JP2003043688A - 厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高感度で、メッキ耐性が良好である上に、バ
ンプ形成用材料として好適な厚膜形成に適する厚膜用ネ
ガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを
用いたバンプ形成方法を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）ノボラック樹脂、（Ｂ）可塑剤、
（Ｃ）架橋剤、および（Ｄ）酸発生剤を含有することを
特徴とする厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物と、該組成
物を基材上に塗布、乾燥してなる膜厚５〜１００μｍの
ホトレジスト膜。さらに該組成物を電子部品の基板上に
塗布し、パターニングし、メッキ処理を行うバンプ形成
方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、厚膜用ネガ型ホト
レジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバ
ンプ形成方法に関するものである。さらに詳しくは、本
発明は、回路基板の製造および半導体や電子部品の回路
基板への実装の際に行われるバンプ形成、配線形成、層
間絶縁層、回路保護膜、および精密部品加工・製造など
のホトファブリケーションに好適なアルカリ現像可能な
厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ホトファブリケーションとは、感光性樹
脂組成物を加工物表面に塗布し、ホトリソグラフィー技
術によって塗膜をパターニングし、これをマスクとして
化学エッチング、電解エッチングまたは電気メッキを主
体とするエレクトロフォーミング技術の単独、あるいは
組み合わせにより各種精密部品を製造する技術の総称で
あり、現在の精密微細加工技術の主流となっている。近
年、電子機器のダウンサイジングに伴い、ＬＳＩの高集
積化およびＡＳＩＣ化が急激に進んでおり、ＬＳＩを電
子機器に搭載するための多ピン薄膜実装が求められ、Ｔ
ＡＢ方式やフリップチップ方式によるベアチップ実装な
どが注目されてきている。このような多ピン実装方法で
は、接続用端子であるバンプと呼ばれる高さ２０μｍ以
上の突起電極が、基板上に高精度に配置されることが必
要であり、今後、さらなるＬＳＩの小型化に対応してバ
ンプの高精度化がより一層必要になってきている。ま
た、上記接続用端子の形成を補助するため、再配線工程
を用いてチップと接続用端子間の配線を形成する場合も
よく見ることができる。この場合、５〜２０μｍ程度の
レジストを用い、配線パターンを形成する。

【０００３】このようなバンプを形成するときに使用さ
れるバンプ形成用材料や、再配線用材料として厚膜用ホ
トレジストが用いられる。厚膜用ホトレジストとは基板
の上におおむね５μｍ以上の膜厚を形成できるレジスト
を意味する。この厚膜パターンをマスクにして、メッキ
工程によりバンプを形成する。

【０００４】例えば特開平１０−２０７０５７号公報、
特開２０００−３９７０９号公報、特開２０００−６６
３８６号公報には、パンプ形成用や配線形成用として用
いられる厚膜用感光性樹脂組成物について記載されてい
る。しかし、これら従来の厚膜用感光性樹脂組成物で
は、膜が厚いことから、レジスト膜全域を十分に反応さ
せるために多くの反応開始剤が必要であった。しかし、
反応開始剤が多い場合、相溶性が悪くなったり、保存安
定性が低下する傾向がある。従って、より高感度な反応
開始剤が求められていた。

【０００５】一方、高感度な感光性樹脂組成物として、
酸発生剤を用いた化学増幅型レジストが知られている。
化学増幅型レジストの特徴は、放射線照射により含有成
分である酸発生剤から発生したプロトン酸が、露光後の
加熱処理により樹脂組成物中のベース樹脂等に対し酸触
媒反応を起こすことである。このようにして光反応効率
（一光子当たりの反応）が１未満の従来のレジストに比
べて飛躍的な高感度化を達成している。化学増幅型ネガ
型レジストの代表的な例としてはＳＰＩＥプロシーディ
ング（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ ＳＰＩＥ）、１０
８６巻、３４−４７頁（１９８９年）にＬ．Ｅ．Ｂｏｇ
ａｎらのポリビニルフェノールとメラミン誘導体を組み
合わせたレジストが記載されている。しかし、これらの
化学増幅型レジストを使用して厚膜を作成した場合、ひ
び（クラック）が生じ、必要なメッキ耐性が得られなか
った。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、上記の従来技術の問題を解決し、高感度で、メッ
キ耐性が良好である上に、バンプ形成用材料として好適
な厚膜形成に適する厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物、
ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法を提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、
（Ａ）ノボラック樹脂、（Ｂ）可塑剤、（Ｃ）架橋剤、
および（Ｄ）酸発生剤を含有することを特徴とする厚膜
用ネガ型ホトレジスト組成物である。請求項２の発明
は、（Ａ）成分がアルカリ可溶性ノボラック樹脂である
ことを特徴とする請求項１記載の厚膜用ネガ型ホトレジ
スト組成物である。請求項３の発明は、（Ｂ）成分がア
ルカリ可溶性アクリル系樹脂であることを特徴とする請
求項１記載の厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物である。
請求項４の発明は、（Ｂ）成分がアルカリ可溶性ビニル
樹脂であることを特徴とする請求項１記載の厚膜用ネガ
型ホトレジスト組成物である。請求項５の発明は、
（Ｃ）成分がアルコキシメチル化アミノ樹脂であること
を特徴とする請求項１記載の厚膜用ネガ型ホトレジスト
組成物である。請求項６の発明は、アルコキシメチル化
アミノ樹脂がメトキシメチル化メラミン樹脂、エトキシ
メチル化メラミン樹脂、プロポキシメチル化メラミン樹
脂およびブトキシメチル化メラミン樹脂から選ばれた少
なくとも一種であることを特徴とする請求項５記載の厚
膜用ネガ型ホトレジスト組成物である。請求項７の発明
は、（Ｄ）成分がトリアジン化合物であることを特徴と
する請求項１記載の厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物で
ある。請求項８の発明は、請求項１ないし７のいずれか
１項に記載の厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物を基材上
に塗布、乾燥してなる膜厚５〜１００μｍのホトレジス
ト膜である。請求項９の発明は、電子部品の基板上に、
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の厚膜用ネガ型
ホトレジスト組成物を塗布し、得られた塗膜に所定のパ
ターンのマスクを介して放射線照射し、加熱し、現像
し、次いでメッキ処理を行うことを特徴とするバンプ形
成方法である。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の組成物について説
明する。 （Ａ）ノボラック樹脂 本発明に用いられる（Ａ）ノボラック樹脂は、好ましく
はアルカリ可溶性のものである。このような（Ａ）ノボ
ラック樹脂は、例えばフェノール性水酸基を持つ芳香族
化合物（以下、単に「フェノール類」という）とアルデ
ヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得られ
る。この際使用されるフェノール類としては、例えばフ
ェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレ
ゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノー
ル、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ
−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−
キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレ
ノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノー
ル、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフ
ェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、ｐーフ
ェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒ
ドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロロ
グリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノール
Ａ、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナフトール、β
−ナフトール等が挙げられる。またアルデヒド類として
は、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、
フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデ
ヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。付加縮合反応
時の触媒として、特に限定されるものではないが例えば
酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、蓚酸、酢酸等が
使用される。（Ａ）ノボラック樹脂の重量平均分子量は
とくに制限されないが、５，０００〜３０，０００が好
ましい。 上記（Ａ）成分は（Ａ）〜（Ｄ）成分の総量１００重量
部に対して５０〜９５重量部、好ましくは６５〜８０重
量部の範囲で含有することができる。（Ａ）成分が５０
重量部未満では、耐メッキ液性、バンプ形状、剥離性が
低下することがあり好ましくなく、９５重量部を超える
と現像時に現像不良を起こすことがあり好ましくない。

