JP2005136311A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 窒化物半導体からなる基板表面を研磨処理により平坦化する工程と、
前記基板表面に方向を一方向に揃えて溝を形成する工程と、
前記基板表面を昇温する工程と、
前記基板表面に窒化物半導体の結晶成長を行う工程と、
を有する窒化物半導体基板の製造方法。 - 前記溝を形成する工程において形成する溝の深さは、1nm以上、100nm以下である、請求項1に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記溝を形成する工程において形成する溝の方向は、前記基板の<11−20>方向である、請求項1に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 研磨処理及び溝を形成する際に発生したダメージ層を除去する工程をさらに有する、請求項1に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記昇温する工程により前記基板表面の研磨傷及び溝の凹凸が鈍らされる、請求項1に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記溝を形成する工程は、研磨方向を一方向にして研磨することにより溝を形成する、請求項1に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記溝を形成する工程は、前記基板表面にレジストマスクを形成してエッチングすることにより溝を形成する、請求項1に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記溝を形成する工程は、前記基板表面をエネルギービーム加工することにより溝を形成する、請求項1に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項1〜8に記載の窒化物半導体基板の製造方法により製造された窒化物半導体基板。
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