JP2008091385A - 多層回路配線板及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明の目的とするところは、半導体チップを搭載する多層回路配線板において、その内部のフィルドビア近傍で発生する熱変型を抑え、信頼性の高い多層回路配線板を提供することである。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明の多層回路配線板は、第1絶縁層と、第1絶縁層上に形成された第1配線層と、第1配線層上に接着剤層を介して積層された絶縁基材とを備え、第1配線層の周囲の第1絶縁層に掘り込みが形成され、掘り込みには接着剤が充填されているものとする。
【選択図】図1
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明の多層回路配線板は、第1絶縁層と、第1絶縁層上に形成された第1配線層と、第1配線層上に接着剤層を介して積層された絶縁基材とを備え、第1配線層の周囲の第1絶縁層に掘り込みが形成され、掘り込みには接着剤が充填されているものとする。
【選択図】図1
Description
本発明は、多層回路配線板及びこれに半導体チップを搭載した半導体装置に関するものである。
半導体大規模集積回路(LSI)等の半導体素子には、近年、動作速度がクロック周波数で1GHzに達するものが出現している。この様な高速半導体素子では、トランジスターの集積度が高く、その結果入出力端子数が1000を越えることもある。
このような多端子数の半導体素子をプリント配線基板に実装するために、半導体素子とプリント基板の間には多層回路配線板が配置され、両者の電気的接合の橋渡しを担っている。多層回路配線板は、高密度化された半導体素子の端子との接合に対応するため、プリント配線基板よりも非常に薄い層構造と、微細なライン・アンド・スペースを有する配線パターンを持つ。
現在広く実用化されている多層回路配線板としては、例えばBGA(Ball Grid Array)やCSP(Chip Size Package)等が挙げられる(非特許文献1参照)。
現在広く実用化されている多層回路配線板としては、例えばBGA(Ball Grid Array)やCSP(Chip Size Package)等が挙げられる(非特許文献1参照)。
最近では、さらなる高密度実装への対応、また、高動作周波数化への要望に答えるため、ポリイミド樹脂フィルムなどに配線層を形成したものを積層して多層回路配線板全体の厚さを薄くするとともに、層間接続長を短くすることにより高周波数に対応させたものも開発されてきている。
図3(a)は、BGA対応の4層構成の多層回路配線板の一例を示す部分模式構成断面図であり、図3(b)、(c)と図4(d)、(e)は、それぞれ1層目から4層目の導電層の上面図である。
多層回路配線板400は、絶縁基材410の両面に配線パターン411、412、フィルドビアパッド416、417、418とダミーパターン413、414が形成されている。さらに、接着剤層420、絶縁基材430を介して一方の面には半導体チップを接続するための半田バンプ接続用電極パッド431、432、配線パターン433、434、フィルドビアパッド435、436、およびダミーパターン438が形成されている。さらに他方の面には、接着剤層440、絶縁基材450を介してプリント配線板と接続するための半田ボール用電極パッド451、452、配線パターン453、454とダミーパターン455が形成されている。配線パターン433と412は、2段スタックビア470、471で接続されており、配線パターン434と411は単独フィルドビア460で接続されている。また、配線パターン453、454もフィルドビア(不図示)を介して配線パターン412と同層の配線パターン(不図示)に接続されている。
図3及び図4に示した配線パターン、フィルドビアパッド、半田バンプ接続用電極パッド、半田ボール用電極パッドと、同じ階層に設けられているダミーパターンとは、お互いの外縁を一定距離隔てて形成されている(以下、クリア領域と呼称する)。一般的にクリア領域はフィルドビアパッドを中心とした半径150μm以上の円であることが多い。ぞれぞれ独立する導体パターンの外縁間の距離は通常100μmから400μmに設定される。また、半田バンプ接続用電極パッド431、432及び半田ボール用電極パッド451、452以外の領域にはソルダーレジスト層491、492が形成されている。