【０００９】（Ｂ）可塑剤 本発明に用いられる（Ｂ）可塑剤は、エチレン性二重結
合を有する重合体等が挙げられ、中でもアクリル系ポリ
マーまたはビニル系ポリマーを採用するのが好ましい。
以下、（Ｂ）成分としてアクリル系ポリマーまたはビニ
ル系ポリマーを用いた例について説明する。

【００１０】本発明の（Ｂ）成分において、とくにアク
リル系ポリマーは、アルカリ可溶性であるものが好まし
く、またエーテル結合を有する重合性化合物から誘導さ
れた構成単位、およびカルボキシル基を有する重合性化
合物から誘導された構成単位を含有するものが好まし
い。

【００１１】エーテル結合を有する重合性化合物として
は、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキ
シトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、３−
メトキシブチル（メタ）アクリレート、エチルカルビト
ール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレング
リコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレ
ングリコール（メタ）アクリレート、テトラヒドロフル
フリル（メタ）アクリレート等のエーテル結合およびエ
ステル結合を有する（メタ）アクリル酸誘導体を例示す
ることができ、好ましくは、２−メトキシエチルアクリ
レート、メトキシトリエチレングリコールアクリレート
である。これらの化合物は単独もしくは２種以上組み合
わせて使用できる。カルボキシル基を有する重合性化合
物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸な
どのモノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン
酸などのジカルボン酸、２−メタクリロイルオキシエチ
ルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルマレイン
酸、２−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２−メ
タクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸などの
カルボキシル基およびエステル結合を有するメタクリル
酸誘導体を例示することができ、好ましくは、アクリル
酸、メタクリル酸である。これらの化合物は単独もしく
は２種以上組み合わせて使用できる。

【００１２】アクリル系ポリマーにおけるエーテル結合
を有する重合性化合物は３０〜９０重量％であり、好ま
しくは４０〜８０重量％である。９０重量％を超えると
（Ａ）ノボラック樹脂溶液に対する相溶性が悪くなり、
プリベイク時にベナードセル（重力もしくは表面張力勾
配等によって塗膜表面に生じる不均一性を有する五〜七
角形のネットワークパターン）が発生し均一なレジスト
膜が得られにくい傾向があり、３０重量％未満ではメッ
キ時にクラックが発生する傾向がある。アクリル系ポリ
マーにおけるカルボキシル基を有する重合性化合物は２
〜５０重量％であり、好ましくは５〜４０重量％であ
る。２重量％未満であると、アクリル樹脂のアルカリ溶
解性が低下し、十分な現像性が得られない。また剥離性
が低下し基板上にレジストが残膜する。５０重量％を超
えると、現像後の残膜率の低下や耐メッキ性が悪化する
傾向がある。

【００１３】アクリル系ポリマーの重量平均分子量は１
０，０００〜８００，０００、好ましくは３０，０００
〜５００，０００である。１０，０００未満であるとレ
ジスト膜が十分な強度を得られず、メッキ時のプロファ
イルの膨れ、クラックの発生を引き起こす傾向がある。
８００，０００を超えると密着性が低下する傾向があ
る。

