KR20070019666A - 후막 및 초후막 대응 화학 증폭형 감광성 수지 조성물 - Google Patents

후막 및 초후막 대응 화학 증폭형 감광성 수지 조성물 Download PDF

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KR20070019666A
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도시미치 마키이
요시노리 니시와키
가즈미치 아카시
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에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 알칼리 가용성 노볼락 수지(A), 자체로는 알칼리에 불용성 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리에 가용성으로 되는 수지 또는 화합물(B), 산 발생제(C), 퀴논디아지도 그룹을 함유하는 감광제(D), 및 필요한 경우, 알칼리 가용성 아크릴계 수지(E) 및 막 품질 개선용 가교제(F)를 함유하는 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. 이러한 화학 증폭형 감광성 수지 조성물은 후막 및 초후막 대응 화학 증폭형 감광성 수지 조성물이며, 자기 헤드의 자극(magnetic pole)이나 LSI 접속용 단자로서 사용되는 범프(bump)를 형성할 때의 레지스트로서 바람직하게 사용된다
화학 증폭형 수지 조성물, 반도체 디바이스, 알칼리 가용성, 노볼락 수지, 산 발생제, 퀴논디아지도

Description

후막 및 초후막 대응 화학 증폭형 감광성 수지 조성물{Thick film or ultrathick film responsive chemical amplification type photosensitive resin composition}
[기술분야]
본 발명은 감광성 수지 조성물에 관한 것이며, 보다 상세하게는 반도체 디바이스, 평판 디스플레이(FPD), 회로 기판, 자기 헤드 등의 제조; 특히 자기 헤드의 자극(磁極)(magnetic pole)의 형성; 대규모 집적 회로(LSI)의 접속용 단자로 사용되는 돌기 전극[범프(bump)로 지칭됨]의 형성 등에 적합하게 사용되는 후막 및 초후막 대응 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
[배경기술]
LSI 등의 반도체 집적 회로, FPD 표시면의 제조, 써멀 헤드 등의 회로 기판의 제조 등을 비롯한 광범위한 분야에서, 미세 소자의 형성 또는 미세 가공을 위한 포토리소그래피 기술이 종래부터 사용되고 있다. 포토리소그래피 기술에서, 레지스트 패턴의 형성을 위해 포지티브형 또는 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용한다. 이들 감광성 수지 조성물 중에서 포지티브형 감광성 수지 조성물로는 알칼리 가용성 수지와 감광제로서의 퀴논디아지드 화합물을 함유하는 조성물이 광범위 하게 사용되고 있다. 이러한 조성물은, 예를 들면, 「노볼락 수지/퀴논디아지드 화합물」가 있으며, 다수의 문헌[참조: 특허 문헌 1 내지 4]에 각종 조성의 물질이 기재되어 있다. 노볼락 수지와 퀴논디아지드 화합물을 함유하는 조성물은 현재 노볼락 수지 및 감광제의 두 가지 측면에서 연구 개발이 수행되고 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허공보 제(소)54-23570호(1쪽)
특허 문헌 2: 일본 특허공보 제(소)56-30850호(1쪽)
특허 문헌 3: 일본 공개특허공보 제(소)55-73045호(1 내지 4쪽)
특허 문헌 4: 일본 공개특허공보 제(소)61-205933호(1쪽, 3 내지 5쪽)
그러나, 자기 헤드나 범프 등의 후막 공정을 필요로 하는 분야에서는 종횡비가 큰 레지스트 패턴을 벽면 수직성이 양호하게 형성하는 것이 필요하다. 그러나, 상기한 종래의 포토레지스트에서는 막 두께가 두꺼워지는 것에 의한 막의 광투과성의 문제 등으로부터 해상성 및 감도가 충분하게 유지되지 않거나, 원하는 레지스트 패턴이 수득되지 않는 등의 문제가 있어, 개선이 요구되고 있다.
현재까지 후막의 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 드라이 필름 시스템의 감광성 수지 조성물로서 노볼락 수지, 주쇄 중에 반복하여 아세탈 부분을 갖고 아세탈 부분의 알콜 성분의 각각의 α-탄소 원자가 지방족인 아세탈 화합물, 및 산 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물[참조: 특허 문헌 5], 노볼락 수지 등의 알칼리 가용성 수지, 아세탈 화합물, 산 발생제를 갖고 추가로 알킬 아크릴레이트 등의 특정한 첨가 성분을 가한 감광성 수지 조성물[참조: 특허 문헌 6], 노볼락 수지 등의 알칼리 가용성 수지, 아세탈 화합물 및 산 발생제로 이루어진 감광성 수지 조성 물[참조: 특허 문헌 7]이 공지되어 있다.
또한, 아세탈 화합물과 산 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물로서, 3종의 상이한 페놀류를 함유하는 노볼락 수지, 아세탈 화합물 및 산 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물[참조: 특허 문헌 8], 분자내에 아세탈 결합을 갖는 노볼락 수지 및 산 발생제를 함유하는 감광성 조성물[참조: 특허 문헌 9], 노볼락 수지, 아세탈 화합물(클로로벤즈알데히드-디페녹시 에틸아세탈) 및 산 발생제(2-알콕시페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진)를 함유하는 포토레지스트[참조: 특허 문헌 10]가 공지되어 있다.
또한, 범프의 형성에 적합하고 두께가 10㎛ 이상인 후막 또는 초후막 레지스트 대응 감광성 수지 조성물로서, 산 해리성 관능 그룹 그룹을 갖는 중합체, 폴리비닐저급알킬 에테르, 및 산 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물[참조: 특허 문헌 11]이 공지되어 있고, 자기 헤드의 제조에 적합하고 두께가 3㎛ 이상인 후막 레지스트 대응 감광성 수지 조성물로서, 전체 페놀성 하이드록실 그룹의 수소 원자의 일부가 1,2-나프토퀴논디아지드 설포닐 그룹으로 치환된 알칼리 가용성 노볼락 수지 및 산 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물[참조: 특허 문헌 12]이 동지되어 있다.