次に、上記多層回路配線板を用いた一般的な実装構成例を図6に示す。多層回路配線板400の上面には、半導体チップ230が半田バンプ220によって実装される。また、多層回路配線板400は薄くて反りやすいため、半導体チップ230の周囲にはスティフナと呼ばれる枠状の板210が取り付けられることが多い。さらにチップの上面にはリッドと呼ばれる放熱板250が貼り付けられる(例えば特許文献1参照)。多層回路配線板400の下面は、多数の半田ボール260がアレイ状に形成されており、この状態で最終的に半田ボール260を介してプリント配線板270に実装され、半導体装置300となる。
このような多層回路配線板における問題として、半導体チップやプリント基板に実装した際、配線板の厚さが薄いために配線板と半導体チップ、プリント基板との熱変形差によって反りや変型が発生しやすいと共に、多層回路配線板内部においても、絶縁基材,接着剤層などの有機材料と、配線,フィルドビアなどの金属材料との熱膨張差によって変形が発生する。こういった熱変形による応力は、多層回路配線板内部において層間の電気的接続を担っているフィルドビア近辺に集中しやすく、回路接続の信頼性上問題となる場合がある。
特開2001−110926号公報
春日壽夫 編、超小型パッケージCSP/BGA技術 日刊工業新聞社(1999) p35
本発明は、以上の事情に鑑みて考えられたものであり、その目的とするところは半導体チップを搭載する多層回路配線板において、その内部のフィルドビア近傍で発生する熱変型を抑え、信頼性の高い多層回路配線板を提供することである。
上記課題を解決するための第一の発明は、第1絶縁層と、第1絶縁層上に形成された第1配線層と、第1配線層上に接着剤層を介して積層された絶縁基材とを備え、第1配線層の周囲の第1絶縁層に掘り込みが形成され、掘り込みには接着剤が充填されていることを特徴とする多層回路配線板である。
本発明の構成とするとで、配線層周囲の掘り込みに接着剤が流れ込み、接着剤層が薄くなるので、接着剤層と絶縁基板など他の有機材、または接着剤層と金属材料との熱膨張差の影響を抑えることができる。そのため、多層回路配線板の変形を抑えることができる。
本発明の構成とするとで、配線層周囲の掘り込みに接着剤が流れ込み、接着剤層が薄くなるので、接着剤層と絶縁基板など他の有機材、または接着剤層と金属材料との熱膨張差の影響を抑えることができる。そのため、多層回路配線板の変形を抑えることができる。
上記課題を解決するための第二の発明は、さらに、前記第1配線層の上層または下層にさらに第2配線層を備え、前記第1配線層と第2配線層とはフィルドビアで接続され、前記第1配線層は前記第2配線層と接続するフィルドビアのためのパッドを備え、前記掘り込みはフィルドビアのためのパッドの周囲に形成されていることを特徴とする多層回路配線板である。
フィルドビアパッド上の接着剤層の厚みが薄くなるので、フィルドビアに対する接着剤層の熱膨張の影響を抑えることができる。
フィルドビアパッド上の接着剤層の厚みが薄くなるので、フィルドビアに対する接着剤層の熱膨張の影響を抑えることができる。
上記課題を解決するための第三の発明は、さらに、前記第2配線層は前記第1配線層の上層に備わっていることを特徴とする多層回路配線板である。
さらに、接着剤層の厚みが薄くなることで、第1配線層と第2配線層との間の絶縁層の厚みが薄くなるので、フィルドビアの長さを短くすることができる。そのため、フィルドビアの剛性が増し、接続信頼性が向上する。
さらに、接着剤層の厚みが薄くなることで、第1配線層と第2配線層との間の絶縁層の厚みが薄くなるので、フィルドビアの長さを短くすることができる。そのため、フィルドビアの剛性が増し、接続信頼性が向上する。
さらに、本発明の多層回路配線板について、前記掘り込みの深さをd、前記掘り込みの面積をSc、前記フィルドビアパッドの面積をSp、積層前の前記接着剤層の厚さをtaとしたとき、
(0.2taSp/Sc)<d<(0.7taSp/Sc)
を満たすと、掘り込みを設ける効果を最も好ましく発揮することができる。
(0.2taSp/Sc)<d<(0.7taSp/Sc)
を満たすと、掘り込みを設ける効果を最も好ましく発揮することができる。
さらに、本発明の多層回路配線板は、一方の面に半導体チップと接続されるための電極パッドを、他方の面にプリント配線板と接続されるための電極パッドを備えている。
本発明の半導体装置は、さらに、前記多層回路配線板の一方の面に半導体チップを搭載した半導体装置である。
本発明の半導体装置は、さらに、前記多層回路配線板の一方の面に半導体チップを搭載した半導体装置である。
従って、本発明の多層回路配線基板においては、以上のような手段を講じることにより、配線基板内部のフィルドビアへの応力集中を抑え、信頼性の高い多層回路配線基板を提供することが可能となる。