【００１４】さらに、アクリル系ポリマーには、物理
的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他のラ
ジカル重合性化合物を単量体として含むことができる。
ここで「他のラジカル重合性化合物」とは、前出の重合
性化合物以外のラジカル重合性化合物の意味である。こ
の様なラジカル重合性化合物としては、メチル（メタ）
アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル
（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸アルキ
ルエステル類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレ
ート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートな
どの（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル
類；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）
アクリレートなどの（メタ）アクリル酸アリールエステ
ル類；マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチルなどのジ
カルボン酸ジエステル類；スチレン、α−メチルスチレ
ンなどのビニル基含有芳香族化合物；酢酸ビニルなどの
ビニル基含有脂肪族化合物；ブタジエン、イソプレンな
どの共役ジオレフィン類；アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリルなどのニトリル基含有重合性化合物；塩化ビ
ニル、塩化ビニリデンなどの塩素含有重合性化合物；ア
クリルアミド、メタクリルアミドなどのアミド結合含有
重合性化合物などを用いることができる。これらの化合
物は単独、もしくは２種以上組み合わせて用いることが
でき、これらのうち特に、ｎ−ブチルアクリレート、ベ
ンジルメタクリレート、メチルメタクリレートなどが好
ましい。アクリル系ポリマーに占める他のラジカル重合
性化合物は５０重量％未満が好ましく、より好ましくは
４０重量％未満である。

【００１５】アクリル系ポリマーを合成する際に用いら
れる重合溶媒としては、例えばエタノール、ジエチレン
グリコールなどのアルコール類；エチレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルな
どの多価アルコールのアルキルエーテル類；エチレング
リコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールメチルエーテルアセテートなどの多価アルコールの
アルキルエーテルアセテート類；トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素類；アセトン、メチルイソブチルケ
トンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエ
ステル類等を用いることができる。これらのうち特に、
多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコール
のアルキルエーテルアセテート類が好ましい。アクリル
系ポリマーを合成する際に用いられる重合触媒として
は、通常のラジカル重合開始剤が使用でき、例えば２，
２’−アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾ化合物；
ベンゾイルパーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド
などの有機過酸化物などが使用できる。

【００１６】また、本発明によれば、（Ｂ）成分として
ビニル系ポリマーを好ましく用いることができる。ここ
で本発明でいうビニル系ポリマーとは、ビニル系化合物
から得られる重合体である。例えば、ポリ塩化ビニル、
ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレン、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリビニル安息香酸、ポリビニルアルコール、ポリ
アクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸エステ
ル、ポリマレイン酸イミド、ポリアクリルアミド、ポリ
アクリロニトリル、ポリビニルフェノールおよびそれら
の共重合体等が挙げられる。これらの樹脂の中では樹脂
側鎖または主鎖にカルボキシル基あるいはフェノール性
水酸基等を有するものがアルカリ現像可能なため好まし
い。特に、カルボキシル基を有する樹脂は高アルカリ現
像性なので好ましい。また、ビニル系ポリマーの重量平
均分子量は、１０，０００〜２００，０００、好ましく
は５０，０００〜１００，０００がよい。

【００１７】上記（Ｂ）成分は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の
総量１００重量部に対して５〜３０重量部、好ましくは
１０〜２０重量部の範囲で含有することができる。前記
（Ｂ）成分が５重量部未満では、メッキ時にレジストの
浮き、クラックの発生等、耐メッキ液性が低下し、３０
重量部を超えると、形成されるレジスト膜の強度が低下
し、膨れなどにより鮮明なプロファイルが得られず、解
像度が低下する傾向が見られる。

【００１８】（Ｃ）架橋剤 本発明で使用される架橋剤（以下（Ｃ）成分という）と
しては、アミノ化合物、例えばメラミン樹脂、尿素樹
脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデ
ヒド樹脂、スクシニルアミド−ホルムアルデヒド樹脂、
エチレン尿素−ホルムアルデヒド樹脂等を用いることが
できるが、特にアルコキシメチル化メラミン樹脂やアル
コキシメチル化尿素樹脂等のアルコキシメチル化アミノ
樹脂等が好適に使用できる。前記アルコキシメチル化ア
ミノ樹脂は、例えば、沸騰水溶液中でメラミンまたは尿
素をホルマリンと反応させて得た縮合物を、メチルアル
コール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチ
ルアルコール、イソプロピルアルコール等の低級アルコ
ール類でエーテル化させ、次いで反応液を冷却して析出
させることで製造できる。前記アルコキシメチル化アミ
ノ樹脂としては、具体的にメトキシメチル化メラミン樹
脂、エトキシメチル化メラミン樹脂、プロポキシメチル
化メラミン樹脂、ブトキシメチル化メラミン樹脂、メト
キシメチル化尿素樹脂、エトキシメチル化尿素樹脂、プ
ロポキシメチル化尿素樹脂、ブトキシメチル化尿素樹脂
等が挙げられる。前記アルコキシメチル化アミノ樹脂は
単独、または２種以上を組合わせて用いることができ
る。特にアルコキシメチル化メラミン樹脂は、放射線の
照射量の変化に対するレジストパターンの寸法変化量が
小さく安定したレジストパターンを形成できて好まし
い。中でも、メトキシメチル化メラミン樹脂、エトキシ
メチル化メラミン樹脂、プロポキシメチル化メラミン樹
脂およびブトキシメチル化メラミン樹脂が好適である。

【００１９】上記（Ｃ）成分は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の
総量１００重量部に対して１〜３０重量部、好ましくは
５〜２０重量部の範囲で含有することができる。前記
（Ｃ）成分が１重量部未満では、得られた厚膜の耐メッ
キ性、耐薬品性、密着性の低下や、形成されたバンプ形
状が不良であることがあり好ましくなく、また３０重量
部を超えると現像時に現像不良を起こすことがあり好ま
しくない。