특허 문헌 5: 일본 공개특허공보 제(소)53-133429호(1 내지 17쪽)
특허 문헌 6: 일본 공개특허공보 제(소)57-37349호(1 내지 6쪽)
특허 문헌 7: 일본 공개특허공보 제(소)58-114031호(1 내지 5쪽)
특허 문헌 8: 일본 공개특허공보 제(소)62-124556호(1 내지 4쪽)
특허 문헌 9: 일본 공개특허공보 제(소)62-215947호(1쪽, 3 내지 5쪽)
특허 문헌 10: 일본 공개특허공보 제(평)4-182650호(1쪽, 3 내지 5쪽)
특허 문헌 11: 일본 공개특허공보 제2001-281863호(2쪽, 4 내지 9쪽)
특허 문헌 12: 일본 공개특허공보 제2001-312060호(2 내지 7쪽)
[발명의 개시]
[발명이 해결하고자 하는 과제]
그러나, 예를 들면, 막 두께 20 내지 10O㎛의 초후막에 대응하기 위해서는, 종횡비가 크면서, 미세한 사각형 패턴을 형성하기 위한 고해상성이 본래 양호한 패턴의 재현성, 노출 후의 방치 시간에 따른 패턴 형상, 현상 시간의 변화의 안정성, 수득된 패턴의 내열성의 향상이 요구되고, 제조 비용 측면에서, 제조시의 스루풋(단위시간당 수량)의 향상이 요구되고 있는 상황하에 새로운 개선이 요망되고 있는 것이 현재 상황이다.
상기와 같은 상황을 감안하여, 본 발명은 후막 및 초후막 공정 대응 화학 증폭형 감광성 수지 조성물로서, 고감도이면서 막 잔류성이 높고 도포성이 우수하여, 고해상도이면서 동시에 양호한 패턴을 형성할 수 있으며, 수득된 패턴의 내열성이 우수한 화학 증폭형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명자 등이 예의 연구 검토한 결과, 예를 들면, 두께가 10㎛를 초과하도 록 하는 후막 공정 및 두께가 20㎛를 초과하도록 하는 초후막 공정에서 사용되는 화학 증폭형 감광성 수지 조성물로서, 알칼리 가용성 노볼락 수지, 자체로는 알칼리에 불용성 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 가용성으로 되는 수지 또는 화합물, 방사선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물(산 발생제), 및 퀴논디아지도 그룹 함유 감광제를 함유하는 특정한 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 상기 목적을 달성할 수 있음을 밝혀내었으며, 본 발견에 기초하여 본 발명을 달성하였다.
즉, 본 발명은
알칼리 가용성 노볼락 수지(A),
자체로는 알칼리에 불용성 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리에 가용성으로 되는 수지 또는 화합물(B),
산 발생제(C) 및
퀴논디아지도 그룹을 함유하는 감광제(D)를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에 관한 것이며, 필요한 경우, 이러한 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에
알칼리 가용성 아크릴계 수지(E) 및
막 품질 개선용 가교제(F)를 함유하는 것을 특징으로 하는, 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에서 사용되는 알칼리 가용성 노볼락 수지(A)로는 종래부터 공지된 알칼리 가용성 수지와 퀴논디아지도 그룹을 함 유하는 감광제를 함유하는 감광성 수지 조성물에서 사용되는 알칼리 가용성 노볼락 수지이면 어떠한 것도 양호하며, 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에서 바람직하게 사용할 수 있는 노볼락 수지는 각종 페놀류의 단독 또는 이들의 여러 종류의 혼합물을 포르말린 등의 알데히드류로 중축합하여 수득된다.
노볼락 수지를 구성하는 페놀류로는, 예를 들면, 페놀, p-크레졸, m-크레졸, o-크레졸, 2,3-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 2,5-디메틸페놀, 2,6-디메틸페놀, 3,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,3,4-트리메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 2,4,5-트리메틸페놀, 메틸렌비스페놀, 메틸렌비스 p-크레졸, 레조르신, 카테콜, 2-메틸레조르신, 4-메틸레조르신, o-클로로페놀, m-클로로페놀, p-클로로페놀, 2,3-디클로로페놀, m-메톡시페놀, p-메톡시페놀, p-부톡시페놀, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, 2,3-디에틸페놀, 2,5-디에틸페놀, p-이소프로필페놀, α-나프톨, β-나프톨 등이 있으며, 이들은 단독으로 사용하거나 복수의 혼합물로 사용할 수 있다. 이들 중에서도, m-크레졸과 p-크레졸의 2종을 동시에 사용하는 등의 2종 이상의 페놀 화합물을 조합하여 사용하는 경우, 더욱 바람직한 결과가 수득되는 경우가 많다.
또한, 알데히드류로는 포르말린 이외에 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드, 하이드록시 벤즈알데히드, 클로로아세트알데히드 등이 있으며, 이들은 단독으로 사용하거나 복수의 혼합물로 사용할 수 있다.
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물로 사용되는 알칼리 가용성 노볼락 수지의 중량 평균 분자량은 폴리스티렌 환산으로 바람직하게는 5,000 내지 100,000, 더욱 바람직하게는 폴리스티렌 환산으로 5,000 내지 50,000이다.
