CN101814829B - 电荷泵电路的参考电压产生电路及电荷泵电路 - Google Patents

电荷泵电路的参考电压产生电路及电荷泵电路 Download PDF

Info

Publication number
CN101814829B
CN101814829B CN201010153762.7A CN201010153762A CN101814829B CN 101814829 B CN101814829 B CN 101814829B CN 201010153762 A CN201010153762 A CN 201010153762A CN 101814829 B CN101814829 B CN 101814829B
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
voltage
charge pump
compensating
bandgap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201010153762.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101814829A (zh
Inventor
杨光军
肖军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN201010153762.7A priority Critical patent/CN101814829B/zh
Publication of CN101814829A publication Critical patent/CN101814829A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101814829B publication Critical patent/CN101814829B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

一种电荷泵电路的参考电压产生电路,包括:带隙基准电压修调电路、译码电路、控制电路、补偿电路、参考电阻器、擦除电压参考电路。控制电路用以控制电荷泵电路的基电电压信号和可擦除可编程电压信号。补偿电路用以产生补偿电流信号,并将补偿电流信号镜像到控制电路。带隙基准修调电路包含输入带隙基准电压的MOS管。本发明通过在电荷泵电路中设置带隙基准电压修调电路和控制电路,并将电荷泵电路的补偿电路的电流镜像到控制电路中,而减少电荷泵电路的参考电压产生电路的芯片占用面积,并减少了由于补偿电路带来的电荷泵电压损失,增加了电荷泵的工作裕度,从而减少了电荷泵的面积。