【００２０】（Ｄ）酸発生剤 本発明で用いられる酸発生剤（以下（Ｄ）成分という）
としては、光により直接若しくは間接的に酸を発生する
化合物であれば特に限定されないが、具体的には、２，
４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（２−フリ
ル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリ
クロロメチル）−６−［２−（５−メチル−２−フリ
ル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリ
クロロメチル）−６−［２−（５−エチル−２−フリ
ル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリ
クロロメチル）−６−［２−（５−プロピル−２−フリ
ル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリ
クロロメチル）−６−［２−（３，５−ジメトキシフェ
ニル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（ト
リクロロメチル）−６−［２−（３，５−ジエトキシフ
ェニル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス
（トリクロロメチル）−６−［２−（３，５−ジプロポ
キシフェニル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−
ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（３−メトキシ
−５−エトキシフェニル）エテニル］−ｓ−トリアジ
ン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−
（３−メトキシ−５−プロポキシフェニル）エテニル］
−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）
−６−［２−（３，４−メチレンジオキシフェニル）エ
テニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロ
メチル）−６−（３，４−メチレンジオキシフェニル）
−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−
６−（３−ブロモ−４メトキシ）フェニル−ｓ−トリア
ジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブ
ロモ−４メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４
−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４メト
キシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビ
ス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４メトキ
シ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２‐（４‐メ
トキシフェニル）‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）
‐１，３，５‐トリアジン、２‐（４‐メトキシナフチ
ル）‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５
‐トリアジン、２‐［２‐（２‐フリル）エテニル］‐
４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５‐トリ
アジン、２‐［２‐（５‐メチル‐２‐フリル）エテニ
ル］‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５
‐トリアジン、２‐［２‐（３，５‐ジメトキシフェニ
ル）エテニル］‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐
１，３，５‐トリアジン、２‐［２‐（３，４‐ジメト
キシフェニル）エテニル］‐４，６‐ビス（トリクロロ
メチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐（３，４‐メ
チレンジオキシフェニル）‐４，６‐ビス（トリクロロ
メチル）‐１，３，５‐トリアジン、トリス（１，３‐
ジブロモプロピル）‐１，３，５‐トリアジン、トリス
（２，３‐ジブロモプロピル）‐１，３，５‐トリアジ
ン等のハロゲン含有トリアジン化合物およびトリス
（２，３‐ジブロモプロピル）イソシアヌレート等の下
記の一般式で表されるハロゲン含有トリアジン化合物；

【００２１】

【化１】

【００２２】（式中、Ｒ^１〜Ｒ^３は、それぞれ同一であ
っても異なってもよく、ハロゲン化アルキル基を示す）

【００２３】α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミ
ノ）−フェニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホ
ニルオキシイミノ）−２，４−ジクロロフェニルアセト
ニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−
２，６−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−（２−
クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキ
シフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオ
キシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、
下記一般式で表される化合物；

【００２４】

【化２】

【００２５】（式中、Ｒ^４は、一価〜三価の有機基、Ｒ
^５は置換、未置換の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基
または芳香族性化合物基を示し、ｎは１〜３の自然数を
示す。ここで芳香族性化合物基とは、芳香族化合物に特
有な物理的・化学的性質を示す化合物の基を指し、例え
ばフェニル基、ナフチル基などの芳香族炭化水素基や、
フリル基、チエニル基などの複素環基が挙げられる。こ
れらは環上に適当な置換基、例えばハロゲン原子、アル
キル基、アルコキシ基、ニトロ基などを１個以上有して
いてもよい。また、Ｒ^５は炭素数１〜４のアルキル基が
特に好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基が挙げられる。特にＲ^４が芳香族性化合物基、Ｒ^５
が低級アルキル基の化合物が好ましい。上記一般式で表
わされる酸発生剤としては、ｎ＝１の時、Ｒ^４がフェニ
ル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基のいずれ
かであって、Ｒ^５がメチル基の化合物、具体的にはα−
（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−フェニルアセ
トニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−
１−（ｐ−メチルフェニル）アセトニトリル、α−（メ
チルスルホニルオキシイミノ）−１−（ｐ−メトキシフ
ェニル）アセトニトリルが挙げられる。ｎ＝２の時、上
記一般式で表わされる酸発生剤としては、具体的には下
記化学式で表される酸発生剤が挙げられる。）

【００２６】

【化３】

【００２７】ビス（ｐ‐トルエンスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（１，１‐ジメチルエチルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジ
アゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類；ｐ‐ト
ルエンスルホン酸２‐ニトロベンジル、ｐ‐トルエンス
ルホン酸２，６‐ジニトロベンジル、ニトロベンジルト
シレート、ジニトロベンジルトシレート、ニトロベンジ
ルスルホネート、ニトロベンジルカルボネート、ジニト
ロベンジルカルボネート等のニトロベンジル誘導体；ピ
ロガロールトリメシレート、ピルガロールトリトシレー
ト、ベンジルトシレート、ベンジルスルホネート、N−
メチルスルホニルオキシスクシンイミド、N−トリクロ
ロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N−フェニ
ルスルホニルオキシマレイミド、N−メチルスルホニル
オキシフタルイミド等のスルホン酸エステル；ジフェニ
ルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、（４‐
メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ビス（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェ
ニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロフォスフェー
ト、（４‐メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブ
チルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート等のオニウム塩；ベンゾイントシレー
ト、α‐メチルベンゾイントシレートなどのベンゾイン
トシレート類；その他のジフェニルヨードニウム塩、ト
リフェニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニウム塩、
ベンジルカルボネート等が挙げられる。特に、トリアジ
ン化合物は光による酸発生剤としての性能が高く、かつ
溶剤を用いる場合においても溶解性が良好であることか
ら好ましく用いることができる。中でも、ブロモ含有ト
リアジン化合物、とくに２，４−ビス−トリクロロメチ
ル−６−（３−ブロモ−４メトキシ）フェニル−ｓ−ト
リアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３
−ブロモ−４−メトキシ）スチリル−ｓ−トリアジン、
トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレート
が好適に使用できる。