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물로 사용되는 자체로는 알칼리에 불용성 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리에 가용성으로 되는 수지 또는 화합물(B)로서, 예를 들면, 아세탈 수지 또는 화합물을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 아세탈 수지 또는 화합물로는 먼저 선행 기술 문헌으로서 열거한 특허 문헌 5 내지 10에 기재된 아세탈 화합물을 포함하여 아세탈 수지 또는 화합물인 한, 특별히 한정되는 것이 아니지만, 화학식 I의 구성 단위를 분자내에 갖는 아세탈 수지 또는 화합물이 바람직한 것이다. 이러한 화학식 I의 구성 단위를 분자내에 갖는 아세탈 수지 또는 화합물은 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 범위는 바람직하게는 100 내지 10,000, 더욱 바람직하게는 200 내지 5,000이다.
Figure 112006037773816-PCT00001
위의 화학식 I에서,
R은 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹, 바람직하게는 탄소수 3 내지 10의 포화 알킬 그룹이다. 더욱 바람직한 알킬 그룹의 구체적인 예에는 이소프로필 그룹, 3급-부틸 그룹, 1-메틸프로필 그룹 및 1-에틸프로필 그룹이 있다.
n은 1 내지 10, 바람직하게는 2 내지 4이다.
화학식 I의 아세탈 수지 또는 화합물은, 예를 들면, 화학식 RCHO의 알데히 드, 화학식 RCH(OH)2의 디알콜 또는 화학식 RCH(OR1)2의 아세탈(여기서, R은 위에서 정의한 것과 동일하고, R1은 알킬 그룹이다)이 있으며, 화학식
Figure 112006037773816-PCT00002
의 에틸렌 글리콜 또는 폴리에틸렌 글리콜(여기서, n은 위에서 정의한 것과 동일하다)을 감압하에 50℃에서 산 촉매를 사용하여 반응시켜 수득되는 화학식 I의 반복 단위를 갖는 중축합 생성물이 대표적인 예이다.
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물로 사용되는, 자체로는 알칼리에 불용성 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리에 가용성으로 되는 수지 또는 화합물(B)로는 기타, 산의 작용에 의해 해열(解裂)할 수 있는 보호 그룹을 가지며 산의 작용에 의해 해열한 후에 알칼리에 가용성으로 되는 수지를 들 수 있다. 상기 보호 그룹으로 보호하기 전에 알칼리에 가용성으로 되는 베이스 수지는 알칼리 가용성기로서, 예를 들면, 페놀성 하이드록실 그룹 및/또는 카복실 그룹을 갖는 것을 들 수 있으며, 구체적으로는 비닐 페놀 수지; 이소프로페닐 페놀 수지; 비닐 페놀, (메트)아크릴산 또는 이의 유도체, 아크릴로니트릴 및 스티렌 또는 이의 유도체와의 공중합체; 이소프로페닐 페놀, 메타크릴산 또는 이의 유도체, 아크릴로니트릴 및 스티렌 또는 이의 유도체와의 공중합체; 스티렌 또는 이의 유도체와 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 무수 말레산 등과의 공중합체; 카복실 그룹을 갖는 (메트)아크릴산 유도체의 중합체 또는 (메트)아크릴산 등의 상기 (메트)아크릴산 유도체를 1개의 단량체로 하는 공중합체; 및 이들의 중합체쇄 중에 규소를 함유하는 화합물이 도입된 수지를 들 수 있다.
이들 베이스 수지 중에 하이드록실 그룹 또는 카복실 그룹의 수소 원자의 적어도 일부를 산의 작용으로 해열할 수 있는 보호 그룹으로 수식된 것이 본 발명에서 사용된다. 보호 그룹으로는 하이드록실 그룹 또는 카복실 그룹과 아세탈 구조, 에테르 구조, 에스테르 구조를 취하는 것을 들 수 있지만, 바람직한 보호 그룹으로는 1-에톡시에틸 그룹, 3급-부톡시카보닐 그룹, 3급-부톡시 에스테르 그룹을 들 수 있다.
본 발명에서는 자체로는 알칼리에 불용성 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리에 가용성으로 되는 수지 또는 화합물(B)은 알칼리 가용성 노볼락 수지(A) 100중량부에 대해 통상적으로 1 내지 50중량부, 바람직하게는 1 내지 30중량부의 양으로 사용된다.
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에서 사용되는 산 발생제(C)인 방사선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물로는 방사선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이면 어떠한 것도 사용할 수 있다. 이러한 산 발생제로는 종래 화학 증폭형 레지스트에서 산 발생제로서 사용되고 있는 것을 대표적인 것으로서 들 수 있다. 이러한 산 발생제로는 오늄염에서는 요오드늄염, 설포늄염, 디아조늄염, 암모늄염, 피리디늄염 등, 할로겐 함유 화합물에서는 할로알킬 그룹 함유 탄화수소 화합물, 할로알킬 그룹 함유 헤테로사이클릭 화합물 등(할로메틸트리아진 유도체 등), 디아조케톤 화합물에서는 1,3-디케토-2-디아조 화합물, 디아조벤조퀴논 화합물, 디아조나프토퀴논 화합물 등, 설폰 화합물로는 β-케토설폰, β-설포닐설폰 등, 설폰산 화합물로는 알킬설폰산 에스테르, 할로알킬설폰산 에스테르, 아릴설폰산 에스테르, 이미노설포네이트 등이 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명에서는 산 발생제(C)는 알칼리 가용성 노볼락 수지 100중량부에 대해 통상적으로 0.02 내지 10중량부, 바람직하게는 0.5 내지 3.0중량부의 양으로 사용된다.
본 발명에서 사용되는 산 발생제로서 특히 바람직한 것은 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스-(트리클로로메틸)-s-트리아진으로 대표되는 트리아진계 또는 5-메틸설포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴-2-메틸페닐아세토니트릴로 대표되는 시아노계의 산 발생제이다.