本発明によれば、導体パターン周囲の掘り込みに接着剤が流れ込むため、接着剤層の厚みが薄くなる。そのため、接着剤層と絶縁基板などの他の有機材、または接着剤層と金属材料との熱膨張差による変形が低減される。また、接着剤層の厚みが薄くなるということは、同じ材料を用いた場合に絶縁層の厚みが薄くなるということであるので、当該導電層とその上層との導通を図るビアの長さを短くすることができる。
特に、フィルドビア周囲に掘り込みが設けられているので、フィルドビア上面の接着剤層の厚みが薄くなり、フィルドビア周囲での接着剤層の熱膨張が抑えられるとともに、スタックビアとする場合はビアの信頼性が向上する。
さらに、掘り込みの深さを所定の範囲とすることで、基板の変形を抑え、フィルドビアの信頼性を向上させる効果を最も得ることができる。
このような多層回路配線板に半導体チップを実装した半導体装置は、特にリフロー等加熱時のゆがみが少なく、信頼性が高い半導体装置とすることができる。
さらに、掘り込みの深さを所定の範囲とすることで、基板の変形を抑え、フィルドビアの信頼性を向上させる効果を最も得ることができる。
このような多層回路配線板に半導体チップを実装した半導体装置は、特にリフロー等加熱時のゆがみが少なく、信頼性が高い半導体装置とすることができる。
以下、図1を用いて本発明の多層回路配線基板の一例について説明を行う。なお、図1(a)は、本発明のBGA型多層回路配線板の一実施例を示す部分模式構成断面図であり、図1(b)、(c)及び図2(d)、(e)は、それぞれ1層目〜4層目の導電層の上面図である。
本発明の多層回路配線板100は、絶縁基材110の両面に配線パターン111,112、フィルドビアパッド116,117,118とダミーパターン113,114が形成されている。さらに、接着剤層120,絶縁基材130を介して一方の面には半導体チップを接続するための半田バンプ接続用電極パッド131,132、配線パターン133、134、フィルドビアパッド135,136,およびダミーパターン138が形成されている。さらに、接着剤層140、絶縁基材150を介して他方の面にはプリント配線板と接続するための半田ボール用電極パッド151,152、配線パターン153、154が形成されている。各階層は絶縁層により隔てられており、フィルドビアによって電気的に接続されている。絶縁層は絶縁基材、あるいは絶縁基材と接着剤層から構成されている。
図1及び図2に示した配線パターン、フィルドビアパッド、半田バンプ接続用電極パッド、半田ボール接続用電極パッドと、同じ階層に設けられているダミーパターンとの間には、クリア領域が設けられ、お互いの外縁を一定距離隔てる構造になっている。
図1(c)では、絶縁基材110の上にフィルドビアパッド116,117、配線パターン111、ダミーパターン113が形成されている。スタック構造フィルドビア171のフィルドビアパッド116とダミーパターン113との間にクリア領域181が、単独フィルドビア160のパッド117とダミーパターン113との間にクリア領域180が、配線パターン111とダミーパターン113との間にクリア領域120が設けられている。
ここで、フィルドビアパッドとダミーパターンとの間に設けられたクリア領域181、180が位置する絶縁基材110には掘り込みが形成されている。これにより、各層を貼り合わせて多層回路配線板を作製する際、貼り合わせ時の圧力によってパッド上に位置していた接着剤が、隣接する掘り込み部分へ回り込み、その結果、パッドに隣接したクリア領域部分の接着剤層は掘り込み深さ分厚く、パッド上の接着剤層は薄くなる。
パッド上も含め全体としては接着剤層が薄くなるため、隣り合う階層の配線パターンを隔てる絶縁層厚みを薄くすることができ、これら配線パターンを接続するビアの長さを短くすることができる。フィルドビア自体の長さが短くなることにより剛性が高まる。さらに、ビア周囲の接着剤層の厚みが減ることにより、接着剤層と他の有機材、あるいは金属材料との熱膨張差による変形も低減される。その結果信頼性の高い多層回路配線板を提供することができる。
本発明で掘り込みはフィルドビアパッドのクリア領域に形成されるが、フィルドビアパッドの上に積層される接着剤の体積Vpは、フィルドビアパッドの面積をSp、接着に用いられる接着剤層の厚みをtaとすると、
Vp=taSp …(1)
で求めることができる。
ここで、クリア領域181、180に設ける掘り込みの体積をVcとすると、この接着剤体積Vpと、掘り込み体積Vcとの関係が
0.2Vp<Vc<0.7Vp …(2)