【００２８】上記（Ｄ）成分は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の
総和１００重量部に対して０．０１〜５重量部、好まし
くは０．０５〜１重量部、さらに好ましくは０．１〜
０．５重量部の範囲で含有することができる。（Ｄ）成
分が０．０１重量部未満では、熱や光による架橋硬化が
十分に行われず得られた厚膜の耐メッキ性、耐薬品性、
密着性の低下や、形成されたバンプ形状が不良であるこ
とがあり好ましくなく、また５重量部を超えると現像時
に現像不良を起こすことがあり好ましくない。

【００２９】さらに、本発明の厚膜用感光性組成物は粘
度調整のため有機溶剤を適宜配合することができる。前
記有機溶剤としては、具体的にはエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチ
レングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコー
ルジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエー
テル、エチレングリコールジプロピルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプ
ロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェ
ニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプ
ロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
フェニルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノプロピルエーテルアセテート、２−メトキシブチルア
セテート、３−メトキシブチルアセテート、４−メトキ
シブチルアセテート、２−メチル−３−メトキシブチル
アセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテー
ト、３−エチル−３−メトキシブチルアセテート、２−
エトキシブチルアセテート、４−エトキシブチルアセテ
ート、４−プロポキシブチルアセテート、２−メトキシ
ペンチルアセテート、３−メトキシペンチルアセテー
ト、４−メトキシペンチルアセテート、２−メチル−３
−メトキシペンチルアセテート、３−メチル−３−メト
キシペンチルアセテート、３−メチル−４−メトキシペ
ンチルアセテート、４−メチル−４−メトキシペンチル
アセテート、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチル
ケトン、メチルシソブチルケトン、エチルイソブチルケ
トン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、プロピ
オン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロ
ピル、プロピオン酸イソプロピル、２−ヒドロキシプロ
ピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、
２−ヒドロキシ−２−メチル、メチル−３−メトキシプ
ロピオネート、エチル−３−メトキシプロピオネート、
エチル−３−エトキシプロピオネート、エチル−３−プ
ロポキシプロピオネート、プロピル−３−メトキシプロ
ピオネート、イソプロピル−３−メトキシプロピオネー
ト、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、２−ヒド
ロキシ−３−メチルブタン酸メチル、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチ
ル、酢酸イソアミル、炭酸メチル、炭酸エチル、炭酸プ
ロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エ
チル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト
酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ベンジルメチルエーテ
ル、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、酢
酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレ
イン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、ベンゼン、トル
エン、キシレン、シクロヘキサノン、メタノール、エタ
ノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シ
クロヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレング
リコール、グリセリンなどを挙げることができる。これ
らは単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いても
よい。これらの溶剤の使用量は、得られる厚膜用ネガ型
ホトレジスト組成物をスピンコート法を用いて２０μｍ
以上の膜厚を得るためには固形分濃度が、６５重量％以
下になる範囲が好ましい。固形分濃度が６５重量％を超
えると組成物の流動性が著しく悪化し、取り扱いが困難
な上、スピンコート法では、均一なレジストフィルムが
得られにくい。

【００３０】上記各成分に加えて、本発明の組成物は、
必要に応じ、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジ
ブチルアミン、トリエタノールアミンなどの第二級また
は第三級アミンなどのクエンチャーを含有することがで
きる。

【００３１】本発明の組成物には、塗布性、消泡性、レ
ベリング性などを向上させる目的で必要に応じて界面活
性剤を配合することもできる。界面活性剤としては、ア
ニオン系、カチオン系、ノニオン系の各種活性剤が挙げ
られる。例えば、ＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（Ｂ
Ｍ ケミー社製）、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７
２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３（大日本インキ化学工業
（株）製）、フロラードＦＣ−１３５、同ＦＣ−１７０
Ｃ、同ＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（住友スリーエム
（株）製）、サーフロンＳ−１１２、同Ｓ−１１３、同
Ｓ−１３１、同Ｓ−１４１、同Ｓ−１４５（旭硝子
（株）製）、ＳＨ−２８ＰＡ、同−１９０、同−１９
３、ＳＺ−６０３２、ＳＦ−８４２８（東レシリコーン
（株）製）などの名称で市販されているフッ素系界面活
性剤等を使用することができる。これらの界面活性剤の
使用量は、（Ａ）ノボラック樹脂１００重量部に対して
好ましくは５重量部以下である。

【００３２】本発明の組成物には、基板との接着性を向
上させるために接着助剤を使用することもできる。使用
される接着助剤としては、官能性シランカップリング剤
が有効である。ここで、官能性シランカップリング剤と
は、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネー
ト基、エポキシ基などの反応性置換基を有するシランカ
ップリング剤を意味し、具体例としてはトリメトキシシ
リル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシランなどを挙げることができる。その
配合量は、（Ａ）ノボラック樹脂１００重量部当たり２
０重量部以下が好ましい。