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에서 사용되는 퀴논디아지도 그룹을 함유하는 감광제(D)는 퀴논디아지도 그룹을 갖는 감광제이면 어떠한 것도 양호하지만, 예를 들면, 나프토퀴논 디아지드 설폰산 클로라이드 또는 벤조퀴논 디아지드 설폰산 클로라이드와 같은 퀴논디아지드 설폰산 할라이드와 이러한 산 할라이드와 축합 반응할 수 있는 관능 그룹을 갖는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 반응시켜 수득되는 것이 바람직하다. 여기서 산 할라이드와 축합할 수 있는 관능 그룹으로는 하이드록실 그룹, 아미노 그룹 등이 있으며, 특히 하이드록실 그룹이 적절하다. 이들 퀴논디아지도 그룹을 함유하는 감광제는 본 발명에서는 화학 증폭형 감광성 수지 조성물 중의 알칼리 가용 수지 성분 100중량부에 대하여 통상적으로 1 내지 30중량부, 바람직하게는 3 내지 15중량부의 양으로 사용된다. 본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에서는 상기한 퀴논디아지도 그룹을 함유하는 감광제는 1종류 단독으로 사용될 수 있으며 2종 이상이 병용될 수 있다.
한편, 본 발명에서 사용되는 알칼리 가용성 아크릴계 수지(E)로는 알칼리 가용성의 폴리아크릴산 에스테르(E-1), 알칼리 가용성의 폴리메타크릴산 에스테르(E-2) 및 하나 이상의 아크릴산 에스테르와 하나 이상의 메타크릴산 에스테르(E-3)를 구성 단위로서 함유하는 알칼리 가용성의 폴리(아크릴산 에스테르ㆍ메타크릴산 에스테르)를 들 수 있다. 이들 아크릴계 수지는 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용할 수 있다. 본 발명에서는 알칼리 가용성 아크릴계 수지(E)는 필요한 경우, 사용하는 것이 양호하며, 알칼리 가용성 노볼락 수지(A) 100중량부에 대해 0 내지 200중량부, 통상적으로 2 내지 200중량부, 바람직하게는 10 내지 50중량부의 양으로 사용된다. 본 발명에서는 알칼리 가용성 아크릴계 수지를 사용함으로써 레지스트의 내열성이 개선된다는 효과가 얻어진다.
이들 아크릴계 수지는 수지를 알칼리 가용성으로 하기 위해 단량체 성분으로서 유기산 단량체, 하이드록시 그룹을 측쇄에 갖는 아크릴산 에스테르 또는 메타크릴산 에스테르를 공중합 성분으로서 포함하는 것이 바람직하게 사용되지만, 수지에 알칼리 가용성을 부여하는 공중합체 성분이 이들 유기산 단량체 또는 하이드록시 그룹을 측쇄에 갖는 아크릴산 에스테르 또는 메타크릴산 에스테르로 한정되지 않는다.
알칼리 가용성의 폴리아크릴산 에스테르, 폴리메타크릴산 에스테르 또는 폴리(아크릴산 에스테르ㆍ메타크릴산 에스테르)를 구성하는 단량체 성분으로는 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 유기산 단량체 및 기타 공중합성 단량체를 들 수 있다. 이들 중합체를 구성하는 단량체 성분 중에서 아크릴산 에스테르, 메 타크릴산 에스테르, 유기산 단량체의 예로는 하기의 것을 바람직한 것으로서 들 수 있다.
아크릴산 에스테르:
메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, n-프로필 아크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, n-헥실 아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, t-부틸 아크릴레이트, 사이클로헥실 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 2-클로르에틸 아크릴레이트, 메틸-α-클로르 아크릴레이트, 페닐-α-브로모 아크릴레이트 등
메타크릴산 에스테르:
메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, n-프로필 메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, n-헥실 메타크릴레이트, 이소프로필 메타크릴레이트, 이소부틸 메타크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트, 사이클로헥실 메타크릴레이트, 벤질 메타크릴레이트, 페닐 메타크릴레이트, 1-페닐에틸 메타크릴레이트, 2-페닐에틸 메타크릴레이트, 푸르푸릴 메타크릴레이트, 디페닐메틸 메타크릴레이트, 펜타클로로페닐 메타크릴레이트, 나프틸 메타크릴레이트, 이소보르닐 메타크릴레이트, 하이드록시에틸 메타크릴레이트, 하이드록시프로필 메타크릴레이트 등
유기산 단량체:
아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카복실산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산 등의 디카복실산 및 이들 디카복실산의 무수물, 2-아크릴로일 하이드로겐 프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필 하이드로겐 프탈레이 트 등
또한, 기타 공중합성 단량체로는 말레산디에스테르, 푸마르산디에스테르, 스티렌 및 스티렌 유도체, 예를 들면, 4-플루오로스티렌, 2,5-디플루오로스티렌, 2,4-디플루오로스티렌, p-이소프로필스티렌, o-클로로스티렌, 4-아세틸스티렌, 4-벤조일스티렌, 4-브로모스티렌, 4-부톡시카보닐스티렌, 4-부톡시메틸스티렌, 4-부틸스티렌, 4-에틸스티렌, 4-헥실스티렌, 4-메톡시스티렌, 4-메틸스티렌, 2,4-디메틸스티렌, 2,5-디메틸스티렌, 2,4,5-트리메틸스티렌, 4-페닐스티렌, 4-프로폭시스티렌 등, 아크릴로니트릴, (메트)아크릴아미드, 아세트산비닐, 염화비닐, 염화비닐리덴 등이 있다. 기타 공중합성 단량체로는 스티렌 및 스티렌 유도체가 바람직한 것이다. 이들 기타 공중합성 단량체는 필요한 경우, 사용하면 양호하며, 이의 양도 아크릴계 수지가 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위내의 양으로 사용된다.
