JP2005150320A - 配線基板の製造方法および配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 生産コストの高騰を抑制しつつも、部品実装面のコプラナリティを高めることが可能となる、配線基板の製造方法を提供するとともに、ＩＣチップとの接続を確実に行なえる配線基板を提供する。
【解決手段】 配線基板１のうち、コア基板５０から最も離れて位置する単位層５２，５４（ビルドアップ層Ｖ２，Ｖ１２および導体層Ｍ３，Ｍ１３）のみを、転写治具４０を用いた転写ビルドアップ法により形成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、配線基板の製造方法および配線基板に関する。

携帯電話、パソコンといった電子機器の小型化、高機能化を進める際の課題の一つに、配線基板上での部品実装密度をどれだけ高くするかということがある。これを受けて近年は、抵抗やコンデンサといった受動素子だけでなく、ＩＣチップについても、フリップチップ実装が主流になりつつある。フリップチップ実装は、パッケージや引出しリードをなくし、ベアチップそのものを基板上に実装した構造を持つものであり、高密度実装を実現する有力な手法である。フリップチップ実装では、接続配線長が短くなるのに加え、ボンディングワイヤによるインダクタ成分を取り除くため、電気的特性の向上も見込まれる。

フリップチップ実装を採用するにあたっては、ＩＣチップと基板とを如何に確実に接続するかが重要である。ＩＣチップと基板との接続信頼性を高めようとするときに避けて通れない問題の一つに、配線基板のコプラナリティに関する問題がある。多層配線基板は、絶縁層と配線パターンとを交互に積層したものであるから、下層の配線パターンが上層に転写され、基板表面に凹凸が生じる。この凹凸が顕著になるほど、フリップチップ実装における接続不良を招き易い。

基板表面のコプラナリティを改善する方法として、下記非特許文献１に記載されている転写法の採用が提案されている。下記非特許文献１に記載された転写法は、ＳＵＳなどの金属板上に薄いＣｕメッキ、パターンメッキを行って配線パターンを形成し、これを絶縁板に転写するというものである。この転写法によると、配線パターンは絶縁層に埋め込まれるとともに３方が樹脂と接着するので、パターンの安定化、基板表面の平滑化が可能である。
高木清 著 「ビルドアップ多層プリント配線板技術」日刊工業新聞社 ｐ７５−ｐ７６

しかしながら、上記のような転写法を、従来のビルドアップ法に適用するには、工程数の増加が不可避である。工程数の著しい増大は、生産コストの高騰に直結するので好ましくない。

本発明の課題は、生産コストの高騰をなるべく抑制しつつも、部品実装面のコプラナリティを高めることが可能となる、配線基板の製造方法を提供するとともに、ＩＣチップとの接続を確実に行なえる配線基板を提供することにある。

課題を解決するための手段および発明の効果

上記課題を解決するために本発明は、絶縁層と導体層とが交互に積層され、それら絶縁層および導体層からなる単位層のうち、コア基板の一方または両方の主面側に単位層が形成された配線基板の製造方法であって、コア基板上に１以上の単位層が形成された中間積層体を形成する工程を行ない、転写治具上に形成された予備導体層が、絶縁層となる樹脂膜に密着するように、転写治具と中間積層体とを相対接近および圧着させたのち、転写治具と予備導体層とを離間させて、予備導体層を中間積層体側に転写し導体層となす工程を、コア基板から最も離れて位置する単位層を形成するときにのみ行なうことを主要な特徴とする。

上記本発明の方法によると、コア基板から最も離れて位置する単位層、すなわち最上層についてのみ、転写法を適用するようにしたものである。最上層を除いた部分である中間積層体の作製には、従来のビルドアップ法を適用している。このような方法によると、基板表面のコプラナリティを高めつつも、生産コストの高騰を最小限に食い止めることが可能となる。基板表面のコプラナリティの向上に伴い、ソルダーレジスト層の開口深さの均一化、ひいては半田ペースト供給量の均一化を図ることができる。したがって、ＩＣチップと配線基板との接続信頼性の向上を期待できる。また、基板表面のコプラナリティの向上により、半田ペーストの印刷性が向上する効果も望める。したがって、上記本発明の方法は、よりいっそうのＣ４（Controlled Collapse Chip Connection）狭ピッチ化に適しているといえる。また、超音波接続やＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）接続のように、ＩＣチップの端子パッドと、配線基板の端子パッドとを直接接合する形態にあっても、配線基板の端子パッド高さの均一化により、ＩＣチップと配線基板との接続信頼性が向上する。