【００３３】また、本発明の組成物には、アルカリ現像
液に対する溶解性の微調整を行なうために、酢酸、プロ
ピオン酸、ｎ−酪酸、ｉｓｏ−酪酸、ｎ−吉草酸、ｉｓ
ｏ−吉草酸、安息香酸、けい皮酸などのモノカルボン
酸；乳酸、２−ヒドロキシ酪酸、３−ヒドロキシ酪酸、
サリチル酸、ｍ−ヒドロキシ安息香酸、ｐ−ヒドロキシ
安息香酸、２−ヒドロキシけい皮酸、３−ヒドロキシけ
い皮酸、４−ヒドロキシけい皮酸、５−ヒドロキシイソ
フタル酸、シリンギン酸などのヒドロキシモノカルボン
酸；シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マ
レイン酸、イタコン酸、ヘキサヒドロフタル酸、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、１，２−シクロヘキ
サンジカルボン酸、１，２，４−シクロヘキサントリカ
ルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、シクロペ
ンタンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、
１，２，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸などの多
価カルボン酸；無水イタコン酸、無水コハク酸、無水シ
トラコン酸、無水ドデセニルコハク酸、無水トリカルバ
ニル酸、無水マレイン酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、
無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ハイミック酸、
１，２，３，４，−ブタンテトラカルボン酸、シクロペ
ンタンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、無水
ピロメリット酸、無水トリメリット酸、無水ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス無水ト
リメリテート、グリセリントリス無水トリメリテートな
どの酸無水物を添加することもできる。さらに、Ｎ−メ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ
−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、
ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロ
ン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−
ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
フェニルセロソルブアセテートなどの高沸点溶媒を添加
することもできる。上記のアルカリ現像液に対する溶解
性の微調整を行なうための化合物の使用量は、用途、塗
布方法に応じて調整することができ、組成物を均一に混
合させることができれば特に限定されるものではない
が、得られる組成物に対して６０重量％以下、好ましく
は４０重量％以下である。

【００３４】さらに、本発明の組成物には必要に応じて
充填材、着色剤、粘度調整剤などを添加することもでき
る。充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、ベン
トナイト、ジルコニウムシリケート、粉末ガラスなどを
挙げることができる。着色剤としては、アルミナ白、ク
レー、炭酸バリウム、硫酸バリウムなどの体質顔料；亜
鉛華、鉛白、黄鉛、鉛丹、群青、紺青、酸化チタン、ク
ロム酸亜鉛、ベンガラ、カーボンブラックなどの無機顔
料；ブリリアントカーミン６Ｂ、パーマネントレッド６
Ｂ、パーマネントレッドＲ、ベンジジンイエロー、フタ
ロシアニンブルー、フタロシアニングリーンなどの有機
顔料；マゼンタ、ローダミンなどの塩基性染料；ダイレ
クトスカーレット、ダイレクトオレンジなどの直接染
料；ローセリン、メタニルイエローなどの酸性染料が挙
げられる。また、粘度調整剤としては、ベントナイト、
シリカゲル、アルミニウム粉末などを挙げることができ
る。これらの添加剤は、組成物の本質的な特性を損なわ
ない範囲、好ましくは、得られる組成物に対して、５０
重量％以下である。

【００３５】また、本発明の組成物には必要に応じて消
泡剤、その他の添加剤を添加することができる。消泡剤
としてはシリコーン系、フッ素系各種消泡剤などが挙げ
られる。

【００３６】本発明の組成物の調製は、充填材、顔料を
添加しない場合には、通常の方法で混合、攪拌するだけ
でよく、充填材、顔料を添加する場合にはディゾルバ
ー、ホモジナイザー、３本ロールミルなどの分散機を用
い分散、混合させればよい。また、必要に応じて、さら
にメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いてろ過し
てもよい。

【００３７】なお、本発明の組成物は厚膜用として好適
であるが、その利用範囲はこれに限定されず、例えば
銅、クロム、鉄、ガラス基板等各種基板のエッチング時
の保護膜や半導体製造用レジストとしても使用すること
ができる。本発明の組成物をホトレジスト膜とした場合
の膜厚は５〜１００μｍ、好ましくは５〜４０μｍ、さ
らに好ましくは２０〜３０μｍである。

【００３８】本発明の組成物をレジストフィルムとした
バンプの形成は例えば次のようにして行われる。 （１）塗膜の形成：上述のように調製した組成物の溶液
を所定の配線パターンを有する基板上に厚さ５μｍ〜１
００μｍ、好ましくは２０〜４０μｍで塗布し、加熱に
より溶媒を除去することによって所望の塗膜を形成す
る。被処理基板上への塗布方法としては、スピンコート
法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケータ
ー法などの方法を採用することができる。本発明の組成
物の塗膜のプレベーク条件は、組成物中の各成分の種
類、配合割合、塗布膜厚などによって異なるが、通常は
７０〜１３０℃で、好ましくは８０〜１２０℃で、２〜
６０分間程度である。 （２）放射線照射：得られた塗膜に所定のパターンのマ
スクを介して、放射線、例えば波長が３００〜５００ｎ
ｍの紫外線または可視光線を照射することにより、バン
プを形成する配線パターン部分のみを露光させる。これ
らの放射線の線源として、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超
高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレー
ザーなどを用いることができる。ここで放射線とは、紫
外線、可視光線、遠紫外線、Ｘ線、電子線などを意味す
る。放射線照射量は、組成物中の各成分の種類、配合
量、塗膜の膜厚などによって異なるが、例えば超高圧水
銀灯使用の場合、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ²であ
る。 （３）加熱：露光後、公知の方法を用いて加熱する。 （４）現像：放射線照射後の現像方法としては、アルカ
リ性水溶液を現像液として用いて、不要な部分を溶解、
除去し、放射線未照射部分のみ溶解除去させる。現像液
としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリ
ウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミ
ン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエ
チルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシク
ロ［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビ
シクロ［４，３，０］−５−ノナンなどのアルカリ類の
水溶液を使用することができる。また上記アルカリ類の
水溶液にメタノール、エタノールなどの水溶性有機溶媒
や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使
用することもできる。現像時間は、組成物各成分の種
類、配合割合、組成物の乾燥膜厚によって異なるが、通
常１〜３０分間であり、また現像の方法は液盛り法、デ
ィッピング法、パドル法、スプレー現像法などのいずれ
でも良い。現像後は、流水洗浄を３０〜９０秒間行い、
エアーガンなどを用いて風乾させたり、オーブン中で乾
燥させる。

