡するために、前記第二のバイポーラ接合トランジスタの前記エミッタと前記コレクタの間にスイッチが結合された、
をさらに備える請求項25記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第五のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第一の制御回路の前記第一の入力に結合されており、第一の端子が前記第二の形式の前記第五のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第一の制御回路の前記第一の出力に結合された第二の抵抗器を備え、第一の端子が前記第二の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第一の制御回路の前記第二の出力に結合された第三の抵抗器を備え、第一の端子が前記第三の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子を含む第四の抵抗器を備え、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第六のトランジスタを備え、前記第二の端子は前記グラウンド接続点に結合されており、前記第一の端子は前記第四の抵抗器の前記第二の端子に結合されており、前記ゲートはイネーブルな信号接続点に結合されており、
前記第二の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第七のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第二の制御回路の前記第一の入力に結合されており、第一の端子が前記第二の形式の前記第六のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第二の制御回路の前記第一の出力に結合された第五の抵抗器を備え、第一の端子が前記第五の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第二の制御回路の前記第二の出力に結合された第六の抵抗器を備え、第一の端子が前記第六の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子を含む第七の抵抗器を備え、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第八のトランジスタを備え、前記第二の端子は前記グラウンド接続点に結合されており、前記第一の端子は前記第七の抵抗器の前記第二の端子に結合されており、前記ゲートは前記イネーブルの信号接続点に結合されている、
請求項25記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記第二の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第五のトランジスタをさらに備え、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記第二の端子は前記第二の制御回路の前記第一の出力に結合されており、前記ゲートは前記イネーブルの信号接続点に結合されている、
請求項28記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記イネーブルの信号接続点はパワーダウン信号接続点である、
請求項28記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一及び第二の制御回路はパワーダウン回路を含む、
請求項28記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一及び第二の制御回路にバイアスをかけるためのバイアスをかける回路、
をさらに備える請求項31記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる前記第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第九のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記第二の形式の前記第六のトランジスタの前記第一の端子に結合されており、前記第二の端子は前記第二の形式の前記第六のトランジスタの前記第二の端子に結合されており、
前記第二の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第十のトランジスタをさらに備え、前記第一の端子は前記第二の形式の前記第八のトランジスタの前記第一の端子に結合されており、前記第二の端子は前記第二の形式の前記第八のトランジスタの前記第二の端子に結合されており、
前記第二の形式の前記第九及び第十のトランジスタにバイアスをかけるためのバイアスをかける回路、
をさらに備える請求項28記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記バイアスをかける回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第一の形式の第五のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第一の形式の前記第一のトランジスタの前記ゲートに結合されており、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第一の形式の第六のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第五のトランジスタの前記第二の端子に結合されており、前記ゲートは前記第一の形式の前記第二のトランジスタの前記ゲートに結合されており、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第十一のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第六のトランジスタの前記ゲート及び前記第二の端子に結合されており、前記第二の端子は前記グラウンド接続点に結合されており、前記ゲートは前記第二の形式の前記第九及び第十のトランジスタの前記ゲートに結合されている、
請求項33記載のバンドギャップ基準生成器。 - 起動電流を提供する起動回路をさらに備える、
請求項32記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記起動回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第一の形式の第七のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記グラウンド接続点に結合されており、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第一の形式の第八のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第七のトランジスタの前記第二の端子に結合されており、前記ゲートは前記グラウンド接続点に結合されており、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第十一のトランジスタを備え、前記第二の端子は前記グラウンド接続点に結合されており、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第八のトランジスタの前記第二の端子に結合されており、前記ゲートは前記第一の端子に結合されており、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第十三のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記第二の形式の前記十一のトランジスタの前記第一の端子に結合されており、前記第二の端子は前記第二の形式の前記第十一のトランジスタの前記第二の端子に結合されており、前記ゲートは前記第二の形式の前記第十一のトランジスタの前記第一の端子に結合されており、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第十四のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第一のトランジスタの前記ゲートに結合されており、前記第二の端子は前記グラウンド接続点に結合されており、前記ゲートは前記第二の形式の前記第十一のトランジスタの前記第一の端子に結合されている、
請求項35記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記コレクタへの前記エミッタを選択的に短絡するために、前記第二のバイポーラ接合トランジスタの前記エミッタと前記コレクタの間にスイッチが結合された、
をさらに備える請求項28記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記スイッチは、前記第二の形式の前記第四のMOSトランジスタ内の電流をサンプリングするために、動的に開閉される、
請求項37記載のバンドギャップ基準生成器。 - 前記第一の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第五のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第一の制御回路の前記第一の入力に結合されており、
第一の端子が前記第二の形式の前記第五のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第一の制御回路の前記第一の出力に結合された第二の抵抗器を備え、
第一の端子が前記第二の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第一の制御回路の前記第二の出力に結合された第三の抵抗器を備え、
第一の端子が前記第三の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子を含む第四の抵抗器を備え、
第一の端子が前記第四の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記グラウンド接続点に結合された第一の電流源を備え、
前記第二の制御回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第二の形式の第六のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第二の制御回路の前記第一の入力に結合されており、
第一の端子が前記第二の形式の前記第六のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第二の制御回路の前記第一の出力に結合された第五の抵抗器を備え、
第一の端子が前記第五の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記第二制御回路の前記第二の出力に結合された第六の抵抗器を備え、
第一の端子が前記第六の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子を含む第七の抵抗器を備え、
第一の端子が前記第七の抵抗器の前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記グラウンド接続点に結合された第二の電流源を備える、
請求項28記載のバンドギャップ基準生成器。 - 第一の端子が前記第二のバイポーラ接合トランジスタの前記エミッタに結合され、第二の端子が前記第二のバイポーラ接合トランジスタの前記コレクタに結合された第八の抵抗器、
をさらに備える請求項39記載のバンドギャップ基準生成器。 - 出力回路をさらに備える請求項40記載のバンドギャップ基準生成器。
- 前記出力回路は、間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第一の形式の第五のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記電圧波節に結合されており、前記ゲートは前記第一の形式の前記第一のトランジスタの前記ゲートに結合されており、
間にチャネルを持つように離して置かれる第一及び第二の端子を含みかつ前記チャネル内の電流を制御するためのゲートを含む前記第一の形式の第六のトランジスタを備え、前記第一の端子は前記第一の形式の前記第五のトランジスタの前記第二の端子に結合されており、前記ゲートは前記第一の形式の前記第二のトランジスタの前記ゲートに結合されており、
第一の端子が出力ノードを形成するように前記第一の形式の前記第六のトランジスタの前記第二の端子に結合され、第二の端子が前記グラウンド接続点に結合された第九の抵抗器を備える、
請求項41記載のバンドギャップ基準生成器。 - メモリーアレイと、
フューズ回路と、
請求項11記載のバンドギャップ基準生成器と、
を備えることを特徴とするシステム。 - メモリーアレイと、
フューズ回路と、
請求項5記載のバンドギャップ基準生成器と、
を備えることを特徴とするシステム。 - メモリーアレイと、
フューズ回路と、
請求項6記載のバンドギャップ基準生成器と、
を備えることを特徴とするシステム。 - メモリーアレイと、
フューズ回路と、
請求項8記載のバンドギャップ基準生成器と、
を備えることを特徴とするシステム。 - メモリーアレイと、
フューズ回路と、
請求項10記載のバンドギャップ基準生成器と、
を備えることを特徴とするシステム。
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