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물로 사용되는 알칼리 가용성 아크릴계 수지로서 바람직한 것은 (메트)아크릴산으로부터 유래된 구성 단위 및/또는 하이드록시 메타크릴레이트로부터 유래된 구성 단위, 알킬 메타크릴레이트로부터 유래된 구성 단위 및, 필요한 경우, 추가로 스티렌으로부터 유래된 구성 단위를 함유하는 공중합체, 더욱 바람직하게는 (메트)아크릴산 또는 하이드록시 에틸 메타크릴레이트로부터 유래된 구성 단위, 메틸 메타크릴레이트로부터 유래된 구성 단위 및 n-부틸 아크릴레이트로부터 유래된 구성 단위를 함유하며, 필요한 경우, 추가로 스티렌으로부터 유래된 구성 단위를 함유하는 공중합체이다. 또한 본 발명의 아크릴계 수지가 바람직한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 범위는 2,000 내지 200,000, 더욱 바람직하게는 20,000 내지 100,000이다.
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에서는 막질 개선을 위해 필요한 경우, 가교제가 사용된다. 본 발명에서는 가교제를 사용함으로써 레지스트의 표면이 거칠어지는 것이나 막 감소가 개선된다. 이와 같은 막 품질 개선용 가교제로는 2개 이상의 비닐옥시 알킬 에스테르 그룹을 함유하는 화합물을 바람직한 것으로서 들 수 있다. 비닐옥시 알킬 에스테르 그룹을 2개 이상 함유하는 화합물로는, 예를 들면, 트리스[4-(비닐옥시)부틸]트리멜리테이트, 비스[4-(비닐옥시)부틸]이소프탈레이트를 바람직한 것으로서 들 수 있다. 이들 비닐옥시 알킬 에스테르 그룹을 함유하는 화합물은 본 발명에서는 화학 증폭형 감광성 수지 조성물 중의 알칼리 가용 수지 성분 100중량부에 대하여 통상적으로 0 내지 30중량부, 바람직하게는 1 내지 10중량부이다. 본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에서는 상기한 비닐옥시 알킬 에스테르 그룹을 함유하는 화합물을 1종류 단독으로 함유할 수 있으며 2종 이상을 함유할 수 있다.
또한, 본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에서는 상기한 비닐옥시 알킬 에스테르 그룹을 함유하는 화합물 이외에 막질 개선용으로 다른 가교제를 사용하는 것도 할 수 있다. 다른 막질 개선의 가교제로는 멜라민계, 벤조구아나민계, 요소계 이외에 알콕시알킬화 멜라민 수지나 알콕시알킬화 우레아 수지, 피로멜리트산 무수물, 벤조페논테트라카복실산 무수물, 테트라하이드로푸란의 테트라카복실산 무수물을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에는 필요한 경우, 염료, 접착 제조 및 계면활 성제 등을 배합할 수 있다. 염료의 예로는 메틸 바이올렛, 크리스탈 바이올렛, 말라카이트 그린 등, 접착 제조의 예로는 알킬이미다졸린, 부티르산, 알킬산, 폴리하이드록시스티렌, 폴리비닐 메틸 에테르, t-부틸노볼락, 에폭시실란, 에폭시 중합체, 실란 등, 계면활성제의 예로는 비이온계 계면활성제, 예를 들면, 폴리글리콜류와 이의 유도체, 즉 폴리프로필렌 글리콜 또는 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 불소 함유 계면활성제, 예를 들면, 플로라이드(상품명, 스미토모스리엠사 제품), 메가팍(상품명, 다이닛뽄잉크가가쿠고교사 제품), 설프론(상품명, 아사히가라스사 제품) 또는 유기 실록산 계면활성제, 예를 들면, KP341(상품명, 신에쓰가가쿠고교사 제품)가 있다.
본 발명의 알칼리 가용성 노볼락 수지, 자체로는 알칼리에 불용성 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 가용성으로 되는 수지 또는 화합물, 산 발생제, 퀴논디아지도 그룹을 함유하는 감광제, 알칼리 가용성 아크릴계 수지, 막 품질 개선용 가교제, 기타 첨가제는 용제에 용해되어 감광성 수지 조성물로 된다. 이들 감광성 수지 조성물의 구성재료를 용해시키는 용제로는 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르류, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등의 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트류, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르류, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트류, 락트산메틸, 락 트산에틸 등의 락트산 에스테르류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 메틸 에틸 케톤, 2-헵타논, 사이클로헥사논 등의 케톤류, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류, γ-부티로락톤 등의 락톤류 등이 있다. 이들 용제는 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
그러나, 반도체 실장 기술에서의 접합방식은 와이어를 사용하여 칩과 외부 회로를 접합하는 와이어 본딩 방식과, 범프(금속 돌기)를 사용하여 칩과 외부회로를 접합하는 TAB(Tape Automated Bonding) 방식, FC(Flip Chip) 방식이 있다. 범프 형성 기술은 TAB 방식, FC 방식의 양쪽이 사용되며, 범프 형성은 칩측의 전극 또는 기판측의 전극의 어느 쪽인가에 실시되는 것으로 된다. 범프의 형성은 통상적으로 다음과 같은 방법에 따라 실시된다. 즉, LSI 소자가 가공된 실리콘 웨이퍼 등의 위에 전기 전도층으로 되는 차단 금속을 적층하며, 감광성 수지 조성물, 소위 레지스트를 도포하여 포토레지스트를 형성한다. 이어서, 범프를 형성하는 부분이 개구되도록 마스크를 개재시켜 노출한 후 현상하여, 패턴을 형성한다. 다음에 이러한 패턴을 주형으로 하여 전해 도금에 의해 금이나 구리 등의 전극 재료를 석출시킨다. 이어서, 수지 부분을 박리한 후, 차단 금속을 에칭하여 제거한다. 다음에 웨이퍼로부터 칩이 사각형으로 절단 인출되고, TAB 등의 패키징이나 를립 칩 등의 실장 공정으로 이동된다.