【００３９】メッキ処理方法はとくに制限されず、従来
から公知の各種メッキ方法を採用することができる。

【００４０】

【実施例】以下、本発明を実施例および比較例により具
体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるも
のではない。また、特にことわりの無い限り、部は重量
部、％は重量％を示す。

【００４１】＜（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂の
合成＞ 合成例１ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールを重量比６０：４０の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してクレゾールノボラック樹脂
を得た。この樹脂に対して分別処理を施し、低分子領域
をカットして重量平均分子量１５０００のアルカリ可溶
性ノボラック樹脂を得た。この樹脂を（Ａ）ノボラック
樹脂とする。

【００４２】＜（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂の合
成＞ 合成例２ 攪拌装置、還流器、温度計、滴下槽のついたフラスコを
窒素置換した後、溶媒としてプロピレングリコールメチ
ルエーテルアセテートを２００ｇ仕込み、攪拌を始め
た。その後、溶剤の温度を８０℃まで上昇させた。滴下
槽に重合溶媒として２，２’−アゾビスイソブチロニト
リル０．５ｇ、２−メトキシエチルアクリレート１３０
ｇ、ベンジルメタクリレート５０．０ｇ、アクリル酸２
０．０ｇを仕込み、重合開始剤（和光純薬社製、商品名
Ｖ−６５）が溶解するまで攪拌した後、この溶液をフラ
スコ内に３時間均一滴下し、引き続き８０℃で５時間重
合を行った。その後、室温まで冷却し、アクリル樹脂を
得た。この樹脂を（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂と
する。

【００４３】実施例１ （Ａ）ノボラック樹脂７５部、（Ｂ）アルカリ可溶性ア
クリル樹脂１５部、（Ｃ）架橋剤としてヘキサメトキシ
メチル化メラミン（三和ケミカル社製商品名ニカラック
Ｍｗ−１００）１０部、（Ｄ）下記式で示される酸発生
剤０．３部をプロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート１５０部の溶剤に溶解した後、孔径１．０μｍの
メンブレンフィルターを用いてろ過し、ネガ型ホトレジ
スト組成物を調製した。該組成物を用いて下記に示す特
性評価を行った。結果を表１に示す。

【００４４】

【化４】

【００４５】実施例２ （Ａ）ノボラック樹脂７０部、（Ｂ）アルカリ可溶性ア
クリル樹脂２０部を用いた以外は実施例１と同様の操作
によりネガ型ホトレジスト組成物を調製した。該組成物
を用いて下記に示す特性評価を行った。結果を表１に示
す。

【００４６】実施例３ （Ａ）ノボラック樹脂８０部、（Ｂ）アルカリ可溶性ア
クリル樹脂１０部を用いた以外は実施例１と同様の操作
によりネガ型ホトレジスト組成物を調製した。該組成物
を用いて下記に示す特性評価を行った。結果を表１に示
す。

【００４７】実施例４ （Ｂ）可塑剤にエチルビニルエーテルを触媒存在下、気
相高温高圧重合反応することで得られるアルカリ可溶性
ビニルエチルエーテルポリマー１５部を用いた以外は実
施例１と同様の操作によりネガ型ホトレジスト組成物を
調整した。該組成物を用いて下記に示す特性評価を行っ
た。結果を表１に示す。

【００４８】実施例５ （Ｂ）可塑剤にメチルビニルエーテルを触媒存在下、気
相高温高圧重合反応することで得られるアルカリ可溶性
ビニルメチルエーテルポリマー１５部を用いた以外は実
施例１と同様の操作によりネガ型ホトレジスト組成物を
調整した。該組成物を用いて下記に示す特性評価を行っ
た。結果を表１に示す。

【００４９】比較例１ （Ｂ）成分を使用しない以外は実施例１と同様の操作に
よりネガ型ホトレジスト組成物を調整した。該組成物を
用いて下記に示す特性評価を行った。結果を表２に示
す。

【００５０】比較例２ （Ｃ）架橋剤、および（Ｄ）酸発生剤を用いず、公知の
光反応開始剤、すなわち下記化学式（１）で表される化
合物１モルに対して１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロリド２モルを反応させた光反応開始剤
１５部を用いた以外は実施例１と同様の操作によりネガ
型ホトレジスト組成物を調整した。該組成物を用いて下
記に示す特性評価を行った。結果を表２に示す。

【００５１】

【化５】

【００５２】特性の評価 相溶性 前記ネガ型ホトレジスト組成物を室温にて１２時間混
合、攪拌し、攪拌直後および攪拌後１２時間経過後の溶
解状態を目視にて観察した。分散状態を下記の評価基準
で判定した。 ○：１２時間攪拌後に組成物が、均一に分散することが
目視で確認された。 △：１２時間攪拌後に組成物が、均一に分散するが長時
間静置により相分離した。 ×：１２時間攪拌後に組成物が、均一に分散していな
い。

【００５３】塗布性 ５インチの金スパッタリングウェーハ上にスピンナーを
用いて、前記ネガ型ホトレジスト組成物を１０００ｒｐ
ｍにて２５秒間塗布した後、１１０℃で６分間ホットプ
レート上で加熱した。形成されたフィルム面を目視で観
察し、塗布性を下記の評価基準で判定した。 〇：得られた塗膜にムラがなく均一である。 ×：得られた塗膜にピンホールやはじき等のムラがあ
る。