の範囲であると、本発明の効果がより好ましく得られることが判明した。掘り込みの体積Vcは掘り込み深さをd、クリア領域面積をScとすると
Vc=dSc …(3)
で求めることができるので、式(1)、(2)、(3)から、以下の式を導くことができる。
(0.2taSp/Sc)<d<(0.7taSp/Sc) …(4)
Vp=taSp …(1)
で求めることができる。
ここで、クリア領域181、180に設ける掘り込みの体積をVcとすると、この接着剤体積Vpと、掘り込み体積Vcとの関係が
0.2Vp<Vc<0.7Vp …(2)
の範囲であると、本発明の効果がより好ましく得られることが判明した。掘り込みの体積Vcは掘り込み深さをd、クリア領域面積をScとすると
Vc=dSc …(3)
で求めることができるので、式(1)、(2)、(3)から、以下の式を導くことができる。
(0.2taSp/Sc)<d<(0.7taSp/Sc) …(4)
絶縁基材110、130、150の材料としては、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂を用いることができるが、ガラスエポキシやBTレジンなど、他の絶縁材料を用いてもよい。絶縁基材の厚さは例えば10〜100μmとすることができる。接着剤層となる接着剤としては、例えばエポキシ樹脂を用いることができるが、他の絶縁樹脂を用いてもよい。また、厚さは例えば10〜100μmとすることができる。
配線パターン111、112、133、134、153、154及びフィルドビアパッド116,117,118,135,136、半田バンプ接続用電極パッド131,132、半田ボール接続用電極パッド151,152は、例えば銅によって構成されており、この厚みは例えば15μmである。これらは、例えば絶縁基材となるポリイミド等の絶縁フィルムの上に一面に銅箔を積層し、これをエッチングすることによって形成することができる。
フィルドビア160、170、171は、例えば銅箔などの導体層が所定の絶縁層の上に形成された後、例えばレーザー加工により導体層および絶縁層を貫通し隣接する階層のフィルドビアパッドに到達する貫通孔を形成し、この貫通孔内にさらにメッキ処理を施して導電材料を充填して形成することができる。充填する材料としては、例えば配線パターンと同じく銅を用いることができる。フィルドビア形成後、導体層をエッチングすることで配線パターン及びフィルドビアパッドを形成できる。
ダミーパターン138、113、114、155は、例えば配線パターンと同じ材質で構成されており、この厚みも配線パターンと同じくすることができる。これらは、例えば絶縁基材となるポリイミド等の絶縁フィルムの上に一面に銅箔を積層し、これをエッチングすることによって配線パターンと同時に形成することができる。
クリア領域180、181が位置する絶縁基板の掘り込みは、例えば、対応する階層の導体層をパターニングして配線パターン、フィルドビアパッド、ダミーパターンを形成した後、例えば絶縁基板に紫外線レーザーや炭酸ガスレーザー光線を一定深さになるまで照射して形成することができる。
外側に近い階層のL1(図1(b))及びL4(図2(e))は、半田バンプ接続用電極パッド、半田ボール接続用電極パッド以外の表面をソルダーレジスト層190、191によって被覆されている。半田バンプ接続用電極パッド131、132、および半田ボール用電極パッド151、152は、配線パターンの一部であり、表面に例えば厚さ3μmのニッケル層と厚さ0.5μmの金層を有している。
以下、本発明の多層回路配線板700の製造方法の一例について図7及び図8を用いて説明を行う。
まず、絶縁基材710の両面に金属箔を一面に貼り付け、化学研磨および脱脂処理を施し2層目(L2)の導電層701と3層目(L3)の導電層702を形成後(図7(a))、レーザー加工により、フィルドビア770の位置に対応する場所に、2層目の導電層701および絶縁基材710を貫通するビアホールを形成する(図7(b))。その後、形成したビアホールにデスミア処理を施した後、無電解銅メッキ処理及び電解銅メッキ処理を施してビアホールを銅材で充填することにより、フィルドビア770を形成する(図7(c))。
次に、硫酸と過酸化水素水との混合液により化学研磨をすることにより、2層目と3層目の導電層の厚さを整え、その表面に感光性液状レジスト704、705を塗布する(図7(d))。その後、フォトリソグラフィー技術を用いた露光、現像、およびエッチング処理を施すことで、2層目と3層目の導電層をパターン加工し、配線パターン711、712、フィルドビアパッド716、717、718、およびダミーパターン713、714を形成する(図7(e))。こうして両面に配線を備えた両面配線板を得た。ダミーパターンとフィルドビアパッド及び配線パターンとの間は絶縁基材710が露出しクリア領域となっている。