이와 같이 범프 형성에서는 감광성 수지 조성물에 의해 패턴상으로 레지스트가 형성되지만, 본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물은 이들 범프 제조공정, 예를 들면, 금 범프 제조공정에서 시안 또는 비시안 전해 금 도금 공정에서의 레지 스트로서 적합하게 사용된다.
또한, LSI 소자, LCD(액정 표시 장치) 등의 FPD, 회로 기판 등의 형성에서는 범프의 형성 이외에 배선 등도 도금에 의해 형성된다. 이 때, 범프 및 배선 등에는 전해 금 도금 이외에 구리, 니켈, 땜납, 기타 금속도 도금재료로서 사용된다. 또한, 본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물은 범프 형성시의 도금 또는 배선 형성시의 도금 공정에서 이러한 구리, 니켈, 땜납 등에 의한 도금을 형성하는 공정에서 레지스트로서도 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 이들 도금은 단층 뿐만 아니라 동일한 레지스트 패턴을 이용하여 2층 이상의 다층 도금층이 연속적으로 실시되는 것도 광범위하게 실시되고 있다. 본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물은 전해 금 도금 공정 및 구리, 니켈 또는 땜납 도금 공정이 연속적으로 실시되는 도금 공정, 즉 다층 도금 공정에서의 레지스트로서 바람직하게 사용되는 것이다. 또한, 다층 도금에서 금 도금 공정 또는 구리, 니켈, 땜납 도금 공정의 실시의 순서는 임의적일 수 있다.
또한, 본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물은 자기 헤드 등을 형성할 때에 도금 레지스트로서도 적합하게 사용할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물은 우선, 필요한 경우, 알루미늄, 구리, 은, 금, 팔라듐이나, 이들 2종 이상의 합금 등의 전기 전도 재료에 의해 전기 전도층이 형성된 기판 등의 기본체 위에 도포되며, 프리베이킹되어, 예를 들면, 후막 또는 초후막의 포토레지스트 층으로 된다. 기본체로는 상기한 실리콘 기판 이외에 질화티탄(TiN), 니켈, 퍼알로이(peralloy)(철, 니켈 등 의 합금) 기판, 또한 소다 유리, 석영 유리, 탄화규소, 탄화티탄, 탄화지르코늄, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화규소, 실리콘, 게르마늄, 갈륨-비소, 갈륨-인 기판 등이 있다. 이어서, 마스크를 개재시켜 패턴 노출한 다음, 알칼리 현상액을 사용하여 현상 처리한 후, 필요한 경우, 린스 처리, 노출 후 베이킹(PEB) 등을 실시한다. 이에 따라 고해상도를 가지며 형상이 양호한 후막 또는 초후막의 포지티브 레지스트 패턴이 형성되며, 특히 자기 헤드의 자극 형성이나 범프의 형성 등을 할 때에 후막 또는 초후막 도금 레지스트로서 적합하게 사용된다. 또한, 회로 기판의 도금 레지스트, 기타 종래 포지티브형 감광성 수지 조성물이 사용되고 있는 다른 용도에서도, 본 발명의 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물은 적합하게 사용할 수 있는 것은 물론이다. 또한, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 고감도이며, 현상 후의 막 잔류율도 높으며 스컴(scum)이 발생하지 않는 우수한 특성을 갖고 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물 도포막을 형성하는 방법으로는 스핀 코팅, 롤 코팅, 랜드 코팅, 스프레이 코팅, 캐스팅(流延) 코팅, 침지 코팅 등의 종래의 감광성 수지 조성물의 도포시 사용되는 임의의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 필요하면 스크린 인쇄 등의 방법에 따라 도포막이 형성될 수 있다. 노출에 사용되는 방사선으로는, 예를 들면, g선, i선 등의 자외선, KrF 엑시머 레이저 또는 ArF 엑시머 레이저광 등의 원자외선, X선, 전자선 등이 있다. 또한, 현상법으로는 패들 현상법, 침지 현상법, 요동 침지현상법 등의 종래의 포토레지스트를 현상할 때에 사용되는 방법에 따르면 양호하다. 또한 현상제로는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄 산나트륨, 규산나트륨 등의 무기 알칼리, 암모니아, 에틸아민, 프로필아민, 디에틸아민, 디에틸아미노에탄올, 트리에틸아민 등의 유기 아민, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 등의 4급 아민 등이 있다.
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물은 포토레지스트의 막 두께, 노출 광원, 사용 현상제 등에 따라 노출조건을 포함시키며 최적 처리조건은 상이하지만, 예를 들면, 노출 광원으로서 하기 실시예로 사용되고 있는 미쓰비시오스람사 제품인 HBO1000W/D 수은 램프를 사용하여 20㎛ 이상의 초후막 포토레지스트를 노출, 처리하는 경우, 통상적으로 노출량은 10O 내지 10O0mJ/㎠ㆍsec 정도이며, 현상제로는 통상적으로 사용되는 유기 또는 무기 알칼리 수용액을 사용하며, 현상을 침지법 또는 패들법으로 하는 경우, 현상 시간은 60 내지 900초 정도이다.
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물은 피처리 기본체 위에 직접 도포하는 것은 아니며, 박리성의 플라스틱 필름 위에 우선 도포하며 베이킹하여, 일단 임시 지지체인 플라스틱 필름 위에 포토레지스트를 형성하며, 이러한 포토레지스트를 기판 등의 피처리 기본체에 접착하여 사용하는 소위 드라이 필름으로서 이용도 할 수 있다. 또한, 도금 공정에서 사용되는 도금액, 도금방법 등은 종래부터 공지된 어떤 것 또는 방법일 수 있다.