【００５４】現像・解像性 ５インチのシリコンウエハー上にスピンナーを用いて、
前記ネガ型ホトレジスト組成物を１０００ｒｐｍにて２
５秒間塗布した後、１１０℃で６分間ホットプレート上
でプレベークし、膜厚約２０μｍの塗膜を形成した。次
に、解像度測定用のパターンマスクを介して、ステッパ
ー（Ultratech社製、Saturn Spectrum 3Wafer Steppe
r）を用いて一枚の塗布基板を分割し、それぞれを２０
０〜２０００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲で段階的に紫外線露光
を行った。露光後、１１０℃で６分間加熱し、これを、
現像液（商品名ＰＭＥＲシリーズ、Ｐ−７Ｇ、東京応化
社製）で現像した。この後、流水洗浄し、窒素ブローし
てパターン状硬化物を得た。これを顕微鏡で観察し、解
像性を下記の評価基準で判定した。 ○：５μｍ角のホールパターンが上記いずれかの露光量
で解像し、残渣が認められない場合。 ×：５μｍ角のホールパターンが解像していない、また
は、残渣が認められた場合。

【００５５】耐メッキ液性 「現像・解像性評価」で得られたパターン状硬化物を有
する基板を試験体として、酸素プラズマでアッシング処
理後、ノンシアン系亜硫酸金メッキ液に７０℃で９０分
間浸漬し、流水洗浄し、被処理試験体を得た。光学顕微
鏡または電子顕微鏡を用いて、被処理試験体上に形成さ
れたバンプとパターン状硬化物の状態を観察し、パター
ン状硬化物のメッキ液に対する耐性、形成されたパンプ
の形状、パターン状硬化物のメッキ処理工程に対する耐
性を下記の評価基準で判定した。 〇：形成されたバンプとパターン状硬化物の状態に特に
変化が無く良好。 ×：パターン状硬化物にクラックや膨らみや欠けが生じ
る、またはパターン状硬化物の表面が荒れている。

【００５６】バンプ形状 「耐メッキ性評価」と同様の操作で被処理試験体を得、
形成されたバンプとパターン状硬化物の状態を光学顕微
鏡または電子顕微鏡を用いて観察し、形成されたバンプ
の形状を下記の評価基準で判定した。 ○：バンプの形状がパターン状硬化物に依存（追随）
し、良好。 ×：パンプの形状がパターン状硬化物に依存せず、膨ら
みが生じている。

【００５７】剥離性 「現像・解像性評価」で得られたパターン状硬化物を有
する基板を試験体として、室温にて攪拌中の剥離液（東
京応化製ストリッパー７１０）に５分間浸漬した後、流
水洗浄してパターン状硬化物を剥離し、目視観察あるい
は光学顕微鏡で観察し下記の基準で評価した。 〇：パターン状硬化物の残渣が認められない。 ×：パターン状硬化物の残渣が認められた。

【００５８】感光性 ５インチのシリコンウエハー上に、前記のネガ型ホトレ
ジスト組成物の約４０μｍの塗膜を形成し、解像度測定
用のパターンマスクを介して、ステッパー（Ultratech
社製、Saturn Spectrum 3 Wafer Stepper）を用いて一
枚の塗布基板を分割し、それぞれを２００〜１００００
ｍＪ／ｃｍ^２の範囲で段階的に紫外線露光を行った。こ
れを、現像液（商品名ＰＭＥＲシリーズ、Ｐ−７Ｇ、東
京応化社製）で現像した。この後、流水洗浄し、窒素ブ
ローしてパターン状硬化物を得た。これを顕微鏡で観察
し、５μｍ角のホールパターンが解像し、残渣が認めら
れない露光量を測定した。

【００５９】

【表１】

【００６０】

【表２】

【００６１】

【発明の効果】本発明によれば、高感度で、メッキ耐性
が良好である上に、バンプ形成用材料として好適な厚膜
形成に適する厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレ
ジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法が提供され
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥井 俊樹 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 駒野 博司 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AB15 AB16 AB17 AC01 AC04 AC05 AC06 AC08 AD01 BE00 CC05 CC20 FA03 FA12 FA17

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）ノボラック樹脂、（Ｂ）可塑剤、
   （Ｃ）架橋剤、および（Ｄ）酸発生剤を含有することを
   特徴とする厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物。
2. 【請求項２】 （Ａ）成分がアルカリ可溶性ノボラック
   樹脂であることを特徴とする請求項１記載の厚膜用ネガ
   型ホトレジスト組成物。
3. 【請求項３】 （Ｂ）成分がアルカリ可溶性アクリル系
   樹脂であることを特徴とする請求項１記載の厚膜用ネガ
   型ホトレジスト組成物。
4. 【請求項４】 （Ｂ）成分がアルカリ可溶性ビニル樹脂
   であることを特徴とする請求項１記載の厚膜用ネガ型ホ
   トレジスト組成物。
5. 【請求項５】 （Ｃ）成分がアルコキシメチル化アミノ
   樹脂であることを特徴とする請求項１記載の厚膜用ネガ
   型ホトレジスト組成物。
6. 【請求項６】 アルコキシメチル化アミノ樹脂がメトキ
   シメチル化メラミン樹脂、エトキシメチル化メラミン樹
   脂、プロポキシメチル化メラミン樹脂およびブトキシメ
   チル化メラミン樹脂から選ばれた少なくとも一種である
   ことを特徴とする請求項５記載の厚膜用ネガ型ホトレジ
   スト組成物。
7. 【請求項７】 （Ｄ）成分がトリアジン化合物であるこ
   とを特徴とする請求項１記載の厚膜用ネガ型ホトレジス
   ト組成物。
8. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれか１項に記載
   の厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物を基材上に塗布、乾
   燥してなる膜厚５〜１００μｍのホトレジスト膜。
9. 【請求項９】 電子部品の基板上に、請求項１ないし７
   のいずれか１項に記載の厚膜用ネガ型ホトレジスト組成
   物を塗布し、得られた塗膜に所定のパターンのマスクを
   介して放射線照射し、加熱し、現像し、次いでメッキ処
   理を行うことを特徴とするバンプ形成方法。