Description

电荷泵电路的参考电压产生电路及电荷泵电路
技术领域
本发明涉及一种电荷泵电路,尤其涉及一种占用芯片面积小的电荷泵电路的参考电压产生电路及电荷泵电路。
背景技术
电荷泵电路是一种DC-DC的电路,可以产生比源电压更高的模块工作电压,尤其在非挥发性存储器中应用非常广泛,如产生EEPROM和flash存储器内浮栅器件的编程、擦写高压等。
请参阅图4,图4是传统的第二电荷泵电路2的控制系统框图。第二电荷泵电路2包括第二参考电压产生电路21、与第二参考电压产生电路21输出端连接的第二稳压电路22、与第二稳压电路22输出端电连接的第二电荷泵23、用以将第二电荷泵23产生的高压VPPH转换成另一高压VPPL的第二高压转换电路24,以及用以向第二电荷泵23输入高压补偿信号的第二补偿电路25。其中,第二高压转换电路24的输入端电连接第二电荷泵23的输出端,第二高压转换电路24的输出端电连接第二稳压电路22的输入端。第二补偿电路25的输出端电连接于第二电荷泵23的输出端。同时,第二补偿电路25的输出端电连接于第二高压转换电路24的输入端。所述第二参考电压产生电路21用以为第二稳压电路22提供参考电压VREF。
请参阅图4,并结合参阅图5,图5是传统的第二电荷泵电路2的第二参考电压产生电路21的结构框图。为了得到稳定的电压,需要在第二电荷泵电路2中加一个第二稳压电路22,以保证产生的高压稳压在所需的电平上。传统的稳压方法是:将第二电荷泵23产生的高压采用电阻分压方式分压后,得到一个相应的电压值,用这个电压值和第二参考电压产生电路21产生的参考电压VREF比较,比较的结果再去控制第二电荷泵23的升压。
传统的第二稳压电路22存在以下几个缺点:首先,为了提供参考电压VREF需要一个第二参考电压产生电路21。第二参考电压产生电路21具有第二译码电路211,并采用大的第二电阻器212修调参考电压,而使得第二参考电压产生电路21占用芯片面积大。其次,分压电阻如果取值较小,则功耗增加,比如分压电阻总阻值1M欧姆,其分压之路的电流就有几十微安;反之,如果阻值较大,则所占芯片面积太大。在传统的第二电荷泵电路2的设计中,第二补偿电路25用以向第二电荷泵23输入高压补偿信号,并电连接于第二电荷泵23的输出端及第二高压转换电路24的输入端。明显地,所述第二补偿电路25将占用更大的芯片面积并且会给电荷泵电路的电压输出带来损失,而使得第二电荷泵23的芯片设计裕度减小,从而增加了电荷泵的面积。
针对现有技术存在的问题,本案设计人凭借从事此行业多年的经验,积极研究改良,于是有了本发明占用芯片面积小的电荷泵电路的参考电压产生电路及电荷泵电路。
发明内容
本发明的目的是针对在现有技术中,传统的电荷泵电路的参考电压产生电路采用大的电阻器修调参考电压,并采用补偿电路向电荷泵输入高压补偿信号,而使得参考电压产生电路占用芯片面积大,同时补偿电路也占据大的芯片面积而使得电荷泵的芯片设计裕度减小,以及增加电荷泵的面积等缺点,提供一种占用芯片面积小的参考电压产生电路。
本发明的又一目的是针对在现有技术中,传统的电荷泵电路的参考电压产生电路采用大的电阻器修调参考电压,并采用补偿电路向电荷泵输入高压补偿信号,而使得参考电压产生电流占用芯片面积大,同时补偿电路也占据大的芯片面积而使得电荷泵的芯片设计裕度减小,以及增加电荷泵的面积等缺点,提供一种具有所述参考电压产生电路的电荷泵电路。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:一种电荷泵电路的参考电压产生电路,包括:带隙基准电压修调电路,用以输入带隙基准电压;译码电路,与带隙基准电压修调电路电连接,用以将带隙基准电压修调电路的高位数据译码成不同的指令;控制电路,与带隙基准电压修调电路的输出端电连接,用以控制电荷泵参考电路的基电电压信号和可擦除可编程电压信号;补偿电路,用以产生补偿电流信号,并将补偿电流信号镜像到控制电路;参考电阻器,参考电阻器的输出端与带隙基准电压修调电路的输出端电连接;擦除电压参考电路,用以修调参考电阻器的输出电压,擦除电压参考电路的输出端与参考电阻器的输出端电连接。所述擦除电压参考电路的输入端输入带隙基准电压。所述带隙基准修调电路包含输入带隙基准电压的MOS管。所述补偿电路包括编程电压温度补偿、擦除电压温度补偿、编程模块补偿。
为达到上述又一目的,本发明采用如下的技术方案:一种具有所述参考电压产生电路的电荷泵电路,包括:参考电压产生电路,用以为电荷泵电路提供参考电压;稳压电路,与参考电压产生电路的输出端电连接,用以为电荷泵电路提供稳定的电压;电荷泵,与稳压电路的输出端电连接;高压转换电路,高压转换电路的输入端与电荷泵电连接,高压转换电路的输出端与稳压电路的输入端电连接,用以将电荷泵所产生的高压VPPH转换成另一高压VPPL。所述参考电压产生电路,包括:带隙基准电压修调电路,用以输入带隙基准电压;译码电路,与带隙基准电压修调电路电连接,用以将带隙基准电压修调电路的高位数据译码成不同的指令;控制电路,与带隙基准电压修调电路的输出端电连接,用以控制电荷泵参考电路的基电电压信号和可擦除可编程电压信号;补偿电路,用以产生补偿电流信号,并将补偿电流信号镜像到控制电路;参考电阻器,参考电阻器的输出端与带隙基准电压修调电路的输出端电连接;擦除电压参考电路,用以修调参考电阻器的输出电压,擦除电压参考电路的输出端与参考电阻器的输出端电连接。所述擦除电压参考电路的输入端输入带隙基准电压。所述带隙基准修调电路包含输入带隙基准电压的MOS管。所述补偿电路包括编程电压温度补偿、擦除电压温度补偿、编程模块补偿。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:本发明通过在电荷泵电路中设置带隙基准电压修调电路和控制电路,并将电荷泵电路的补偿电路的电流镜像到控制电路中,而减少电荷泵电路的参考电压产生电路的芯片占用面积,减少由于补偿电路带来的电荷泵电压损失,增加了电荷泵的工作裕度,从而减少了电荷泵的面积。
