JP2005134800A - 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)それ自身はアルカリに不溶または難溶であるが、酸の作用によりアルカリに可溶となる樹脂または化合物、(C)酸発生剤、(D)キノンジアジド基を含む感光剤、必要に応じ(E)アルカリ可溶性アクリル系樹脂および(F)膜質改善のための架橋剤を含有する化学増幅型感光性樹脂組成物。
Description
本発明の化学増幅型感光性樹脂組成物において用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂(A)としては、従来公知の、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基を含む感光剤とを含有する感光性樹脂組成物において用いられているアルカリ可溶性ノボラック樹脂であれば何れのものでもよく、特に限定されるものではない。本発明において好ましく用いることができるノボラック樹脂は、種々のフェノール類の単独あるいはそれらの複数種の混合物をホルマリンなどのアルデヒド類で重縮合することによって得られる。
で表されるエチレングリコールまたはポリエチレングリコールを減圧下、50℃にて酸触媒を用いて反応させることにより得られる、一般式(I)で表される繰り返し単位を有する重縮合生成物が代表的なものとして挙げられる。
メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、n−ヘキシルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、t−ブチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ベンジルアクリレート、2−クロルエチルアクリレート、メチル−α−クロルアクリレート、フェニル−α−ブロモアクリレートなど
メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、n−プロピルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、n−ヘキシルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、1−フェニルエチルメタクリレート、2−フェニルエチルメタクリレート、フルフリルメタクリレート、ジフェニルメチルメタクリレート、ペンタクロルフェニルメタクリレート、ナフチルメタクリレート、イソボロニルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレートなど
アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸などのジカルボン酸およびこれらジカルボン酸の無水物、2−アクリロイルハイドロジェンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルハイドロジェンフタレートなど
重量平均分子量が7,000のノボラック樹脂(m−クレゾール40%、p−クレゾール60%)100重量部、トリエチレングリコールと2−エチルブタン−1,1−ジオールの縮合重合により得られる重量平均分子量が1,000の重合体30重量部、酸発生剤としての2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス−(トリクロロメチル)−s−トリアジン0.6重量部、および4,4’−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノールの1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−4−スルホン酸エステル化合物4重量部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200重量部に溶解し、攪拌した後、1.2μmのフィルターでろ過して、本発明の感光性樹脂組成物を調製した。この組成物を6インチシリコンウエハー上に回転塗布し、115℃、7分間ホットプレートにてべーク後、65μm厚のレジスト膜を得た。このレジスト膜にズース・マイクロテック社製露光機(MA−200/ML)にて、三菱オスラム社製、HBO1000W/D水銀ランプ(405nmにおける照度、25mJ/cm2・sec)を使用してホール径とウォール幅が30〜120μm:30〜120μmとなった種々の線幅がそろったテストパターンを40秒間(1000mJ/cm2)露光し、TMAHの3.0重量%水溶液で23℃、480秒間現像し、レジストパターンを得た。得られたレジストパターンのレジスト形状および膜表面状態の観察を行った。観察はホール径とウォール幅が60μmと60μmのパターンを確認することにより行った。結果を表1に示す。
◎:表面荒れおよび膜減り共なし
○:表面荒れおよび膜減りがいくらか観察される
△:表面荒れおよび膜減り共かなりの程度観察される
×:レジスト膜の殆どが現像液に溶解してしまう
実施例1の感光性樹脂組成物に加えて重量平均分子量が30,000のメタクリル酸、メチルメタアクリレート、n−ブチルアクリレートの三元共重合体(モル比は20/50/30)15重量部を用いること以外は実施例1と同様に行い、表1の結果を得た。
実施例1の感光性樹脂組成物に加えてトリス[4-(ビニロキシ)ブチル]トリメリテート1重量部を用いること以外は実施例1と同様に行い、表1の結果を得た。
TMAHの3.0重量%水溶液で23℃、480秒間現像することに代えて、クラリアント(ジャパン)株式会社製、AZ 303N(KOHの4.8重量%水溶液)を蒸留水にて7倍希釈した溶液で23℃、200秒間現像すること以外は実施例1と同様に行い、表1の結果を得た。
重量平均分子量が7,000のノボラック樹脂(実施例1と同じもの)100重量部と、2,3,4−トリヒドロキシ−4’−ベンゾフェノンの1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−4−スルホン酸エステル化合物10重量部とをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200重量部に溶解し、調整した感光性樹脂組成物を用いること以外は実施例1と同様に行い、表1の結果を得た。
2,3,4−トリヒドロキシ−4’−ベンゾフェノンの1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−4−スルホン酸エステル化合物10重量部に代えて、トリエチレングリコールと2−エチルブタン−1,1−ジオールの縮合重合により得られる重量平均分子量が1,000の重合体30重量部、酸発生剤として2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス−(トリクロロメチル)−s−トリアジン0.6重量部、および重量平均分子量が30,000のメタクリル酸、メチルメタアクリレート、n−ブチルアクリレートの三元共重合体(モル比は20/50/30)15重量部を用いること以外は比較例1と同様に行い、表1の結果を得た。
TMAHの3.0重量%水溶液で23℃、480秒間現像することに代えて、クラリアント(ジャパン)株式会社製、AZ 303N(KOHの4.8重量%水溶液)を蒸留水にて7倍希釈した溶液で23℃、200秒間現像すること以外は比較例1と同様に行い、表1の結果を得た。
本発明の化学増幅型感光性樹脂組成物により得られたレジストパターンの耐熱性について更に評価を行った。
実施例5
実施例2で得られたレジストパターンを90℃で1分間ホットプレートにて加熱処理し、加熱処理の前後でレジストパターンの形状を比較したが、特に変化は見られず、いずれも矩形のパターンであった。
実施例1に記載の感光性樹脂組成物を調整し、実施例1と同様にしてレジストパターンを得た。残膜率は98%以上で、パターン形状は矩形で良好であった。ここで得られたレジストパターンを実施例5と同様に加熱処理を行ったところ、パターンの垂れが若干観察された。
Claims (8)
- (A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)それ自身はアルカリに不溶または難溶であるが、酸の作用により可溶となる樹脂または化合物、(C)酸発生剤および(D)キノンジアジド基を含む感光剤を含有することを特徴とする化学増幅型感光性樹脂組成物。
- 更に、(E)アルカリ可溶性アクリル系樹脂を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の化学増幅型感光性樹脂組成物。
- 前記アルカリ可溶性アクリル系樹脂が、(メタ)アクリル酸由来の構成単位と、アルキルメタクリレート由来の構成単位と、必要に応じスチレン由来の構成単位とを含んでいることを特徴とする請求項3に記載の化学増幅型感光性樹脂組成物。
- 前記アルカリ可溶性アクリル系樹脂が、ヒドロキシアルキルメタクリレート由来の構成単位と、アルキルメタクリレート由来の構成単位と、必要に応じスチレン由来の構成単位とを含んでいることを特徴とする請求項3または4に記載の化学増幅型感光性樹脂組成物。