次に、両面配線板のクリア領域のうちフィルドビアパッドの周囲に設けられたクリア領域780、781が位置する絶縁基材710をレーザー照射により、一定深さまで削って掘り込み782、783を形成する(図8(f))。
次に、2層目の配線パターンを被覆するように、接着剤層720を介し、表面に銅箔が貼り付けられた絶縁性のフィルムを加熱加圧しながら貼り合わせて絶縁基材730と1層目(L1)の導体層706を形成する。同様に3層目の配線パターンを被覆するように、接着剤層740を介し、表面に銅箔が貼り付けられた絶縁性のフィルムを貼り合わせて絶縁基材750と4層目(L4)の導体層707を形成する(図8(g))。
その後、上述と同様に、レーザー加工により所定の箇所にビアホールを形成し、フィルドビアメッキ処理を施すことにより、フィルドビア760、771を形成する。さらに、フォトリソグラフィー技術および、エッチング処理を施すことにより、配線パターン733、734、753、754、フィルドビアパッド735、736、半田バンプ接続用電極パッド731、732、半田ボール接続用電極パッド751、752、およびダミーパターン738、755を形成する(図8(h))。
次に、感光性のソルダーレジスト樹脂を1層目の導電層と4層目の導電層とをそれぞれ被覆するように塗布し、パターン露光、現像、加熱硬化を行うことで、ソルダーレジスト層790、791を形成した。半田バンプ接続用電極パッド731、732および半田ボール接続用電極パッド751、752はソルダーレジスト層で被覆されておらず、それ以外の以外の導電性パターンは被覆されている。
必要に応じて半田バンプ接続用電極パッド731、732および半田ボール接続用電極パッド751、752の表面に、厚さ3μmのニッケルめっき層と厚さ0.5μmの金めっき層(図示せず)を形成し、多層回路配線板700を形成する(図8(i))。
<実施例1>
まず、25.4μm厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基材110の両面に導体層として12μm厚の銅箔が積層された両面銅張り積層板の一方の銅箔と絶縁基材とを貫通するビアホールを開けた。デスミア処理、フィルドビア銅メッキを行ってフィルドビア170を形成した後、両面の導体層上に感光性レジストを積層し、パターン露光、現像を行いパターン状のエッチングレジストを形成した。露出している導体層を塩化第二鉄溶液でエッチングし、一方の導体層を配線パターン111、フィルドビアパッド116、117及びダミーパターン113に、他方の面の導体層を配線パターン112、フィルドビアパッド118及びダミーパターン114に形成した。フィルドビアパッド116及び117は直径100μmの円であり、その面積はそれぞれ7.9×103μm2である。
こうして一方の面に第2層の配線パターンを、他方の面に第3層の配線パターンを備え、第2層の配線パターンと第3層の配線パターンはフィルドビア170で接続されている両面配線板を作製した。フィルドビアパッド116、117の外縁はダミーパターン113の外縁と100μm離れている。
まず、25.4μm厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基材110の両面に導体層として12μm厚の銅箔が積層された両面銅張り積層板の一方の銅箔と絶縁基材とを貫通するビアホールを開けた。デスミア処理、フィルドビア銅メッキを行ってフィルドビア170を形成した後、両面の導体層上に感光性レジストを積層し、パターン露光、現像を行いパターン状のエッチングレジストを形成した。露出している導体層を塩化第二鉄溶液でエッチングし、一方の導体層を配線パターン111、フィルドビアパッド116、117及びダミーパターン113に、他方の面の導体層を配線パターン112、フィルドビアパッド118及びダミーパターン114に形成した。フィルドビアパッド116及び117は直径100μmの円であり、その面積はそれぞれ7.9×103μm2である。
こうして一方の面に第2層の配線パターンを、他方の面に第3層の配線パターンを備え、第2層の配線パターンと第3層の配線パターンはフィルドビア170で接続されている両面配線板を作製した。フィルドビアパッド116、117の外縁はダミーパターン113の外縁と100μm離れている。