附图说明
图1是本发明第一电荷泵电路的控制系统图。
图2是本发明第一电荷泵电路的第一参考电压产生电路的结构框图。
图3是本发明第一电荷泵电路的第一参考电压产生电路的具体实施例结构框图。
图4是传统的第二电荷泵电路的控制系统图。
图5是传统的第二电荷泵电路的第二参考电压产生电路的结构框图。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效,下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
请参阅图1,图1为第一电荷泵电路1的控制系统框图。第一电荷泵电路1包括第一参考电压产生电路11、与第一参考电压产生电路11输出端电连接的第一稳压电路12、与第一稳压电路12输出端电连接的第一电荷泵13、以及用以将第一电荷泵13产生的高压VPPH转换成另一高压VPPL的第一高压转换电路14。其中,第一高压转换电路14的输入端电连接第一电荷泵13的输出端,第一高压转换电路14的输出端电连接第一稳压电路12的输入端。所述第一参考电压产生电路11用以为第一稳压电路12提供参考电压VREF。所述第一稳压电路3用以将经过第一高压转换电路14的高压VPPL电压进行钳位,从而获得一个稳压的擦写电压。
请继续参阅图1,并结合参阅图2,图2是本发明第一电荷泵电路1的第一参考电压产生电路11的结构框图。第一电荷泵电路1的第一参考电压产生电路11包括第一译码电路111、与第一译码电路111输出端电连接的带隙基准电压修调电路112、与带隙基准电压修调电路112的输出端电连接的参考电阻器113和控制电路114、与控制电路114的输入端电连接的第一补偿电路115,以及与参考电阻器113电连接的擦除电压参考电路116。其中,参考电阻器113的一端与带隙基准电压修调电路112的输出端电连接,参考电阻器113的另一端接地。第一补偿电路115用以向控制电路114输入对应于补偿信号的镜像电流。控制电路114用以控制第一电荷泵电路1的基电电压信号和可擦除可编程电压信号。参考电阻器113之连接带隙基准电压修调电路112的一端与擦除电压参考电路116电连接。
第一译码电路111将带隙基准电压修调电路112的高位数据译码成不同的指令,而输出第一电压信号。第一补偿电路115的电流镜像到控制电路114后经控制电路114处理而输出第二电压信号。所述第一电压信号、所述第二电压信号与参考电阻器113上的电压信号进行比较,进而向第一稳压电路12输入参考电压VREF。
请参阅图3,并结合参阅图1与图2,图3是本发明第一电荷泵电路1的第一参考电压产生电路11的具体实施例结构框图。在图3中,第一补偿电路115包括编程电压温度补偿1151、擦除电压温度补偿1152,以及编程模块补偿1153。带隙基准电压VBGR连接到带隙基准电压修调电路112的MOS管1121、MOS管1122、MOS管1123的栅极。同时,参考电阻器113之连接带隙基准电压修调电路112的一端与擦除电压参考电路116电连接。带隙基准电压VBGR电连接于擦除电压参考电路116的MOS管1161的栅极。第一补偿电路115的电流镜像到控制电路114的MOS管1141的栅极。第一译码电路111的MOS管1111、MOS管1112、MOS管1113的漏极与带隙基准电压修调电路112的MOS管1121、MOS管1122、MOS管1123对应连接。其中第一译码电路111的MOS管和带隙基准电压修调电路112的MOS管数量不限于本发明所列举的数量,或大于3个,或小于3个。
在第一电荷泵电路1在工作过程中,第一译码电路111将带隙基准电压修调电路112的高位数据译码成不同的指令,而输出第一电压信号。第一补偿电路115的电流镜像到控制电路114后经控制电路114处理后输出第二电压信号。擦除电压参考电路116修调参考电阻器113而输出第三电压信号。所述第一电压信号、所述第二电压信号与所述第三电压信号进行比较,获得比较结果,而后向第一稳压电路12输入参考电压VREF。同时,第一电荷泵13产生的高压VPPH经第一高压转换电路14分压后,得到另一高压VPPL。所述高压VPPL和参考电压产生电路2向稳压电路3输入的参考电压VREF比较,用所得的比较结果再去控制第一电荷泵13的充电与放电过程。所述设置在第一电荷泵电路1中的第一稳压电路3,用以保证产生的高压稳压在所需的电平上。
综上所述,本发明通过在第一电荷泵电路1中设置带隙基准电压修调电路112和控制电路114,并将第一电荷泵电路1的第一补偿电路25的电流镜像到控制电路114中,而减少第一电荷泵电路1的第一参考电压产生电路11的芯片占用面积,减少由于第一补偿电路25带来的第一电荷泵13电压损失,增加了第一电荷泵13的工作裕度,从而减少了第一电荷泵13的面积。
本领域技术人员均应了解,在不脱离本发明的精神或范围的情况下,可以对本发明进行各种修改和变型。因而,如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时,认为本发明涵盖这些修改和变型。