上記した予備導体層は、転写治具上に薄付メッキ層を形成する工程と、薄付メッキ層上にメッキレジストをパターニングする工程と、メッキレジストの非形成領域における薄付メッキ層上に、厚付メッキ層を形成する工程と、転写治具からメッキレジストを除去する工程とを経ることにより形成できる。こうした手順によれば、導体層のパターンの微細化にも対応できる。

また、転写する工程の後に、１層下の単位層の導体層が露出するように、基板積層方向における厚付メッキ層の非形成領域、かつ厚付メッキ層自体が開口周縁部となるビアを、薄付メッキ層と絶縁層とを貫通する形態にて穿孔する工程と、ビアを導体で充填するとともに、導体が充填されてなるフィルドビア上に端子パッドを形成する工程と、予備導体層のうち、薄付メッキ層を除去して導体層を形成する工程と、を行なうことができる。このように、ビアの直上に端子パッドを形成すると、大面積のランドをビアの開口周縁部に設ける必要がないため、狭ピッチ化に有利である。

また、好適な態様において、端子パッドを形成する工程は、ビアの穿孔後、ビアの開口周縁部が露出するようにメッキレジストをパターニングする工程と、ビアの開口周縁部をなす厚付メッキ層を被覆する形態にて、ビアの内面に無電解メッキを施す工程と、ビアに充填される導体と端子パッドとを電解メッキにより連続形成する工程とを含む。このような手順によると、ビア内の導体充填をメッキにより、比較的簡単に行なうことができる。

また、課題を解決するために本発明の配線基板は、絶縁層と導体層とが交互に積層され、それら絶縁層および導体層からなる単位層うち、少なくとも１つの単位層が自立性を有するコア基板により構成され、コア基板の一方または両方の主面側に２以上の単位層が形成された配線基板であって、コア基板から最も離れて位置する単位層の導体層と、その１層下の単位層の導体層とがフィルドビアにて層間接続されており、当該配線基板の積層方向において、フィルドビアの直上には、そのフィルドビアを充填するメッキ導体と同一組成のメッキ導体により端子パッドが形成され、その端子パッドは、導体層の表面よりも積層方向に突出する形態を有し、かつ基板面内方向における導体層の外縁よりも内側に位置していることを特徴とする。

上記本発明の配線基板によると、基板表面に露出する端子パッドが、最上層の導体層の表面よりも積層方向に突出し、かつ、該導体層の外縁よりも内側に位置する形態で形成されている。このような形態の端子パッドは、基板厚さ方向における高さが比較的大きい端子パッドを形成しやすい。端子パッドの厚さが十分に確保されている配線基板は、ＩＣチップとの接続を行い易い。

また、コア基板から最も離れて位置する単位層を構成する絶縁層が表面に露出し、端子パッドはその絶縁層の表面よりも突出する形態で設けられている。すなわち、ソルダーレジスト層が非形成となっている。このような形態を有する端子パッドは、超音波接続用の端子パッド、もしくはＡＣＦ接続用の端子パッドとして好適である。

なお、本発明の製造方法は、フリップチップ実装用の配線基板の製造に、特に好適としているが、他の実装形態の配線基板にも採用できることはもちろんである。

以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。該配線基板は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに配線金属層をなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。

また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、熱硬化性または感光性樹脂組成物６にて構成された第一ビルドアップ層（絶縁層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ金属配線７，７を有する第一導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第一導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第一導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、熱硬化性または感光性樹脂組成物６を用いた第二ビルドアップ層（絶縁層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。その表面には、多数の金属配線８，８と金属端子パッド１０，１７をそれぞれ有する第二導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第一導体層Ｍ２，Ｍ１２と第二導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。多数の金属パッド１０は、配線基板１のほぼ中央部分に正方形状に配列し、チップ搭載部を形成している。

板状コア２とコア導体層Ｍ１，Ｍ１１とは、コア基板５０を構成している。そして、第一ビルドアップ層Ｖ１と第一導体層Ｍ２とが１層の単位層５１、第二ビルドアップ層Ｖ２と第二導体層Ｍ３とが１層の単位層５２を構成している。同様に、第一ビルドアップ層Ｖ１１と第一導体層Ｍ１２とが１層の単位層５３、第二ビルドアップ層Ｖ１２と第二導体層Ｍ１３とが１層の単位層５４を構成している。そして、それら単位層５１〜５４がコア基板５０上に順次積層された形になっている。コア基板５０上には、一方の面側につき複数層の単位層が積層される。

配線基板１において、一方の主面側に形成された金属端子パッド１０は、集積回路チップなどをフリップチップ接続するためのパッドとして機能する。他方、反対側の金属端子パッド１７は、配線基板１自体をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面パッドとして利用されるものである。

コア配線パターンＭ１，Ｍ１１、第一導体層Ｍ２，Ｍ１２および第二導体層Ｍ３，Ｍ１３の各表面は、上層の樹脂層との密着強度を上げるために表面粗化処理（例えば化学的な処理に基づくもの）が施されている。なお、第二導体層Ｍ３については、表面粗化処理を省略することも可能である。図１に示す配線基板１の端子パッド１０と、ＩＣチップの端子パッドとの接続には、超音波接続またはＡＣＦ接続が採用されることを想定しており、ソルダーレジスト層を設けないためである。もちろん、配線基板１の端子パッド１０と、ＩＣチップの端子パッドとの接続に半田接続を採用することもでき、その場合にはソルダーレジスト層を設けるので、第二導体層Ｍ３は粗化処理される。

本実施形態の配線基板１において、層間接続を取るための各ビア３４は、孔内に導体充填されたフィルドビア３４とされている。これにより、上下のビア同士を重ねて位置させるスタックドビア構造を採用することが可能となっている。スタックドビア構造によれば、ビアの開口周縁部においてビアランド（ビアパッド）を形成する必要が無くなるため、狭ピッチ化に極めて有利である。フィルドビア３４は、Ｃｕメッキまたは導電ペーストを孔内に充填することにより形成される。ただし、前者を採用することにより、フィルドビア３４上の端子パッド１０についても、孔内へのＣｕメッキ工程と同一工程にて形成することが可能であり、非常に効率がよい。

図２に示すのは、互いに上下の関係にある単位層５１，５２のフィルドビア３４，３４により構成されたスタックドビア構造の拡大断面模式図である。フィルドビア３４の孔内には、Ｃｕメッキからなるビア導体３４０が充填されている。配線基板１の最表面に形成される端子パッド１０は、コア基板５０から最も離れた位置の単位層５２が有するフィルドビア３４の真上に形成されている。端子パッド１０は、略円柱状の形態を有し、配線基板１の面内方向において、単位層５２の導体層Ｍ３を構成する金属配線８の外縁よりも内側の領域に形成されている。フィルドビア３４の開口周縁部をなす金属配線８は、その一部または全部がビルドアップ層Ｖ２に埋没し、３方向でビルドアップ層Ｖ２に密着されている。他方、端子パッド１０は、ビルドアップ層Ｖ２とは非接触とされ、表面ＣＰから台地状に突出している。

フリップチップ実装においては、従来の半田Ｃ４に代わり、超音波によるＩＣチップの端子と配線基板の端子パッドとの直接接続や、ＡＣＦを用いた接続が採用されつつある。これらの接続方法を採用するにあたり、ＩＣチップと配線基板との接続信頼性を高めるには、図２に示す端子パッド１０のように、絶縁層（ビルドアップ層Ｖ２）と非接触、かつ適度に嵩高く調整されるもののほうが好都合である。さらに、ＩＣチップと基板表面との隙間へのアンダーフィル材の流れ込み性も良好となることが期待される（ただしＡＣＦ接続の場合を除く）。

次に、配線基板１の製造方法について説明する。配線基板１は、ビルドアップ配線基板として構成されるものであるが、コア基板５０に隣接する単位層５１，５３と、コア基板５０から離れて位置する単位層５２，５４とは、それぞれ異なるビルドアッププロセスにより形成されている。コア基板５０と、コア基板５０に隣接する単位層５１，５３とからなる中間積層体１’（図４の工程５参照）は、以下に簡単に説明するビルドアッププロセスにより作製される。

まず、板状の耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）または、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）を板状コア２として、その両表面に銅箔を張り付けた銅張り板（ＣＣＬ板）にフォトエッチング加工を施し、所定のパターンを有するコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を形成する。また、ＮＣドリリングによりスルーホール１２が形成される。スルーホール１２には、Ｃｕメッキによりスルーホール導体３０を形成したのち、エポキシ樹脂等の穴埋め材３１が充填される。

コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の表面に粗化処理を行った後、エポキシ樹脂からなるフィルムを貼り付けて、第一ビルドアップ層Ｖ１，Ｖ１１を形成する。次に、第一ビルドアップ層Ｖ１，Ｖ１１の所定位置にレーザ光を照射してビア３４を形成する。そして、第一ビルドアップ層Ｖ１，Ｖ１１上へのパターンメッキにより導体層Ｍ２，Ｍ１２を形成する。上記パターンメッキにより、ビア３４の孔内へのＣｕメッキ充填も行う。以上のようにして、中間積層体１’（図４の工程５参照）を得ることができる。

なお、ビア３４を穿孔するレーザ加工には、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザおよびＮｄ：ＹＡＧレーザのグループから選ばれる１種のレーザを使用できる。中でも、マイクロメートルオーダーでの微細加工が比較的容易に行える、非線形結晶を用いて高調波を発生させれば紫外領域の光として使用可能、コスト面でエキシマレーザよりも有利、加工面の均一性が高い、ガスレーザに比べて信頼性が高い、などの理由によりＮｄ：ＹＡＧレーザは好適である。

一方、コア基板５０から最も離れて位置する単位層５２，５４のみ、以下のような転写ビルドアップ法により形成することができる。これにより、配線基板１の表面凹凸を小さくすることができる。図３に示すように、まず、板状の形態をなす転写治具４０の一方の主面側にＣｕメッキを薄付けする（工程１）。薄付Ｃｕメッキ層４１の厚さは、たとえば０．３μｍ以上２．０μｍ以下とすることが望ましい。薄付Ｃｕメッキ層４１が薄すぎると、転写治具４０上に形成した導体パターンを中間積層体１’と合体させる際に、薄付Ｃｕメッキ層４１に破断が生じやすくなり、歩留まり低下を招く恐れがある。他方、薄付Ｃｕメッキ層４１が厚すぎると、後工程においてエッチング除去しにくくなり、生産性の低下を招く。また、転写治具４０としては、安価であること、Ｃｕメッキとの密着性が比較的低いことなどの理由から、ステンレス鋼、Ｎｉ−Ｆｅ合金などの金属材料で構成されたものや、メラミン樹脂などの樹脂材料からなる硬質な樹脂板などを使用することができる。

次に、薄付Ｃｕメッキ層４１上に、たとえば紫外線硬化性ドライフィルムからなるメッキレジスト４２を貼着するとともに、フォトリソプロセスによりパターニングする（工程２）。次に、メッキレジスト４２の非形成領域における薄付メッキ層４１上に、電解Ｃｕメッキにより厚付Ｃｕメッキ層４３を形成する（工程３）。次に、転写治具４０からメッキレジスト４２を除去する。これにより、転写治具４０上には、薄付Ｃｕメッキ層４１および厚付Ｃｕメッキ層４３からなる予備導体層４４が形成される。

そして、図４に示すように、予備導体層４４を支持した転写治具４０については予備導体層４４の形成されている面側、中間積層体１’については樹脂膜６が配置された面側が、それぞれ対向面側となるように、両者を相対接近させる（工程５）。中間積層体１’は、前述した手順により、コア基板５０上に１層以上の単位層を形成したものであり、上記相対接近に先立って、表面に樹脂膜６が配置（貼着）されている。樹脂膜６は、エポキシ系、ポリイミド系、フェノール系などの熱硬化性樹脂により構成されるものであり、半硬化状態（いわゆるＢステージ）となるように加工したフィルム状のものが好適である。なお、樹脂膜６を予備導体層４４が形成された転写治具４０に貼着しておき、樹脂膜６を介して中間積層体１’と予備導体層４４とが積層されるようにしてもよい。

そして、中間積層体１’上の樹脂膜６に予備導体層４４が密着するように、転写治具４０と中間積層体１’とを圧着させる（工程６）。この工程は、Ｂステージ状態の樹脂膜６が軟化および硬化の各段階を経るように、加熱しながら行なうことができる。これにより、予備導体層４４うち、厚付Ｃｕメッキ層４３が樹脂膜６に埋没する形となり、厚付Ｃｕメッキ層４３により構成される導体層Ｍ３（図１参照）の安定化につながる。なお、予備導体層４４には、樹脂膜６との密着性向上のための表面粗化処理を予め施しておくことが望ましい。

上記貼り合わせを十分に行なった後、転写治具４０と予備導体層４４とを離間させて、予備導体層４４を中間積層体１’側に転写する（工程７）。図４に示す実施形態では、転写治具４０を用いた単位層の形成は、中間積層体１’の片面づつ行なうようにしているが、両面同時に行なうことも可能である。すなわち、コア基板５０を挟んで位置する１対の単位層５２，５４を形成するために、２つの転写治具４０を用いて、同時に中間積層体１’に１対の予備導体層４４，４４を転写することができる。すると、中間積層体１’を両面側から転写治具４０で挟むようにして単位層５２，５４を形成することとなる。このような手法によると、予備導体層４４，４４と樹脂膜６との密着性の良化、基板表面のコプラナリティの向上をより期待できる。

ところで、転写治具４０と予備導体層４４との離間容易性は、ステンレス鋼とＣｕメッキとの剥離容易性に関連する。すなわち、薄付Ｃｕメッキ層４１を形成する前に、転写治具４０の主面上に樹脂等を含有する剥離剤を塗布しておくとよい。この剥離剤は、加熱により軟化するものを使用することができる。これにより、転写治具４０と中間積層体１’とを相互に加圧および加熱する際に、転写治具４０と薄付Ｃｕメッキとの密着性が自然と低下し、両者をスムーズに離間させることができるようになる。そのようにする場合、薄付Ｃｕメッキ層４１の形成は、無電解Ｃｕメッキにより行なうことが可能である。また、金属薄板により構成される転写治具４０のメッキ層形成面を、予め研磨面としておくことも考え得る。また、転写治具４０と予備導体層４４との界面に、高圧の流体を吹き付けながら両者を離間させてもよい。また、転写治具４０が十分に薄い場合には、転写治具４０自体を機械研磨および／または化学エッチングにより、直接除去することも考え得る。

次に、図５に示すように、１層下の単位層５１の導体層Ｍ２が露出するように、基板積層方向における厚付Ｃｕメッキ層４３の非形成領域、かつ厚付Ｃｕメッキ層４３自体が開口周縁部となるビア３４を、薄付Ｃｕメッキ層４１と絶縁層６とを貫通する形態にて穿孔する（工程８）。前述したように、薄付Ｃｕメッキ層４１を貫通して形成されるビア３４は、レーザ加工により穿孔されたレーザビアとされる。レーザ加工に際し、レーザ照射位置は、中間積層体１’に転写された予備導体層４４が有するアライメントマークを使用することができる。このようにすると、対象としている層そのものが有するアライメントマークに基づいてレーザ照射位置が設定されることになり、１層下の導体層に形成されたアライメントマークを見る場合に比べて、高い位置合わせ精度の達成が期待できる。レーザによる穿孔後は、孔内のデスミアを行なう。

予備導体層４４に形成されるアライメントマークは、転写治具４０に形成された基準マークに基づくものとすることができる。たとえば、図６（ａ）（ｂ）に示すように、転写治具４０の凸状部４ｋや貫通孔４ｈを基準マークとして使用することができる。これら凸状部４ｋや貫通孔４ｈが、予備導体層４４の形成を妨げることにより、図７に示すように、予備導体層４４の非形成領域をアライメントマーク４ａとして使用することができる。なお、一層下の単位層５１に形成されたアライメントマークに基づいてレーザ加工を行なうようにしてもよい。

レーザによるビア３４の穿孔後、ビア３４の開口周縁部が露出するようにメッキレジスト４６をパターニングする。そして、ビア３４の開口周縁部をなす厚付メッキ層４３に導通させる形態にて、ビア３４の内面に無電解Ｃｕメッキを施す（工程９）。次に、ビア３４に充填されるメッキ導体３４０と端子パッド１０とを電解Ｃｕメッキにより連続形成する。これにより、ビア３４にＣｕメッキ導体３４０が充填される。Ｃｕメッキ導体３４０が充填されてなるフィルドビア３４上に、ビア開口よりも大面積の端子パッド１０を、その端子パッド１０が厚付Ｃｕメッキ層４３の外縁よりも内側に位置するように形成する（工程１０）。このような手順によれば、ビア３４への導体充填と、端子パッド１０の形成とを極めて効率良く行なえる。

次に、メッキレジスト４６を除去（剥離）するとともに、予備導体層４４を構成する薄付Ｃｕメッキ層４１をエッチング除去して金属配線８を有する導体層Ｍ３を得る。そして、端子パッド１０にＮｉ／Ａｕメッキを施すことにより、図１に示した配線基板１を得ることができる。なお、Ｎｉメッキを省略してＡｕメッキを直接施すと、工程数も経るので好適である。特に、配線基板１とＩＣチップとの接合に、超音波接合やＡＣＦを採用する場合、端子パッドを構成するＣｕの拡散を防止する必要性が小さいので、Ｃｕメッキからなる端子パッド１０にＡｕメッキを直接施すことが可能である。

本発明にかかる配線基板の一例を示す断面構造。 端子パッドの部分拡大断面図。 図１の配線基板の製造方法を示す工程説明図。 図３に続く工程説明図。 図４に続く工程説明図。 転写治具に設けられた基準マークを例示する断面模式図。 予備導体層が有するアライメントマークの例を示す模式図。

符号の説明

１ 配線基板
１’ 中間積層体
２ 板状コア
６ 樹脂膜
１０ 端子パッド
Ｍ１，Ｍ１１ コア導体層
Ｖ１，Ｖ１１，Ｖ２，Ｖ１２ ビルドアップ層
Ｍ２，Ｍ１２，Ｍ３，Ｍ１３ 導体層
３４ ビア（フィルドビア）
４０ 転写治具
４１ 薄付Ｃｕメッキ層
４２ メッキレジスト
４３ 厚付Ｃｕメッキ層
４４ 予備導体層
５０ コア基板
５１〜５４ 単位層
６０ Ａｕメッキ層
３４０ Ｃｕメッキ導体

Claims (6)

1. 絶縁層と導体層とが交互に積層され、それら絶縁層および導体層からなる単位層のうち、コア基板の一方または両方の主面側に前記単位層が形成された配線基板の製造方法であって、
   前記コア基板上に１以上の前記単位層が形成された中間積層体を形成する工程を行ない、
   転写治具上に形成された予備導体層が、前記絶縁層となる樹脂膜に密着するように、前記転写治具と前記中間積層体とを相対接近および圧着させたのち、前記転写治具と前記予備導体層とを離間させて、前記予備導体層を前記中間積層体側に転写し前記導体層となす工程を、
   前記コア基板から最も離れて位置する前記単位層を形成するときにのみ行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記予備導体層は、転写治具上に薄付メッキ層を形成する工程と、
   前記薄付メッキ層上にメッキレジストをパターニングする工程と、
   前記メッキレジストの非形成領域における前記薄付メッキ層上に、厚付メッキ層を形成する工程と、
   前記転写治具から前記メッキレジストを除去する工程と、
   により形成されたものである請求項１記載の配線基板の製造方法。
3. 前記転写する工程の後に、１層下の前記単位層の前記導体層が露出するように、基板積層方向における前記厚付メッキ層の非形成領域、かつ前記厚付メッキ層自体が開口周縁部となるビアを、前記薄付メッキ層と前記絶縁層とを貫通する形態にて穿孔する工程と、
   前記ビアを導体で充填するとともに、導体が充填されてなるフィルドビア上に端子パッドを形成する工程と、
   前記予備導体層のうち、前記薄付メッキ層を除去して前記導体層を形成する工程と、
   を行なう請求項２記載の配線基板の製造方法。
4. 前記端子パッドを形成する工程は、前記ビアの穿孔後、前記ビアの開口周縁部が露出するようにメッキレジストをパターニングする工程と、前記ビアの開口周縁部をなす前記厚付メッキ層の一部を被覆する形態にて、前記ビアの内面に無電解メッキを施す工程と、前記ビアに充填される前記導体と前記端子パッドとを電解メッキにより連続形成する工程と、を含む請求項３記載の配線基板の製造方法。
5. 絶縁層と導体層とが交互に積層され、それら絶縁層および導体層からなる単位層うち、少なくとも１つの単位層が自立性を有するコア基板により構成され、前記コア基板の一方または両方の主面側に２以上の前記単位層が形成された配線基板であって、前記コア基板から最も離れて位置する前記単位層の前記導体層と、その１層下の前記単位層の前記導体層とがフィルドビアにて層間接続されており、当該配線基板の積層方向において、前記フィルドビアの直上には、そのフィルドビアを充填するメッキ導体と同一組成のメッキ導体により端子パッドが形成され、その端子パッドは、前記導体層の表面よりも前記積層方向に突出する形態を有し、かつ基板面内方向における前記導体層の外縁よりも内側に位置していることを特徴とする配線基板。
6. 前記コア基板から最も離れて位置する前記単位層を構成する前記絶縁層が表面に露出し、前記端子パッドはその絶縁層の表面よりも突出する形態で設けられている請求項５記載の配線基板。
   

Images