次に、両面配線板のクリア領域180、181に当たる部分、すなわちフィルドビアパッド116、117の外縁から100μmの範囲にわたり、炭酸ガスレーザーを1.0J/cm2照射して絶縁基材が掘り込まれ、深さ0.9μmの掘り込みが形成された。クリア領域180、181は外径150μm、内径100μm(=フィルドビアパッド)のドーナツ形状であり、その面積はクリア領域181では6.3×104μm2、クリア領域180では配線パターンの占める面積を考慮して5.8×104μm2である。
次に、両面配線板の両面に接着剤層120、140として厚さtaが10μmのエポキシ系樹脂フィルムを介し、片面銅張り積層板を加熱加圧して積層した。絶縁基材130、150として13μm厚のポリイミド樹脂フィルムを用い、配線パターン等となる導体層には厚さ12μmの圧延銅箔を用いた。所定の場所に第2層、第3層と導通を図るためのフィルドビアを形成し、その後セミアデティブプロセスにより、第1層となる一方の面に半導体チップを接続するための半田バンプ接続用電極パッド131,132、配線パターン133、134、フィルドビアパッド135,136,ダミーパターン138を、他方の面に半田ボール接続用電極パッド151,152、配線パターン153、154、ダミーパターン155を形成した。第2層と第1層とはフィルドビア171及び160で、第3層と第4層とは図示しないフィルドビアでそれぞれ接続されている。
さらに、ソルダーペーストをスクリーン印刷して、ソルダーレジスト層190及び191を形成して、4層構成の本発明のBGA型多層回路配線板100を作製した(図1(a)参照)。
こうして得られた多層回路配線板の接着剤層120の厚みは、フィルドビアパッド上で3μmであった。
こうして得られた多層回路配線板の接着剤層120の厚みは、フィルドビアパッド上で3μmであった。
こうして得られた多層回路配線板100の実装について、図5を用いて説明する。
多層回路配線板100の上面にソルダーペーストをスクリーン印刷し、半田リフロープロセスを施すことにより、鉛フリー半田バンプ220を形成した。そして、厚さ0.5mmのスティフナ210を貼り付けた後、鉛フリー半田バンプ220を介して、一辺の長さが15mm角の半導体チップ230を実装し、半導体チップ230と多層回路配線板100の間には樹脂を充填しアンダーフィル240を形成し、半導体チップ230上面にリッド250を貼り付けた。こうして一次実装を行った。
多層回路配線板100の上面にソルダーペーストをスクリーン印刷し、半田リフロープロセスを施すことにより、鉛フリー半田バンプ220を形成した。そして、厚さ0.5mmのスティフナ210を貼り付けた後、鉛フリー半田バンプ220を介して、一辺の長さが15mm角の半導体チップ230を実装し、半導体チップ230と多層回路配線板100の間には樹脂を充填しアンダーフィル240を形成し、半導体チップ230上面にリッド250を貼り付けた。こうして一次実装を行った。
次に、多層回路配線板100の下面の半田ボール接続用電極パッドに直径500μmの鉛フリー半田ボール260を形成し、最後に、厚さ2mmの多層プリント配線板270上に半田ボール実装して二次実装を完了し、半導体装置200を作製した(図5参照)。
ここで、半導体装置200では、プリント配線板270の最表面の配線、半田ボール、多層回路配線板100の内部配線により、半田ボール接続面(二次実装)側の最外層フィルドビアを含む直列のデイジーチェーン回路が形成され、プリント配線板270表面の電極(図示せず)から、その回路の導通状態が確認可能とした。
次に、製作した半導体装置200の冷熱サイクル試験を行った。半導体装置200を熱サイクル試験機(エスペック社製、商品名:TSA−101S−W)に投入し、125℃と−40℃の間での冷熱サイクル試験を行い、試験中、デイジーチェーン回路にて導通モニターを行った。試験結果を表1に示す。
<実施例2>
実施例1と同様に多層回路配線基板を作製し、冷熱サイクル試験を行った。ただし、クリア領域の絶縁基材の掘り込み深さを0.3μmとした。こうして製造した多層回路配線板の接着剤層120の厚みは、フィルドビアパッド上で7.6μmであった。試験結果を表1に示す。
実施例1と同様に多層回路配線基板を作製し、冷熱サイクル試験を行った。ただし、クリア領域の絶縁基材の掘り込み深さを0.3μmとした。こうして製造した多層回路配線板の接着剤層120の厚みは、フィルドビアパッド上で7.6μmであった。試験結果を表1に示す。
<実施例3>