[발명의 효과]
본 발명에 따라, 예를 들면, 10㎛ 이상의 막 두께에서의 고해상성 및 고감도화를 양립시키는 것을 실용상 할 수 있으며, 또한 도포성 및 레지스트 패턴의 선폭 균일성, 내열성이 우수하며, 동시에 양호한 패턴을 형성할 수 있는 화학 증폭형 감광성 수지 조성물을 수득할 수 있다.
[ 실시예 ]
이하, 본 발명을 실시예에 따라 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 양태는 이들의 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 중량 평균 분자량은 스티렌 환산의 값이다.
실시예 1
중량 평균 분자량 7,000의 노볼락 수지(m-크레졸 40%, p-크레졸 60%) 100중량부, 트리에틸렌 글리콜과 2-에틸부탄-1,1-디올의 축합중합에 의해 수득되는 중량 평균 분자량 1,000의 중합체 30중량부, 산 발생제로서 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스-(트리클로로메틸)-s-트리아진 0.6중량부 및 4,4'-[1-[4-[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀의 1,2-나프토퀴논-(2)-디아지드-4-설폰산 에스테르 화합물 4중량부를 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 200중량부에 용해시키고, 교반한 후, 1.2㎛ 필터로 여과하여, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 제조하였다. 당해 조성물을 6인치 실리콘 웨이퍼 위에 회전 도포하여, 115℃, 7분 동안 열판으로써 베이킹한 후, 65㎛ 두께의 레지스트를 수득하였다. 당해 레지스트에 즈스ㆍ마이크로텍(Suss MicroTec)사 노출기(MA-200/ML)로써, 미쓰비시오스람에서 제조한 HBO1000W/D 수은 램프(405nm에서의 조도, 25mJ/㎠ㆍsec)를 사용하여 홀 직경이 30 내지 120㎛이고 월 폭이 30 내지 120㎛인 각종 선폭 이 갖추어진 테스트 패턴을 40초 동안(1000㎖/㎠) 노출하고, TMAH의 3.0중량% 수용액으로 23℃에서 480초 동안 현상하여, 레지스트 패턴을 수득하였다. 수득된 레지스트 패턴의 레지스트 형상 및 막 표면 상태를 관찰하였다. 관찰은 홀 직경이 60㎛이고 월 폭이 60㎛인 패턴을 확인함으로써 실시한다. 결과를 표 1에 기재한다.
또한, 막 표면 상태는 다음 기준에 기초하여 판정한다.
◎: 표면 황폐 및 막 감소 모두 없음
○: 표면 황폐 및 막 감소가 어느 정도 관찰된다
△: 표면 황폐 및 막 감소 모두 상당한 정도 관찰된다
×: 레지스트의 대부분이 현상액에 용해된다.
실시예 2
실시예 1의 감광성 수지 조성물에 추가하여 중량 평균 분자량 30,000의 메타크릴산, 메틸 메타크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트의 삼원 공중합체(몰 비는 20/50/30) 15중량부를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여, 표 1의 결과를 수득하였다.
실시예 3
실시예 1의 감광성 수지 조성물에 추가하여 트리스[4-(비닐옥시)부틸]트리멜리테이트 1중량부를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여, 표 1의 결과를 수득하였다.
실시예 4
TMAH의 3.0중량% 수용액으로 23℃, 480초 동안 현상하는 것을 변경하여 클라 리언트(저팬)가부시키가이샤에서 제조한 AZ 303N(KOH의 4.8중량% 수용액)을 증류수로써 7배 희석한 용액으로 23℃, 200초 동안 현상하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여, 표 1의 결과를 수득하였다.
비교 실시예 1
중량 평균 분자량 7,000의 노볼락 수지(실시예 1과 동일함) 100중량부와 2,3,4-트리하이드록시-4'-벤조페논의 1,2-나프토퀴논-(2)-디아지드-4-설폰산 에스테르 화합물 10중량부를 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 200중량부에 용해시켜, 조정한 감광성 수지 조성물을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여, 표 1의 결과를 수득하였다.
비교 실시예 2
2,3,4-트리하이드록시-4'-벤조페논의 1,2-나프토퀴논-(2)-디아지드-4-설폰산 에스테르 화합물 10중량부를 대신하여 트리에틸렌 글리콜과 2-에틸부탄-1,1-디올의 축합중합에 의해 수득되는 중량 평균 분자량 1,000의 중합체 30중량부, 산 발생제로서 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스-(트리클로로메틸)-s-트리아진 0.6중량부 및 중량 평균 분자량 30,000의 메타크릴산, 메틸 메타크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트의 삼원 공중합체(몰 비는 20/50/30) 15중량부를 사용하는 것을 제외하고는 비교 실시예 1과 동일하게 하여, 표 1의 결과를 수득하였다.
비교 실시예 3
TMAH의 3.0중량% 수용액으로 23℃, 480초 동안 현상하는 것을 변경하여 클라리언트(저팬)가부시키가이샤 제품인 AZ 303N(KOH의 4.8중량% 수용액)을 증류수로써 7배 희석한 용액으로 23℃, 200초 동안 현상하는 것을 제외하고는 비교 실시예 1과 동일하게 하여, 표 1의 결과를 수득하였다.