- 更に、(F)少なくとも2個のビニロキシアルキルエステル基を含む化合物を含有することを特徴とする請求項1〜5記載の化学増幅型感光性樹脂組成物。
- 前記成分(A):(B):(C):(D):(E):(F)が、重量比で100:1〜50:0.02〜10:1〜30:0〜200:0〜30であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の化学増幅型感光性樹脂組成物。
- 膜厚を10μm以上で使用することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の化学増幅型感光性樹脂組成物。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003373069A JP4440600B2 (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物 |
EP04773036A EP1688793B1 (en) | 2003-10-31 | 2004-09-14 | Chemically amplified photosensitive resin composition for forming a thick film or ultrathick film |
DE602004030276T DE602004030276D1 (de) | 2003-10-31 | 2004-09-14 | Chemisch verstärkte lichtempfindliche harzzusammensetzung zur herstellung eines dickfilms oder ultradickfilms |
CN2004800319435A CN1875323B (zh) | 2003-10-31 | 2004-09-14 | 厚膜或超厚膜响应的化学放大型光敏树脂组合物 |
AT04773036T ATE489657T1 (de) | 2003-10-31 | 2004-09-14 | Chemisch verstärkte lichtempfindliche harzzusammensetzung zur herstellung eines dickfilms oder ultradickfilms |
US10/575,338 US20070072109A1 (en) | 2003-10-31 | 2004-09-14 | Thick film or ultrathick film responsive chemical amplification type photosensitive resin composition |
PCT/JP2004/013354 WO2005043247A1 (ja) | 2003-10-31 | 2004-09-14 | 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物 |
TW093127952A TWI307825B (en) | 2003-10-31 | 2004-09-16 | Chemically amplified photosensitive resin composition for super thick film |
MYPI20044230A MY146544A (en) | 2003-10-31 | 2004-10-14 | Chemically amplified photosensitive resin composition suitable for forming a thick film and a super thick film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003373069A JP4440600B2 (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005134800A true JP2005134800A (ja) | 2005-05-26 |
JP4440600B2 JP4440600B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=34544068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003373069A Expired - Fee Related JP4440600B2 (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070072109A1 (ja) |
EP (1) | EP1688793B1 (ja) |
JP (1) | JP4440600B2 (ja) |
CN (1) | CN1875323B (ja) |
AT (1) | ATE489657T1 (ja) |
DE (1) | DE602004030276D1 (ja) |
MY (1) | MY146544A (ja) |
TW (1) | TWI307825B (ja) |
WO (1) | WO2005043247A1 (ja) |
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-
2003
- 2003-10-31 JP JP2003373069A patent/JP4440600B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-14 AT AT04773036T patent/ATE489657T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-09-14 WO PCT/JP2004/013354 patent/WO2005043247A1/ja active Application Filing
- 2004-09-14 DE DE602004030276T patent/DE602004030276D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-14 US US10/575,338 patent/US20070072109A1/en not_active Abandoned
- 2004-09-14 CN CN2004800319435A patent/CN1875323B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-14 EP EP04773036A patent/EP1688793B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-16 TW TW093127952A patent/TWI307825B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-14 MY MYPI20044230A patent/MY146544A/en unknown
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JP2019137612A (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-22 | 公立大学法人大阪市立大学 | 化合物、感光性樹脂組成物およびレジスト膜の形成方法 |
JP2021524943A (ja) * | 2018-06-18 | 2021-09-16 | ヨンチャン ケミカル カンパニー リミテッドYoung Chang Chemical Co.,Ltd | パターンプロファイル改善用化学増幅型ポジティブフォトレジスト組成物 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP1688793A1 (en) | 2006-08-09 |
CN1875323A (zh) | 2006-12-06 |
MY146544A (en) | 2012-08-15 |
EP1688793A4 (en) | 2007-02-21 |
EP1688793B1 (en) | 2010-11-24 |
WO2005043247A1 (ja) | 2005-05-12 |
US20070072109A1 (en) | 2007-03-29 |
CN1875323B (zh) | 2010-06-16 |
TW200517782A (en) | 2005-06-01 |
DE602004030276D1 (de) | 2011-01-05 |
JP4440600B2 (ja) | 2010-03-24 |
ATE489657T1 (de) | 2010-12-15 |
TWI307825B (en) | 2009-03-21 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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