実施例1と同様に多層回路配線基板を作製し、冷熱サイクル試験を行った。ただし、クリア領域の絶縁基材の掘り込み深さを0.2μmとした。こうして製造した多層回路配線板の接着剤層120の厚みは、フィルドビアパッド上で8.4μmであった。試験結果を表1に示す。
実施例1と同様に多層回路配線基板を作製し、冷熱サイクル試験を行った。ただし、クリア領域の絶縁基材の掘り込み深さを0.2μmとした。こうして製造した多層回路配線板の接着剤層120の厚みは、フィルドビアパッド上で8.4μmであった。試験結果を表1に示す。
<比較例1>
実施例1と同様に多層回路配線基板を作製し、冷熱サイクル試験を行った。ただし、クリア領域の絶縁基材に掘り込みを形成しない多層回路配線板とした。こうして製造した多層回路配線板の接着剤層420の厚みは、フィルドビアパッド上で10μmであった。接着剤が掘り込みに逃げないので積層前と同じである。試験結果を表1に示す。
実施例1と同様に多層回路配線基板を作製し、冷熱サイクル試験を行った。ただし、クリア領域の絶縁基材に掘り込みを形成しない多層回路配線板とした。こうして製造した多層回路配線板の接着剤層420の厚みは、フィルドビアパッド上で10μmであった。接着剤が掘り込みに逃げないので積層前と同じである。試験結果を表1に示す。
<評価>
実施例1、実施例2、実施例3、比較例1で得られた結果を表1に示す。
実施例1、実施例2、実施例3、比較例1で得られた結果を表1に示す。
表1より、従来構成であるクリア領域の絶縁基材に掘り込みを形成しない場合(比較例1)に比べて、掘り込みを設けた実施例1、2、3では、いずれも冷熱サイクル試験において破断サイクル数が増加し、電気的導通に対する信頼性が向上していることが確認された。
これは、導体パターン周囲の掘り込みに接着剤が流れ込むため、接着剤層の厚みが薄くなる。そのため、接着剤層と絶縁基板などの他の有機材、または接着剤層と金属材料との熱膨張差による変形が低減される。また、接着剤層の厚みが薄くなるということは、同じ材料を用いた場合に絶縁層の厚みが薄くなるということであるので、当該導電層とその上層との導通を図るビアの長さを短くすることができる。特に、フィルドビア周囲に掘り込みが設けられているので、フィルドビア上面の接着剤層の厚みが薄くなり、フィルドビア周囲での接着剤層の熱膨張が抑えられるとともに、スタックビアとする場合はビアの信頼性が向上する。
また、掘り込み深さが0.2μm、すなわちd<0.2taSp/Scの実施例3では、比較例1からの破断サイクル数の増加率は10%以内であったが、掘り込み深さが0.3μm以上、すなわちd>0.2taSp/Scである実施例1、2では、比較例1からの破断サイクル数の増加率は約20%以上と大幅に大きくなった。
なお、掘り込み深さが1μm以上、すなわちd>0.7taSp/Scの場合、フィルドビアパッド上部の接着剤層不均一や、掘り込み部分に隙間が発生するなどの問題が発生することが分かった。
以上より、本発明の多層回路配線基板は、フィルドビアに隣接するクリア領域の絶縁基材に掘り込みを形成することにより、フィルドビア自体の長さが短くなることによりビア自体の剛性が高まるとともに、ビア周囲の接着剤体積が減り、接着剤層の厚みも減ることにより、接着剤層とその他の有機材、また接着剤層と金属材料との熱膨張差による変形も低減される。その結果電気的接続信頼性が改善されることが確認された。
100、400、700…多層回路配線板
110、130、150、410、430、450、710、730、750…絶縁基材
120、140、420、440、720、740…接着剤層
190、191、490、491、790、791…ソルダーレジスト層
111、112、133、134、153、154、411、412、433、434、453、454、711、712、733、734、753、754…配線パターン
113、114、138、155、413、414、438、455、713、714、738、755…ダミーパターン
160、170、171、460、470、471、760、770、771…フィルドビア
116、117、118、135、136、416、417、418、435、436、716、717、718、735、736…フィルドビアパッド
131、132、431、432、731、732…半田バンプ接続用電極パッド
151、152、451、452、751、752…半田ボール接続用電極パッド
122、123、137、156、157、180、181、421、422、423、437、456、457、723、780、781…クリア領域
782、783…掘り込み
200、300…半導体装置
210…スティフナ
220…半田バンプ
230…半導体チップ
240…アンダーフィル