Claims (8)

1.一种电荷泵电路的参考电压产生电路,包括:
带隙基准电压修调电路,用以输入带隙基准电压,输出第一电压信号;
译码电路,与带隙基准电压修调电路电连接,用以将带隙基准电压修调电路的高位数据译码成不同电压控制信号,同时输出给带隙基准电压修调电路,进而控制带隙基准电压修调电路输出的第一电压信号;
补偿电路,用以产生补偿电流信号,并将补偿电流信号镜像到控制电路;
控制电路,输入端与补偿电路相连,接收补偿电路镜像到控制电路的补偿电流信号,补偿电流信号经控制电路处理而输出第二电压信号,控制电路输出的第二电压信号与带隙基准电压修调电路的输出端电连接;
参考电阻器,参考电阻器输出第三电压信号与带隙基准电压修调电路的输出端电连接;
擦除电压参考电路,擦除电压参考电路的输出端与参考电阻器的输出端电连接,用以修调参考电阻器输出的第三电压信号;
所述第一电压信号、所述第二电压信号与所述第三电压信号进行比较,获得比较结果,而后输出参考电压。
2.根据权利要求1所述的电荷泵电路的参考电压产生电路,其特征在于,所述擦除电压参考电路的输入端输入带隙基准电压。
3.根据权利要求1所述的电荷泵电路的参考电压产生电路,其特征在于,所述带隙基准电压修调电路包含输入带隙基准电压的MOS管。
4.根据权利要求1所述的电荷泵电路的参考电压产生电路,其特征在于,所述补偿电路包括编程电压温度补偿、擦除电压温度补偿、编程模块补偿。
5.一种电荷泵电路,包括:
如权利要求1所述的参考电压产生电路,用以为电荷泵电路提供参考电压;
稳压电路,与参考电压产生电路的输出端电连接,用以为电荷泵电路提供稳定的电压;
电荷泵,与稳压电路的输出端电连接;
高压转换电路,高压转换电路的输入端与电荷泵电连接,高压转换电路的输出端与稳压电路的输入端电连接,用以将电荷泵所产生的高压VPPH转换成另一高压VPPL。
6.根据权利要求5所述的电荷泵电路,其特征在于,所述擦除电压参考电路的输入端输入带隙基准电压。
7.根据权利要求5所述的电荷泵电路,其特征在于,所述带隙基准电压修调电路包含输入带隙基准电压的MOS管。
8.根据权利要求5所述的电荷泵电路,其特征在于,所述补偿电路包括编程电压温度补偿、擦除电压温度补偿、编程模块补偿。
CN201010153762.7A 2010-04-22 2010-04-22 电荷泵电路的参考电压产生电路及电荷泵电路 Active CN101814829B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010153762.7A CN101814829B (zh) 2010-04-22 2010-04-22 电荷泵电路的参考电压产生电路及电荷泵电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010153762.7A CN101814829B (zh) 2010-04-22 2010-04-22 电荷泵电路的参考电压产生电路及电荷泵电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101814829A CN101814829A (zh) 2010-08-25
CN101814829B true CN101814829B (zh) 2015-09-16

Family

ID=42621976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010153762.7A Active CN101814829B (zh) 2010-04-22 2010-04-22 电荷泵电路的参考电压产生电路及电荷泵电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101814829B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10038431B1 (en) * 2017-06-01 2018-07-31 Nuvoton Technology Corporation Current mirror array for high-frequency clock generator
US10673321B2 (en) * 2017-11-27 2020-06-02 Marvell Asia Pte., Ltd. Charge pump circuit with built-in-retry
CN112054671B (zh) * 2020-08-27 2021-05-04 珠海博雅科技有限公司 电荷泵稳压器
CN113489314B (zh) * 2021-08-03 2022-07-15 北京紫光青藤微系统有限公司 用于调整电荷泵输出电压的装置、电子设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1228597A (zh) * 1998-01-28 1999-09-15 日本电气株式会社 具有浮动栅极的金属氧化物半导体晶体管的参考电压发生电路
CN1637678A (zh) * 2003-12-29 2005-07-13 硅存储技术公司 低电压cmos带隙基准发生器
CN1791941A (zh) * 2003-04-14 2006-06-21 桑迪士克股份有限公司 适用于低电压非易失性存储器的读取及擦除验证方法及电路
CN101136248A (zh) * 2006-10-12 2008-03-05 中兴通讯股份有限公司 一种电荷泵输出高压的控制装置
CN101257300A (zh) * 2006-03-06 2008-09-03 阿尔特拉公司 可调式晶体管体偏置电路
CN101354923A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 海力士半导体有限公司 电压转换器电路和具有该电路的快闪存储器件