[표 1]
노광량 (sec) 두께 (㎛) 패턴 형상 막 표면 비고
실시예 1 30 65 양호 O 직사각형
실시예 2 30 65 양호 O 직사각형
실시예 3 30 65 양호 ◎ 직사각형
실시예 4 30 65 양호 O 직사각형
비교 실시예 1 30 65 판독 불가 △
비교 실시예 2 30 65 불량 ×
비교 실시예 3 30 65 판독 불가 △
본 발명의 상기 각 실시예에서 수득한 레지스트 패턴에는 어떠한 것도 스컴(scum)은 확인되지 않으며 레지스트 패턴의 형상도 양호하다. 또한, 표 1로부터, 본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물은 모두 패턴 형상, 감도, 패턴의 표면 상태의 어느 것도 우수한 것을 알았다. 또한, 표 1로부터, 산 발생제(PAG)를 사용하는 경우에는 종래부터 사용되고 있는 감광제로서 2,3,4-트리하이드록시-4'-벤조페논의 1,2-나프토퀴논-(2)-디아지드-4-설폰산 에스테르 화합물만을 사용하는 경우보다 고감도, 고해상의 감광성 수지 조성물이 수득되는 것을 알았다. 이것은 종래의 감광제가 노출 파장의 빛을 흡수하기 위해 후막의 경우에 기판 부근의 감광성을 잃고 있는 데 대해 PAG에 의한 화학 증폭의 시스템은 빛을 흡수하는 산 발생제가 소량으로 종료되기 위해 후막의 리소그래피에서도 패턴 형성을 할 수 있으며, 또한 형상도 양호해지는 것에 기인한 것이라고 생각된다. 또한, 퀴논디아지도 그룹을 함유하는 감광제(PAC) 및 PAG의 2성분, 및 필요한 경우, 막 품질 개선용 가교 제를 사용함으로써 유기계 현상액에 대하여도 무기계 현상액을 사용하는 경우와 동등한 성능을 얻을 수 있으며 표 1로부터 PAC 및 PAG의 2성분 및 막 품질 개선용 가교제를 사용함으로써 막 표면이 양호한 레지스트 패턴을 얻을 수 있음을 알았다.
내열성 평가
본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물에 의해 수득된 레지스트 패턴의 내열성을 다시 평가하였다.
실시예 5
실시예 2에서 수득된 레지스트 패턴을 90℃에서 1분 동안 열판으로 가열처리하며, 가열처리 전후에 레지스트 패턴의 형상을 비교했지만, 특별한 변화는 보이지 않으며 모두 사각형의 패턴이었다.
실시예 6
실시예 1에 기재된 감광성 수지 조성물을 조정하며, 실시예 1과 동일하게 하여 레지스트 패턴을 수득하였다. 막 잔류율은 98% 이상이며, 패턴 형상은 사각형으로 양호하였다. 여기서 수득된 레지스트 패턴을 실시예 5와 동일하게 가열처리를 실시한 결과, 패턴의 늘어짐이 약간 관찰되었다.
실시예 5 및 6의 결과로부터, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중에서 알칼리 가용성 아크릴계 수지를 함유하는 조성물은 특히 내열성이 우수하다는 것을 알았다.
[산업상 이용 가능성]
이상 기재된 바와 같이 본 발명의 화학 증폭형 감광성 수지 조성물은 고감도, 고해상도, 내열성, 내도금성을 갖는 후막 및 초후막 대응 감광성 수지 조성물이며, 자기 헤드의 자극이나 LSI의 접속용 단자로서 사용되는 범프 등을 형성할 때에 레지스트로서 적합하게 사용된다.

Claims (8)

  1. 알칼리 가용성 노볼락 수지(A), 자체로는 알칼리에 불용성 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리에 가용성으로 되는 수지 또는 화합물(B), 산 발생제(C) 및 퀴논디아지도 그룹을 함유하는 감광제(D)를 함유하는 것을 특징으로 하는, 화학 증폭형 감광성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 자체로는 알칼리에 불용성 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리에 가용성으로 되는 수지 또는 화합물이 화학식 I의 구성 단위를 갖는 것을 특징으로 하는, 화학 증폭형 감광성 수지 조성물.
    화학식 I
    Figure 112006037773816-PCT00003
    위의 화학식 I에서,
    R은 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹이고,
    n은 1 내지 10의 정수이다.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알칼리 가용성 아크릴계 수지(E)를 함유하는 것을 특징으로 하는, 화학 증폭형 감광성 수지 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 알칼리 가용성 아크릴계 수지가 (메트)아크릴산으로부터 유래된 구성 단위, 알킬 메타크릴레이트로부터 유래된 구성 단위 및, 필요한 경우, 스티렌으로부터 유래된 구성 단위를 함유하는 것을 특징으로 하는, 화학 증폭형 감광성 수지 조성물.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 알칼리 가용성 아크릴계 수지가 하이드록시알킬 메타크릴레이트로부터 유래된 구성 단위, 알킬 메타크릴레이트로부터 유래된 구성 단위 및, 필요한 경우, 스티렌으로부터 유래된 구성 단위를 함유하는 것을 특징으로 하는, 화학 증폭형 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 2개 이상의 비닐옥시 알킬 에스테르 그룹(F)을 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는, 화학 증폭형 감광성 수지 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분 (A):(B):(C):(D):(E):(F)의 중량비가 100:1 내지 50:0.02 내지 10:1 내지 30:0 내지 200:0 내지 30인 것을 특징으로 하는, 화학 증폭형 감광성 수지 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 막 두께를 10㎛ 이상으로 사용하는 것을 특징으로 하는, 화학 증폭형 감광성 수지 조성물.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20210013178A (ko) * 2018-05-24 2021-02-03 메르크 파텐트 게엠베하 노볼락/dnq 기반의 화학 증폭형 포토레지스트
JP2021524943A (ja) * 2018-06-18 2021-09-16 ヨンチャン ケミカル カンパニー リミテッドＹｏｕｎｇ Ｃｈａｎｇ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．，Ｌｔｄ パターンプロファイル改善用化学増幅型ポジティブフォトレジスト組成物

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