250…リッド
260…半田ボール
270…プリント配線板
701、702、706、707…導体層
703…貫通孔
704、705…感光性液状レジスト
110、130、150、410、430、450、710、730、750…絶縁基材
120、140、420、440、720、740…接着剤層
190、191、490、491、790、791…ソルダーレジスト層
111、112、133、134、153、154、411、412、433、434、453、454、711、712、733、734、753、754…配線パターン
113、114、138、155、413、414、438、455、713、714、738、755…ダミーパターン
160、170、171、460、470、471、760、770、771…フィルドビア
116、117、118、135、136、416、417、418、435、436、716、717、718、735、736…フィルドビアパッド
131、132、431、432、731、732…半田バンプ接続用電極パッド
151、152、451、452、751、752…半田ボール接続用電極パッド
122、123、137、156、157、180、181、421、422、423、437、456、457、723、780、781…クリア領域
782、783…掘り込み
200、300…半導体装置
210…スティフナ
220…半田バンプ
230…半導体チップ
240…アンダーフィル
250…リッド
260…半田ボール
270…プリント配線板
701、702、706、707…導体層
703…貫通孔
704、705…感光性液状レジスト
Claims (6)
- 第1絶縁層と、第1絶縁層上に形成された第1配線層と、第1配線層上に接着剤層を介して積層された絶縁基材とを備え、
第1配線層の周囲の第1絶縁層に掘り込みが形成され、掘り込みには接着剤が充填されていることを特徴とする多層回路配線板。 - 前記第1配線層の上層または下層にさらに第2配線層を備え、前記第1配線層と第2配線層とはフィルドビアで接続され、前記第1配線層は前記第2配線層と接続するフィルドビアのためのパッドを備え、前記掘り込みはフィルドビアのためのパッドの周囲に形成されていることを特徴とする請求項1記載の多層回路配線板。
- 前記第2配線層は前記第1配線層の上層に備わっていることを特徴とする請求項2記載の多層回路配線板。
- 前記掘り込みの深さをd、前記掘り込みの面積をSc、前記フィルドビアパッドの面積をSp、積層前の前記接着剤層の厚さをtaとしたとき、
(0.2taSp/Sc)<d<(0.7taSp/Sc)
を満たすことを特徴とする請求項2または3記載の多層回路配線板。 - 一方の面に半導体チップと接続されるための電極パッドを、他方の面にプリント配線板と接続されるための電極パッドを備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の多層回路配線板。
- 請求項5記載の一方の面に半導体チップを搭載したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006267313A JP2008091385A (ja) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | 多層回路配線板及び半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008091385A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014222686A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 株式会社村田製作所 | 樹脂多層基板 |
JP2014222721A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | 株式会社村田製作所 | 樹脂多層基板 |
-
2006
- 2006-09-29 JP JP2006267313A patent/JP2008091385A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014222686A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 株式会社村田製作所 | 樹脂多層基板 |
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