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100545711B1 (ko) * 2003-07-29 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 퓨즈트리밍을 이용하여 다양한 레벨의 기준전압을 출력할수 있는 기준전압 발생회로
EP1566723B1 (en) * 2004-02-20 2007-11-21 STMicroelectronics S.r.l. A power management unit for a flash memory with single regulation of multiple charge pumps
US7706160B2 (en) * 2006-08-08 2010-04-27 Marco Fontana High voltage generator of the DAC-controlled type

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1228597A (zh) * 1998-01-28 1999-09-15 日本电气株式会社 具有浮动栅极的金属氧化物半导体晶体管的参考电压发生电路
CN1791941A (zh) * 2003-04-14 2006-06-21 桑迪士克股份有限公司 适用于低电压非易失性存储器的读取及擦除验证方法及电路
CN1637678A (zh) * 2003-12-29 2005-07-13 硅存储技术公司 低电压cmos带隙基准发生器
CN101257300A (zh) * 2006-03-06 2008-09-03 阿尔特拉公司 可调式晶体管体偏置电路
CN101136248A (zh) * 2006-10-12 2008-03-05 中兴通讯股份有限公司 一种电荷泵输出高压的控制装置
CN101354923A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 海力士半导体有限公司 电压转换器电路和具有该电路的快闪存储器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN101814829A (zh) 2010-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8090988B2 (en) Saving information to flash memory during power failure
CN102290981B (zh) 一种电荷泵电路和采用所述电荷泵电路的闪速存储器
CN101814829B (zh) 电荷泵电路的参考电压产生电路及电荷泵电路
CN103236789B (zh) 电荷泵输出电压的调节电路及存储器
CN102270006B (zh) 电压调节电路
CN103312158B (zh) 升压电路
CN102158076B (zh) 电荷泵输出电压调节电路
US9013230B2 (en) Charge pump circuit
CN101894586A (zh) 编程电压补偿电路
CN104467405A (zh) 电荷泵电路和存储器
CN102354521B (zh) 字线调整器电路以及单电源存储器
CN110071630A (zh) 一种无缝切换降压和直通工作模式的转换电路及实现方法
CN104600384B (zh) 一种充电方法、充电装置及相关装置
CN102290984A (zh) 电荷泵稳压电路、提高其输出精度的方法及存储器芯片
CN102044964B (zh) 电压调节电路
CN104331112A (zh) 一种低压差线性稳压器及其软启动电路
CN105097038A (zh) 一种电压输出方法和装置
CN103824597A (zh) 存储器、存储单元的读取电路及读取方法
CN102426825B (zh) 一种pwm电压调节电路及其调节方法、液晶显示装置
CN105763040A (zh) 一种提高电荷泵驱动能力的电路
CN101888180A (zh) 电荷泵输出电压调节电路
CN105336371B (zh) 非易失性存储器的电压控制电路及其控制方法
US20100295520A1 (en) Regulation device for a charge pump generator and corresponding regulation method
CN110048607A (zh) 一种无缝切换升压和直通工作模式的转换电路及实现方法
CN107993689A (zh) 一种降低功耗的分压检测电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HONGLI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE CO LTD, SHANGHAI

Effective date: 20140514

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20140514

Address after: 201203 Shanghai Zhangjiang hi tech park Zuchongzhi Road No. 1399

Applicant after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201203 Shanghai Guo Shou Jing Road, Zhangjiang hi tech Park No. 818

Applicant before: Hongli Semiconductor Manufacture Co., Ltd., Shanghai

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant